CN213692042U - 一种引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种引线框架，包括散热区、芯片区以及引脚区，芯片区设置于散热区与引脚区之间，芯片区设置有防水结构，芯片区与引脚区之间设置有焊接区，焊接区与芯片区处于相同水平面，芯片区上设有防水结构，芯片区上设有用于扩大与塑封体接触面积的封装结构，释放了引线框架本身的使用空间的限制，引线框架上能够搭载更多芯片，使得原有的引线框架结构在满足常规性能后，仍能提升性能，扩大原有的电容和电感性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电路元器件，具体涉及一种引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它主要起到了和外部导线连接的作用，与其余电气连接件有着密不可封的关系，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，现有技术只能在引线框架的基体区的芯片载体区安放芯片，并由键合材料通过焊料将芯片和引线脚的焊接区相连，在塑封以后作为分立器件或集成电路使用。
市场上现有的引线框架的结构决定了它们在成型后往往是单一功能的，即引线框架上可搭载的芯片数量和性能固定，局限了性能的释放。由于引线框架受电气回路的使用空间的限制，除非缩小芯片尺寸或改变芯片结构来使引线框架上能够搭载更多芯片，否则原有的引线框架结构在满足常规性能后，无法实现提升。
实用新型内容
本实用新型提供了一种新型引线框架，释放了引线框架本身的使用空间的限制，引线框架上能够搭载更多芯片，使得原有的引线框架结构在满足常规性能后，仍能提升性能，扩大原有的电容和电感性能。
一种引线框架，包括散热区、芯片区以及引脚区，所述芯片区设置于散热区与引脚区之间，所述芯片区设置有防水结构，所述芯片区与引脚区之间设置有焊接区，所述焊接区与芯片区处于相同水平面，所述焊接区上设有第二芯片区，所述芯片区上设有防水结构，所述芯片区上设有用于扩大与塑封体接触面积的封装结构。
作为优选，所述的引线框架上设有第一子芯片区和第二子芯片区。
作为优选，所述的防水性结构为沟槽，所述的沟槽的横截面为V字形。
作为优选，所述的沟槽设置于芯片区的四周。
作为优选，所述的封装结构为金字塔形麻点，所述的金字塔麻点设置于沟槽周围。
作为优选，所述的金字塔麻点由多排不同底面宽度的四棱锥构成。
作为优选，所述的引脚区与芯片区不处于同一水平面上。
采用上述结构以后，与现有的技术相比，防水性结构为沟槽，所述的沟槽横截面为V字形，沟槽设置于芯片区的四周的设计大大减少了水汽进入主芯片的机会，保证了主芯片正常运作，所述的封装结构为金字塔形麻点，所述的金字塔麻点设置于沟槽周围，所述的金字塔麻点由多排不同底面宽度的四棱锥构成的设计巧妙利用金字塔的结构特点，保证结构稳定的同时，增加了与封装体的接触面积，保证了整体引线框架的性能。
附图说明
图1为本实用新型示意图。
图2为第一子芯片区与第二子芯片区焊接后示意图。
图3为图2中A处放大图。
图4为图2中B处放大图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做出进一步说明。
一种引线框架，如图1-4所示，包括若干引线框架单体，引线框架单体包括散热区1、芯片区3以及引脚区，芯片区3设置于散热区1与引脚区之间，芯片区3设置有防水结构32，芯片区3与引脚区之间设置有焊接区4，焊接区4与芯片区3处于相同水平面，焊接区4上设有第二芯片区311，芯片区3上设有防水结构32，芯片区3上设有用于扩大与塑封体接触面积的封装结构31。
以下所述均为引线框架单体的结构情况。
在本实用新型中，散热区1位于最上方，散热区1用于整体结构的散热，散热区1中央设有横截面为圆形的散热孔2。
芯片区3位于散热区1的下方，芯片区3与焊接区4采用第一连接筋相连，与散热区1相连安装，芯片区3用于焊接主芯片，为保证主芯片的运行稳定，封装时还需要对芯片区3做密封处理，为了更好的隔绝外接水汽，在芯片区3上设有防水结构32，在本实用新型中，如图3所示，防水结构32为沟槽，沟槽的横截面为V字形，其中构成V字形状的两个坡面均设置于芯片区3表面以下，即V字形结构嵌入在芯片区3中，V字型的沟槽可作为排水通道，排出水汽，更为具体的，该V字形沟槽设置在芯片区3的左侧、右侧、以及下侧。
在本实用新型中，为进一步提高框架的塑封气密性与防水性能，在本实用新型中，采用金字塔形麻点作为封装结构31，具体来讲，该封装结构31由金子塔形状的麻点群构成，并且纵向规则排列成多排，相邻金子塔麻点底面宽度不同，可适应不同的芯片区3面积，金子塔麻点呈四棱锥状，底面设置在芯片区3表面，顶点与塑封体接触，金子塔麻点越多，相应的与塑封体的接触面积就越大。
在本实用新型中，金子塔麻点群排列在V字形的沟槽周围，即金子塔麻点相应排列在芯片区3的左侧、右侧。
如图2与如图4所示，本实用新型中的焊接区4与普通引线框架相比增设了设置于焊接区4上的第二芯片区311，第二芯片区311包括第一子芯片区312与第二子芯片区313，扩大的焊接区4有足够的面积可以搭载更多芯片，成在第一子芯片区312或第二子芯片区313上多出的芯片可用于提升半导体封装成品的性能。
焊接区4与引脚区相连，引脚区包括第一引脚5，第二引脚6，第三引脚7以及之间引脚8，其中第一引脚5，第二引脚6，第三引脚7用于正常的与其它元器件焊接，之间引脚8用于与芯片的连接，同时将焊接区4固定在整体引线框架上。
在本实用新型中，通过前述将之间引脚8放置于焊接区4中间的设计，将引线框架的焊接区4与芯片区3设置为处于同一水平面上，使之芯片区3与焊接区4不存在高低差，连接芯片和引线脚的电气回路时缩短了键合材料的连接距离，降低后道工序的工艺难度，防止塑封等作业过程中芯片移位或断丝等问题，使产品质量稳定。
本实用新型所称的引线框架，由引线框架单体组合而成，引线框架单体的数量可任意根据需求调整，由若干引线框架单体组成的引线框架，扩大的焊接区4中的第一子芯片区312与第二子芯片区313有足够的面积可以搭载芯片，装载更多的芯片则可用于提升半导体封装成品的性能。
本实用新型中采用的引线框架并不影响现有市场拥有的常规工艺，此改进后的引线框架结构仍可按照常规的工艺方式生产制造半导体封装产品。
本实用新型采用的结构可提升半导体封装成品的性能，使其如电感、电容、峰值参数等做出较大提升。
Claims (7)
1.一种引线框架，包括若干引线框架单体，所述引线框架单体包括散热区（1）、芯片区（3）以及引脚区（9），所述芯片区（3）设置于散热区（1）与引脚区（9）之间，其特征在于，所述芯片区（3）设置有防水结构（31），所述芯片区（3）与引脚区（9）之间设置有焊接区（4），所述焊接区（4）与芯片区（3）处于相同水平面，所述焊接区（4）上设有第二芯片区（311），所述芯片区（3）上设有防水结构（31），所述芯片区（3）上设有用于扩大与塑封体接触面积的封装结构（32）。
2.如权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，所述的第二芯片区（311）包括第一子芯片区（312）和第二子芯片区（313）。
3.如权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，所述的防水结构为沟槽，所述的沟槽的横截面为V字形。
4.如权利要求3所述的一种引线框架，其特征在于，所述的沟槽设置于芯片区（3）的四周。
5.如权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，所述的封装结构（32）为金字塔形麻点，所述的金字塔麻点设置于沟槽周围。
6.如权利要求5所述的一种引线框架，其特征在于，所述的金字塔麻点由多排不同底面宽度的四棱锥构成。
7.如权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，所述的引脚区（9）与芯片区（3）不处于同一水平面上。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114023716A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-02-08 | 宁波港波电子有限公司 | 一种引线框架及制造方法及使用该引线框架的芯片 |
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2020
- 2020-12-31 CN CN202023288781.9U patent/CN213692042U/zh active Active
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