CN213689850U - 一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置，包括依序连接的两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路；两级放大电路包括由第一晶体管Q1、第一电阻R3和第二电阻R4组成的第一级放大电路，及由第二晶体管Q2、第三电阻R7和第四电阻R8组成第二级放大电路；射极跟随器包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第三晶体管Q3；乙类互补功率放大电路包括第四开关S4、第五开关S5、第一整流二极管D4、第二整流二极管D3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5；第四晶体管Q4的发射极和第五晶体管Q5的集电极相连的线路上形成有用于非线性失真状态电压信号输出的采集点。实施本实用新型，模拟多种非线性失真状态。

Description

一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置

技术领域

本实用新型涉及放大器检测技术领域，尤其涉及一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置。

背景技术

放大器电路可以定义为用于放大信号的电路。使用晶体管或其它晶体管的放大器电路被称为晶体管放大器，且晶体管放大器电路的应用主要涉及音频，无线电，光纤通信等。

然而，现有的晶体管放大器电路无法模拟多种非线性失真状态，同时也缺乏对放大器非线性失真进行研究的检测装置。

因此，亟需一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置，不仅能模拟多种非线性失真状态，还能对非线性失真状态进行有效检测。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置，不仅能模拟多种非线性失真状态，还能对非线性失真状态进行有效检测。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种晶体管放大器电路，包括依序连接的两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路；其中，

所述两级放大电路包括由第一晶体管Q1、第一电阻R3和第二电阻R4组成的第一级放大电路，以及由第二晶体管Q2、第三电阻R7和第四电阻R8组成第二级放大电路；其中，所述第一晶体管Q1的基极与用于提供输入电压信号的外部电压源相连，集电极与所述第二晶体管Q2的基极相连以及经过所述第一电阻 R3与内部工作电压源相连，发射极经过所述第二电阻R4接地；所述第二晶体管Q2的集电极与所述射极跟随器的输入端相连以及经过所述第三电阻R7与所述内部工作电压源相连，发射极经过所述第四电阻R8接地；

所述射极跟随器包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第三晶体管Q3；其中，所述第三晶体管Q3的基极分别与所述第二晶体管Q2的集电极、所述第一开关S1的一端、所述第二开关S2的一端以及所述第三开关S3的一端相连，集电极分别与所述乙类互补功率放大电路的一输入端及所述第二开关S2 的另一端相连，发射极与所述乙类互补功率放大电路的另一输入端相连并接地；所述第一开关S1的另一端与所述内部工作电压源相连；所述第三开关S3的另一端接地；

所述乙类互补功率放大电路包括第四开关S4、第五开关S5、第一整流二极管D4、第二整流二极管D3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5；其中，所述第一整流二极管D4反向串接在所述第三晶体管Q3的发射极和所述第四晶体管Q4 的基极相连的线路上，且所述第一整流二极管D4的两端并接有所述第四开关 S4；所述第二整流二极管D3正向串接在所述第三晶体管Q3的发射极和所述第五晶体管Q5的基极相连的线路上，且所述第二整流二极管D3的两端并接有所述第五开关S5；所述第四晶体管Q4的集电极与所述第三晶体管Q3的集电极相连，发射极和所述第五晶体管Q5的发射极相连且相连的线路上形成有用于非线性失真状态电压信号输出的采集点；所述第五晶体管Q5的集电极接地。

其中，所述内部工作电压源均通过正向串接的第三整流二极管D1分别与所述第一电阻R3、所述第三电阻R7和所述第一开关S1相连。

其中，所述第三晶体管Q3的集电极通过正向串接的第四整流二极管D2与所述第四晶体管Q4的集电极相连。

其中，当所述第一开关S1、所述第二开关S2、所述第三开关S3、所述第四开关S4及所述第五开关S5均闭合时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形交越失真的电压信号。

其中，当所述第一开关S1和所述第二开关S2均闭合，且所述第三开关S3、所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形顶部失真的电压信号。

其中，当所述第一开关S1和所述第三开关S3均闭合，且所述第二开关S2、所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形底部失真的电压信号。

其中，当所述第二开关S2和所述第三开关S3均闭合，且所述第一开关S1、所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形双向失真的电压信号。

其中，当所述第一开关S1、所述第二开关S2和所述第三开关S3均闭合，且所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形正常的电压信号。

本实用新型实施例还提供了一种放大器非线性失真研究检测装置，包括前述的晶体管放大器电路、单片机、模拟开关芯片、AD模数转换模块和LCD显示屏；其中，

所述单片机的第一端通过所述模拟开关芯片分别与所述晶体管放大器电路中第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4及第五开关S5的控制端相连，第二端所述通过AD模数转换模块与所述晶体管放大器电路中乙类互补功率放大电路的第四晶体管Q4的发射极和第五晶体管Q5的发射极相连线路上形成的采集点相连，第三端与所述LCD显示屏相连。

其中，还包括：开关按键模块；其中，

所述开关按键模块与所述单片机的第四端相连。

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：

在本实用新型实施例中，由两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路组成晶体管放大器电路，可以模拟出双向失真、顶部失真(即饱和失真)、底部失真(即截至失真)和交越失真等多种非线性失真状态，还能通过放大器非线性失真研究检测装置对非线性失真状态进行有效检测。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本实用新型的范畴。

图1为本实用新型实施例一中提供的一种晶体管放大器电路的电路连接图；

图2为本实用新型实施例二中提供的一种放大器非线性失真研究检测装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

如图1所示，为本实用新型实施例一中，提供的一种晶体管放大器电路，包括依序连接的两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路；其中，

两级放大电路包括由第一晶体管Q1、第一电阻R3和第二电阻R4组成的第一级放大电路，以及由第二晶体管Q2、第三电阻R7和第四电阻R8组成第二级放大电路；其中，第一晶体管Q1的基极与用于提供输入电压信号的外部电压源相连(如通过图1所示的J1接入外部电压源)，集电极与第二晶体管Q2的基极相连以及经过第一电阻R3与内部工作电压源VCC相连，发射极经过第二电阻 R4接地；第二晶体管Q2的集电极与射极跟随器的输入端相连以及经过第三电阻R7与内部工作电压源VCC相连，发射极经过第四电阻R8接地；

射极跟随器包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第三晶体管Q3；其中，第三晶体管Q3的基极分别与第二晶体管Q2的集电极、第一开关S1的一端、第二开关S2的一端以及第三开关S3的一端相连，集电极分别与乙类互补功率放大电路的一输入端(即图1的上部接入)及第二开关S2的另一端相连，发射极与乙类互补功率放大电路的另一输入端(即图1的下部接入)相连并接地；第一开关S1的另一端与内部工作电压源VCC相连；第三开关S3的另一端接地；

乙类互补功率放大电路包括第四开关S4、第五开关S5、第一整流二极管 D4、第二整流二极管D3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5；其中，第一整流二极管D4反向串接在第三晶体管Q3的发射极和第四晶体管Q4的基极相连的线路上，且第一整流二极管D4的两端并接有第四开关S4；第二整流二极管D3正向串接在第三晶体管Q3的发射极和第五晶体管Q5的基极相连的线路上，且第二整流二极管D3的两端并接有第五开关S5；第四晶体管Q4的集电极与第三晶体管Q3的集电极相连，发射极和第五晶体管Q5的发射极相连且相连的线路上形成有用于非线性失真状态电压信号输出的采集点(如图1所示的J3处)；第五晶体管Q5的集电极接地。

更进一步的，内部工作电压源VCC均通过正向串接的第三整流二极管D1 分别与第一电阻R3、第三电阻R7和第一开关S1相连。

更进一步的，第三晶体管Q3的集电极通过正向串接的第四整流二极管D2 与第四晶体管Q4的集电极相连。

本实用新型实施例一中，该晶体管放大器电路通过控制不同开关的关断来模拟多种非线性失真状态信号，具体如下：

(1)当第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4及第五开关S5均闭合时，外部电压源(JI处)提供的输入电压信号在采集点(J3处)输出为波形交越失真的电压信号。

(2)当第一开关S1和第二开关S2均闭合，且第三开关S3、第四开关S4 及第五开关S5均断开时，外部电压源(JI处)提供的输入电压信号在采集点(J3 处)输出为波形顶部失真的电压信号。

(3)当第一开关S1和第三开关S3均闭合，且第二开关S2、第四开关S4 及第五开关S5均断开时，外部电压源(JI处)提供的输入电压信号在采集点(J3 处)输出为波形底部失真的电压信号。

(4)当第二开关S2和第三开关S3均闭合，且第一开关S1、第四开关S4 及第五开关S5均断开时，外部电压源(JI处)提供的输入电压信号在采集点(J3 处)输出为波形双向失真的电压信号。

(5)当第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3均闭合，且第四开关S4 及第五开关S5均断开时，外部电压源(JI处)提供的输入电压信号在采集点(J3 处)输出为波形正常的电压信号。

在一个实施例中，为了实现将外部电压源产生的20mV正弦波输入电压转化成不小于2V的电压，首先需要将输入电压放大，即通过两级共发射极放大电路(级连方式采用电容耦合)来实现。

通过控制第一电阻R3、第二电阻R4实现一级放大，通过第三电阻R7、第四电阻R8实现二级放大。查询芯片手册知晶体管s9014处于理想的静态工作点时，U_ceq值应为4V左右，故通过调整R1、R2、R5、R6实现静态工作点的查找。由原理可知，A1＝R4/R3＝26，A0＝R8/R7＝26，这样通过两次放大后就能得到足够大的电压来实现各种失真波形。

第二开关S2闭合时，直流供电电压为12V，信号放大后经过射极跟随器输出，在实现提高负载能力的同时实现1：1的放大。此时，若第一开关S1闭合，第三开关S3、第四开关S4和第五开关S5断开时，电阻R11上的电压升高，因为R10>R9//R11，Ue电位抬升，Ic减小，静态工作点移动，使得晶体管趋于饱和，从而实现顶部失真。此时，若第三开关S3闭合，第一开关S1、第四开关 S4和第五开关S5断开时，因为R9>R10//R12，Uc电位抬升，Ic增大，静态工作点移动，使得晶体管趋于截止，从而实现底部失真。

闭合所有键位，即第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4 及第五开关S5均闭合，通过乙类推挽电压放大电路3来输出交越失真波形；由于晶体管本身存在导通电压0.7V，使得输入电压转换时有一段“僵直”，即输出的是交越失真波形，即晶体管有导通压降，在没有整流二极管(D3和D4)的作用下会形成交越失真。此时，若仅仅断开第四开关S4及第五开关S5，射极跟随器输出的信号经过第二整流二极管D3和第一整流二极管D4有约0.7V的导通压降抬升，通过晶体管又减少0.7V的电压，这样一来就能得到无明显失真的电压波形，即加装整流二极管(D3和D4)提高晶体管基极的电压以抵消晶体管的导通压降。

本实用新型实施例一中的一种晶体管放大器电路的工作原理为，输入电压经第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的两级晶体管放大后，输出峰峰峰值大于2v 正弦波，断开第四开关S4及第五开关S5，再断开第一开关S1，保持第二开关 S2和第三开关S3闭合，经放大后的电压正弦波通过7V 5A的第四稳压管D1后直流偏置电压被削减，继而通过后续晶体管Q4输出后显示出两端被削平的双向失真电压波形；

保持第四开关S4及第五开关S5断开和第一开关S1和第三开关S3闭合后，通过断开第二开关S2，因为R9>R10//R12，Ue电位下降，Ic增大，静态工作点移动，使得晶体管趋于饱和，从而实现底部失真；

同理，保持断开第四开关S4及第五开关S5断开和第一开关S1闭合后，通过断开第三开关S3、闭合第二开关S2，因为R10>R9//R11，Ue电位抬升，Ic 减小，静态工作点移动，使得晶体管趋于截至，从而实现顶部失真；

闭合所有开关，通过乙类推挽电压放大电路3来输出交越失真波形；

保持第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3闭合，只需要断开第四开关 S4及第五开关S5，射极跟随器输出的信号经过第二整流二极管D3和第一整流二极管D4有约0.7V的导通压降抬升，通过晶体管又减少0.7V的电压，这样一来就能得到无明显失真的电压波形。

如图2所示，相应于本实用新型实施例一中的一种晶体管放大器电路，本实用新型实施例二还提供了一种放大器非线性失真研究检测装置，包括本实用新型实施例一中的晶体管放大器电路1、单片机2、模拟开关芯片3、AD模数转换模块4和LCD显示屏5；其中，

单片机2的第一端a1通过模拟开关芯片3分别与晶体管放大器电路1中第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4及第五开关S5的控制端相连，第二端a2通过AD模数转换模块4与晶体管放大器电路1中乙类互补功率放大电路的第四晶体管Q4的发射极和第五晶体管Q5的集电极相连线路上形成的采集点相连，第三端a3与LCD显示屏5相连。

应当说明的是，本实用新型实施例二中的晶体管放大器电路与本实用新型实施例二中的晶体管放大器电路具有相同的结构及连接关系，具体可参见前述内容，在此不再一一赘述。同时，单片机2的第一端a1与图1中各开关的控制端相连，且单片机2通过输出相应的电平信号让模拟开关芯片3产生相应的控制指令来控制各开关的通断状态；同时，AD模数转换模块4连接在图1中J2 处，将各种非线性失真状态的电压信号进行模数转换，使得单片机2能根据数字信号的电平值与预设的电压阈值对比来区分出电压信号的具体失真类型，且进一步通过LCD显示屏5显示出来。

在本实用新型实施例二中，还包括：开关按键模块6；其中，开关按键模块 6与单片机2的第四端a4相连，此时可以通过人工对开关按键模块6选择按键来对应控制晶体管放大器电路1中各开关的通断状态。

在本实用新型实施例二中，单片机2采用的型号为STM32F4，该STM32F4 带有FPU的

位

主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz的性能，具有DSP指令集。高达2MBFlash，组织为两个区，可读写同步高达256+4KB的SRAM。

本实用新型实施例二中的一种放大器非线性失真研究检测装置的工作原理为，外部电压源产生的小信号输入电压(1KHz，20mvpp)进入晶体管放大电路 1，通过晶体管放大电路1的放大信号传递输出频率不变，峰峰值约为原信号100 倍的较大信号(1KHz，2vpp)。单片机2对晶体管放大电路1具有控制、检测的功能，模拟开关的控制引脚与I/O口相连，当控制引脚为高电平时，对应的输入输出端连通；当控制引脚为低电平时，对应的输入输出端断开。

开关按键模块6上设有5个实体按键分别接入1个对应的I/O口，按键另一端接地，设置按键对应的I/O口为下降沿有效，通过单片机2配置每个按键使能时对应模拟开关芯片3的控制端产生不同的高低电位组合。每个按键使能时，模拟开关芯片3控制晶体管放大器电路1中相应开关的通断状态，分别对应电压信号无失真波形输出、双向失真波形输出、顶部失真波形输出、底部失真波形输出和交越失真波形输出。

晶体管放大电路1输出信号经过一个微小的电阻将电流值转换成电压值， AD模数转换模块4后进入单片机2，并与单片机2输出的参考电压进行比较，从而对一整个波形进行采样，并将采样数据存储在寄存器中。在获取到数字量之后，单片机2对数字量进行相互比较，在寄存器中重复获取、覆盖最大值、最小值，从而得到相差最大的一对数字量，相减即得到电压的峰峰值(Vpp)。

在设定频率下，单片机2在寄存器中取出一个周期中获取的数字量，通过以下公式即可求得均方根值。

晶体管放大电路1输入为正弦信号时，其非线性失真表现为输出信号中出现谐波分量，常用总谐波失真(THD：total harmonic distortion)衡量线性放大器的非线性失真程度。

THD定义：若晶体管放大电路1输入电压u_i＝U_icosωt，其含有非线性失真的输出交流电压为

则有：

快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform，FFT)是一种可在O(nlogn)时间内完成的离散傅里叶变换(Discrete Fourier transform，DFT)算法。为了得到THD 值，我们采用快速傅里叶变换(FFT)对数字量进行计算，将数值在寄存器中存储。

单片机2与LCD显示屏5相连，控制输出口，将数据显示在LCD显示屏5 上。

通过测量标准晶体管的失真参数，制表保存在单片机2中，测量未知晶体管时将测得的失真参数与标准参数相比较，从而判断该晶体管是否正常。

本实用新型实施例二中的一种放大器非线性失真研究检测装置的应用场景为，示波器RIGOL DS1102E*1；信号发生器RIGOL DG032*1；毫伏表(低频毫伏表)*1；台式万用表*1；数字万用表*1；lcd12864*1；STM32F4*1；晶体管 s9014*1；晶体管s9015*1；电阻150Ω，220Ω，800Ω，2KΩ，4KΩ，10KΩ，20KΩ，22KΩ，51KΩ，75KΩ，100KΩ，200KΩ若干；电容10μv，100μv若干；稳压管 NZX7V5A*1；二极管*3，开关键*5。

在输入1kHZ；峰峰值20mV的条件下，对制作模块进行测试：

总谐波失真(THD：total harmonic distortion)衡量线性放大器的非线性失真程度。线性放大器输入电压ui＝Uicosωt，其中包含非线性失真的输出交流电压为

谐波取到五次即可，具体参见下表1所示：

表1

	底部失真	顶部失真	双向失真	交越失真	无明显失真
						峰峰值(V)	3.64	3.36	2.80	2.80	3.54
THD	13.34％	11.894％	22.117％	10.953％	0.853％

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：

在本实用新型实施例中，由两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路组成晶体管放大器电路，可以模拟出双向失真、顶部失真(即饱和失真)、底部失真(即截至失真)和交越失真等多种非线性失真状态，还能通过放大器非线性失真研究检测装置对非线性失真状态进行有效检测。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种晶体管放大器电路，其特征在于，包括依序连接的两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路；其中，

所述两级放大电路包括由第一晶体管Q1、第一电阻R3和第二电阻R4组成的第一级放大电路，以及由第二晶体管Q2、第三电阻R7和第四电阻R8组成第二级放大电路；其中，所述第一晶体管Q1的基极与用于提供输入电压信号的外部电压源相连，集电极与所述第二晶体管Q2的基极相连以及经过所述第一电阻R3与内部工作电压源相连，发射极经过所述第二电阻R4接地；所述第二晶体管Q2的集电极与所述射极跟随器的输入端相连以及经过所述第三电阻R7与所述内部工作电压源相连，发射极经过所述第四电阻R8接地；

所述射极跟随器包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第三晶体管Q3；其中，所述第三晶体管Q3的基极分别与所述第二晶体管Q2的集电极、所述第一开关S1的一端、所述第二开关S2的一端以及所述第三开关S3的一端相连，集电极分别与所述乙类互补功率放大电路的一输入端及所述第二开关S2的另一端相连，发射极与所述乙类互补功率放大电路的另一输入端相连并接地；所述第一开关S1的另一端与所述内部工作电压源相连；所述第三开关S3的另一端接地；

所述乙类互补功率放大电路包括第四开关S4、第五开关S5、第一整流二极管D4、第二整流二极管D3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5；其中，所述第一整流二极管D4反向串接在所述第三晶体管Q3的发射极和所述第四晶体管Q4的基极相连的线路上，且所述第一整流二极管D4的两端并接有所述第四开关S4；所述第二整流二极管D3正向串接在所述第三晶体管Q3的发射极和所述第五晶体管Q5的基极相连的线路上，且所述第二整流二极管D3的两端并接有所述第五开关S5；所述第四晶体管Q4的集电极与所述第三晶体管Q3的集电极相连，发射极和所述第五晶体管Q5的发射极相连且相连的线路上形成有用于非线性失真状态电压信号输出的采集点；所述第五晶体管Q5的集电极接地。

2.如权利要求1所述的晶体管放大器电路，其特征在于，所述内部工作电压源均通过正向串接的第三整流二极管D1分别与所述第一电阻R3、所述第三电阻R7和所述第一开关S1相连。

3.如权利要求2所述的晶体管放大器电路，其特征在于，所述第三晶体管Q3的集电极通过正向串接的第四整流二极管D2与所述第四晶体管Q4的集电极相连。

4.如权利要求3所述的晶体管放大器电路，其特征在于，当所述第一开关S1、所述第二开关S2、所述第三开关S3、所述第四开关S4及所述第五开关S5均闭合时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形交越失真的电压信号。

5.如权利要求3所述的晶体管放大器电路，其特征在于，当所述第一开关S1和所述第二开关S2均闭合，且所述第三开关S3、所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形顶部失真的电压信号。

6.如权利要求3所述的晶体管放大器电路，其特征在于，当所述第一开关S1和所述第三开关S3均闭合，且所述第二开关S2、所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形底部失真的电压信号。

7.如权利要求3所述的晶体管放大器电路，其特征在于，当所述第二开关S2和所述第三开关S3均闭合，且所述第一开关S1、所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形双向失真的电压信号。

8.如权利要求3所述的晶体管放大器电路，其特征在于，当所述第一开关S1、所述第二开关S2和所述第三开关S3均闭合，且所述第四开关S4及所述第五开关S5均断开时，所述外部电压源提供的输入电压信号在所述采集点输出为波形正常的电压信号。

9.一种放大器非线性失真研究检测装置，其特征在于，包括如权利要求1-7 中任一项所述的晶体管放大器电路、单片机、模拟开关芯片、AD模数转换模块和LCD显示屏；其中，

所述单片机的第一端通过所述模拟开关芯片分别与所述晶体管放大器电路中第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4及第五开关S5的控制端相连，第二端所述通过AD模数转换模块与所述晶体管放大器电路中乙类互补功率放大电路的第四晶体管Q4的发射极和第五晶体管Q5的集电极相连线路上形成的采集点相连，第三端与所述LCD显示屏相连。

10.如权利要求9所述的放大器非线性失真研究检测装置，其特征在于，还包括：开关按键模块；其中，

所述开关按键模块与所述单片机的第四端相连。

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