CN213660108U - 一种散热式磁芯 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种散热式磁芯，包括底座，底座的中心位置设有芯柱，底座的边缘设有多块挡板，底座分为上下两层，上层为绝缘层，下层为金属导热层，绝缘层上设有多条散热槽，散热槽的一端开设至芯柱，散热槽的另一端开设至挡板处，散热槽的底部设有贯穿绝缘层的散热孔，散热槽和散热孔均设有绝缘导热胶，绝缘导热胶延伸至芯柱的侧面并在芯柱的侧面形成导热层；通过将芯柱设置在两层设置的底座上，底座上的绝缘层上的散热槽和散热孔通过绝缘导热胶层将芯柱表面的热量传递至底座底部的金属导热层上，从而提高磁芯的散热性，使得本实用新型可以适用于大功率的使用场所；同时，利用金属导热层和挡板对芯柱和芯柱上的绕组进行有效屏蔽。
Description
技术领域
本实用新型涉及电磁元件领域，具体是一种散热式磁芯。
背景技术
磁芯是指由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物。例如，锰- 锌铁氧体和镍-锌铁氧体是典型的磁芯体材料。锰-锌铁氧体具有高磁导率和高磁通密度的特点，且具有较低损耗的特性。镍-锌铁氧体具有极高的阻抗率、不到几百的低磁导率等特性。铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。
现有技术中的罐型磁芯，磁芯几乎包围了所有的线圈和骨架，这种结构可以很好地屏蔽了外部的电磁噪声。但是此种磁芯的散热性能较差，所以不能适用于大功率场合的产品。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种散热式磁芯，能够对磁芯进行有效散热。
本实用新型的一种散热式磁芯，包括底座，底座的中心位置设有芯柱，底座的边缘设有多块挡板，底座分为上下两层，上层为绝缘层，下层为金属导热层，绝缘层上设有多条散热槽，散热槽的一端开设至芯柱，散热槽的另一端开设至挡板处，散热槽的底部设有贯穿绝缘层的散热孔，散热槽和散热孔均设有绝缘导热胶，绝缘导热胶延伸至芯柱的侧面并在芯柱的侧面形成导热层。
进一步，所述芯柱上套设有绕组，绕组与芯柱通过所述导热层固定连接。
进一步，所述芯柱为圆柱形，所述绕组为对应的圆管形，多块所述挡板围绕所述芯柱圆周阵列分布。
进一步，所述导热胶为硅酮化合物。
进一步，所述底座的底面与所述芯柱对应的位置设有贯穿所述芯柱的通孔。
进一步，所述绝缘层为树脂板，所述导热层为铜板，树脂板的边缘向下延伸并将铜板的边缘包围固定。
进一步，所述挡板与所述金属导热层一体成型，所述挡板穿过所述绝缘层后将所述芯柱包围。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种散热式磁芯，通过将芯柱设置在两层设置的底座上，底座上的绝缘层上的散热槽和散热孔通过绝缘导热胶层将芯柱表面的热量传递至底座底部的金属导热层上，从而提高磁芯的散热性，使得本实用新型可以适用于大功率的使用场所；同时，利用金属导热层和挡板对芯柱和芯柱上的绕组进行包围，对外部的电磁噪声进行有效屏蔽。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的俯视结构示意图；
图3为本实用新型的剖面结构示意图。
附图标记如下：1-底座、2-芯柱、3-挡板、4-绕组、5-绝缘导热胶、11-绝缘层、12-金属导热层、21-导热层、111-散热槽、112-散热孔。
具体实施方式
如图1-图3所示：本实施例的一种散热式磁芯，包括底座1，底座1的中心位置设有芯柱2，底座1的边缘设有多块挡板3，底座1分为上下两层，上层为绝缘层11，下层为金属导热层12，绝缘层11上设有多条散热槽111，散热槽111的一端开设至芯柱2，散热槽111的另一端开设至挡板3处，散热槽111 的底部设有贯穿绝缘层11的散热孔112，散热槽111和散热孔112均设有绝缘导热胶5，绝缘导热胶5延伸至芯柱2的侧面并在芯柱2的侧面形成导热层21。
本实用新型的一种散热式磁芯，通过将芯柱2设置在两层设置的底座1上，底座1上的绝缘层11上的散热槽111和散热孔112通过绝缘导热胶5层将芯柱 2表面的热量传递至底座1底部的金属导热层12上，从而提高磁芯的散热性，使得本实用新型可以适用于大功率的使用场所；同时，利用金属导热层12和挡板3对芯柱2和芯柱2上的绕组4进行包围，对外部的电磁噪声进行有效屏蔽。
本实施例中，芯柱2上套设有绕组4，绕组4与芯柱2通过导热层21固定连接，绕组4上产生的热量会传递至芯柱2上，但是外接对绕组4进行散热时，同时也会将芯柱2内的热量带出，使得散热效果更好，避免热量聚集在芯柱2内。
本实施例中，芯柱2为圆柱形，绕组4为对应的圆管形，多块挡板3围绕芯柱 2圆周阵列分布，圆柱形的芯柱2具有更大的表面积，使得磁通量更大，也使得散热面积更大，散热更加均匀。
本实施例中，导热胶为硅酮化合物。
本实施例中，底座1的底面与芯柱2对应的位置设有贯穿芯柱2的通孔，当芯柱2为圆管形时，芯柱2内部的热量从通孔中进行散热。
本实施例中，绝缘层11为树脂板，导热层21为铜板，树脂板的边缘向下延伸并将铜板的边缘包围固定，树脂板和铜板一体成型，预制时将树脂融化后与铜板一同放入模具中，冷却即可。
本实施例中，挡板3与金属导热层一体成型，挡板3穿过绝缘层11后将芯柱2包围，金属的挡板3可以有效地对外部的电磁噪声进行屏蔽，同时增加散热面积。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (7)
1.一种散热式磁芯，其特征在于：包括底座，底座的中心位置设有芯柱，底座的边缘设有多块挡板，底座分为上下两层，上层为绝缘层，下层为金属导热层，绝缘层上设有多条散热槽，散热槽的一端开设至芯柱，散热槽的另一端开设至挡板处，散热槽的底部设有贯穿绝缘层的散热孔，散热槽和散热孔均设有绝缘导热胶，绝缘导热胶延伸至芯柱的侧面并在芯柱的侧面形成导热层。
2.根据权利要求1所述的一种散热式磁芯，其特征在于：所述芯柱上套设有绕组，绕组与芯柱通过所述导热层固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种散热式磁芯，其特征在于：所述芯柱为圆柱形，所述绕组为对应的圆管形，多块所述挡板围绕所述芯柱圆周阵列分布。
4.根据权利要求1所述的一种散热式磁芯，其特征在于：所述导热胶为硅酮化合物。
5.根据权利要求1所述的一种散热式磁芯，其特征在于：所述底座的底面与所述芯柱对应的位置设有贯穿所述芯柱的通孔。
6.根据权利要求1所述的一种散热式磁芯，其特征在于：所述绝缘层为树脂板，所述导热层为铜板，树脂板的边缘向下延伸并将铜板的边缘包围固定。
7.根据权利要求1所述的一种散热式磁芯，其特征在于：所述挡板与所述金属导热层一体成型，所述挡板穿过所述绝缘层后将所述芯柱包围。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023141904.6U CN213660108U (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 一种散热式磁芯 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023141904.6U CN213660108U (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 一种散热式磁芯 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213660108U true CN213660108U (zh) | 2021-07-09 |
Family
ID=76690471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202023141904.6U Active CN213660108U (zh) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 一种散热式磁芯 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213660108U (zh) |
-
2020
- 2020-12-23 CN CN202023141904.6U patent/CN213660108U/zh active Active
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Denomination of utility model: A heat dissipation magnetic core Effective date of registration: 20220310 Granted publication date: 20210709 Pledgee: Bank of China Limited Qingyuan Branch Pledgor: Qingyuan Jiahe magnetic material Co.,Ltd. Registration number: Y2022980002431 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |