CN213631963U - 一种对射式金属单双张传感器系统 - Google Patents

Abstract

一种对射式金属单双张传感器系统，包括发射器和接收器，所述发射器包括信号发射模块，所述接收器包括信号接收模块、信号处理单元以及输出控制模块；所述信号处理单元包括带通抑制器、信号放大电路以及微控制器；所述信号接收模块连接所述带通抑制器，所述带通抑制器连接所述信号放大电路，所述信号放大电路连接所述微控制器，所述微控制器连接所述输出控制模块；本方案设计的一种对射式金属单双张传感器系统，采用了先进的BPF带通抑制器以及先进的信号处理技术，可以有效地提高接收器的信号抗干扰能力，从而提高传感器的检测精度。

Description

一种对射式金属单双张传感器系统

技术领域

本实用新型属于传感器技术领域，具体涉及一种对射式金属单双张传感器系统。

背景技术

对射式金属单双张传感器，由发生器和接收器两个部分组成。发生器负责发射具有一定固定振幅和频率的正弦电磁场，该电磁场具有很强的金属穿透能力，并且该电磁场穿透金属物体后，将会产生一定的衰减，衰减的程度和金属的材质、厚度有一定的关系。金属物体的另一边是对射式金属单双张传感器的接收器，接收器检测到衰减后的正弦电磁场，并且在其内部的电感线圈中产生同程度的正弦波。接收器通过检测出该正弦波的衰减程度，来判断，中间的被测金属物是单张还是双张。接收器，是通过缺张和单张，两次学习，来锁定缺张时，接收到的正弦波形的衰减程度，和单张时，接收到的正弦波形的衰减程度，来判断缺张和单张、及其单张和双张的分界线的。判断后，经过一系列的型号处理电路，并最终驱动最后的输出，来完成工作的。

一般的对射式金属单双张传感器，所能检测的金属物体的厚度、发生器和对射器之间安装距离的范围、以及被测的金属物体的材质都是非常有限的；并且接收器极易受到非发生器所发射的正弦电磁波干扰。

因此，有必要设计一种对射式金属单双张传感器系统来解决上述方案所产生的技术问题。

发明内容

为克服上述现有技术中的不足，本实用新型目的在于提供一种对射式金属单双张传感器系统。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供的技术方案是：一种对射式金属单双张传感器系统，包括发射器和接收器，所述发射器包括信号发射模块，所述接收器包括信号接收模块、信号处理单元以及输出控制模块；所述信号处理单元包括带通抑制器、信号放大电路以及微控制器；所述信号接收模块连接所述带通抑制器，所述带通抑制器连接所述信号放大电路，所述信号放大电路连接所述微控制器，所述微控制器连接所述输出控制模块。

优选的，所述带通抑制器包括二阶高通抑制器和二阶低通抑制器。

优选的，所述信号接收模块连接所述二阶高通抑制器，所述二阶高通抑制器连接所述二阶低通抑制器，所述二阶低通抑制器连接所述信号放大电路。

优选的，所述发射器还包括振荡电路，所述振荡电路连接所述信号发射模块。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有的优点如下：

本方案设计的一种对射式金属单双张传感器系统，采用了先进的BPF带通抑制器以及先进的信号处理技术，带通抑制器内的二阶高通抑制器和二阶低通抑制器可以有效地过滤除发射器发射的正弦信号以外的其他干扰信号，可以有效地提高接收器的信号抗干扰能力，从而提高传感器的检测精度。

附图说明

图1为本实用新型系统框架图。

以上附图中，振荡电路1、信号发射模块2、信号接收模块3、金属目标物4、信号处理单元5、二阶高通抑制器51、二阶低通抑制器52、信号放大电路53、微控制器54。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

请参阅图1。须知，在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1所示，一种对射式金属单双张传感器系统，包括发射器和接收器，所述发射器包括信号发射模块2，所述接收器包括信号接收模块3、信号处理单元5以及输出控制模块；所述信号处理单元5包括带通抑制器、信号放大电路53以及微控制器54；所述信号接收模块3 连接所述带通抑制器，所述带通抑制器连接所述信号放大电路53，所述信号放大电路53连接所述微控制器54，所述微控制器54连接所述输出控制模块；带通抑制器包括二阶高通抑制器51和二阶低通抑制器52。本系统的工作原理为：发生器的信号发射模块2发射具有一定固定振幅和频率的正弦电磁场，该电磁场具有很强的金属穿透能力，其在穿透金属目标物 4后，信号将会产生一定的衰减，衰减的程度和金属的材质、厚度相关；固定频率的正弦信号先经过二阶高通抑制器51过滤，二阶高通抑制器51只能通过大于等于0.9f0的正弦信号， f0为正弦信号的固定频率；再经过二阶低通抑制器52，二阶低通抑制器52只能通过小于等于1.1f0的正弦信号；通过二阶高通抑制器51和二阶低通抑制器52过滤，可以有效地去除其余干扰信号，过滤后的信号再通过信号放大电路53放大信号，最后通过微控制器54进行分析后从输出控制模块中输出。

所述发射器还包括振荡电路1，所述振荡电路1连接所述信号发射模块2；振荡电路1用于检测目标物远离或靠近。

本实施例的有益效果为：采用了先进的BPF带通抑制器以及先进的信号处理技术，可以有效地提高接收器的信号抗干扰能力，从而提高传感器的检测精度。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (4)

1.一种对射式金属单双张传感器系统，其特征在于：包括发射器和接收器，所述发射器包括信号发射模块，所述接收器包括信号接收模块、信号处理单元以及输出控制模块；所述信号处理单元包括带通抑制器、信号放大电路以及微控制器；所述信号接收模块连接所述带通抑制器，所述带通抑制器连接所述信号放大电路，所述信号放大电路连接所述微控制器，所述微控制器连接所述输出控制模块。

2.根据权利要求1所述的一种对射式金属单双张传感器系统，其特征在于：所述带通抑制器包括二阶高通抑制器和二阶低通抑制器。

3.根据权利要求2所述的一种对射式金属单双张传感器系统，其特征在于：所述信号接收模块连接所述二阶高通抑制器，所述二阶高通抑制器连接所述二阶低通抑制器，所述二阶低通抑制器连接所述信号放大电路。

4.根据权利要求1所述的一种对射式金属单双张传感器系统，其特征在于：所述发射器还包括振荡电路，所述振荡电路连接所述信号发射模块。

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