CN213624478U - 一种晶体生长加热系统

Info

本实用新型公开了一种晶体生长加热系统，包括箱体，所述箱体内设置有坩埚，所述坩埚的底部和顶部分别设置有进风管和出风管，所述进风管穿过所述箱体的内壁并连接有加热器的一端，所述出风管穿过所述箱体的内壁并连接所述加热器的另一端。本实用新型的系统可以控制温度缓慢的下降，有利于晶体的生产，提高晶体的良品率。

一种晶体生长加热系统

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体来说，涉及一种晶体生长加热系统。

背景技术

随着科技的进步和发展，越来越多的半导体晶体，因其在光电系统中的突出作用，越来越得到人们广泛的重视，在制备半导体晶体的过程中，需要首先合成多晶材料，然后使用制备的多晶材料进行单晶生长。

目前晶体生长多在高温高压的封闭装置内进行，晶体生长装置会受到外界温度变化干扰，从而影响晶体的良品率。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出一种晶体生长加热系统，能够解决上述问题。

为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种晶体生长加热系统，包括箱体，所述箱体内设置有坩埚，所述坩埚的底部和顶部分别设置有进风管和出风管，所述进风管穿过所述箱体的内壁并连接有加热器的一端，所述出风管穿过所述箱体的内壁并连接所述加热器的另一端。

进一步的，所述箱体的顶部连接有氦气瓶。

进一步的，所述箱体的底部连接有排气管。

进一步的，所述坩埚上设置有温度传感器。

本实用新型的有益效果：本实用新型的系统可以控制温度缓慢的下降，有利于晶体的生产，提高晶体的良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是晶体生长加热系统的示意图。

图中：1.箱体，2.坩埚，3.进风管，4.出风管，5.加热器，6.氦气瓶，7.排气管，8.温度传感器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，根据本实用新型实施例所述的一种晶体生长加热系统，包括箱体1，所述箱体1内设置有坩埚2，所述坩埚2的底部和顶部分别设置有进风管3和出风管4，所述进风管3穿过所述箱体1的内壁并连接有加热器5的一端，所述出风管4穿过所述箱体1的内壁并连接所述加热器5的另一端。

在本实用新型的一个具体实施例中，所述箱体1的顶部连接有氦气瓶6。

在本实用新型的一个具体实施例中，所述箱体1的底部连接有排气管7。

在本实用新型的一个具体实施例中，所述坩埚2上设置有温度传感器8。

为了方便理解本实用新型的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本实用新型的上述技术方案进行详细说明。

在具体使用时，根据本实用新型的一种晶体生长加热系统，箱体1内填充有氦气，在使用前先打开氦气瓶6，用氦气置换箱体1内的空气，待置换完成后，通过加热器5加热氦气，使坩埚2升温，温度传感器8测量坩埚2的的温度，并将结果反馈给控制器，控制器控制加热器5的加热功率从而控制温度的缓慢变化。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

1.一种晶体生长加热系统，包括箱体（1），其特征在于，所述箱体（1）内设置有坩埚（2），所述坩埚（2）的底部和顶部分别设置有进风管（3）和出风管（4），所述进风管（3）穿过所述箱体（1）的内壁并连接有加热器（5）的一端，所述出风管（4）穿过所述箱体（1）的内壁并连接所述加热器（5）的另一端。

2.根据权利要求1所述的晶体生长加热系统，其特征在于，所述箱体（1）的顶部连接有氦气瓶（6）。

3.根据权利要求1所述的晶体生长加热系统，其特征在于，所述箱体（1）的底部连接有排气管（7）。

4.根据权利要求1所述的晶体生长加热系统，其特征在于，所述坩埚（2）上设置有温度传感器（8）。