CN108315811A - 一种随动冷却装置 - Google Patents

一种随动冷却装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108315811A
CN108315811A CN201810332704.7A CN201810332704A CN108315811A CN 108315811 A CN108315811 A CN 108315811A CN 201810332704 A CN201810332704 A CN 201810332704A CN 108315811 A CN108315811 A CN 108315811A
Authority
CN
China
Prior art keywords
servo
heat
monocrystalline
actuated
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810332704.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张全顺
高润飞
武志军
刘伟
张文霞
裘孝顺
田野
郭志荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Inner Mongolia Zhonghuan Solar Material Co Ltd
Original Assignee
Inner Mongolia Zhonghuan Solar Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inner Mongolia Zhonghuan Solar Material Co Ltd filed Critical Inner Mongolia Zhonghuan Solar Material Co Ltd
Priority to CN201810332704.7A priority Critical patent/CN108315811A/zh
Publication of CN108315811A publication Critical patent/CN108315811A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种随动冷却装置,包括随动冷却主体、进水管、出水管和导热层,进水管与出水管对称设于随动冷却主体的两侧,导热层设于随动冷却主体的内表面。本发明的有益效果是该随动冷却装置能够跟随单晶的生长而上升,且在内壁表面设有导热层,该导热层为耐高温导热纤维,使得随动冷却装置能够与单晶接触,但不影响单晶旋转上升,跟随单晶的旋转上升而上升,在上升过程中对单晶进行热传导,保证单晶的质量,提高工作效率。

Description

一种随动冷却装置
技术领域
本发明属于单晶硅生产设备技术领域,尤其是涉及一种随动冷却装置。
背景技术
全球所生产的太阳能电池有80%以上是使用晶体硅,其中单晶硅约占40%,单晶硅最大的优势就是其转换效率高,但是生产成本较高,由于传统的单晶硅生成加工企业生产水平较低,生成技术水平不高,最终造成单晶硅生产效率低、成本高,这极不利于单晶硅生成加工企业的发展,因此单晶硅生成加工企业也在探索提高生成效率、降低成本的单晶硅生产方法。
直拉单晶(CZ)法的热场是由石墨件系统、单晶炉冷却系统、氩气系统组成的一套复杂的单晶生长系统。正常情况下直拉单晶法的冷却工艺是在通入冷却气体(一般为氩气)的环境下进行的,由于整个系统处于开启状态,通入的氩气在炉体内停留时间较短,最终带走的热量为全部热量的80%--85%,冷却效果一般且冷却气体成本大。单晶的生长速度取决于固液界面温度梯度,温度梯度越大,生长速度越快,但温度梯度过大,也会导致晶体生长过程出现位错等问题。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种随动冷却装置,尤其适合单晶硅拉单晶时使用,该随动冷却装置跟随单晶的生长而上升,对单晶表面的热量进行热传导,降低单晶的温度。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种随动冷却装置,包括随动冷却主体、进水管、出水管和导热层,进水管与出水管对称设于随动冷却主体的两侧,导热层设于随动冷却主体的内表面。
进一步的,随动冷却主体为具有中空腔体的环状结构。
进一步的,进水管与出水管均与中空腔体连通。
具体地,导热层为导热纤维。
具体的,导热纤维为耐高温的多晶莫来石纤维。
进一步的,中空腔体内设有冷却介质。
本发明具有的优点和积极效果是:
1.由于采用上述技术方案,随动冷却装置采用中空腔体的环状结构,且在中空腔体内设有循环冷却介质,且随动冷却装置套设在单晶上,跟随单晶的生长而上升,循环冷却介质对单晶的热量进行热传导,降低单晶的温度;
2.在随动冷却装置的内表面设有导热层,该导热层采用耐高温导热纤维,能够将单晶表面的热量传递给随动冷却主体内循环的冷却介质,进行热传导,依靠热传导带走的热量要远远大于单纯的依靠热辐射带走的热量,导热效率高,缩短工时,降低生产成本;
3.该随动冷却装置能够跟随单晶的生长而上升,且在内壁表面设有导热层,该导热层为耐高温导热纤维,使得随动冷却装置能够与单晶接触,但不影响单晶旋转上升,跟随单晶的旋转上升而上升,在上升过程中对单晶进行热传导,保证单晶的质量,提高工作效率。
附图说明
图1是本发明的一实施例的结构示意图;
图2是本发明的一实施例的俯视图。
图中:
1、进水管 2、出水管 3、随动冷却主体
4、导热层 5、单晶 6、冷却介质
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。
图1示出了本发明的一实施例的结构示意图,具体示出了本实施例的结构,本实施例涉及一种随动冷却装置,用于对单晶在拉单晶过程中进行冷却,跟随单晶生长而上升,单晶上升过程中进行冷却。
上述的随动冷却装置包括随动冷却主体3、进水管1、出水管2和导热层4,进水管1和出水管2对称设于随动冷却主体3的两侧,导热层4设于随动冷却主体3的内表面,随动冷却主体3内设有循环冷却介质6,该冷却介质6从进水管1进入随动冷却主体3中,从出水管2流出,在流动过程中将单晶5表面的热量带走,同时,导热层4与单晶5表面接触,但不影响单晶5旋转上升,随着单晶5的生长而上升,在上升的过程中对单晶5进行热传导,降低单晶5的温度,提高拉单晶5的速度。
具体地,图2示出了本实施例的俯视图,示出了本实施的俯视时的具体结构,由此可以知道,随动冷却主体3为具有中空腔体的环状结构,进水管1与出水管2分别与随动冷却主体3的中空腔体连通,使得冷却介质6能够从进水管1进入随动冷却主体3的中空腔体内,从出水管2流出,冷却介质6在循环流动过程中将热量带走,使得单晶5与冷却介质6进行热交换,进而使得单晶5温度降低。随动冷却主体3在拉单晶时套设在单晶5上,跟随单晶5的生长而上升,随动冷却主体3的形状与单晶5的形状相适应,使得随动冷却主体3与单晶5表面接触,利于随动冷却装置3与单晶5进行热交换。优选的,随动冷却主体3的形状为圆柱形,与单晶5形状相适应,且随动冷却主体3为具有中空腔体的环状结构,随动冷却主体3的内径与单晶5的公称直径相同,具有一定的间隙,为间隙配合,使得单晶5能够在随动冷却主体3内进行上下移动,随动冷却主体3和单晶5能够相对移动,且因随动冷却主体3与单晶5之间的距离最小,能够保证单晶5与随动冷却主体3之间进行热交换效率高,单晶的热量降低快。
进水管1和出水管2分别与外界的进水管道、循环泵和出水管道连接,使得冷却介质能够从外部进入随动冷却主体的内部,进行冷却介质循环,同时,进水管1和出水管2分别与外设的提升装置连接,提升装置带动随动冷却主体3进行上升,实现随动冷却主体3跟随单晶的生长进行上升。
随动冷却主体3为环状的密封结构,在随动冷却主体3的上表面对称开设有进水口和出水口,使得随动冷却主体3的中空腔体通过进水口和出水口与外界连通。同时,在随动冷却主体3的内表面固定设有导热层4,进一步加快冷却介质6与单晶5之间的热交换,该导热层4为耐高温的导热纤维,可以是导热碳纤维,可以是导热布,还可以是耐高温的多晶莫来石纤维,该导热纤维能够耐高温,且导热效率高,同时能够与单晶5接触,但不会影响单晶5的质量,该导热纤维能够快速的将单晶5的温度传递给随动冷却主体3中空腔体的冷却介质6,使得单晶5快速降温,进而能够使得单晶5拉速提高,提高工作效率,优选的,该导热纤维为耐高温的多晶莫来石纤维。该导热纤维通过耐高温粘接胶固定粘接在随动冷却主体3的内侧表面上,也可以是通过物理方法压制在随动冷却主体3的内侧表面上,还可以是其他方法,根据实际需求进行选择。
进一步优化方案,这里的冷却介质6可以是冷却水,也可以是液氮,还可以是液氩,根据实际需求进行选择。
本实施例的工作过程:在拉单晶时,将随动冷却装置设于单晶5上,并跟随单晶5的生长而上升,同时,冷却介质6从进水管1中流入,在随动冷却主体3的中空腔体内流动,从出水管2中流出,导热纤维将单晶5的温度传递给冷却介质6,通过冷却介质6的循环流动将热量带走,使得单晶5进行降温。
本发明具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案,随动冷却装置采用中空腔体的环状结构,且在中空腔体内设有循环冷却介质,且随动冷却装置套设在单晶上,跟随单晶的生长而上升,循环冷却介质对单晶的热量进行热传导,降低单晶的温度;在随动冷却装置的内表面设有导热层,该导热层采用耐高温导热纤维,能够将单晶表面的热量传递给随动冷却主体内循环的冷却介质,进行热传导,依靠热传导带走的热量要远远大于单纯的依靠热辐射带走的热量,导热效率高,缩短工时,降低生产成本;该随动冷却装置能够跟随单晶的生长而上升,且在内壁表面设有导热层,该导热层为耐高温导热纤维,使得随动冷却装置能够与单晶接触,但不影响单晶旋转上升,跟随单晶的旋转上升而上升,在上升过程中对单晶进行热传导,保证单晶的质量,提高工作效率。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

Claims (6)

1.一种随动冷却装置,其特征在于:包括随动冷却主体、进水管、出水管和导热层,所述进水管与所述出水管对称设于随动冷却主体的两侧,所述导热层设于所述随动冷却主体的内表面。
2.根据权利要求1所述的随动冷却装置,其特征在于:所述随动冷却主体为具有中空腔体的环状结构。
3.根据权利要求2所述的随动冷却装置,其特征在于:所述进水管与所述出水管均与所述中空腔体连通。
4.根据权利要求1-3任一项所述的随动冷却装置,其特征在于:所述导热层为导热纤维。
5.根据权利要求4所述的随动冷却装置,其特征在于:所述导热纤维为耐高温的多晶莫来石纤维。
6.根据权利要求2或3所述的随动冷却装置,其特征在于:所述中空腔体内设有冷却介质。
CN201810332704.7A 2018-04-13 2018-04-13 一种随动冷却装置 Pending CN108315811A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810332704.7A CN108315811A (zh) 2018-04-13 2018-04-13 一种随动冷却装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810332704.7A CN108315811A (zh) 2018-04-13 2018-04-13 一种随动冷却装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108315811A true CN108315811A (zh) 2018-07-24

Family

ID=62897600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810332704.7A Pending CN108315811A (zh) 2018-04-13 2018-04-13 一种随动冷却装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108315811A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024032353A1 (zh) * 2022-08-09 2024-02-15 隆基绿能科技股份有限公司 一种单晶炉、导热工装及单晶炉的拉晶控制方法
WO2024032332A1 (zh) * 2022-08-09 2024-02-15 隆基绿能科技股份有限公司 一种单晶硅棒拉制装置及拉制方法、换热器及换热组件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101230482A (zh) * 2001-01-26 2008-07-30 Memc电子材料有限公司 具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
CN101575731A (zh) * 2009-06-22 2009-11-11 上虞晶盛机电工程有限公司 带水冷夹套的直拉式硅单晶生长炉
CN101970728A (zh) * 2008-03-24 2011-02-09 信越半导体股份有限公司 单晶制造装置及单晶的制造方法
CN105442037A (zh) * 2015-12-08 2016-03-30 西安交通大学 一种高速单晶生长装置
CN107523869A (zh) * 2017-09-21 2017-12-29 浙江晶盛机电股份有限公司 一种单晶炉可提升水冷热屏装置
CN207130356U (zh) * 2017-06-30 2018-03-23 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种提高直拉单晶拉速的装置
CN208667895U (zh) * 2018-04-13 2019-03-29 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种随动冷却装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101230482A (zh) * 2001-01-26 2008-07-30 Memc电子材料有限公司 具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
CN101970728A (zh) * 2008-03-24 2011-02-09 信越半导体股份有限公司 单晶制造装置及单晶的制造方法
CN101575731A (zh) * 2009-06-22 2009-11-11 上虞晶盛机电工程有限公司 带水冷夹套的直拉式硅单晶生长炉
CN105442037A (zh) * 2015-12-08 2016-03-30 西安交通大学 一种高速单晶生长装置
CN207130356U (zh) * 2017-06-30 2018-03-23 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种提高直拉单晶拉速的装置
CN107523869A (zh) * 2017-09-21 2017-12-29 浙江晶盛机电股份有限公司 一种单晶炉可提升水冷热屏装置
CN208667895U (zh) * 2018-04-13 2019-03-29 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种随动冷却装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024032353A1 (zh) * 2022-08-09 2024-02-15 隆基绿能科技股份有限公司 一种单晶炉、导热工装及单晶炉的拉晶控制方法
WO2024032332A1 (zh) * 2022-08-09 2024-02-15 隆基绿能科技股份有限公司 一种单晶硅棒拉制装置及拉制方法、换热器及换热组件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207452294U (zh) 一种带有冷却装置的炉盖
CN208667895U (zh) 一种随动冷却装置
CN207452295U (zh) 一种提高单晶硅拉速的冷却装置
CN207294943U (zh) 一种水冷套及水冷热屏表面发黑处理的单晶生长炉
CN104313682A (zh) 一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构
CN108315811A (zh) 一种随动冷却装置
CN204342915U (zh) 一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构
CN202744653U (zh) 一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚
CN207294942U (zh) 一种带石墨和水冷复合热屏的高效单晶生长炉
CN201245726Y (zh) 托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托
CN212316280U (zh) 一种单晶生产线及水冷装置
CN206799790U (zh) 单晶炉
CN205839185U (zh) 一种异型导流筒结构
CN208346302U (zh) 一种单晶硅拉单晶用水冷内导
CN207130360U (zh) 一种加热器
CN201990762U (zh) 直拉单晶炉加热装置
CN215628407U (zh) 一种晶棒快速生长用冷却装置以及单晶炉
CN206562482U (zh) 一种蓝宝石长晶炉的分级闭环控制冷却设备
CN102978688B (zh) 一种直拉单晶法的冷却工艺
CN202755096U (zh) 铸锭炉用隔热装置
CN211921735U (zh) 一种提高单晶硅拉速的冷却装置
CN202030855U (zh) 一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场
CN201625434U (zh) 一种提纯设备
CN101906660A (zh) 一种大直径硅晶体生长装置
CN207130356U (zh) 一种提高直拉单晶拉速的装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination