CN213547390U - 一种逆变驱动电路及变频装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种逆变驱动电路及变频装置，所述逆变驱动电路包括：逆变模块，包括上桥臂开关管和下桥臂开关管；负压驱动模块，与所述逆变模块连接，包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元；所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接；所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻，且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻；所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接；所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。本实用新型提供一种低成本的逆变驱动电路结构，可以有效减小下桥开关管驱动信号上的共模干扰，并减小了母线电容到上桥臂寄生电感的尖峰电压。

Description

一种逆变驱动电路及变频装置

技术领域

本实用新型属于逆变电路的技术领域，涉及一种逆变电路结构，特别是涉及一种逆变驱动电路及变频装置。

背景技术

目前，在暖通空调及制冷等诸多变频器应用领域中，变频器拓扑核心器件一般为智能功率模块，即IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块)。IPM应用成熟且有诸多优点，不仅把功率开关管和驱动电路集成在一起，而且还内部集成有过欠压，过电流和过温等异常检测电路。因集成度高及保护充分，设计方便、开发周期缩短，而且器件一致性及可靠性高，便于生产，产品应用的不良率极低。

然而，在大功率变频器应用中，虽然IPM在电气性能，安装生产等方面优点突出，但在价格和通用性方面与单管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)组成的逆变桥相比仍存在劣势，例如，于实际生产中，生产的6只75A单管对比其同规格IPM，其价格要便宜一半甚至更多。通用性差主要体现在各大厂家的IPM封装多有差异，且周边配置电路也略有不同，而各大厂家的单管IGBT封装基本都一致，且拓扑基本相同。一旦出现供应商产能不足无法供货时，则单管IGBT的通用性则可以很容易解决类似问题。

虽然单管IGBT价格便宜，但在使用单管IGBT逆变桥拓扑时，电气性能存在明显的缺点：一是单管IGBT开关管承受的电压应力很高。因为单管IGBT引脚较长，其引线电感是IPM引脚电感的数倍，加上单管IGBT组成的逆变桥结构比较松散，母线电容到IGBT上桥臂集电极的PCB走线较长，在用相同的驱动电路的情况下，单管IGBT的集电极和发射极的电压应力比IPM集成IGBT要高100V甚至更高(过高的电压应力会导致IGBT集电极和发射极击穿，是IGBT失效的主要原因之一)。二是单管IGBT开关管的驱动信号上的共模干扰更大。用单管IGBT开关管做的逆变桥，在PCB上电容、电感分布参数更大，在IGBT管开通和关闭的瞬间会产生很大的共模干扰耦合在IGBT管的栅极驱动信号上，如果其电压值超过IGBT管开通的阈值电压，IGBT管会误导通导致逆变桥损坏。

因此，如何提供一种低成本且可靠性较高的逆变驱动电路，实已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种逆变驱动电路及变频装置，用于解决现有技术无法在保证低成本的同时提高单管IGBT在逆变驱动电路中的可靠性的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型一方面提供一种逆变驱动电路，所述逆变驱动电路包括：逆变模块，包括上桥臂开关管和下桥臂开关管；负压驱动模块，与所述逆变模块连接，包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元；所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接；所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻，且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻；所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接；所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述上桥臂开关管包括第一上桥臂开关管、第二上桥臂开关管和第三上桥臂开关管；所述下桥臂开关管包括第一下桥臂开关管、第二下桥臂开关管和第三下桥臂开关管；所述逆变模块还包括第一采样电阻、第二采样电阻和第三采样电阻；所述第一上桥臂开关管的集电极、第二上桥臂开关管的集电极和第三上桥臂开关管的集电极均与逆变电源正极连接；所述第一采样电阻的一端、第二采样电阻的一端和第三采样电阻的一端均与地连接；所述地与所述驱动地进行隔离设置；所述第一上桥臂开关管的发射极与第一下桥臂开关管的集电极连接，所述第二上桥臂开关管的发射极与第二下桥臂开关管的集电极连接，所述第三上桥臂开关管的发射极与第三下桥臂开关管的集电极连接；所述第一下桥臂开关管的发射极与所述第一采样电阻的另一端连接，所述第二下桥臂开关管的发射极与所述第二采样电阻的另一端连接，所述第三下桥臂开关管的发射极与所述第三采样电阻的另一端连接。

于本实用新型的一实施例中，所述下桥臂驱动单元包括U相下管驱动单元、V相下管驱动单元和W相下管驱动单元；所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第一下桥臂开关管的基极连接；所述U相下管驱动单元的驱动地与所述第一下桥臂开关管的发射极连接；所述V相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第二下桥臂开关管的基极连接；所述V 相下管驱动单元的驱动地与所述第二下桥臂开关管的发射极连接；所述W相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第三下桥臂开关管的基极连接；所述W相下管驱动单元的驱动地与所述第三下桥臂开关管的发射极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述U相下管驱动单元包括U相下管驱动芯片、调节电阻和调节二极管；所述U相下管驱动芯片的输出端分别与所述调节电阻的一端和所述关断驱动电阻的一端连接，所述调节电阻另一端与所述调节二极管的阳极连接，所述调节二极管的阴极与所述关断驱动电阻的另一端并联，并作为所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端；所述调节电阻与所述调节二极管、所述关断驱动电阻等效为所述导通驱动电阻。

于本实用新型的一实施例中，所述U相下管驱动单元还包括U相下管保护电阻；所述U 相下管保护电阻的一端与所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端连接，另一端与所述第一下桥臂开关管的发射极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述U相下管驱动单元还包括第一储能电容和第二储能电容；所述第一储能电容的正极与驱动侧第一电源连接，所述第一储能电容的负极分别与所述第二储能电容的正极、所述第一下桥臂开关管的发射极连接，所述第二储能电容的负极与驱动侧第二电源连接。

于本实用新型的一实施例中，所述上桥臂驱动单元包括U相上管驱动单元、V相上管驱动单元和W相上管驱动单元；所述U相上管驱动单元的驱动信号输出端与所述第一上桥臂开关管的基极连接；所述U相上管驱动单元的驱动地与所述第一上桥臂开关管的发射极连接；所述V相上管驱动单元的驱动信号输出端与所述第二上桥臂开关管的基极连接；所述V 相上管驱动单元的驱动地与所述第二上桥臂开关管的发射极连接；所述W相上管驱动单元的驱动信号输出端与所述第三上桥臂开关管的基极连接；所述W相上管驱动单元的驱动地与所述第三上桥臂开关管的发射极连接。

本实用新型另一方面提供一种变频装置，所述变频装置包括所述的逆变驱动电路。

如上所述，本实用新型所述的逆变驱动电路，具有以下有益效果：

本实用新型提供了一种带过电流保护的负压隔离变频器拓扑，实现了大功率变频器的低成本目标，同时又克服了该低成本拓扑普遍存在的两个缺点：一方面通过逆变桥下桥臂负压驱动的共地点分别以单管IGBT的发射极作为驱动地，有效减小了下桥IGBT开关管驱动信号上的共模干扰信号，提升了驱动信号的质量；另一方面通过正向串联二极管的方法适当增大关断驱动电阻，减小母线电容到上桥臂寄生电感产生的尖峰电压，降低单管IGBT所承受的过度电应力，使得单管IGBT变频器拓扑的可靠性可以达到IPM集成拓扑相同的可靠性水平。

附图说明

图1显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的电路连接示意图。

图2显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的逆变模块电路图。

图3显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的下桥臂驱动单元电路图。

图4显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的上桥臂驱动单元电路图

图5显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的VCE效果对比图。

图6显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的驱动信号效果对比图。

元件标号说明

1 逆变驱动电路

11 逆变模块

12 负压驱动模块

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

本实施例提供的逆变驱动电路及变频装置提供一种低成本的逆变驱动电路结构，可以有效减小下桥开关管驱动信号上的共模干扰，并减小了母线电容到上桥臂寄生电感的尖峰电压。

请参阅图1，显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的电路连接示意图。如图1 所示，所述逆变驱动电路1包括：逆变模块11和负压驱动模块12。

所述逆变模块11包括上桥臂开关管和下桥臂开关管。

所述负压驱动模块12与所述逆变模块11连接，包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元；所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接。

所述负压驱动模块12包括导通驱动电阻和关断驱动电阻，且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻；所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接；所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。

请参阅图2，显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的逆变模块电路图。如图2 所示，所述上桥臂开关管包括第一上桥臂开关管Q1、第二上桥臂开关管Q2和第三上桥臂开关管Q3；所述下桥臂开关管包括第一下桥臂开关管Q4、第二下桥臂开关管Q5和第三下桥臂开关管Q6；所述逆变模块还包括第一采样电阻R34、第二采样电阻R35和第三采样电阻 R36，第一采样电阻R34、第二采样电阻R35和第三采样电阻R36为U、V、W相对应的电流采样电阻。此外，逆变模块还包括吸收电容C19，吸收电容C19的一端与逆变电源正极(驱动电压正极)DCP连接，另一端与地DCN连接。U、V、W分别为驱动电机的U相、V相、 W相输出线。

所述第一上桥臂开关管Q1的集电极、第二上桥臂开关管的集电极和第三上桥臂开关管的集电极均与逆变电源正极DCP连接。

所述第一采样电阻R34的一端、第二采样电阻R35的一端和第三采样电阻R36的一端均与地DCN连接；所述地DCN与所述驱动地GND2进行隔离设置。

所述第一上桥臂开关管Q1的发射极与第一下桥臂开关管Q4的集电极连接，所述第二上桥臂开关管Q2的发射极与第二下桥臂开关管Q5的集电极连接，所述第三上桥臂开关管Q3 的发射极与第三下桥臂开关管Q6的集电极连接。

所述第一下桥臂开关管Q4的发射极与所述第一采样电阻R34的另一端连接，所述第二下桥臂开关管Q5的发射极与所述第二采样电阻R35的另一端连接，所述第三下桥臂开关管 Q6的发射极与所述第三采样电阻R36的另一端连接。

请参阅图3，显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的下桥臂驱动单元电路图。如图3所示，所述下桥臂驱动单元包括U相下管驱动单元、V相下管驱动单元和W相下管驱动单元。

所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端UL与所述第一下桥臂开关管Q4的基极连接；所述U相下管驱动单元的驱动地(U1第6引脚GND2-NU网络点)与所述第一下桥臂开关管Q4的发射极连接。

所述V相下管驱动单元的驱动信号输出端VL与所述第二下桥臂开关管Q5的基极连接；所述V相下管驱动单元的驱动地(U3第6引脚GND2-NU网络点)与所述第二下桥臂开关管Q5的发射极连接。

所述W相下管驱动单元的驱动信号输出端WL与所述第三下桥臂开关管Q6的基极连接；所述W相下管驱动单元的驱动地(U5第6引脚GND2-NU网络点)与所述第三下桥臂开关管Q6的发射极连接。

如图3所示，所述U相下管驱动单元包括U相下管驱动芯片U1、调节电阻R1和调节二极管D1。U相下管驱动芯片U1的芯片型号以UCC5320E为例，为隔离栅极驱动器，具有隔离作用。

所述U相下管驱动芯片U1的输出端OUT分别与所述调节电阻R1的一端和所述关断驱动电阻R10的一端连接，所述调节电阻R1另一端与所述调节二极管D1的阳极连接，所述调节二极管D1的阴极与所述关断驱动电阻R10的另一端并联，并作为所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端UL。

所述调节电阻R1与所述调节二极管D1、所述关断驱动电阻R10等效为所述导通驱动电阻。

如图3所示，所述U相下管驱动单元还包括U相下管保护电阻R7。

所述U相下管保护电阻R7的一端与所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端UL连接，另一端与所述第一下桥臂开关管的发射极NU连接。

如图3所示，所述U相下管驱动单元还包括第一储能电容E2和第二储能电容E3。

所述第一储能电容E2的正极与驱动侧第一电源15V连接，所述第一储能电容E2的负极分别与所述第二储能电容E3的正极、所述第一下桥臂开关管的发射极NU连接，所述第二储能电容的负极与驱动侧第二电源-7V连接。此外，C1、C2、C5为电源周边去耦滤波电容。

需要说明的是，V相下管驱动单元、W相下管驱动单元的电路连接结构与所述U相下管驱动单元的电路连接结构同理。

请参阅图4，显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的上桥臂驱动单元电路图。如图4所示，所述上桥臂驱动单元包括U相上管驱动单元、V相上管驱动单元和W相上管驱动单元。

所述U相上管驱动单元的驱动信号输出端UH与所述第一上桥臂开关管Q1的基极连接；所述U相上管驱动单元的驱动地U与所述第一上桥臂开关管Q1的发射极连接。

所述V相上管驱动单元的驱动信号输出端VH与所述第二上桥臂开关管Q2的基极连接；所述V相上管驱动单元的驱动地V与所述第二上桥臂开关管Q2的发射极连接。

所述W相上管驱动单元的驱动信号输出端WH与所述第三上桥臂开关管Q3的基极连接；所述W相上管驱动单元的驱动地W与所述第三上桥臂开关管Q3的发射极连接。

如图4所示，所述U相上管驱动单元包括U相上管驱动芯片U2、调节电阻R2和调节二极管D2。

所述U相上管驱动芯片U2的输出端OUT分别与所述调节电阻R2的一端和所述关断驱动电阻R11的一端连接，所述调节电阻R2另一端与所述调节二极管D2的阳极连接，所述调节二极管D2的阴极与所述关断驱动电阻R11的另一端并联，并作为所述U相上管驱动单元的驱动信号输出端UH。

所述调节电阻R2与所述调节二极管D2、所述关断驱动电阻R11等效为所述导通驱动电阻。

如图4所示，所述U相上管驱动单元还包括U相上管保护电阻R8。

所述U相上管保护电阻R8的一端与所述U相上管驱动单元的驱动信号输出端UH连接，另一端与所述第一上桥臂开关管的发射极U连接。

如图4所示，所述U相上管驱动单元还包括第一储能电容E1和第二储能电容E4，分别并联稳压二极管ZD1和电阻R9进行保护。

所述第一储能电容E1的正极与驱动侧第一电源15V-U连接，所述第一储能电容E1的负极分别与所述第二储能电容E4的正极、所述第一上桥臂开关管Q1的发射极U连接，所述第二储能电容E4的负极与驱动侧第二电源-7V-U连接。

需要说明的是，V相上管驱动单元、W相上管驱动单元的电路连接结构与所述U相上管驱动单元的电路连接结构同理。

请参阅图5，显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的VCE效果对比图。通过正向串联二极管的方法适当增大关断驱动电阻，以U相下桥臂驱动为例，导通门极驱动电阻约为R1和R10的并联结果，阻值较小；关断门极电阻则仅为R10，此时的阻值约为导通电阻的两倍，使得IGBT关断时间增大，进而减小母线电容到上桥臂寄生电感产生的尖峰电压，降低单管IGBT所承受的过度电应力。如图5所示，图5(a)为现有技术中的VCE，图 6(b)为利用本发明后的VCE。由图中可以看出本发明所述的逆变驱动电路结构中VCE上的尖峰电压明显减小。

请参阅图6，显示为本实用新型的逆变驱动电路于一实施例中的驱动信号效果对比图。通过逆变桥下桥臂负压驱动的共地点分别以单管IGBT的发射极(图2中的NU、NV、NW)作为驱动地，而不像现有技术中的负压驱动电路以三相采样电阻公共端(图2中驱动电压负极DCN)作为公共地，这样的设计有效减小了下桥IGBT开关管驱动信号上的共模干扰信号，提升了驱动信号的质量。如图6所示，图6(a)为现有技术中的驱动信号，图6(b)为利用本发明后的驱动信号。逆变器下桥的IGBT管Q4，Q5，Q6的驱动电压＝U1(15V-NU) -UR(驱动电阻压降)-U_R34-U(PCB线路电压)，在图6(a)和图6(b)中，U1(15V-NU) 和UR(驱动电阻压降)是相同的，不同点在于UR34项和U(PCB线路电压)项，在图6(b) 中，IGBT基极充电电流不经过采样电阻，所以UR34为零。但在图6(a)中，IGBT的源极电流脉冲电流流过R34，其高di/dt电流会在R34上会产生很大的干扰电压。对比最后一项U (PCB线路电压)，因为图6(a)的NU和NW经过采样电阻后还需要走一段PCB才能走到共地点，所以无论PCB上如何走线，图6(a)的PCB走线必定大于图6(b)。所以综合分析，用本发明所述的逆变驱动电路的电路结构会使得逆变器下桥的IGBT管Q4，Q5，Q6 的驱动电压上产生的干扰电压，明显小于现有技术方案的干扰电压。

本发明所述的变频装置包括所述的逆变驱动电路。

所述逆变驱动电路包括：逆变模块和负压驱动模块。所述逆变模块包括上桥臂开关管和下桥臂开关管；所述负压驱动模块与所述逆变模块连接，包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元；所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接；所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻，且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻；所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接；所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。

综上所述，本实用新型提供的逆变驱动电路提供了一种带过电流保护的负压隔离变频器拓扑，实现了大功率变频器的低成本目标，同时又克服了该低成本拓扑普遍存在的两个缺点：一方面通过逆变桥下桥臂负压驱动的共地点分别以单管IGBT的发射极作为驱动地，有效减小了下桥IGBT开关管驱动信号上的共模干扰信号，提升了驱动信号的质量；另一方面通过正向串联二极管的方法适当增大关断驱动电阻，减小母线电容到上桥臂寄生电感产生的尖峰电压，降低单管IGBT所承受的过度电应力，使得单管IGBT变频器拓扑的可靠性可以达到IPM集成拓扑相同的可靠性水平。有效克服了现有技术中的种种缺点而具有高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种逆变驱动电路，其特征在于，所述逆变驱动电路包括：

逆变模块，包括上桥臂开关管和下桥臂开关管；

负压驱动模块，与所述逆变模块连接，包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元；所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接；

所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻，且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻；所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接；所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。

2.根据权利要求1所述的逆变驱动电路，其特征在于，所述上桥臂开关管包括第一上桥臂开关管、第二上桥臂开关管和第三上桥臂开关管；所述下桥臂开关管包括第一下桥臂开关管、第二下桥臂开关管和第三下桥臂开关管；所述逆变模块还包括第一采样电阻、第二采样电阻和第三采样电阻；

所述第一上桥臂开关管的集电极、第二上桥臂开关管的集电极和第三上桥臂开关管的集电极均与逆变电源正极连接；

所述第一采样电阻的一端、第二采样电阻的一端和第三采样电阻的一端均与地连接；所述地与所述驱动地进行隔离设置；

所述第一上桥臂开关管的发射极与第一下桥臂开关管的集电极连接，所述第二上桥臂开关管的发射极与第二下桥臂开关管的集电极连接，所述第三上桥臂开关管的发射极与第三下桥臂开关管的集电极连接；

所述第一下桥臂开关管的发射极与所述第一采样电阻的另一端连接，所述第二下桥臂开关管的发射极与所述第二采样电阻的另一端连接，所述第三下桥臂开关管的发射极与所述第三采样电阻的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的逆变驱动电路，其特征在于，所述下桥臂驱动单元包括U相下管驱动单元、V相下管驱动单元和W相下管驱动单元；

所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第一下桥臂开关管的基极连接；所述U相下管驱动单元的驱动地与所述第一下桥臂开关管的发射极连接；

所述V相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第二下桥臂开关管的基极连接；所述V相下管驱动单元的驱动地与所述第二下桥臂开关管的发射极连接；

所述W相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第三下桥臂开关管的基极连接；所述W相下管驱动单元的驱动地与所述第三下桥臂开关管的发射极连接。

4.根据权利要求3所述的逆变驱动电路，其特征在于，所述U相下管驱动单元包括U相下管驱动芯片、调节电阻和调节二极管；

所述U相下管驱动芯片的输出端分别与所述调节电阻的一端和所述关断驱动电阻的一端连接，所述调节电阻另一端与所述调节二极管的阳极连接，所述调节二极管的阴极与所述关断驱动电阻的另一端并联，并作为所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端；

所述调节电阻与所述调节二极管、所述关断驱动电阻等效为所述导通驱动电阻。

5.根据权利要求3所述的逆变驱动电路，其特征在于，所述U相下管驱动单元还包括U相下管保护电阻；

所述U相下管保护电阻的一端与所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端连接，另一端与所述第一下桥臂开关管的发射极连接。

6.根据权利要求3所述的逆变驱动电路，其特征在于，所述U相下管驱动单元还包括第一储能电容和第二储能电容；

所述第一储能电容的正极与驱动侧第一电源连接，所述第一储能电容的负极分别与所述第二储能电容的正极、所述第一下桥臂开关管的发射极连接，所述第二储能电容的负极与驱动侧第二电源连接。

7.根据权利要求2所述的逆变驱动电路，其特征在于，所述上桥臂驱动单元包括U相上管驱动单元、V相上管驱动单元和W相上管驱动单元；

所述U相上管驱动单元的驱动信号输出端与所述第一上桥臂开关管的基极连接；所述U相上管驱动单元的驱动地与所述第一上桥臂开关管的发射极连接；

所述V相上管驱动单元的驱动信号输出端与所述第二上桥臂开关管的基极连接；所述V相上管驱动单元的驱动地与所述第二上桥臂开关管的发射极连接；

所述W相上管驱动单元的驱动信号输出端与所述第三上桥臂开关管的基极连接；所述W相上管驱动单元的驱动地与所述第三上桥臂开关管的发射极连接。

8.一种变频装置，其特征在于，所述变频装置包括如权利要求1-7任一项所述的逆变驱动电路。

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