CN213482677U - 安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路 - Google Patents

Abstract

安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，异常监测与输出自锁保护电路分别与第一继电器输出回路和第二继电器输出回路电性相连，第一继电器输出回路还与第二继电器输出回路电性相连；异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，第一继电器输出回路和第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。

Description

安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路

技术领域

本实用新型涉及安全光栅电源控制器技术领域，具体涉及安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路。

背景技术

当安全光栅电源控制器的主控芯片MCU因软件设计缺陷或者电磁干扰而造成程序跑飞时，或者因5V电源故障造成主控芯片MCU硬件永久性损坏时，在这种情况下，必须强制将连接负载的两路继电器输出回路关断，以免造成生产安全事故发生。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，当主控芯片MCU无法正常工作时，强制将连接负载的两路继电器输出回路关断，以避免造成生产事故。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：提供安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，所述异常监测与输出自锁保护电路分别与所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路电性相连，所述第一继电器输出回路还与所述第二继电器输出回路电性相连；所述异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。

进一步地，所述异常监测与输出自锁保护电路包括MOS管Q15、Q16、Q17、Q18、Q21，电容C9、C10，二极管D12、D13、D14、D15、D16，电阻R50、R51、R52、R54、R55；其中，所述电阻R54、所述MOS管Q17、所述电阻R50、所述电容C10、所述二极管D15以及所述MOS管Q15组成高电平监测电路，所述电阻R55、所述MOS管Q21、所述电阻R52、所述MOS管Q18、所述电容C9、所述电阻R51、所述二极管D16以及所述MOS管Q16组成低电平监测电路；所述电阻R54的一端和所述电阻R55的一端的连接点连接所述主控芯片MCU的WDI控制脚，所述电阻R54的另一端连接所述MOS管Q17的栅极，所述MOS管Q17的源极接地，所述MOS管Q17的漏极分别连接所述电阻R50的一端、所述二极管D15的正极、所述电容C10的一端，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R50的另一端接5V，所述二极管D15的负极连接所述MOS管Q15的栅极，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述二极管D12的负极，所述二极管D12的负极还与所述二极管D13的负极和所述二极管D14的负极连接后连接所述MOS管Q16的漏极，所述MOS管Q16的源极接地，所述MOS管Q16的栅极连接所述二极管D16的负极，所述二极管D16的正极分别连接所述电阻R51的一端、所述MOS管Q18的源极以及所述电容C9的一端，所述电阻R51的另一端连接5V，所述电容C9的另一端接地，所述MOS管Q18的源极接地，所述MOS管Q18的栅极分别连接所述电阻R52的一端和所述MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的源极接地，所述MOS管Q21的栅极连接所述电阻R55的另一端，所述二极管D12的正极为所述第一继电器输出回路的控制开关RELAY1_OS，所述二极管D13的正极为所述第二继电器输出回路的控制开关RELAY2_OS，所述二极管D14的正极为所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路的总控制开关RELAY_OS。

进一步地，所述第一继电器输出回路包括继电器K1，熔断器P3，三极管Q1和Q19，电容C7，隧道二极管DZ1，二极管D5，电阻R24、R41、R56、R57；所述继电器K1的引脚3连接负载的控制端C2，所述继电器K1的引脚5连接所述熔断器P3的引脚1，所述熔断器P3的引脚1还连接所述第二继电器输出回路，所述继电器K1的引脚7分别连接所述二极管D5的正极、所述三极管Q1的集电极和所述电容C7的一端，所述继电器K1的引脚8分别连接所述二极管D5的负极和24V，所述电容C7的另一端连接所述隧道二极管DZ1的负极，所述隧道二极管DZ1的正极接地，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q19的集电极，所述三极管Q19的发射极接地，所述三极管Q1的基极分别连接所述电阻R24的一端和所述电阻R41的一端，所述电阻R41的另一端接地，所述三极管Q19的基极分别连接所述电阻R56的一端和所述电阻R57的一端，所述电阻R57的另一端接地，所述电阻R24的另一端连接所述二极管D12的正极；所述电阻R56的另一端分别连接所述第二继电器输出回路和所述二极管D14的正极。

进一步地，所述第二继电器输出回路包括继电器K2，熔断器P4，三极管Q2和Q20，电容C8，隧道二极管DZ2，二极管D6，电阻R25、R42、R58、R59；所述继电器K2的引脚4分别连接负载的控制端C1和所述熔断器P3的引脚2，所述继电器K2的引脚6连接所述熔断器P4的引脚2，所述熔断器P4的引脚1还连接所述熔断器P3的引脚1，所述继电器K2的引脚8分别连接所述二极管D6的正极、所述三极管Q2的集电极和所述电容C8的一端，所述继电器K2的引脚8分别连接所述二极管D6的负极和24V，所述电容C8的另一端连接所述隧道二极管DZ2的负极，所述隧道二极管DZ2的正极接地，所述三极管Q2的发射极连接所述三极管Q20的集电极，所述三极管Q20的发射极接地，所述三极管Q2的基极分别连接所述电阻R25的一端和所述电阻R42的一端，所述电阻R42的另一端接地，所述三极管Q20的基极分别连接所述电阻R58的一端和所述电阻R59的一端，所述电阻R59的另一端接地，所述电阻R25的另一端连接所述二极管D13的正极；所述电阻R58的另一端分别连接所述电阻R56的另一端和所述二极管D14的正极。

进一步地，所述二极管D12、D13、D14、D15、D16为贴片开关二极管。

进一步地，所述二极管D5和D6为肖特基二极管。

进一步地，所述三极管Q1、Q19、Q2、Q20为NPN型三极管。

进一步地，所述MOS管Q15、Q16、Q17、Q18以及Q21为N沟道增强型MOS管。

进一步地，所述继电器K1和所述继电器K2的型号为JQX-13F。

进一步地，所述RELAY_OS在所述主控芯片MCU正常工作状态时保持高电平，所述RELAY1_OS和所述RELAY2_OS的开关状态由光栅的通光状态决定。

与现有技术相比较，本实用新型的有益效果在于，本实用新型提供的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，异常监测与输出自锁保护电路分别与第一继电器输出回路和第二继电器输出回路电性相连，第一继电器输出回路还与第二继电器输出回路电性相连；异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，第一继电器输出回路和第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断光栅的供电回路；从而当主控芯片MCU无法正常工作时，异常监测与输出自锁保护电路强制将连接负载的两路继电器输出回路关断，以避免造成生产事故。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路的系统原理图。

图2是本实用新型实施例提供的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路的电路原理图。

上述附图中的标记为：1、异常监测与输出自锁保护电路；2、第一继电器输出回路；3、第二继电器输出回路；01、MCU；02、负载。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

以下结合附图与具体实施例，对本实用新型的技术方案做详细的说明。

如图1所示，本实用新型提供的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路1、第一继电器输出回路2以及第二继电器输出回路3，异常监测与输出自锁保护电路1分别与第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3电性相连，第一继电器输出回路2还与第二继电器输出回路3电性相连；异常监测与输出自锁保护电路1用于监测主控芯片MCU01是否正常工作，第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3用于根据述异常监测与输出自锁保护电路1的输出信号接通或关断负载02的供电回路。

上述技术方案提供的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，包括异常监测与输出自锁保护电路1、第一继电器输出回路2以及第二继电器输出回路3，异常监测与输出自锁保护电路1分别与第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3电性相连，第一继电器输出回路2还与第二继电器输出回路3电性相连；异常监测与输出自锁保护电路1用于监测主控芯片MCU01是否正常工作，第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3用于根据述异常监测与输出自锁保护电路1的输出信号接通或关断负载02的供电回路；这样，当主控芯片MCU01无法正常工作时，异常监测与输出自锁保护电路1强制将连接负载02的两路继电器输出回路关断，以避免造成生产事故。

作为本实用新型的一种实施方式，参照图2，异常监测与输出自锁保护电路1包括MOS管Q15、Q16、Q17、Q18、Q21，电容C9、C10，二极管D12、D13、D14、D15、D16，电阻R50、R51、R52、R54、R55；其中，电阻R54、MOS管Q17、电阻R50、电容C10、二极管D15以及MOS管Q15组成高电平监测电路，电阻R55、MOS管Q21、电阻R52、MOS管Q18、电容C9、电阻R51、二极管D16以及MOS管Q16组成低电平监测电路；电阻R54的一端和电阻R55的一端的连接点连接主控芯片MCU01的WDI控制脚，电阻R54的另一端连接MOS管Q17的栅极，MOS管Q17的源极接地，MOS管Q17的漏极分别连接电阻R50的一端、二极管D15的正极、电容C10的一端，电容C10的另一端接地，电阻R50的另一端接5V，二极管D15的负极连接MOS管Q15的栅极，MOS管Q15的源极接地，MOS管Q15的漏极连接二极管D12的负极，二极管D12的负极还与二极管D13的负极和二极管D14的负极连接后连接MOS管Q16的漏极，MOS管Q16的源极接地，MOS管Q16的栅极连接二极管D16的负极，二极管D16的正极分别连接电阻R51的一端、MOS管Q18的源极以及电容C9的一端，电阻R51的另一端连接5V，电容C9的另一端接地，MOS管Q18的源极接地，MOS管Q18的栅极分别连接电阻R52的一端和MOS管Q21的漏极，MOS管Q21的源极接地，MOS管Q21的栅极连接电阻R55的另一端，二极管D12的正极为第一继电器输出回路2的控制开关RELAY1_OS，二极管D13的正极为第二继电器输出回路3的控制开关RELAY2_OS，二极管D14的正极为第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3的总控制开关RELAY_OS。

作为本实用新型的一种实施方式，参照图2，第一继电器输出回路2包括继电器K1，熔断器P3，三极管Q1和Q19，电容C7，隧道二极管DZ1，二极管D5，电阻R24、R41、R56、R57；继电器K1的引脚3连接负载02的控制端C2，继电器K1的引脚5连接熔断器P3的引脚1，熔断器P3的引脚1还连接第二继电器输出回路3，继电器K1的引脚7分别连接二极管D5的正极、三极管Q1的集电极和电容C7的一端，继电器K1的引脚8分别连接二极管D5的负极和24V，电容C7的另一端连接隧道二极管DZ1的负极，隧道二极管DZ1的正极接地，三极管Q1的发射极连接三极管Q19的集电极，三极管Q19的发射极接地，三极管Q1的基极分别连接电阻R24的一端和电阻R41的一端，电阻R41的另一端接地，三极管Q19的基极分别连接电阻R56的一端和电阻R57的一端，电阻R57的另一端接地，电阻R24的另一端连接二极管D12的正极；电阻R56的另一端分别连接第二继电器输出回路3和二极管D14的正极。

作为本实用新型的一种实施方式，参照图2，第二继电器输出回路3包括继电器K2，熔断器P4，三极管Q2和Q20，电容C8，隧道二极管DZ2，二极管D6，电阻R25、R42、R58、R59；继电器K2的引脚4分别连接负载02的控制端C1和熔断器P3的引脚2，继电器K2的引脚6连接熔断器P4的引脚2，熔断器P4的引脚1还连接熔断器P3的引脚1，继电器K2的引脚8分别连接二极管D6的正极、三极管Q2的集电极和电容C8的一端，继电器K2的引脚8分别连接二极管D6的负极和24V，电容C8的另一端连接隧道二极管DZ2的负极，隧道二极管DZ2的正极接地，三极管Q2的发射极连接三极管Q20的集电极，三极管Q20的发射极接地，三极管Q2的基极分别连接电阻R25的一端和电阻R42的一端，电阻R42的另一端接地，三极管Q20的基极分别连接电阻R58的一端和电阻R59的一端，电阻R59的另一端接地，电阻R25的另一端连接二极管D13的正极；电阻R58的另一端分别连接电阻R56的另一端和二极管D14的正极。

作为本实用新型的一种实施方式，二极管D12、D13、D14、D15、D16为贴片开关二极管。

作为本实用新型的一种实施方式，二极管D5和D6为肖特基二极管。

具体地，三极管Q1、Q19、Q2、Q20为NPN型三极管。

具体地，MOS管Q15、Q16、Q17、Q18以及Q21为N沟道增强型MOS管。

具体地，继电器K1和继电器K2的型号为JQX-13F。

具体地，RELAY_OS在主控芯片MCU01正常工作状态时保持高电平，RELAY1_OS和RELAY2_OS的开关状态由光栅的通光状态决定。

当RELAY_OS和RELAY1_OS为高电平时(高电平由主控芯片MCU01提供)，三极管Q1和Q19导通，继电器K1的线圈供电回路接通，继电器K1的公共端和常开端接通，从而使第一继电器输出回路2接通，否则反之；

当RELAY_OS和RELAY2_OS为高电平时(高电平由主控芯片MCU01提供)，三极管Q2和Q20导通，继电器K2线圈供电回路接通，继电器K1的公共端和常开端接通，从而使第二继电器输出回路3接通，否则反之；

主控芯片MCU01持续在控制端WDI施加方波信号，周期为100ms，占空比为50％。当主控芯片MCU01由于软件设计问题或电磁干扰，而造成程序跑飞时。或者当电源5V波动造成主控芯片MCU01硬件永久性烧毁时(本实用新型与主控芯片MCU01采用同一个5V电源供电，但由于采用独立元件进行设计，所以本电路拥有抗较大的电流与电压冲击，因此在电源5V波动时，本电路很难被永久性烧毁)，异常监测与输出自锁保护电路1将监测到，然后将RELAY_OS、RELAY1_OS以及RELAY2_OS强制拉到0V，使继电器K1和继电器K2关闭，以避免造成生产事故。

本实用新型应用于主控芯片MCU01处于硬件永久性烧毁或软件被干扰或者软设计缺陷造成程序跑飞时，不能正常关闭两路继电器回路的情形下；正常工作时，主控芯片MCU01会根据负载02的通光状态来切换两路继电器输出回路的开关状态。如光栅通光时，两路继电器输出回路接通，否则反之。

主控芯片MCU01工作正常时，主控芯片MCU01会持续在控制端WDI上施加方波信号，周期为100ms，占空比为50％，即高电平时间为50ms，低电平时间为50ms；当主控芯片MCU01输出为高电平时，MOS管Q17导通，释放电容C10存储的电荷，所以MOS管Q15截止并切断其保护输出，此时，MOS管Q21导通，MOS管Q18截止，5V电源通过电阻R51对电容C9进行充电，充满的时间在80ms左右；于高电平的持续时间为50ms，所以50ms时间后，主控芯片MCU01将在控制端WDI上施加低电平，MOS管Q21截止，MOS管Q18导通，将电容C9的电荷释放，MOS管Q16截止并切断其保护输出，此时MOS管Q17截止，5V电源通过电阻R50对电容C10进行充电，充满的时间为80ms左右；由于低电平的持续时间为50ms，所以50ms时间后，主控芯片MCU01将在控制端WDI上施加高电平，如此循环并达到一个平衡。

当主控芯片MCU01因软件设计缺陷或者电磁干扰而造成程序跑飞时，或者因5V电源故障造成主控芯片MCU01硬件永久性损坏时，在这种情况下，必须强制将第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3关断，以免造成生产安全事故发生；但此时，由于主控芯片MCU01已经无法正常工作，无法关断第一继电器输出回路2和第二继电器输出回路3，这时异常监测与输出自锁保护电路1将发挥作用；其原理如下，由于主控芯片MCU01已无法正常工作，所以其施加在控制端WDI引脚上的电平，要么是持续高电平，要么就持续低电平；

当WDI持续高电平时，低电平监测网络的电容C9在超过80ms后将充满电，并使MOS管Q16输出低电平，此时RELAY_OS、RELAY1_OS和RELAY2_OS全部拉到低电平，从而使第一路继电器输出回路和第二继电器输出回路3关断。

当WDI持续低电平时，高电平监测网络的电容C10在超过80ms后充满电，并使MOS管Q15导通输出低电平，此时RELAY_OS、RELAY1_OS和RELAY2_OS全部拉到低电平，从而使第一路继电器输出回路和第二继电器输出回路3关断。

以上对本实用新型的实施例进行了详细的说明，但本实用新型的创造并不限于本实用新型，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下，还可以做出许多同等变型或替换，这些同等变型或替换均包含在本申请的权利要求所限定的保护范围内。

Claims (10)

1.安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，所述异常监测与输出自锁保护电路分别与所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路电性相连，所述第一继电器输出回路还与所述第二继电器输出回路电性相连；所述异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。

2.根据权利要求1所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述异常监测与输出自锁保护电路包括MOS管Q15、Q16、Q17、Q18、Q21，电容C9、C10，二极管D12、D13、D14、D15、D16，电阻R50、R51、R52、R54、R55；其中，所述电阻R54、所述MOS管Q17、所述电阻R50、所述电容C10、所述二极管D15以及所述MOS管Q15组成高电平监测电路，所述电阻R55、所述MOS管Q21、所述电阻R52、所述MOS管Q18、所述电容C9、所述电阻R51、所述二极管D16以及所述MOS管Q16组成低电平监测电路；所述电阻R54的一端和所述电阻R55的一端的连接点连接所述主控芯片MCU的WDI控制脚，所述电阻R54的另一端连接所述MOS管Q17的栅极，所述MOS管Q17的源极接地，所述MOS管Q17的漏极分别连接所述电阻R50的一端、所述二极管D15的正极、所述电容C10的一端，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R50的另一端接5V，所述二极管D15的负极连接所述MOS管Q15的栅极，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述二极管D12的负极，所述二极管D12的负极还与所述二极管D13的负极和所述二极管D14的负极连接后连接所述MOS管Q16的漏极，所述MOS管Q16的源极接地，所述MOS管Q16的栅极连接所述二极管D16的负极，所述二极管D16的正极分别连接所述电阻R51的一端、所述MOS管Q18的源极以及所述电容C9的一端，所述电阻R51的另一端连接5V，所述电容C9的另一端接地，所述MOS管Q18的源极接地，所述MOS管Q18的栅极分别连接所述电阻R52的一端和所述MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的源极接地，所述MOS管Q21的栅极连接所述电阻R55的另一端，所述二极管D12的正极为所述第一继电器输出回路的控制开关RELAY1_OS，所述二极管D13的正极为所述第二继电器输出回路的控制开关RELAY2_OS，所述二极管D14的正极为所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路的总控制开关RELAY_OS。

3.根据权利要求2所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述第一继电器输出回路包括继电器K1，熔断器P3，三极管Q1和Q19，电容C7，隧道二极管DZ1，二极管D5，电阻R24、R41、R56、R57；所述继电器K1的引脚3连接负载的控制端C2，所述继电器K1的引脚5连接所述熔断器P3的引脚1，所述熔断器P3的引脚1还连接所述第二继电器输出回路，所述继电器K1的引脚7分别连接所述二极管D5的正极、所述三极管Q1的集电极和所述电容C7的一端，所述继电器K1的引脚8分别连接所述二极管D5的负极和24V，所述电容C7的另一端连接所述隧道二极管DZ1的负极，所述隧道二极管DZ1的正极接地，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q19的集电极，所述三极管Q19的发射极接地，所述三极管Q1的基极分别连接所述电阻R24的一端和所述电阻R41的一端，所述电阻R41的另一端接地，所述三极管Q19的基极分别连接所述电阻R56的一端和所述电阻R57的一端，所述电阻R57的另一端接地，所述电阻R24的另一端连接所述二极管D12的正极；所述电阻R56的另一端分别连接所述第二继电器输出回路和所述二极管D14的正极。

4.根据权利要求3所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述第二继电器输出回路包括继电器K2，熔断器P4，三极管Q2和Q20，电容C8，隧道二极管DZ2，二极管D6，电阻R25、R42、R58、R59；所述继电器K2的引脚4分别连接负载的控制端C1和所述熔断器P3的引脚2，所述继电器K2的引脚6连接所述熔断器P4的引脚2，所述熔断器P4的引脚1还连接所述熔断器P3的引脚1，所述继电器K2的引脚8分别连接所述二极管D6的正极、所述三极管Q2的集电极和所述电容C8的一端，所述继电器K2的引脚8分别连接所述二极管D6的负极和24V，所述电容C8的另一端连接所述隧道二极管DZ2的负极，所述隧道二极管DZ2的正极接地，所述三极管Q2的发射极连接所述三极管Q20的集电极，所述三极管Q20的发射极接地，所述三极管Q2的基极分别连接所述电阻R25的一端和所述电阻R42的一端，所述电阻R42的另一端接地，所述三极管Q20的基极分别连接所述电阻R58的一端和所述电阻R59的一端，所述电阻R59的另一端接地，所述电阻R25的另一端连接所述二极管D13的正极；所述电阻R58的另一端分别连接所述电阻R56的另一端和所述二极管D14的正极。

5.根据权利要求4所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述二极管D12、D13、D14、D15、D16为贴片开关二极管。

6.根据权利要求5所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述二极管D5和D6为肖特基二极管。

7.根据权利要求5所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述三极管Q1、Q19、Q2、Q20为NPN型三极管。

8.根据权利要求2所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述MOS管Q15、Q16、Q17、Q18以及Q21为N沟道增强型MOS管。

9.根据权利要求4所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述继电器K1和所述继电器K2的型号为JQX-13F。

10.根据权利要求2所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述RELAY_OS在所述主控芯片MCU正常工作状态时保持高电平，所述RELAY1_OS和所述RELAY2_OS的开关状态由光栅的通光状态决定。

Images