CN213426124U

CN213426124U - 一种休眠电路

Info

Publication number: CN213426124U
Application number: CN202022205786.4U
Authority: CN
Inventors: 杨宗禄
Original assignee: Shenzhen Luhua Technology Co ltd
Current assignee: Shenzhen Luhua Technology Co ltd
Priority date: 2020-09-30
Filing date: 2020-09-30
Publication date: 2021-06-11
Anticipated expiration: 2030-09-30

Abstract

本公开涉及一种休眠电路，包括：电阻R1～R9、三极管Q1～Q3、滤波电容C0、LDO模块和MCU模块；R1的第一端与第一电源输入端连接，第二端分别与Q1的发射极和R2的第一端连接；Q1的集电极与该LDO模块连接，基极与R3的第一端连接；R2的第二端分别与R3的第二端和Q2的集电极连接，R3的第二端与Q3的集电极连接；R4的第一端与第二电源输入端连接，第二端分别与R5的第一端和Q2的基极连接，R6的第一端分别与Q3的基极和R7的第一端连接，R6的第二端与MCU模块连接；R5的第二端、Q2的发射极、Q3的发射极和R7的第二端接地。IG掉电后，MCU检测到IG掉电，并在MCU工作完成后，切断LDO和MCU的供电。IG电上电后，IG信号驱动相关电路为LDO和MCU供电，避免了MCU无法唤醒的情况。

Description

一种休眠电路

技术领域

本公开涉及电路控制技术领域，尤其涉及一种休眠电路。

背景技术

目前，在车辆中，仪表盘照明、车内通信等情况下由车内的低压蓄电池供电，且上述电子器件受到MCU(Micro Control Unit，微控制单元)的控制，因此，需要MCU进入休眠状态后能够被正常唤醒，尽量避免出现死机的情况。

现有技术中，汽车电子产品内部的LDO(low dropout regulator，低压差线性稳压器)与蓄电池相连，MCU与IG电源相连并检测IG电源，当IG电源输入端的电压为零时，MCU进入低功耗模式，以达到节能省电的目的。当IG电源上电时，MCU被唤醒，退出低功耗模式，进入工作状态。这种低功耗模式完全靠MCU的程序来实现。

但是，上述技术方案中，MCU即使进入低功耗模式仍存在一定的耗电量，另外若出现MCU程序bug还会导致MCU进入低功模式(休眠模式)失败，引起蓄电池馈电，另外还会出现另外一种可能就是MCU进入低功耗模式后(休眠模式)MCU无法退出低功耗模式，产品一直无法唤醒的情况，导致IG电上电后，产品功能失效，造成客户投诉。

实用新型内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种休眠电路。

根据实用新型本公开实施例，提供一种休眠电路，包括：

第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、滤波电容C0、LDO模块和MCU模块；

所述第一电阻R1的第一端与第一电源输入端连接，第二端分别与第一三极管Q1的发射极和第二电阻R2的第一端连接；所述第一三极管Q1的集电极与所述LDO模块的输入端连接，基极与所述第三电阻R3的第一端连接；所述LDO模块的输出端与所述第一连接端口连接，所述第二电阻R2的第二端分别与所述第三电阻R3的第二端和所述第二三极管Q2的集电极连接，所述第三电阻R3的第二端与所述第三三极管Q3的集电极连接；所述第四电阻R4的第一端与所述第二电源输入端连接，第二端分别与所述第五电阻R5的第一端和所述第二三极管Q2的基极连接；所述第六电阻R6的第一端分别与所述第三三极管Q3的基极和所述第七电阻R7的第一端连接，第二端与所述MCU模块连接；

所述第五电阻R5的第二端、所述第二三极管Q2的发射极、所述第三三极管Q3的发射极和所述第七电阻R7的第二端接地；

所述第八电阻R8的第一端与所述第二电源输入端连接，第二端分别与所述第九电阻R9的第一端连接和所述滤波电容C0的输入端连接；所述第九电阻R9的第二端和所述滤波电容C0的输出端接地，所述滤波电容C0的输入端与第二连接端口连接。

可选的，所述LDO模块包括：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、LDO芯片U、第八电阻R8和第九电阻R9；

所述第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3并联，输入端与所述第一三极管Q1的集电极连接，输出端接地；

所述LDO芯片U包括：VSP端、EN端、FB端、Vout端以及GND端；所述VSP端与所述第一三极管Q1的集电极连接，所述EN端与所述VSP端连接，所述GND端接地，所述Vout端与所述第三电源输入端连接，所述FB端与所述Vout端之间连接电阻R9，所述FB端与所述GND端之间连接电阻R8；

所述第四电容C4和第五电容C5相并联，输入端与所述Vout端连接，输出端接地；所述第五电容C5的输入端与第一连接端口连接。

可选的，还包括：二极管D；

所述二极管的D与所述第四电阻R4串联；

所述二极管的D正极与所述第二电源输入端连接，所述二极管的负极与所述第四电阻R4的第一端连接。

可选的，所述第一电源输入端为蓄电池电源输入端。

可选的，所述第二电源输入端为ON档信号输入端。

可选的，所述MCU模块包括：MCU芯片；

所述MCU芯片的端口与所述第七电阻R7的第二端连接。

本实用新型公开的技术方案，包括：电阻R1～R9、三极管Q1～Q3、滤波电容C0、LDO模块和MCU模块；R1的第一端与第一电源输入端连接，第二端分别与Q1的发射极和R2的第一端连接；Q1的集电极与该LDO模块连接，基极与R3的第一端连接；R2的第二端分别与R3的第二端和Q2的集电极连接，R3的第二端与Q3的集电极连接；R4的第一端与第二电源输入端连接，第二端分别与R5的第一端和Q2的基极连接，R6的第一端分别与Q3的基极和R7的第一端连接，R6的第二端与MCU模块连接；R5的第二端、Q2的发射极、Q3的发射极和R7的第二端接地。IG掉电后，MCU检测到IG掉电，并在MCU工作完成后，切断LDO和MCU的供电。IG电上电后，IG信号驱动相关电路为LDO和MCU供电，避免了MCU无法唤醒的情况。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种休眠电路结构的示意图；

图2是根据图1示出的另一种休眠电路结构的示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

图1是根据一示例性实施例示出的一种休眠电路结构的示意图，如图1所示，该休眠电路，包括：

该第一电阻R1的第一端与第一电源输入端连接，第二端分别与第一三极管Q1的发射极和第二电阻R2的第一端连接；该第一三极管Q1的集电极与该LDO模块的输入端连接，基极与该第三电阻R3的第一端连接；该LDO模块的输出端与该第一连接端口连接，该第二电阻R2的第二端分别与该第三电阻R3的第二端和该第二三极管Q2的集电极连接，该第三电阻R3的第二端与该第三三极管Q3的集电极连接；该第四电阻R4的第一端与该第二电源输入端连接，第二端分别与该第五电阻R5的第一端和该第二三极管Q2的基极连接；该第六电阻R6的第一端分别与该第三三极管Q3的基极和该第七电阻R7的第一端连接，第二端与该MCU模块连接；该第一电源输入端为蓄电池电源输入端；该第二电源输入端为IG电源输入端。

该第五电阻R5的第二端、该第二三极管Q2的发射极、该第三三极管Q3的发射极和该第七电阻R7的第二端接地；

该第八电阻R8的第一端与该第二电源输入端连接，第二端分别与该第九电阻R9的第一端连接和该滤波电容C0的输入端连接；该第九电阻R9的第二端和该滤波电容C0的输出端接地，该滤波电容C0的输入端与第二连接端口连接。

示例地，当第二电源(即IG电源输)上电时，打开第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3同时为MCU模块和LDO模块供电，实现对MCU模块的唤醒。同样的，当IG电源掉电(电压为零)时，Q2三极管关断，MCU实时检测IG电信号，当MCU检测到IG电掉电后，MCU处理完当前任务，并且控制三极管Q3关断，切断LDO和MCU的供电，之后MCU进入低功耗状态。当IG上电后(电压为高电平时)，Q2三级管就会打开，然后给LDO和MCU供电，避免出现MCU无法唤醒的情况。

需要说明的是，本公开实施例中提供的休眠电路，通常适用于汽车电子产品内部，当第一电源输入端(即蓄电池电)供电时，车辆内用电器件的静态功耗必须尽量将降低；而当第二电源输入端(即IG电源输入端)供电时，车辆内部的用电器件能够进入正常工作的状态，且无静态功耗要求。

综上所述，本实用新型公开的技术方案，包括：电阻R1～R9、三极管Q1～Q3、滤波电容C0、LDO模块和MCU模块；R1的第一端与第一电源输入端连接，第二端分别与Q1的发射极和R2的第一端连接；Q1的集电极与该LDO模块连接，基极与R3的第一端连接；R2的第二端分别与R3的第二端和Q2的集电极连接，R3的第二端与Q3的集电极连接；R4的第一端与第二电源输入端连接，第二端分别与R5的第一端和Q2的基极连接，R6的第一端分别与Q3的基极和R7的第一端连接，R6的第二端与MCU模块连接；R5的第二端、Q2的发射极、Q3的发射极和R7的第二端接地。IG掉电后，MCU检测到IG掉电，并在MCU工作完成后，切断LDO和MCU的供电。IG电上电后，IG信号驱动相关电路为LDO和MCU供电，避免了MCU无法唤醒的情况。

图2是根据图1示出的另一种休眠电路结构的示意图，如图2所示，该LDO模块包括：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、LDO芯片U、第八电阻R8和第九电阻R9；该第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3并联，输入端与该第一三极管Q1的集电极连接，输出端接地；该LDO芯片U包括：VSP端、EN端、FB端、Vout端以及GND端；该VSP端与该第一三极管Q1的集电极连接，该EN端与该VSP端连接，该GND端接地，该Vout端与该第三电源输入端连接，该FB端与该Vout端之间连接电阻R9，该FB端与该GND端之间连接电阻R8；该第四电容C4和第五电容C5相并联，输入端与该Vout端连接，输出端接地；该第五电容C5的输入端与第一连接端口连接。

该休眠电路还包括：二极管D；该二极管的D与该第四电阻R4串联；该二极管的D正极与该第二电源输入端连接，该二极管的负极与该第四电阻R4的第一端连接。

另外，该MCU模块包括：MCU芯片；该MCU芯片的端口与该第七电阻R7的第二端连接。

本领域技术人员在考虑说明书及实践本公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims

1.一种休眠电路，其特征在于，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、滤波电容C0、LDO模块和MCU模块；

所述第一电阻R1的第一端与第一电源输入端连接，第二端分别与第一三极管Q1的发射极和第二电阻R2的第一端连接；所述第一三极管Q1的集电极与所述LDO模块的输入端连接，基极与所述第三电阻R3的第一端连接；所述LDO模块的输出端与所述第一连接端口连接，所述第二电阻R2的第二端分别与所述第三电阻R3的第二端和所述第二三极管Q2的集电极连接，所述第三电阻R3的第二端与所述第三三极管Q3的集电极连接；所述第四电阻R4的第一端与第二电源输入端连接，第二端分别与所述第五电阻R5的第一端和所述第二三极管Q2的基极连接；所述第六电阻R6的第一端分别与所述第三三极管Q3的基极和所述第七电阻R7的第一端连接，第二端与所述MCU模块连接；

2.根据权利要求1所述的休眠电路，其特征在于，所述LDO模块包括：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、LDO芯片U、第八电阻R8和第九电阻R9；

所述LDO芯片U包括：VSP端、EN端、FB端、Vout端以及GND端；所述VSP端与所述第一三极管Q1的集电极连接，所述EN端与所述VSP端连接，所述GND端接地，所述Vout端与第三电源输入端连接，所述FB端与所述Vout端之间连接电阻R9，所述FB端与所述GND端之间连接电阻R8；

3.根据权利要求1所述的休眠电路，其特征在于，还包括：二极管D；

所述二极管的D与所述第四电阻R4串联；

4.根据权利要求1所述的休眠电路，其特征在于，所述第一电源输入端为蓄电池电源输入端。

5.据权利要求1所述的休眠电路，其特征在于，所述第二电源输入端为ON档信号输入端。

6.根据权利要求1所述的休眠电路，其特征在于，所述MCU模块包括：MCU芯片；

所述MCU芯片的端口与所述第七电阻R7的第二端连接。