CN213125838U - 一种供电电路 - Google Patents

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CN213125838U CN202022347625.9U CN202022347625U CN213125838U CN 213125838 U CN213125838 U CN 213125838U CN 202022347625 U CN202022347625 U CN 202022347625U CN 213125838 U CN213125838 U CN 213125838U
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范双林
李飞
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Beijing Qianglian Communication Technology Co ltd
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Abstract

本申请提出一种供电电路,包括第一交流输入端、第二交流输入端、第一直流输出端和第二直流输出端,供电电路还包括:无极性供电模块,与第一交流输入端、第二交流输入端、第一节点和第二直流输出端连接;保护模块,包括控制端、第一端和第二端,第一端与第一节点连接,第二端与第一直流输出端连接,控制模块与保护模块的第一端、第二端和控制端连接,控制模块用于根据保护模块的第一端和保护模块的第二端之间的电压控制流经保护模块的第一端和保护模块的第二端的电流。本申请的供电电路,可以控制施加在负载上的电压,避免负载过压或过流,保证了负载电压的稳定,保护了负载。

Description

一种供电电路
技术领域
本申请涉及供电技术领域,尤其涉及一种供电电路。
背景技术
现有技术中,可以采用供电电路为负载提供直流电源。供电电路的电源输入端接入交流电源,输出端为负载提供所需的直流电源。交流电在输入过程中,会出现电压极大的情况,导致输出端输出电流过载,容易损坏负载。
实用新型内容
本申请实施例提供一种供电电路,以解决相关技术存在的问题,技术方案如下:
第一方面,本申请实施例提供了一种供电电路,包括第一交流输入端、第二交流输入端、第一直流输出端和第二直流输出端,供电电路还包括:
无极性供电模块,与第一交流输入端、第二交流输入端、第一节点和第二直流输出端连接,无极性供电模块将第一交流输入端和第二交流输入端输入的交流电源进行转换,向第一节点和第二直流输出端提供直流电源;
保护模块,包括第一端、第二端和控制端,保护模块的第一端与第一节点连接,保护模块的第二端与第一直流输出端连接;
控制模块,控制模块的第一端与保护模块的第一端连接,控制模块的第二端与保护模块的第二端连接,控制模块的第三端与保护模块的控制端连接,控制模块用于根据保护模块的第一端和保护模块的第二端之间的电压控制流经保护模块的第一端和保护模块的第二端的电流。
在一些可能的实现方式中,保护模块包括第一MOS晶体管,第一MOS晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
在一些可能的实现方式中,在保护模块的第一端和保护模块的第二端之间的电压大于门限电压的情况下,控制模块控制流经保护模块的第一端和保护模块的第二端的电流减小。
在一些可能的实现方式中,保护模块包括第一MOS晶体管,第一MOS晶体管为PMOS晶体管,控制模块包括光电耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻,光电耦合器的第一引脚与保护模块的第一端连接,光电耦合器的第二引脚与第三电阻的一端连接,第三电阻的另一端与保护模块的第二端连接,光电耦合器的第三引脚与第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端与保护模块的控制端连接,第一电阻的一端与保护模块的控制端连接,第一电阻的另一端与第二直流输出端连接,光电耦合器的第四引脚与保护模块的第一端连接。
在一些可能的实现方式中,供电电路还包括第一电容,第一电容的第一极与保护模块的控制端连接,第一电容的第二极与第二直流输出端连接。
在一些可能的实现方式中,控制模块还包括稳压二极管,稳压二极管的第一极与保护模块的控制端连接,稳压二极管的第二极与保护模块的第一端连接。
在一些可能的实现方式中,无极性供电模块包括:
第五MOS晶体管,第五MOS晶体管的第一端与第一交流输入端连接,第五MOS晶体管的第二端与第一节点连接,第五MOS晶体管的控制端与第一控制信号连接;
第二MOS晶体管,第二MOS晶体管的第一端与第二交流输入端连接,第二MOS晶体管的第二端与第一节点连接,第二MOS晶体管的控制端与第二控制信号连接;
第三MOS晶体管,第三MOS晶体管的第一端与第二直流输出端连接,第三MOS晶体管的第二端与第一交流输入端连接,第三MOS晶体管的控制端与第三控制信号连接;
第四MOS晶体管,第四MOS晶体管的第一端与第二直流输出端连接,第四MOS晶体管的第二端与第二交流输入端连接,第四MOS晶体管的控制端与第四控制信号连接。
在一些可能的实现方式中,第五MOS晶体管和第二MOS晶体管均为PMOS晶体管,第三MOS晶体管和第四MOS晶体管均为NMOS晶体管。
在一些可能的实现方式中,供电电路还包括反相器,第五MOS晶体管的控制端和第三MOS晶体管的控制端均与反相器的第一端连接,第二MOS晶体管的控制端和第四MOS晶体管的控制端均与反相器的第二端连接,反相器的第一端和反相器的第二端的信号相反。
在一些可能的实现方式中,供电电路还包括第二电容,第二电容包括第一极和第二极,第二电容的第一极与第一直流输出端连接,第二电容的第二极与第二直流输出端连接。
上述技术方案中的优点或有益效果至少包括:控制模块和保护模块可以共同控制流经负载的电流,进而控制第一直流输出端和第二直流输出端施加在负载上的电压,避免负载过压或过流,保证了负载电压的稳定,保护了负载。
上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本申请范围的限制。
图1为根据本申请一实施例供电电路的示意图;
图2为根据本申请一实施例供电电路的示意图;
图3为根据本申请另一实施例供电电路的示意图;
图4为根据本申请另一实施例供电电路的示意图;
图5为根据本申请另一实施例供电电路的示意图;
图6为根据本申请另一实施例供电电路的示意图,其中,示出了第一交流输入端为负电压、第二交流输入端为正电压时供电电路的电流流向;
图7示出了第一交流输入端为负电压、第二交流输入端为正电压时供电电路的电流流向;
图8为根据本申请另一实施例供电电路的示意图;
图9为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。
附图标记说明:
10、无极性供电模块;12、第二MOS晶体管;13、第三MOS晶体管;14、第四MOS晶体管;15、第五MOS晶体管;20、保护模块;30、控制模块。
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本申请的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
图1为根据本申请一实施例供电电路的示意图。如图1所示,该供电电路可以包括第一交流输入端A1、第二交流输入端A2、第一直流输出端B1和第二直流输出端B2。供电电路还可以包括无极性供电模块10、保护模块20和控制模块30。
无极性供电模块10与第一交流输入端A1、第二交流输入端A2、第一节点C和第二直流输出端B2连接。无极性供电模块10将第一交流输入端A1和第二交流输入端A2输入的交流电进行转换,并向第一节点C和第二直流输出端B2提供直流电源。
保护模块20包括控制端23、第一端21和第二端22。保护模块20的第一端21与第一节点C连接,保护模块20的第二端22与第一直流输出端B1连接。
控制模块30包括第一端、第二端和第三端。控制模块30的第一端与保护模块20的第一端21连接,控制模块30的第二端与保护模块20的第二端连接,控制模块30的第三端与保护模块20的控制端连接。控制模块30用于根据保护模块的第一端21和保护模块20的第二端之间的电压控制流经保护模块20的第一端21和保护模块20的第二端22的电流。
本申请实施例的供电电路,第一直流输出端和第二直流输出端可以连接负载。通过无极性供电模块可以将输入的交流电转换为直流电,从而,可以向负载供应直流电源;控制模块30可以根据保护模块的第一端21和保护模块20的第二端之间的电压控制流经保护模块20的第一端21和保护模块的第二端22的电流,从而,控制模块和保护模块可以共同控制流经负载的电流,进而控制第一直流输出端和第二直流输出端施加在负载上的电压,避免负载过压或过流,保证了负载电压的稳定,保护了负载。
在一种实施方式中,在保护模块的第一端和保护模块的第二端之间的电压大于门限电压的情况下,控制模块30控制流经保护模块的第一端和保护模块的第二端的电流减小。保护模块具有内阻,无极性供电模块、保护模块和负载形成回路。当无极性供电模块的输出电流i增大时,流经保护模块和负载的电流均增大,会出现超过负载可承受电流的情况而损坏负载。保护模块具有内阻,当无极性供电模块的输出电流i增大,会使得保护模块的第一端21和保护模块的第二端22之间的电压增大。当无极性供电模块的输出电流i增大,使得保护模块的第一端21和保护模块的第二端22之间的电压大于门限电压时,控制模块30控制流经保护模块的第一端21和保护模块的第二端22的电流减小。从而使得流经负载的电流减小,减小了负载电压,避免负载过流或过压损坏,保护了负载。
在一种实施方式中,保护模块可以包括第一MOS晶体管,第一MOS晶体管可以为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
图2为根据本申请一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,第一MOS晶体管可以为PMOS晶体管。控制模块可以包括光电耦合器TL、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。光电耦合器TL的第一引脚(即光电耦合器TL的发光二极管的正极)与保护模块20的第一端21连接,光电耦合器TL的第二引脚(即光电耦合器TL的发光二极管的负极)与第三电阻R3的一端连接,第三电阻R3的另一端与保护模块20的第二端22连接,光电耦合器TL的第三引脚(即光电耦合器TL的光敏三极管的发射机)与第二电阻R2的一端连接,第二电阻R2的另一端与保护模块20的控制端23连接,第一电阻R1的一端与保护模块20的控制端23连接,第一电阻R1的另一端与第二直流输出端B2连接,光电耦合器TL的第四引脚(即光电耦合器TL的光敏三极管的集电极)与保护模块20的第一端21连接。
在正常工作状态下,保护模块20的控制端为低电平信号,保护模块20的第一端21和第二端22导通。第一节点C输出的电流小于阈值电流,保护模块的第一端21和保护模块的第二端22之间的电压小于门限电压,光电耦合器TL不工作。第一节点C输出的电流流经保护模块20的第一端21和第二端22,并通过第一直流输出端流经负载至第二直流输出端。当第一节点C的输出电流大于阈值电流时,会使得保护模块的第一端21和保护模块的第二端22之间的电压大于门限电压,从而,光电耦合器TL的发光二极管导通,使得光电耦合器TL的光敏三极管导通,光电耦合器TL的光敏三极管与第二电阻R2、第一电阻R1构成回路,使得保护模块20的控制端电压增大。控制模块20的控制电压增大,控制流经保护模块20的第一端21和第二端22的电流减小,从而,使得流经负载的电流减小,避免负载电压过大。
当第一节点C的输出电流小于或等于阈值电流时,保护模块20的第一端21和第二端22之间的电压小于门限电压,光电耦合器TL停止工作,即光电耦合器的光敏三极管的集电极和发射机处于断开状态。保护模块20的控制端为低电平信号。
在一种实施方式中,如图2所示,保护模块20可以为PMOS晶体管,保护模块20的第一端为PMOS晶体管的源电极,保护模块20的第二端为PMOS晶体管的漏电极,保护模块20的控制端为PMOS晶体管的栅电极。其中,第二电阻R2和第三电阻R3为限流电阻,第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3的具体数值可以根据实际需要确定。
图3为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,如图3所示,供电电路还可以包括第一电容C1,第一电容C1的第一极与保护模块20的控制端连接,第一电容C1的第二极与第二直流输出端B2电连接。
如图3所示,在供电电路开启瞬间,保护模块20的第一端21和第二端22之间的电压可能出现瞬间大于门限电压的情况,导致保护模块无法导通。设置第一电容C1,在供电电路开启瞬间,会对第一电容C1进行充电,使得保护模块控制端23电压保持低电平,保证保护模块在供电电路开启瞬间可以正常导通。
图4为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,如图4所示,控制模块还可以包括稳压二极管D,稳压二极管D的第一极(可以为正极)与保护模块的控制端23连接,稳压二极管的第二极(可以为负极)与保护模块的第一端21连接。稳压二极管D可以防止保护模块由于控制端23和第一端21过压损坏。
图5为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,如图5所示,供电电路还可以包括第二电容C2。第二电容C2包括第一极和第二极。第二电容C2的第一极与第一直流输出端B1连接,第二电容C2的第二极与第二直流输出端B2连接。在保护模块的第一端21和第二端22导通时,可以对第二电容C2进行充电,在控制模块控制流经保护模块的第一端21和第二端22的电流减小,或者控制模块控制保护模块的第一端21和第二端22截止时,第二电容C2可以向负载供电。从而,第二电容C2可以对第一直流输出端B1和第二直流输出端B2之间的电压起到稳压的作用,保证负载始终可以工作在稳定的电压下,避免负载电压波动。
图6为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,如图6所示,无极性供电模块10可以包括第二MOS晶体管12、第三MOS晶体管13、第四MOS晶体管14和第五MOS晶体管15。
如图6所示,第五MOS晶体管15包括控制端153、第一端151和第二端152。第五MOS晶体管的第一端151与第一交流输入端A1连接,第五MOS晶体管的第二端152与第一节点C连接,第五MOS晶体管的控制端153与第一控制信号第一控制信号S1连接。
如图6所示,第二MOS晶体管12包括控制端123、第一端121和第二端122。第二MOS晶体管的第一端121与第二交流输入端A2连接,第二MOS晶体管的第二端122与第一节点C连接,第二MOS晶体管的控制端123与第二控制信号S2连接。
如图6所示,第三MOS晶体管13包括控制端133、第一端131和第二端132。第三MOS晶体管的第一端131与第二直流输出端B2连接,第三MOS晶体管的第二端132与第一交流输入端A1连接,第三MOS晶体管的控制端133与第三控制信号S3连接。
如图6所示,第四MOS晶体管14包括控制端143、第一端141和第二端142。第四MOS晶体管的第一端141与第二直流输出端B2连接,第四MOS晶体管的第二端142与第二交流输入端A2连接,第四MOS晶体管的控制端143与第四控制信号S4连接。
第一交流输入端A1和第二交流输入端A2输入交流电源,自第一交流输入端A1和第二交流输入端A2输入的交流电源经无极性供电模块10转换后,向第一节点C和第二直流输出端B2提供直流电源,进而,向第一直流输出端B1和第二直流输出端B2提供直流电源。
图6示出了第一交流输入端A1为正电压、第二交流输入端A2为负电压时供电电路的电流流向。如图6所示,在第一交流输入端A1为正电压、第二交流输入端A2为负电压的情况下,在第一控制信号S1的控制下,第五MOS晶体管15的第一端151和第二端152导通,在第四控制信号S4的控制下,第四MOS晶体管的第一端141和第二端142导通;在第二控制信号S2的控制下,第二MOS晶体管12的第一端121和第二端122截止,在第三控制信号S3的控制下,第三MOS晶体管13的第一端131和第二端132截止。在保护模块20的第一端21和第二端22导通的情况下,第一直流输出端B1输出正电压,第二直流输出端B2输出负电压,供电电路的电流流向如图6中箭头所示。
图7示出了第一交流输入端A1为负电压、第二交流输入端A2为正电压时供电电路的电流流向。如图7所示,在第一交流输入端A1为负电压、第二交流输入端A2为正电压的情况下,在第一控制信号S1的控制下,第五MOS晶体管15的第一端151和第二端152截止,在第四控制信号S4的控制下,第四MOS晶体管的第一端141和第二端142截止;在第二控制信号S2的控制下,第二MOS晶体管12的第一端121和第二端122导通,在第三控制信号S3的控制下,第三MOS晶体管13的第一端131和第二端132导通。在保护模块20的第一端21和第二端22导通的情况下,第一直流输出端B1输出正电压,第二直流输出端B2输出负电压,供电电路的电流流向如图7中箭头所示。
本申请实施例的供电电路,无极性供电模块采用MOS晶体管实现交直流转换。MOS晶体管的压降低,提高了供电电路的供电效率。当第一交流输入端和第二交流输入端供电电压较低时,由于MOS晶体管产生的压降小,可以使负载获得足够的电压,因此,本申请的供电电路适用于低压供电。MOS晶体管内阻低,发热低,使得供电电路可以适用于大电流供电。
如图6和图7所示,无论第一交流输入端还是第二交流输入端作为输入负端,输入负端和第二直流输出端之间始终只有一个MOS晶体管,MOS晶体管的内阻很小,从而,无论供电电路的电流大小,都可以使得输入负端和输出负端之间的电位差很小,输出负端(即第二直流输出端)电压不容易受到电流的干扰。
图8为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,如图8所示,第五MOS晶体管15可以为PMOS晶体管,第二MOS晶体管12可以为PMOS晶体管,第三MOS晶体管13可以为NMOS晶体管,第四MOS晶体管可以为NMOS晶体管。其中,第五MOS晶体管15的第二端152可以为源电极,第一端151可以为漏电极;第二MOS晶体管12的第二端122可以为源电极,第一端121可以为漏电极;第三MOS晶体管13的第二端132可以为漏电极,第一端131可以为源电极;第四MOS晶体管14的第二端142可以为漏电极,第一端141可以为源电极。
在一种实施方式中,第五MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管和第四MOS晶体管的类型可以根据实际需要具体设置。
图9为根据本申请另一实施例供电电路的示意图。在一种实施方式中,如图9所示,供电电路还可以包括反相器T。第五MOS晶体管15的控制端153和第三MOS晶体管13的控制端133均与反相器T的第一端连接,第二MOS晶体管12的控制端123和第四MOS晶体管14的控制端143均与反相器T的第二端连接,反相器T的第一端和反相器T的第二端的信号相反。反相器T的第一端和第二端互锁,防止第五MOS晶体管15和第二MOS晶体管12同时导通,或者防止第三MOS晶体管13和第四MOS晶体管14同时导通,避免第一交流输入端A1和第二交流输入端A2短路。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包括于本申请的至少一个实施例或示例中。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到其各种变化或替换,这些都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种供电电路,其特征在于,包括第一交流输入端、第二交流输入端、第一直流输出端和第二直流输出端,所述供电电路还包括:
无极性供电模块,与所述第一交流输入端、所述第二交流输入端、第一节点和所述第二直流输出端连接,所述无极性供电模块将所述第一交流输入端和所述第二交流输入端输入的交流电源进行转换,向所述第一节点和所述第二直流输出端提供直流电源;
保护模块,包括第一端、第二端和控制端,所述保护模块的第一端与所述第一节点连接,所述保护模块的第二端与所述第一直流输出端连接;
控制模块,所述控制模块的第一端与所述保护模块的第一端连接,所述控制模块的第二端与所述保护模块的第二端连接,所述控制模块的第三端与所述保护模块的控制端连接,所述控制模块用于根据所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端之间的电压控制流经所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端的电流。
2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述保护模块包括第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,在所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端之间的电压大于门限电压的情况下,所述控制模块控制流经所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端的电流减小。
4.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述保护模块包括第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管,所述控制模块包括光电耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述光电耦合器的第一引脚与所述保护模块的第一端连接,所述光电耦合器的第二引脚与所述第三电阻的一端连接,所述第三电阻的另一端与所述保护模块的第二端连接,所述光电耦合器的第三引脚与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与所述保护模块的控制端连接,所述第一电阻的一端与所述保护模块的控制端连接,所述第一电阻的另一端与所述第二直流输出端连接,所述光电耦合器的第四引脚与所述保护模块的第一端连接。
5.根据权利要求4所述的供电电路,其特征在于,所述供电电路还包括第一电容,所述第一电容的第一极与所述保护模块的控制端连接,所述第一电容的第二极与所述第二直流输出端连接。
6.根据权利要求4所述的供电电路,其特征在于,所述控制模块还包括稳压二极管,所述稳压二极管的第一极与所述保护模块的控制端连接,所述稳压二极管的第二极与所述保护模块的第一端连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的供电电路,其特征在于,所述无极性供电模块包括:
第五MOS晶体管,所述第五MOS晶体管的第一端与所述第一交流输入端连接,所述第五MOS晶体管的第二端与所述第一节点连接,所述第五MOS晶体管的控制端与第一控制信号连接;
第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管的第一端与所述第二交流输入端连接,所述第二MOS晶体管的第二端与所述第一节点连接,所述第二MOS晶体管的控制端与第二控制信号连接;
第三MOS晶体管,所述第三MOS晶体管的第一端与所述第二直流输出端连接,所述第三MOS晶体管的第二端与所述第一交流输入端连接,所述第三MOS晶体管的控制端与第三控制信号连接;
第四MOS晶体管,所述第四MOS晶体管的第一端与所述第二直流输出端连接,所述第四MOS晶体管的第二端与所述第二交流输入端连接,所述第四MOS晶体管的控制端与第四控制信号连接。
8.根据权利要求7所述的供电电路,其特征在于,所述第五MOS晶体管和所述第二MOS晶体管均为PMOS晶体管,所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管均为NMOS晶体管。
9.根据权利要求8所述的供电电路,其特征在于,所述供电电路还包括反相器,所述第五MOS晶体管的控制端和所述第三MOS晶体管的控制端均与所述反相器的第一端连接,所述第二MOS晶体管的控制端和所述第四MOS晶体管的控制端均与所述反相器的第二端连接,所述反相器的第一端和所述反相器的第二端的信号相反。
10.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述供电电路还包括第二电容,所述第二电容包括第一极和第二极,所述第二电容的第一极与所述第一直流输出端连接,所述第二电容的第二极与所述第二直流输出端连接。
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