CN213093223U - 一种降低倒装高压led固晶失效的结构及led芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种降低倒装高压LED固晶失效的结构及LED芯片，包括与金属焊盘固定连接的第一绝缘层、与有源介质连接的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设有金属电极；所述金属电极连接有第二连接金属片，所述第二连接金属片包括一底片、两个立片，所述底片设于所述第一绝缘层的上方，两个所述立片固定在所述底片上方且均穿过所述第二绝缘层设置；两个所述立片之间设有保护绝缘层，所述保护绝缘层铺设在所述第二连接金属片的内表面。不会顶伤芯片中部的有源介质，不会漏电短路，失效率大大降低。

Description

一种降低倒装高压LED固晶失效的结构及LED芯片

技术领域

本实用新型涉及LED，具体是一种降低倒装高压LED固晶失效的结构及LED芯片。

背景技术

目前高压倒装LED芯片在使用过程中，固晶过程中失效率偏高，失效率偏高的主要原因是固晶制程中，取晶时顶针刺破蓝膜，将高压倒装LED芯片顶起脱离蓝膜，再通过吸嘴将芯片从蓝膜上吸起，转到电路板进行固晶。这个固晶过程中，顶针刺破蓝膜，接着刺到高压倒装LED芯片中部，芯片中部为发光有源区、保护绝缘介质层(无机薄膜(SiO2，TiO2，Si3N4等)，该无机绝缘介质层坚硬脆弱，容易顶伤，造成芯片中部破损漏电短路，失效率高。

实用新型内容

为解决上述现有技术的缺陷，本实用新型提供一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，不会顶伤芯片中部的有源介质，不会漏电短路，失效率大大降低。

为实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，包括与金属焊盘固定连接的第一绝缘层、与有源介质连接的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设有金属电极；

所述金属电极连接有第二连接金属片，所述第二连接金属片包括一底片、两个立片，所述底片设于所述第一绝缘层的上方，两个所述立片固定在所述底片上方且均穿过所述第二绝缘层设置；

两个所述立片之间设有保护绝缘层，所述保护绝缘层铺设在所述第二连接金属片的内表面。

进一步地，所述第二绝缘层上设有若干组绝缘片，每两个所述绝缘片为一组，每一组所述绝缘片的外侧与所述有源介质接触连接；两个所述立片位于其中一组所述绝缘片之间，且所述立片的外侧面与所述绝缘片的内侧面相接触固定连接。

进一步地，所述保护绝缘层包括一底层、两个外侧壁，所述底层与所述外侧壁之间形成一空白区域；所述底层设置在所述底片上方、两个所述立片之间；所述外侧壁设置在两个所述立片内壁上。

进一步地，所述底片的外端与所述金属电极固定连接。

进一步地，所述结构配合有顶针，所述顶针刺向所述空白区域对应位置。

进一步地，所述有源介质包括依次设置的氮化镓外延P型层、氮化镓外延发光层、氮化镓外延N型层。

一种LED芯片，所述芯片包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设置有上述所述的结构。

综上所述，本实用新型取得了以下技术效果：

本实用新型将传统结构的其中一个第一连接金属片更换成第二连接金属片，在第二连接金属片上铺设一层保护绝缘层，保护绝缘层将两边的有源介质隔离开，留出一个空白区域供顶针顶刺。

本实用新型在制备高压倒装LED芯片时，芯片中部空出，不保留有源区，只保留边缘金属层和保护绝缘介质，高压倒装LED芯片在固晶过程中，即使顶针顶破芯片保护绝缘层，也不会造成芯片有源区的损坏，芯片不会存在漏电短路等失效。

附图说明

图1是传统LED结构；

图2是图1中A部分放大示意图；

图3是本实用新型实施例提供的结构示意图；

图4是图3中B部分放大示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。

实施例：

如图1所示是传统的LED结构，顶针9从LED结构的下方上顶，刺破蓝膜，接着刺到高压倒装LED芯片中部，芯片中部为发光有源区、保护绝缘介质层(无机薄膜(SiO2，TiO2，Si3N4等)，该无机绝缘介质层坚硬脆弱，容易顶伤，造成芯片中部破损漏电短路，失效率高。

本实用新型在传统结构的基础上，增加设置一个空白区域1003(图4示)，让顶针9刺破该空白区域。

具体的，介绍一下传统结构，如图1和图2所示，原有的结构上，设有金属焊盘13、第一绝缘层3和有源介质，有源介质包括氮化镓外延P型层4、氮化镓外延发光层5、氮化镓外延N型层6，金属焊盘13透过第一绝缘层3电连接金属电极2，金属电极2的上方铺设一层第二绝缘层11，第二绝缘层11上延伸至多组绝缘片12，每两个绝缘片12为一组，每一组绝缘片12的外侧与有源介质接触连接，每两个绝缘片12、金属电极2和第一层绝缘层3之间设有第一连接金属片1，具体的，第一连接金属片1包括底板101和竖板102，底板101连接相邻的两个金属电极2，竖板102置于两个绝缘片12之间，第一连接金属片1作为高压倒装LED内部元胞间的连接金属使用。

如图1所示，该结构上设置多组绝缘片12和多个第一连接金属片1。

本实用新型在此基础上，具体是将其中一组绝缘片12内的第一连接金属片1更换成第二连接金属片8。

如图3所示，一种降低倒装高压LED固晶失效的结构。

如图4所示，第二连接金属片8包括一底片801、两个立片802，底片801设于第一绝缘层3的上方，底片801的外端与金属电极2固定连接，两个立片802固定在底片801上方且均穿过第二绝缘层11设置，其中，两个立片802位于其中一组绝缘片12之间，且立片802的外侧面与绝缘片12的内侧面相接触固定连接。

两个立片802之间设有保护绝缘层10，保护绝缘层10铺设在第二连接金属片8的内表面。具体的，保护绝缘层10包括一底层1001、两个外侧壁1002，底层1001与外侧壁1002之间形成一空白区域1003；底层1001设置在底片801上方、两个立片802之间；外侧壁1002设置在两个立片802内壁上。

本实施例中，如图3所示，第二连接金属片8设置在整个结构的中间位置，便于顶针9的顶刺。

本实用新型将其中一个第一连接金属片1更换成第二连接金属片8，在第二连接金属片8上铺设一层保护绝缘层10，保护绝缘层10将两边的有源介质隔离开，留出一个空白区域供顶针顶刺。

本实用新型在制备高压倒装LED芯片时，芯片中部空出，不保留有源区，只保留边缘金属层和保护绝缘介质，高压倒装LED芯片在固晶过程中，即使顶针顶破芯片保护绝缘层，也不会造成芯片有源区的损坏，芯片不会存在漏电短路等失效。

以上所述仅是对本实用新型的较佳实施方式而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，其特征在于：包括与金属焊盘(13)固定连接的第一绝缘层(3)、与有源介质连接的第二绝缘层(11)，所述第一绝缘层(3)和所述第二绝缘层(11)之间设有金属电极(2)；

所述金属电极(2)连接有第二连接金属片(8)，所述第二连接金属片(8)包括一底片(801)、两个立片(802)，所述底片(801)设于所述第一绝缘层(3)的上方，两个所述立片(802)固定在所述底片(801)上方且均穿过所述第二绝缘层(11)设置；

两个所述立片(802)之间设有保护绝缘层(10)，所述保护绝缘层(10)铺设在所述第二连接金属片(8)的内表面。

2.根据权利要求1所述的一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，其特征在于：所述第二绝缘层(11)上设有若干组绝缘片(12)，每两个所述绝缘片(12)为一组，每一组所述绝缘片(12)的外侧与所述有源介质接触连接；两个所述立片(802)位于其中一组所述绝缘片(12)之间，且所述立片(802)的外侧面与所述绝缘片(12)的内侧面相接触固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，其特征在于：所述保护绝缘层(10)包括一底层(1001)、两个外侧壁(1002)，所述底层(1001)与所述外侧壁(1002)之间形成一空白区域(1003)；所述底层(1001)设置在所述底片(801)上方、两个所述立片(802)之间；所述外侧壁(1002)设置在两个所述立片(802)内壁上。

4.根据权利要求3所述的一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，其特征在于：所述底片(801)的外端与所述金属电极(2)固定连接。

5.根据权利要求4所述的一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，其特征在于：所述结构配合有顶针(9)，所述顶针(9)刺向所述空白区域(1003)对应位置。

6.根据权利要求5所述的一种降低倒装高压LED固晶失效的结构，其特征在于：所述有源介质包括依次设置的氮化镓外延P型层(4)、氮化镓外延发光层(5)、氮化镓外延N型层(6)。

7.一种LED芯片，其特征在于，所述芯片包括蓝宝石衬底(7)，所述蓝宝石衬底(7)上设置有如权利要求1-6任一项所述的结构。

Images