CN212967717U - 一种锑化铟红外探测器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种锑化铟红外探测器，包括管脚、底座、管壳、制冷器、蓄冷块、透镜、热敏电阻和光敏元，所述光敏元的材质为锑化铟红外材料，所述管脚固定于所述底座的下端，所述管壳固定于所述底座上，所述制冷器固定于所述底座的中心位置；所述蓄冷块固定于所述制冷器上，所述热敏电阻固定于所述透镜上，所述光敏元采用浸没的方式固定于所述透镜中心位置上。通过在锑化铟红外探测器中设置透镜，并采用浸没的方式粘接光敏元，光敏元处在辐射能量的焦点处，充分利用透镜聚能和浸没效应增强入射光能量，提高探测器的响应率和探测率，并通过热电致冷器改善环境温度对探测性能的影响。

Description

一种锑化铟红外探测器

技术领域

本实用新型涉及红外探测技术领域，具体涉及一种锑化铟红外探测器，尤其是一种浸没型制冷锑化铟红外探测器。

背景技术

红外探测器属于对红外光敏感的器件，主要接收物体所辐射的能量，并将其转化为电信号。其光敏元的制备材料有多种，工作于不同的红外波段，如光导型硫化铅探测器工作在1-3微米波段，硒化铅探测器工作在2-5微米波段，锑化铟红外探测器则工作在2-7微米。锑化铟红外探测器相比短波探测器可探测到更低温度的红外辐射，作为灭火弹、炮弹等引信使用时可更快地启动控制装置，也红外成像、能源资源探测监控系统，在非接触测温、光谱分析、火焰探测、气体分析等领域也得到了广泛应用。

现有技术中的室温光导锑化铟红外探测器灵敏度、探测率在环境温度较高的状态下探测率下降。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种锑化铟红外探测器，以解决室温光导锑化铟红外探测器环境温度升高时灵敏度下降的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

根据本实用新型，提供了一种锑化铟红外探测器，包括管脚、底座、管壳、制冷器、蓄冷块、透镜、热敏电阻和光敏元，所述光敏元的材质为锑化铟红外材料，所述管脚固定于所述底座的下端，所述管壳固定于所述底座上，所述制冷器固定于所述底座的中心位置；所述蓄冷块固定于所述制冷器上，所述热敏电阻固定于所述透镜上，所述光敏元采用浸没的方式固定于所述透镜中心位置上。

进一步地，一种锑化铟红外探测器还包括氟塑料垫片，所述氟塑料垫片放置于所述管壳的上端与透镜之间。

进一步地，所述制冷器为半导体热电制冷器。

进一步地，所述透镜包括球面和平面，所述球面和所述平面的表面上均镀有增透膜。

进一步地，所述平面的表面上的所述增透膜上镀有浸没介质。

进一步地，所述透镜为硅材质。

进一步地，所述透镜为超半球结构。

进一步地，所述管脚采用胶粘接于所述底座的下端，所述管壳采用胶粘接于底座上，所述制冷器采用胶粘接于所述底座的中心位置；所述蓄冷块采用胶粘接于制冷器上，所述热敏电阻采用胶粘接于所述透镜的平面位置上，所述光敏元采用浸没的方式粘接于所述透镜的平面的中心位置上

本实用新型具有如下优点：

通过在锑化铟红外探测器中设置透镜，并采用浸没的方式粘接光敏元，光敏元处在辐射能量的焦点处，充分利用透镜聚能和浸没效应增强入射光能量，提高探测器的响应率和探测率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为根据一示范性实施例示出的一种锑化铟红外探测器的外形结构示意图；

图2为根据一示范性实施例示出的一种锑化铟红外探测器的内部结构示意图；

标记说明：

1—管脚，2—底座，3—管壳，4—制冷器，5—蓄冷块，6—浸没介质，7—透镜，8—氟塑料垫片，9—热敏电阻，10—光敏元，11—增透膜。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

根据本实用新型实施例，提供了一种锑化铟红外探测器，如图1至图2所示，包括管脚1、底座2、管壳3、制冷器4、蓄冷块5、透镜7、热敏电阻9和光敏元10，所述光敏元10的材质为锑化铟红外材料，所述管脚1固定于所述底座2的下端，所述管壳3固定于所述底座2上，所述制冷器4固定于所述底座2的中心位置；所述蓄冷块5固定于所述制冷器4上，所述热敏电阻9固定于所述透镜7上，所述光敏元10采用浸没的方式固定于所述透镜7的中心位置上。

通过在锑化铟红外探测器中设置透镜7，并采用浸没的方式粘接光敏元10，光敏元10处在辐射能量的焦点处，充分利用透镜聚能和浸没效应增强入射光能量，提高探测器的响应率和探测率。

在一些可选实施例中，锑化铟红外探测器还包括氟塑料垫片8，所述氟塑料垫片8放置于所述管壳3的上端与透镜7之间，实现密封。

在一些可选实施例中，所述制冷器4为半导体热电制冷器。采用半导体热电制冷器制冷时可根据电流调节制冷温度，使器件不受外界温度干扰，能够在恒温下工作。

在一些可选实施例中，所述透镜7包括球面和平面，所述球面和所述平面的表面上均镀有增透膜11。其中，透镜7的顶部为球面，底部为平面，所述平面的表面上的所述增透膜11上镀有浸没介质6。增透膜11可提高锑化铟红外探测器的入射光的透过率，同时又有电绝缘作用。浸没介质6在光敏元10与透镜7之间，起到粘接和透光的浸没效应，提高锑化铟红外探测器的探测率。

在一些可选实施例中，所述透镜7为硅材质。具有高折射率和透过率，所述透镜7为超半球结构。

在一些可选实施例中，所述管脚1采用胶粘接于所述底座2的下端，所述管壳3采用胶粘接于底座2上，所述制冷器4采用胶粘接于所述底座2的中心位置；所述蓄冷块5采用胶粘接于制冷器4上，所述热敏电阻9采用胶粘接于所述透镜7的平面位置上，所述光敏元10采用浸没的方式粘接于所述透镜7的平面的中心位置上，这里将固定方式采用胶粘结方式的固定，当然，也可以采用其他的方式进行连接，如机械连接等。

光敏元10接收到高温物体发出的红外辐射，转换为电信号，通过管脚1的引出线与放大、处理电路连接；制冷器4、热敏电阻9通过管脚1的引出线与控制电路连接，使光敏元10在低温下工作；光敏元10的材质为锑化铟红外材料。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。

Claims (8)

1.一种锑化铟红外探测器，其特征在于，包括管脚(1)、底座(2)、管壳(3)、制冷器(4)、蓄冷块(5)、透镜(7)、热敏电阻(9)和光敏元(10)，所述光敏元(10)的材质为锑化铟红外材料，所述管脚(1)固定于所述底座(2)的下端，所述管壳(3)固定于所述底座(2)上，所述制冷器(4)固定于所述底座(2)的中心位置；所述蓄冷块(5)固定于所述制冷器(4)上，所述热敏电阻(9)固定于所述透镜(7)上，所述光敏元(10)采用浸没的方式固定于所述透镜(7)中心位置上。

2.根据权利要求1所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，还包括氟塑料垫片(8)，所述氟塑料垫片(8)放置于所述管壳(3)的上端与透镜(7)之间。

3.根据权利要求1所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，所述制冷器(4)为半导体热电制冷器。

4.根据权利要求1所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，所述透镜(7)包括球面和平面，所述球面和所述平面的表面上均镀有增透膜(11)。

5.根据权利要求4所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，所述平面的表面上的所述增透膜(11)上镀有浸没介质。

6.根据权利要求1所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，所述透镜(7)为硅材质。

7.根据权利要求1所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，所述透镜(7)为超半球结构。

8.根据权利要求4所述的一种锑化铟红外探测器，其特征在于，所述管脚(1)采用胶粘接于所述底座(2)的下端，所述管壳(3)采用胶粘接于底座(2)上，所述制冷器(4)采用胶粘接于所述底座(2)中心位置；所述蓄冷块(5)采用胶粘接于制冷器(4)上，所述热敏电阻(9)采用胶粘接于所述透镜(7)的平面位置上，所述光敏元(10)采用浸没的方式粘接于所述透镜(7)的平面的中心位置上。

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