CN212936189U - 磁路系统及电子装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种磁路系统，包括导磁轭、支撑结构以及通过支撑结构嵌设在导磁轭内的磁铁；其中，导磁轭的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构；支撑结构固定在导磁轭的中空结构内，磁铁固定在支撑结构上并位于导磁轭的缺口结构内；并且，导磁轭的上端面与磁铁的上端面位于同一平面内。利用上述实用新型能够简化磁路系统的生产工艺，降低磁路系统的整体质量，并实现辐射式磁场分布。

Description

磁路系统及电子装置

技术领域

本实用新型涉及声学电子装置技术领域，更为具体地，涉及一种磁路系统及设置有该磁路系统的电子装置。

背景技术

随着科技的快速发展，音频设备的普及率越来越高，人们对音频设备的要求不仅仅局限于音频的播放，对音频设备的可靠性也提出了更多更高的要求。在音频设备中，扬声器或喇叭是一种常用的电子元器件，其主要用于音频信号的播放，其可靠性直接影响了带有扬声器或喇叭的音频设备的功能。

目前的扬声器作为将电能转变为声能的常用电声换能器件，主要由振动系统、磁路系统和辅助系统三部分组成。

现有的磁路系统主要包括径向磁路系统和轴向磁路系统，其中轴向磁路系统主要通过导磁元件，例如华司，提供线圈上下运动需要的磁场，此方案会增加扬声器的零件数量、重量和粘接工艺，并且磁场的均匀性与磁场强度均会受到限制；而径向磁路系统需要对磁铁进行磁化处理后再进行加工，需要配备专用夹具组装，工艺复杂，导致成品率不高，整体成本高。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种磁路系统及电子装置，以解决目前的磁路系统存在的加工工艺复杂、零件数量多、重量大、成品率低等多种问题。

本实用新型提供的磁路系统，包括导磁轭、支撑结构以及通过支撑结构嵌设在导磁轭内的磁铁；其中，导磁轭的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构；支撑结构固定在导磁轭的中空结构内，磁铁固定在支撑结构上并位于导磁轭的缺口结构内；并且，导磁轭的上端面与磁铁的上端面位于同一平面内。

此外，优选的结构是，导磁轭的在沿所述磁路系统中轴线方向上纵截面为“U”型结构或者“G”型结构。

此外，优选的结构是，导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接外侧壁与内侧壁的底部，以及由内侧壁向外侧壁延伸的第一延伸部；第一延伸部的端部与外侧壁之间形成缺口结构；磁铁与外侧壁的内表面相贴合并位于缺口结构内，磁铁与第一延伸部的端部之间形成磁间隙。

此外，优选的结构是，导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接外侧壁与内侧壁的底部，以及由外侧壁向内侧壁延伸的第二延伸部；第二延伸部的端部与内侧壁之间形成缺口结构；磁铁与内侧壁的外表面相贴合并位于缺口结构内，磁铁与第二延伸部的端部之间形成磁间隙。

此外，优选的结构是，磁铁的在沿所述磁路系统中轴线方向上纵截面的高宽比范围为：1.5:1～3:1。

此外，优选的结构是，导磁轭、磁铁与支撑结构均为圆形结构；并且，导磁轭、磁铁与支撑结构的中轴线相重合。

此外，优选的结构是，支撑结构与导磁轭为一体成型结构。

此外，优选的结构是，支撑结构为塑料件或者塑胶件；支撑结构通过胶水粘贴在中空结构的底部。

此外，本实用新型还提供一种电子装置，包括振动系统、如上所述的磁路系统；其中，振动系统包括振膜以及贴设在振膜一侧的线圈；线圈悬设在磁路系统内。

此外，优选的结构是，线圈的卷幅与磁路系统的磁铁的高度比范围为0.6:1～1.2:1。

从上面的技术方案可知，本实用新型的磁路系统及电子装置，磁路系统由导磁轭、支撑结构以及磁铁组成，支撑结构固定在导磁轭的中空结构内，并将磁铁支撑在导磁轭的缺口结构内，不仅能够减少导磁元件，还能够实现工作磁场方向与磁铁磁化方向一致的均匀磁场，装置整体结构简单、重量轻，且合格率高。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为根据本实用新型实施例的磁路系统的剖面图；

图2为根据本实用新型实施例的磁路系统的俯视图；

图3为根据本实用新型实施例的导磁轭的剖面图；

图4为根据本实用新型实施例二的磁路系统的剖面图；

图5为根据本实用新型实施例三的磁路系统的剖面图；

图6为根据本实用新型实施例四的磁路系统的剖面图；

图7为根据本实用新型实施例五的磁路系统的剖面图；

图8为根据本实用新型实施例的磁铁在磁化后的磁力线分布图。

其中的附图标记包括：导磁轭1、外侧壁11、内侧壁12、底部13、第一延伸部14、缺口结构15、中空结构16、磁铁2、线圈3、支撑结构4、预留空间5、磁间隙6。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

为详细描述本实用新型的磁路系统及电子装置的结构，以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

图1和图2分别从不同角度示出了根据本实用新型实施例的磁路系统的示意结构。

如图1和图2共同所示，本实用新型实施例的磁路系统，包括导磁轭1、支撑结构4以及通过支撑结构4嵌设在导磁轭1内的磁铁2；其中，导磁轭1的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构；支撑结构4固定在导磁轭1的中空结构16内，用于支撑固定磁铁2，磁铁2固定在支撑结构4上并位于导磁轭1的缺口结构15内，以使得导磁轭1的上端面与磁铁2的上端面位于同一平面内，通过磁铁2和导磁轭1配合形成与磁铁2的磁化方向相一致的均匀磁场。

其中，导磁轭1主要包括缺口结构15和中空结构16，其存在多种变形结构，例如附图所示导磁轭1的纵截面可以为“C”型结构、“G”型结构或者“U”型结构等类似形状的结构，磁铁2通过支撑结构4支撑固定在缺口结构15中，磁铁2与导磁轭1之间形成收容线圈3的磁间隙6。其中，导磁轭1或磁铁2的纵截面主要指经过磁路系统的中心轴线，且垂直于导磁轭1的上端面及下端面的截面。

具体地，图3示出了根据本实用新型实施例的导磁轭的剖面结构。

如图3所示，在该实施中导磁轭1包括外侧壁11、内侧壁12、连接外侧壁11与内侧壁12的底部13，以及由内侧壁12向外侧壁11延伸的第一延伸部14；其中，第一延伸部14的端部与外侧壁11之间形成缺口结构15，磁铁2与外侧壁11的内表面相贴合并位于缺口结构15内，磁铁2与第一延伸部14的端部之间形成磁间隙6，该磁间隙6位于磁铁2的内侧。

另外，中空结构16的纵截面尺寸大于支撑结构4的纵截面尺寸，当支撑结构4固定在中空结构16内时，中空结构16中还预留有额外的预留空间16，该空间可用于缓冲在磁间隙6中振动的线圈3引起的气流波动；此外，该中空结构16也可根据产品的尺寸或生产要求进行调整。

在本实用新型的一个具体实施方式中，支撑结构4可以是垫圈或者与导磁轭1一体成型的台阶状结构，即直接在导磁轭1的内部设置一体的支撑结构4，通过支撑结构4将磁铁2固定在缺口结构15内，以形成磁间隙6。此外，该支撑结构4也可设置为塑料件或者塑胶件等不具有磁性或导电性的结构件，并通过胶水粘贴固定在中空结构16的底部13上，为线圈3提供冲程空间，同时使得线圈3和磁铁保持合适的相对位置。

具体地，图4示出了根据本实用新型实施例二的磁路系统的剖面结构。

如图4所示，在该实施例二中，可通过改变导磁轭1的形状，使导磁轭1本身具有支撑定位磁铁2的功能，进而省去支撑结构4的设置，进一步减少磁路系统的结构件数及组装工艺；其中，导磁轭1的形状可采用图4中所示结构，也可采用其他能够形成支撑磁铁2的变形结构。

需要说明的是，导磁轭1可以是一体结构，也可以是由两部分或者更多部分的组合结构，导磁轭1存在多种类似的变形结构。具体地，图5示出了根据本实用新型实施例三的磁路系统的剖面结构。

如图5所示，在该实施例三中，导磁轭1还可设置为包括外侧壁、内侧壁、连接外侧壁与内侧壁的底部，以及由外侧壁向内侧壁延伸的第二延伸部；第二延伸部的端部与内侧壁之间形成缺口结构；磁铁2与内侧壁的外表面相贴合并位于缺口结构内，磁铁2与第二延伸部的端部之间形成磁间隙，该磁间隙位于磁铁2的外侧。

为提高磁场的分布效果，为线圈3提供最佳的磁场分布，在本实用新型的磁路系统中，磁铁2可采用软磁铁件，磁铁2的纵截面的高宽比范围可设置为1.5:1～3:1；此外，线圈3的卷幅与磁铁2的高度比范围可设置为0.6:1～1.2:1，在具体的应用场景中或者不同的生产要求中，可调节磁铁2的尺寸比例以及音圈与磁铁2的高度比等参数。

例如，图5中所示，线圈3的卷幅尺寸要大于磁铁2的高度，高出线圈卷幅的部分可向上延伸至导磁轭1外部，向下可延伸至中空结构内。

另外，图6示出了根据本实用新型实施例四的磁路系统的剖面结构。

如图6所示，在该实施例四中，磁路系统的导磁轭1仅包括相互平行的内侧壁、外侧壁以及连接内侧壁和外侧壁的底部，缺口结构和中空结构为相互导通的规则结构，磁铁2通过支撑结构4支撑固定在导磁轭1的内侧壁上，并位于缺口结构中，磁铁2与导磁轭1的外侧壁之间形成磁间隙。

同理，图7示出了根据本实用新型实施例五的磁路系统的剖面结构。

如图7所示，在该实施例四中，磁路系统的导磁轭1仅包括相互平行的内侧壁、外侧壁以及连接内侧壁和外侧壁的底部，缺口结构和中空结构为相互导通的规则结构，磁铁2通过支撑结构4支撑固定在导磁轭1的外侧壁上，并位于缺口结构中，磁铁2与导磁轭1的内侧壁之间形成磁间隙。

需要说明的是，本实用新型提供的磁路系统的结构，可参基于上述各实施例进行相互组合或调整，此处不一一列举。

在本实用新型的另一具体实施方式中，导磁轭1、磁铁2以及支撑结构4均可设置为圆形结构，并且，导磁轭1、磁铁2和支撑结构4的中轴线相重合；此外，导磁轭1、磁铁2以及支撑结构4的形状也可设置为长方形或者其他多种形状的结构形式。

在本实用新型的磁路系统中，对磁铁2进行磁化处理后，磁铁2的磁力线分布如图8所示，磁力线的分布呈规则散射状向外或向内分布，通过改变对磁铁的磁化方向，可实现磁力线的N极和S极的位置调整；可知，这种磁力线分布的磁场比较均匀，进而提供给线圈的磁场也会比价稳定，可有效降低磁路系统对扬声器产生的非线性失真。

与上述磁路系统相对应，本实用新型还提供一种电子装置，包括振动系统以及上述磁路系统；其中，振动系统包括振膜以及贴设在振膜一侧的线圈，线圈悬设在磁路系统内。

具体地，电子装置可以为扬声器或者喇叭等声学器件，线圈可采用音圈或者其他结构，音圈的卷幅与磁路系统的磁铁的高度比范围可设置为0.6:1～1.2:1。

需要说明的是，电子装置的实施例可参考磁路系统的实施例阐述，此处不再一一赘述。

通过上述实施方式可以看出，本实用新型提供的磁路系统及电子装置，可实现辐射式磁场分布，直接提供通电线圈运动时所需要切割磁力线的磁场，能够减少导磁元件的使用且无需专用夹具与复杂的生产工艺，与传统扬声器产品相比质量低，便于轻量化和薄型化的发展；此外，还能够有效降低磁路系统对扬声器产品产生的非线性失真。

如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的磁路系统及电子装置。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的磁路系统及电子装置，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

Claims (10)

1.一种磁路系统，其特征在于，包括导磁轭、支撑结构以及通过所述支撑结构嵌设在所述导磁轭内的磁铁；其中，

所述导磁轭的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构；

所述支撑结构固定在所述导磁轭的中空结构内，所述磁铁固定在所述支撑结构上并位于所述导磁轭的缺口结构内；并且，

所述导磁轭的上端面与所述磁铁的上端面位于同一平面内。

2.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述导磁轭在沿所述磁路系统中轴线方向上的纵截面为“U”型结构或者“G”型结构。

3.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接所述外侧壁与所述内侧壁的底部，以及由所述内侧壁向所述外侧壁延伸的第一延伸部；

所述第一延伸部的端部与所述外侧壁之间形成所述缺口结构；

所述磁铁与所述外侧壁的内表面相贴合并位于所述缺口结构内，所述磁铁与所述第一延伸部的端部之间形成磁间隙。

4.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接所述外侧壁与所述内侧壁的底部，以及由所述外侧壁向所述内侧壁延伸的第二延伸部；

所述第二延伸部的端部与所述内侧壁之间形成所述缺口结构；

所述磁铁与所述内侧壁的外表面相贴合并位于所述缺口结构内，所述磁铁与所述第二延伸部的端部之间形成磁间隙。

5.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述磁铁的在沿所述磁路系统中轴线方向上纵截面的高宽比范围为：1.5:1～3:1。

6.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述导磁轭、所述磁铁与所述支撑结构均为圆形结构；并且，

所述导磁轭、所述磁铁与所述支撑结构的中轴线相重合。

7.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述支撑结构与所述导磁轭为一体成型结构。

8.如权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，

所述支撑结构为塑料件或者塑胶件；

所述支撑结构通过胶水粘贴在所述中空结构的底部。

9.一种电子装置，其特征在于，包括振动系统、如权利要求1至8任一项所述的磁路系统；其中，

所述振动系统包括振膜以及贴设在所述振膜一侧的线圈；

所述线圈悬设在所述磁路系统内。

10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于，

所述线圈的卷幅与所述磁路系统的磁铁的高度比范围为0.6:1～1.2:1。

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