CN212785268U - 一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，包括第一放大器、第一负反馈电路、第二放大器、第二负反馈电路、输入匹配、级间匹配、输出匹配、第一电源滤波电路、第二电源滤波电路，其中外接电源接口分别连接第一、二电源滤波电路输入端，通过第一、二电源滤波电路分别给第一、二放大器供电，输入匹配连接第一放大器输入端，输出匹配连接第二放大器输出端，级间匹配在第一放大器输出端与第二放大器输入端之间，第一、二负反馈电路分别在第一、二放大器输入端和输出端之间。本实用新型中第一、二放大器材质为锗化硅，降低温度变化对整体性能的影响，每一级放大器单独引入负反馈，拓宽带宽和提高了电路稳定性，采用的匹配电路简单易调整。

Description

一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路

技术领域

本实用新型涉及一种用于无线通信技术领域的高增益低功耗的宽带低噪声放大电路，尤其是一种对低温不敏感、匹配电路简易的低噪声放大电路结构。

背景技术

低噪声放大电路一般应用于无线通信收发器的接收端。相对一般放大器，低噪声放大器在放大微弱有用信号的同时引入到信号中的噪声比较少，能够有效增加接收端的灵敏度，因此它能够有效的增加无线通信的距离。在现有技术中，为了优化低噪声放大器到最佳噪声状态，要在低噪声放大器输入端做最优噪声匹配，从而导致放大器的增益相对较低，带宽相对较窄，并且低噪声放大器在大范围的温度变化情况下，比如低温条件下低噪声放大器的指标可能恶化，导致接收端的有用信号畸变，造成接收机基带端无法对有用信号进行解调的情况。

另外，现有的宽带低噪声放大电路匹配电路相对复杂，电路可调性低，为增加增益多个放大器级联电路可能自激，且存在功耗也比较大的问题。

实用新型内容

为了克服现有技术中宽带低噪声放大器增益低、功耗高、匹配相对复杂，性能指标受温度变化易恶化等缺陷，本实用新型提供一种高增益、宽频带、低温环境下对指标影响小、且电路结构易调整的低功耗锗化硅宽带低噪声放大电路。

本实用新型为解决上述问题采用的技术方案是：一种宽带低噪声放大电路，包括第一放大器、第一负反馈电路、第二放大器、第二负反馈电路、输入匹配电路、级间匹配电路、输出端匹配电路、第一电源滤波电路、第二电源滤波电路，其中外接电源接口与第一电源滤波电路输入端和第二电源滤波电路输入端相接，第一电源滤波电路输出端给第一放大器供电，第二电源滤波电路输出端给第二放大器供电，输入匹配电路连接第一放大器输入端，输出端匹配电路连接第二放大器输出端，级间匹配电路在第一放大器输出端与第二放大器输入端之间，第一负反馈电路在第一放大器的输入端与输出端之间，第二负反馈电路在第二放大器的输入端与输出端之间。

进一步的，所述的第一放大器和第二放大器采用的芯片型号为BFP842ESD的低噪声放大芯片，芯片材质为锗化硅。

进一步的，所述的第一负反馈电路和第二负反馈电路，分别由两个电阻与电感串联组成。

进一步的，所述的输入匹配电路只有一个电容。

进一步的，所述的级间匹配电路由电容和电阻串联组成。

进一步的，所述的输出端匹配电路由一个电容和两个电阻和一个电容构成的T型电路组成。

进一步的，所述的第一电源滤波电路由电感、电阻、电容构成L型滤波电路。

进一步的，所述的第二电源滤波电路由两个电感和电容构成T型滤波电路。

本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：

第一：第一和第二放大器材质为锗化硅，噪声低，功耗小，低温对芯片的散射参数影响小，低噪声放大电路性能在不同低温下保持稳定。

第二：第一和第二放大器分别引入负反馈电路，扩展了低噪声放大电路频带，提高了平坦度。

第三：第一和第二放大器分别经过电源滤波电路，抗电源噪声能力强。

第四：匹配电路结构简单，容易调整。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的低温敏特性宽带低噪声放大电路的原理框图。

图2是本实用新型的低温敏特性宽带低噪声放大电路的具体电路图。

具体实施方式

以下内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

基于对现有技术的研究，本实用新型采用低温敏特性的锗化硅材质放大芯片，分别在第一放大器和第二放大器实用负反馈方式，再构建结构简单的匹配电路，实现了一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路。

如图1所述，本实用新型公开的低温敏特性宽带低噪声放大电路包括射频输入11(RF in)，射频输出12(RF out)，输入匹配21，级间匹配22，输出匹配23，第一放大器31，第二放大器32，第一负反馈电路41，第二负反馈电路42，第一电源滤波电路51，第二电源滤波电路 52，电源接口61。射频信号从所述的射频输入11进入，经过输入匹配21进入到第一放大器 31放大，第一负反馈电路41反馈部分信号到第一放大器31的输入端，再由级间匹配22将放大的射频信号输入到第二放大器32，第二负反馈电路42反馈部分信号到第二放大器32的输入端，电源接口61通过第一电源滤波电路51和第二电源滤波电路52分别给第一放大器31和第二放大器供电。

所述的输入匹配进一步包括电容C1。

所述的级间匹配进一步包括电容C3和电阻R5。

所述的输出匹配进一步包括电阻R9、电阻R10、电容C5和电容C6。

所述的第一负反馈电路进一步包括电阻R1、电阻R2和电感L1。

所述的第二负反馈电路进一步包括电阻R6、电阻R7和电感L6。

所述的第一电源滤波电路进一步包括电阻R3、电阻R4、电感L3和电容C2。

所述的第二电源滤波电路进一步包括电阻R8、电感L4、电感L5和电容C4。

该低温敏特性宽带低噪声放大电路选用BFP842ESD锗化硅低功耗放大芯片，工作在 100MHz-1800MHz具有良好的性能指标，覆盖了大部分常用通信频段，增益在30dB，随着温度的降低增益有所增加，噪声性能提高，驻波性能保持不变，平坦度波动低。本电路结构可以在输出匹配后合理加入窄带滤波器实现不同通信制式的应用场景的需要，也可以再加入衰减器控制整个低噪声放大器的增益。

Claims (8)

1.一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：包括第一放大器、第一负反馈电路、第二放大器、第二负反馈电路、输入匹配电路、级间匹配电路、输出端匹配电路、第一电源滤波电路、第二电源滤波电路，其中外接电源接口与第一电源滤波电路输入端和第二电源滤波电路输入端相接，第一电源滤波电路输出端给第一放大器供电，第二电源滤波电路输出端给第二放大器供电，输入匹配电路连接第一放大器输入端，输出端匹配电路连接第二放大器输出端，级间匹配电路在第一放大器输出端与第二放大器输入端之间，第一负反馈电路在第一放大器的输入端与输出端之间，第二负反馈电路在第二放大器的输入端与输出端之间。

2.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于:所述的第一和二放大器是型号为BFP842ESD的锗化硅材质放大芯片。

3.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：第一负反馈电路进一步包括电阻R1、电阻R2和L1串联。

4.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：第二负反馈电路进一步包括电阻R6、电阻R7和L6串联。

5.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：第一电源滤波电路进一步包括电阻R3、电阻R4、电感L3和电容C2构成L型滤波电路。

6.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：第二电源滤波电路进一步包括电阻R8、电感L4、电感L5和电容C4构成T型滤波电路。

7.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：级间匹配进一步包括电阻R5和电容C3串联。

8.如权利要求1所述的一种低温敏特性的宽带低噪声放大电路，其特征在于：输出匹配进一步包括电阻R9、电阻R10、电容C5和电容C6构成T型匹配电路。

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