CN212785265U - 一种堆叠式考毕兹振荡器 - Google Patents
一种堆叠式考毕兹振荡器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212785265U CN212785265U CN202022237213.XU CN202022237213U CN212785265U CN 212785265 U CN212785265 U CN 212785265U CN 202022237213 U CN202022237213 U CN 202022237213U CN 212785265 U CN212785265 U CN 212785265U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mos transistor
- capacitor
- drain
- port
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种堆叠式考毕兹振荡器，包括差分端口、电源端口和三个并联的差分振荡单元；每一个差分振荡单元均包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4；所述第一MOS管M1的漏极通过第一电感L1连接到第一电源端,所述第一MOS管M1的源极与第三MOS管M3的漏极连接；所述第一MOS管M1的源极与漏极之间连接有第一电容C1；所述第二MOS管M2的漏极通过第二电感L2连接到第一电源端，所述第二MOS管M2的源极与第四MOS管M4的漏极连接；所述第二MOS管M2的源极与漏极之间连接有第二电容C2。本实用新型提供了一种堆叠式考毕兹振荡器，基于堆叠差分Colpitts振荡器结构，能够实现大的输出摆幅，并且基于差分的方式有助于实现共模噪声的抑制。
Description
技术领域
本实用新型涉及考毕兹振荡器，特别是涉及一种堆叠式考毕兹振荡器。
背景技术
振荡器是在只有直流电源供电的情况下，产生周期变化的电压信号的电路，压控振荡器(VCO)是一个电压控制的频率源，输出信号的频率和输入控制电压成线性关系。
考毕兹振荡器（Colpitts振荡器）有很好的周期噪声特性，这种特性使其具有较低的相位噪声。但是传统的单端Colpitts VCO存在起振条件苛刻的问题，而且电容反馈网络降低了调谐范围，单端输出的结构也使其对共模噪声的抑制不利，同时也很难实现大的摆幅输出。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种堆叠式考毕兹振荡器，基于堆叠差分Colpitts振荡器结构，能够实现大的输出摆幅，并且基于差分的方式有助于实现共模噪声的抑制。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种堆叠式考毕兹振荡器，包括差分端口、电源端口和三个并联的差分振荡单元，所述差分端口包括第一端口和第二端口，所述电源端口包括第一电源端和第二电源端；
每一个差分振荡单元均包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4；
所述第一MOS管M1的漏极通过第一电感L1连接到第一电源端,所述第一MOS管M1的源极与第三MOS管M3的漏极连接；所述第一MOS管M1的源极与漏极之间连接有第一电容C1；所述第二MOS管M2的漏极通过第二电感L2连接到第一电源端，所述第二MOS管M2的源极与第四MOS管M4的漏极连接；所述第二MOS管M2的源极与漏极之间连接有第二电容C2；
所述第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极相连，且所述第一MOS管M1和第二MOS管之间还设置有第三电容C3，所述第三电容C3的一端与所述第一MOS管M1的漏极连接，第三电容C3的另一端依次通过第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6连接到第二MOS管M2的漏极；所述第四电容C4与第五电容C5的公共端通过第一电阻R1连接到第二电源端；
所述第三MOS管M3的源极与第四MOS管M4的源极连接，且第三MOS管M3与第四MOS管M4的源极公共端还连接有一个接地的电流源；
所述第三MOS管M3的栅极通过第七电容C7与第四MOS管M4的漏极连接；所述第四MOS管的M4的栅极通过第八电容C8与所述第三MOS管的漏极连接；所述第三MOS管M3的栅极还依次通过第二电阻R2与第三电阻R3连接到第四MOS管M4的栅极；
每一个差分振荡单元中，第一电感L1与所述第一MOS管M1漏极的公共端连接到差分端口的第一端口，第二电感L2与第二MOS管M2漏极的公共端连接到差分端口的第二端口；由所述差分端口的第一端口和第二端口对外输出差分信号。
优选地，所述第四电容C4和第五电容C5为可变电容。所述第一电源端接入4V的电压，所述第二电源端接入2.5V电压。所述第一MOS管M1栅极和第二MOS管M2栅极的公共端还设置有第一偏置电压输入端；所述第二电阻R2与第三电阻R3之间还设置有第二偏置电压输入端。
本实用新型的有益效果是：本实用新型基于堆叠差分Colpitts振荡器结构，能够实现大的输出摆幅，并且基于差分的方式有助于实现共模噪声的抑制。
附图说明
图1为本实用新型的原理框图；
图2为差分振荡单元的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示，一种堆叠式考毕兹振荡器，包括差分端口、电源端口和三个并联的差分振荡单元，所述差分端口包括第一端口和第二端口，所述电源端口包括第一电源端和第二电源端；
如图2所示，每一个差分振荡单元均包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4；
所述第一MOS管M1的漏极通过第一电感L1连接到第一电源端,所述第一MOS管M1的源极与第三MOS管M3的漏极连接；所述第一MOS管M1的源极与漏极之间连接有第一电容C1；所述第二MOS管M2的漏极通过第二电感L2连接到第一电源端，所述第二MOS管M2的源极与第四MOS管M4的漏极连接；所述第二MOS管M2的源极与漏极之间连接有第二电容C2；
所述第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极相连，且所述第一MOS管M1和第二MOS管之间还设置有第三电容C3，所述第三电容C3的一端与所述第一MOS管M1的漏极连接，第三电容C3的另一端依次通过第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6连接到第二MOS管M2的漏极；所述第四电容C4与第五电容C5的公共端通过第一电阻R1连接到第二电源端；
所述第三MOS管M3的源极与第四MOS管M4的源极连接，且第三MOS管M3与第四MOS管M4的源极公共端还连接有一个接地的电流源；
所述第三MOS管M3的栅极通过第七电容C7与第四MOS管M4的漏极连接；所述第四MOS管的M4的栅极通过第八电容C8与所述第三MOS管的漏极连接；所述第三MOS管M3的栅极还依次通过第二电阻R2与第三电阻R3连接到第四MOS管M4的栅极；
每一个差分振荡单元中，第一电感L1与所述第一MOS管M1漏极的公共端连接到差分端口的第一端口，第二电感L2与第二MOS管M2漏极的公共端连接到差分端口的第二端口；由所述差分端口的第一端口和第二端口对外输出差分信号。
在本申请的实施例中，所述第四电容C4和第五电容C5为可变电容，通过改变C4和C5的大小，调节振荡器的输出频率。所述第一电源端接入4V的电压，所述第二电源端接入2.5V电压。所述第一MOS管M1栅极和第二MOS管M2栅极的公共端还设置有第一偏置电压输入端，用于提供第一MOS管M1和第二MOS管M2的偏置电压,一般情况下第一偏置电压输入端的电压为1.5~2V；所述第二电阻R2与第三电阻R3之间还设置有第二偏置电压输入端，用于为第三MOS管M3和第四MOS管M4提供偏置电压，一般情况下第二偏置电压输入端的电压也为1.5~2V。
在本申请的实施例中，在将堆叠式考毕兹振荡器进行应用时，如果需要单端信号，可以在差分端口的输出端连接一个差分转单端模块，将差分信号转换为单端信号对外输出。本实用新型采用堆叠的Colpitts振荡器结构来实现大的输出摆幅，并且整个振荡器基于差分的方式设计，有助于实现共模噪声的抑制，在需要单端信号时，只需要增加一个差分转单端模块即可。
最后应当说明的是，以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种堆叠式考毕兹振荡器，其特征在于：包括差分端口、电源端口和三个并联的差分振荡单元，所述差分端口包括第一端口和第二端口，所述电源端口包括第一电源端和第二电源端；
每一个差分振荡单元均包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4；
所述第一MOS管M1的漏极通过第一电感L1连接到第一电源端,所述第一MOS管M1的源极与第三MOS管M3的漏极连接；所述第一MOS管M1的源极与漏极之间连接有第一电容C1；所述第二MOS管M2的漏极通过第二电感L2连接到第一电源端，所述第二MOS管M2的源极与第四MOS管M4的漏极连接；所述第二MOS管M2的源极与漏极之间连接有第二电容C2；
所述第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极相连，且所述第一MOS管M1和第二MOS管之间还设置有第三电容C3，所述第三电容C3的一端与所述第一MOS管M1的漏极连接，第三电容C3的另一端依次通过第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6连接到第二MOS管M2的漏极；所述第四电容C4与第五电容C5的公共端通过第一电阻R1连接到第二电源端；
所述第三MOS管M3的源极与第四MOS管M4的源极连接，且第三MOS管M3与第四MOS管M4的源极公共端还连接有一个接地的电流源；
所述第三MOS管M3的栅极通过第七电容C7与第四MOS管M4的漏极连接；所述第四MOS管的M4的栅极通过第八电容C8与所述第三MOS管的漏极连接；所述第三MOS管M3的栅极还依次通过第二电阻R2与第三电阻R3连接到第四MOS管M4的栅极；
每一个差分振荡单元中，第一电感L1与所述第一MOS管M1漏极的公共端连接到差分端口的第一端口，第二电感L2与第二MOS管M2漏极的公共端连接到差分端口的第二端口；由所述差分端口的第一端口和第二端口对外输出差分信号。
2.根据权利要求1所述的一种堆叠式考毕兹振荡器，其特征在于：所述第四电容C4和第五电容C5为可变电容。
3.根据权利要求1所述的一种堆叠式考毕兹振荡器，其特征在于：所述第一电源端接入4V的电压，所述第二电源端接入2.5V电压。
4.根据权利要求1所述的一种堆叠式考毕兹振荡器，其特征在于：所述第一MOS管M1栅极和第二MOS管M2栅极的公共端还设置有第一偏置电压输入端；所述第二电阻R2与第三电阻R3之间还设置有第二偏置电压输入端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022237213.XU CN212785265U (zh) | 2020-10-10 | 2020-10-10 | 一种堆叠式考毕兹振荡器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022237213.XU CN212785265U (zh) | 2020-10-10 | 2020-10-10 | 一种堆叠式考毕兹振荡器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212785265U true CN212785265U (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=75056973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202022237213.XU Active CN212785265U (zh) | 2020-10-10 | 2020-10-10 | 一种堆叠式考毕兹振荡器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212785265U (zh) |
-
2020
- 2020-10-10 CN CN202022237213.XU patent/CN212785265U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9641164B2 (en) | Quadrature LC tank digitally controlled ring oscillator | |
| CN108199687B (zh) | 跨导线性化宽带lc型压控振荡器及可调电容阵列电路 | |
| CN103036558B (zh) | 压控振荡器 | |
| CN106877819A (zh) | 基于复合型谐振器的压控振荡器 | |
| CN101904096A (zh) | 可变电感器 | |
| CN103095217A (zh) | 低相位噪声压控振荡器 | |
| CN104270147B (zh) | 一种环形振荡器 | |
| CN111181553A (zh) | 一种基于有源电感负载的环形振荡器延迟单元 | |
| CN103475309A (zh) | 一种恒定调谐增益压控振荡器 | |
| CN103731140A (zh) | 一种具有低相位噪声的高频压控振荡器 | |
| WO2018010180A1 (zh) | 一种振荡器 | |
| CN103138679A (zh) | 一种振荡周期内可变电容基本恒定的lc振荡器 | |
| US20190081595A1 (en) | Voltage waveform shaping oscillator | |
| CN212785265U (zh) | 一种堆叠式考毕兹振荡器 | |
| CN112953464A (zh) | 一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器 | |
| TW202005281A (zh) | 注入鎖定除頻器 | |
| CN1953319A (zh) | 高频考毕兹振荡电路 | |
| CN111147021B (zh) | 一种压控振荡器 | |
| CN203504497U (zh) | 一种低功耗、低抖动、宽工作范围的晶体振荡器电路 | |
| KR20110066319A (ko) | 광대역 전압제어발진기 | |
| CN101820249A (zh) | 八相位lc压控振荡电路、片上振荡器的设计方法 | |
| US7109814B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| CN102868366A (zh) | 一种高频压控振荡器 | |
| CN116961588B (zh) | 一种低噪声倍频晶体振荡器电路 | |
| CN116886046B (zh) | 一种压控振荡电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |