CN212750832U - 一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件，所述夹具包括：支撑板，所述支撑板适于装载在料篮中，所述料篮用于装载完整硅片以对所述完整硅片进行刻蚀；夹持板，所述夹持板具有带状的主体部和从所述主体部的边缘突出的多个突出部，所述主体部固定至所述支撑板，所述多个突出部中的每一个适于与所述支撑板一起将所述硅片样品夹持。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体硅片损伤检测领域，尤其涉及一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件。
背景技术
通常，半导体硅片的制造过程主要包括硅晶锭的生长、晶锭的磨削、将晶锭切割成硅片、硅片的研削、硅片的研磨等多种工序，其中磨削、切割、研削、研磨等加工工序都会在硅片表面及边缘区域产生机械加工损伤。而随着半导体器件的日益高度集成化，人们对硅片的表面特性的要求也越来越高，因此需要去除存在于硅片表面及边缘区域的机械加工损伤。为此，准确地评价在拉出晶锭之后，发生在磨削、切割、研削、研磨等加工工序中所导致的硅片表面区域的机械加工损伤深度是极其重要的。
测量存在于硅片表面及边缘区域的机械加工损伤深度可以遵照国际规格(ASTMF95-88)中所提的方法。其本质是利用抛光工艺在硅片试样表层制作一个小角度斜面，暴露损伤层裂纹，进而采用显微手段来测量亚表面裂纹深度。在这个过程中所需要对角度抛光后的斜面进行刻蚀，目的是将损伤显现的更加明显，便于后续的显微镜观测。
但目前硅片样品的刻蚀采用手动将硅片放到刻蚀液中的方式，由于刻蚀液中含有氟化氢等高危化学品，所以会对操作人员造成安全隐患。另外通过人力控制每次刻蚀的时间和程度，会在不同的硅片样品之间造成很大的过程误差，并且无法完成批量处理，造成时间资源的浪费。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型实施例期望提供一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件，能够避免手动操作带来的安全隐患，能够保证同一批次硅片样品同时处理，避免过程误差，能够对硅片进行批量刻蚀处理从而提高机械加工损伤深度测量的效率。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
第一方面，本实用新型实施例提供了一种用于硅片样品的刻蚀的夹具，所述夹具包括：
支撑板，所述支撑板适于装载在料篮中，所述料篮用于装载完整硅片以对所述完整硅片进行刻蚀；
夹持板，所述夹持板具有带状的主体部和从所述主体部的边缘突出的多个突出部，所述主体部固定至所述支撑板，所述多个突出部中的每一个适于与所述支撑板一起将所述硅片样品夹持。
第二方面，本实用新型实施例提供了一种用于硅片样品的刻蚀的组件，所述组件包括：
料篮，所述料篮用于装载完整硅片以对所述完整硅片进行刻蚀；
夹具，所述夹具包括支撑板和夹持板，所述支撑板适于装载在料篮中，所述夹持板具有带状的主体部和从所述主体部的边缘突出的多个突出部，所述主体部固定至所述支撑板，所述多个突出部中的每一个适于与所述支撑板一起将所述硅片样品夹持。
本实用新型实施例提供了一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件，能够避免手动操作带来的安全隐患，可以一次性完成多个硅片样品的刻蚀操作，保证同一批次硅片样品同时处理，避免了过程误差，并且能够对硅片样品进行批量处理从而提高了机械加工损伤深度测量的效率。
附图说明
图1为现有的自动刻蚀机的料篮中装载有完整硅片的示意图；
图2为本实用新型实施例提供的一种用于硅片样品的刻蚀的夹具的正视示意图；
图3为本实用新型实施例提供的一种用于硅片样品的刻蚀的夹具的局部立体示意图；
图4为本实用新型实施例提供的一种用于硅片样品的刻蚀的夹具的侧视示意图；
图5为本实用新型实施例提供的一种用于硅片样品的刻蚀的组件的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
当前，完整硅片例如直径为300mm的硅片是能够实现自动刻蚀处理的，例如，如在图1中示出的，可以首先将完整硅片W装载在自动刻蚀机(附图中未示出)的料篮20中，随后刻蚀机可以将料篮20连同装载的完整硅片W一起浸入到刻蚀液中完成刻蚀。然而，微小的硅片样品无法直接放入料篮20中，因此无法利用现有的用于对完整硅片W进行刻蚀的刻蚀机完成对硅片样品的刻蚀。基于此，本实用新型实施例期望提供一种器具，利用该器具能够利用现有的用于对完整硅片进行刻蚀的刻蚀机来完成对硅片样品进行刻蚀。
参见图2至图3，本实用新型实施例提供了一种用于硅片样品WS的刻蚀的夹具10，该夹具10可以包括：
支撑板100，所述支撑板100适于装载在如图1中示出的料篮20中，所述料篮20用于装载如图1中示出的完整硅片W以对所述完整硅片W进行刻蚀；
夹持板200，所述夹持板200具有带状的主体部210和从所述主体部210的边缘突出的多个突出部220，所述主体部210固定至所述支撑板100，所述多个突出部220中的每一个适于与所述支撑板100一起将所述硅片样品WS夹持。
在利用根据本实用新型的夹具10完成硅片样品WS的刻蚀时，可以先将硅片样品WS夹持在夹具10中，然后通过将支撑板100装载在料篮20中而将硅片样品WS盛放在料篮20中，此时可以通过刻蚀机自动完成对硅片样品WS的刻蚀，能够避免手动操作带来的安全隐患。由于夹持板100具有多个突出部220，因此可以一次性完成多个硅片样品WS的刻蚀操作，保证同一批次硅片样品同时处理，避免了过程误差，并且能够对硅片样品WS进行批量处理从而提高了机械加工损伤深度测量的效率。
为了实现同批次对尽可能多的硅片样品WS进行刻蚀，在本实用新型的优选实施例中，具体地参见图3，所述支撑板100的两侧都可以设置有所述夹持板200，以使得支撑板100的两侧都可以夹持硅片样品WS，在支撑板100的板面面积一定的情况下实现了对尽可能多的硅片样品WS进行夹持，由此实现了同批次对尽可能多的硅片样品WS进行刻蚀。
每一批次的硅片样品WS的厚度可能并不相同，为了实现对不同厚度硅片样品WS的稳固夹持，在本实用新型的优选实施例中，参见图2和图3，所述夹持板200的主体部210通过螺钉300固定至所述支撑板100，使得所述夹持板200与所述支撑板100之间的距离能够通过旋拧所述螺钉300进行调整。例如，在需要对一批次的厚度较大的硅片样品进行夹持的情况下，可以将螺钉300适当地旋松，使得夹持板200能够较大程度地远离支撑板100，以便于厚度较大的硅片样品能够被稳固地夹持在突出部220与支撑板100之间。
对于突出部220与支撑板100一起夹持硅片样品WS的方式，在本实用新型的优选实施例中，参见图4，所述多个突出部220通过弹性变形产生的弹性回复力将所述硅片样品WS压靠至所述支撑板100。例如，在夹具10不对硅片样品WS进行夹持的情况下，夹持板200比如可以是平行于支撑板100的，更具体地突出部220和主体部210都平行于支撑板100，如在图4中通过虚线示出的突出部220，在将硅片样品WS插入到突出部200与支撑板100之间的情况下，由于主体部210被固定至支撑板100，突出部200产生弹性变形而远离支撑板100或者说相对于主体部210产生偏转，如在图4中通过实线示出的突出部220，并通过弹性变形产生的弹性回复力将硅片样品WS压靠至支撑板100，从而实现对硅片样品WS的夹持。
由于在对硅片样品WS进行刻蚀的过程中，支撑板100和夹持板200都会被浸入到刻蚀液中，因此，在本实用新型的优选实施例中，所述支撑板100和所述夹持板200可以由耐刻蚀的材料制成，以使得夹具10更为耐用。
为了方便夹具10的制造，在本实用新型的优选实施例中，所述支撑板100和所述夹持板200可以由同一种材料制成。例如，可以将同一块板材比如通过切割加工出所需形状来获得支撑板100和夹持板200。
可以理解的是，夹持板200的主体部210可以呈任意形状比如曲线形状，然而，在本实用新型的优选实施例中，参见图2，所述夹持板200的主体部210呈直线形以使得夹持板200便于加工。
在主体部210呈直线形的情况下，在本实用新型的优选实施例中，参见图2，所述主体部210水平地固定至所述支撑板100并且所述多个突出部220沿向上的方向从所述主体部210突出。这种设置方式使得硅片样品WS在被夹持之后，不会因自身重力从夹具10中脱落，因而能够被更稳固地夹持在突出部220与支撑板100之间。
参见图5，本实用新型实施例还提供了一种用于硅片样品的刻蚀的组件1，所述组件1可以包括：
料篮20，所述料篮20用于装载如图1中示出的完整硅片W以对所述完整硅片W进行刻蚀；
夹具10，所述夹具10包括支撑板100和夹持板200，所述支撑板100适于装载在所述料篮20中，所述夹持板200具有带状的主体部210和从所述主体部210的边缘突出的多个突出部220，所述主体部210固定至所述支撑板100，所述多个突出部220中的每一个适于与所述支撑板100一起将所述硅片样品夹持。
在本实用新型的优选实施例中，参见图5，所述料篮20具有用于卡合所述完整硅片W的卡槽21，并且所述支撑板100通过卡合至所述卡槽21而装载在所述料篮20中。
需要说明的是：本实用新型实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于硅片样品的刻蚀的夹具，其特征在于，包括：
支撑板，所述支撑板适于装载在料篮中，所述料篮用于装载完整硅片以对所述完整硅片进行刻蚀；
夹持板，所述夹持板具有带状的主体部和从所述主体部的边缘突出的多个突出部，所述主体部固定至所述支撑板，所述多个突出部中的每一个适于与所述支撑板一起将所述硅片样品夹持。
2.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述支撑板的两侧都设置有所述夹持板。
3.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述夹持板的主体部通过螺钉固定至所述支撑板，使得所述夹持板与所述支撑板之间的距离能够通过旋拧所述螺钉进行调整。
4.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述突出部通过弹性变形产生的弹性回复力将所述硅片样品压靠至所述支撑板。
5.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述支撑板和所述夹持板由耐刻蚀的材料制成。
6.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述支撑板和所述夹持板由同一种材料制成。
7.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述夹持板的主体部呈直线形。
8.根据权利要求7所述的夹具，其特征在于，所述主体部水平地固定至所述支撑板并且所述多个突出部沿向上的方向从所述主体部突出。
9.一种用于硅片样品的刻蚀的组件，其特征在于，包括：
料篮，所述料篮用于装载完整硅片以对所述完整硅片进行刻蚀；
夹具，所述夹具包括支撑板和夹持板，所述支撑板适于装载在料篮中，所述夹持板具有带状的主体部和从所述主体部的边缘突出的多个突出部，所述主体部固定至所述支撑板，所述多个突出部中的每一个适于与所述支撑板一起将所述硅片样品夹持。
10.根据权利要求9所述的组件，其特征在于，所述料篮具有用于卡合所述完整硅片的卡槽，并且所述支撑板通过卡合至所述卡槽而装载在所述料篮中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022274550.6U CN212750832U (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-13 | 一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022274550.6U CN212750832U (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-13 | 一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212750832U true CN212750832U (zh) | 2021-03-19 |
Family
ID=74990286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202022274550.6U Active CN212750832U (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-13 | 一种用于硅片样品的刻蚀的夹具及组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212750832U (zh) |
-
2020
- 2020-10-13 CN CN202022274550.6U patent/CN212750832U/zh active Active
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| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |