CN212648466U - Rfic模块及rfid标签 - Google Patents

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植木纪行
矢崎浩和
青山庆广
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及RFIC模块及RFID标签。所构成的RFIC模块及具备该RFIC模块的RFID标签能抑制来自匹配电路的线圈的无用辐射的影响、构成匹配电路的多个线圈的无用耦合的影响。阻抗匹配电路中的、电感(L1、L2、L3、L4)由螺旋状导体图案构成，第5电感(L5)由非卷绕状的导体图案构成。第1电感(L1)和第3电感(L3)分别形成于基板(1)的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，第2电感(L2)和第4电感(L4)分别形成于基板(1)的不同的层并且以线圈开口重叠的关系分别配置。而且，隔着RFIC的搭载位置的两个线圈处于180°旋转对称位置。

Description

RFIC模块及RFID标签
技术领域
本实用新型涉及RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)模块及具备该RFIC模块的RFID(Radio Frequency IDentifier)标签。
背景技术
在专利文献1中示出了与作为天线进行作用的导体耦合的RFIC模块。该RFIC模块包括基板、搭载于该基板的RFIC芯片、以及由构成为与该RFIC芯片连接的多个线圈构成的匹配电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/084658号
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在专利文献1所记载的构造的RFIC模块中，若欲使该RFIC模块薄型化、小型化，则有时会使构成上述匹配电路的多个线圈中的两个线圈之间彼此非常靠近。在这样线圈之间彼此靠近时，会因线圈的卷绕方向、线圈形状而产生无用辐射、无用耦合。此外，在多个RFIC模块彼此靠近的状况下，在该彼此靠近的RFIC模块的线圈之间也会产生无用辐射、无用耦合。而且因此容易受到外部干扰的影响，RFIC模块及RFID标签的特性劣化。
因此，本实用新型的目的在于提供一种RFIC模块及具备该RFIC模块的RFID标签，其能抑制来自匹配电路的线圈的无用辐射的影响、构成匹配电路的多个线圈的无用耦合的影响。
用于解决问题的方案
本实用新型的RFIC模块的特征在于，包括：基板；RFIC，其搭载于该基板；RFIC侧第1端子电极和RFIC侧第2端子电极，它们连接于该RFIC；天线侧第1端子电极和天线侧第2端子电极，它们形成于所述基板并且分别与天线直接连接或者电容耦合；以及阻抗匹配电路，其形成于所述基板并且连接于所述RFIC侧第1端子电极、所述RFIC侧第2端子电极、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极。而且，所述阻抗匹配电路构成为包含第1电感、第2电感、第3电感、第4电感及第5电感，所述第1电感连接于所述天线侧第1端子电极和所述RFIC侧第1端子电极之间，所述第2电感连接于所述天线侧第2端子电极和所述RFIC侧第2端子电极之间，所述第3电感的一端连接于所述天线侧第1端子电极，所述第4电感的一端连接于所述天线侧第2端子电极，所述第5电感连接于所述第3电感的另一端和所述第4电感的另一端之间，所述第1电感、所述第2电感、所述第3电感及所述第4电感由沿着所述基板的面卷绕的螺旋状的导体图案构成，所述第5电感由非卷绕状的导体图案构成，所述第1电感和所述第3电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，所述第2电感和所述第4电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，所述第2电感和所述第4电感与所述第1电感和所述第3电感以沿着所述基板的面隔着所述RFIC的搭载位置的位置关系配置。
较佳的是，从所述RFIC侧第1端子电极到所述第3电感的另一端的卷绕方向和从所述RFIC侧第2端子电极到所述第4电感的另一端的卷绕方向是相同方向。
较佳的是，所述第3电感、所述第4电感、所述第5电感、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极由在所述基板的同一个层形成的导体图案构成。
较佳的是，所述第5电感是蜿蜒线形状，其在所述第1电感和所述第2电感的配置方向上的成分多于在与该配置方向正交的方向上的成分。
本实用新型的RFID标签包括天线和RFIC模块，该RFID标签的特征在于，所述RFIC模块包括：基板；RFIC，其搭载于所述基板；RFIC侧第1端子电极和RFIC侧第2端子电极，它们连接于所述RFIC；天线侧第1端子电极和天线侧第2端子电极，它们形成于所述基板并且分别与所述天线直接连接或者电容耦合；以及阻抗匹配电路，其形成于所述基板并且连接于所述RFIC侧第1端子电极、所述RFIC侧第2端子电极、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极，所述阻抗匹配电路构成为包含第1电感、第2电感、第3电感、第4电感及第5电感，所述第1电感连接于所述天线侧第1端子电极和所述RFIC侧第1端子电极之间，所述第2电感连接于所述天线侧第2端子电极和所述RFIC侧第2端子电极之间，所述第3电感的一端连接于所述天线侧第1端子电极，所述第4电感的一端连接于所述天线侧第2端子电极，所述第5电感连接于所述第3电感的另一端和所述第4电感的另一端之间，所述第1电感、所述第2电感、所述第3电感及所述第4电感由沿着所述基板的面卷绕的螺旋状的导体图案构成，所述第5电感由非卷绕状的导体图案构成，所述第1电感和所述第3电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，所述第2电感和所述第4电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，所述第2电感和所述第4电感与所述第1电感和所述第3电感以沿着所述基板的面隔着所述RFIC的搭载位置的位置关系配置。
较佳的是，所述天线包括在挠性的绝缘体膜形成的两个导体图案，所述RFIC模块粘贴于所述绝缘体膜，所述RFIC模块的所述天线侧第1端子电极和所述天线侧第2端子电极与所述天线的两个导体图案各自的端部相对。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够得到能抑制来自匹配电路的线圈的无用辐射的影响、构成匹配电路的多个线圈的无用耦合的影响的RFIC模块及具备该RFIC模块的RFID标签。
附图说明
图1(A)是第1实施方式的RFID标签201的俯视图。图1(B)是RFID标签201所具备的RFIC模块101搭载于绝缘体膜60的搭载部分的放大俯视图。
图2是RFIC模块101的剖视图。
图3是表示在RFIC模块101的基板1形成的导体图案的俯视图。
图4是RFIC模块101的电路图。
图5(A)是图1(B)中的Y－Y部分的剖视图，图5(B)是图1(B)中的X－X部分的剖视图。
图6是与阻抗匹配电路的各电感相关的电流和磁通的关系的图。
图7是表示由阻抗匹配电路的各电感形成用线圈形成闭合磁路的图。
图8是表示电感L3、L4、L5与天线的导体图案61、62的连接关系的图。
图9是表示相对于RFIC模块101的导体图案的偏移而言的特性的稳定性的图。
图10是表示电感L1、L2、L3、L4与电感L5的无用耦合的抑制的图。
图11(A)、图11(B)是粘贴于绝缘体膜60的、第2实施方式的RFIC模块102的剖视图。
图12(A)是在绝缘体膜60的上部和RFIC模块102的上部粘贴有标签8的状态下的剖视图。图12(B)是作为其比较例的剖视图。
图13是在绝缘体膜60粘贴有第3实施方式的RFIC模块103A的状态下的剖视图。
图14是在绝缘体膜60粘贴有第3实施方式的另一个RFIC模块103B的状态下的剖视图。
图15是表示在第4实施方式的RFIC模块的基板1形成的导体图案的俯视图。
图16是第4实施方式的RFIC模块104搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图17是第5实施方式的RFIC模块105A搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图18是第5实施方式的另一个RFIC模块105B搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图19是第5实施方式的又一个RFIC模块105C搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图20(A)是第6实施方式的RFIC模块106A搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。图20(B)是第6实施方式的另一个RFIC模块106B搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。图20(C)是第6实施方式的又一个RFIC模块106C搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图21是第7实施方式的RFIC模块107A搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图22是第7实施方式的另一个RFIC模块107B搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图23是第8实施方式的RFIC模块108A的俯视图。
图24是第8实施方式的RFIC模块108A搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图25是第8实施方式的另一个RFIC模块108B的俯视图。
图26是第8实施方式的RFIC模块108B搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图27是第8实施方式的RFIC模块108C搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。
图28(A)～图28(J)的各图是第9实施方式的RFIC模块的俯视图。
图29是表示第10实施方式的RFID标签的、RFIC模块101与导体图案61P、62P的位置关系和大小的关系的俯视图。
图30(A)、图30(B)是表示第10实施方式的RFID标签的、RFIC模块101与导体图案61P、62P的位置关系和大小的关系的俯视图。
图31(A)、图31(B)是表示第10实施方式的RFID标签的、RFIC模块101与导体图案61P、62P的位置关系和大小的关系的俯视图。
附图标记说明
Ca、电容；L1、第1电感；L11、L12、第1电感的导体图案；L2、第2电感；L21、L22、第2电感的导体图案；L3、第3电感；L4、第4电感；L5、第5电感；V1、V2、导通孔(日文：ビア)导体；1、基板；2、RFIC；3、保护膜；4、覆盖膜；5、粘接剂层；6、天线；7、阻抗匹配电路；8、标签；11、天线侧第1端子电极；12、天线侧第2端子电极；21、22、RFIC端子；31、RFIC侧第1端子电极；32、RFIC侧第2端子电极；60、绝缘体膜；61、61P、61L、61C、导体图案；62、62P、62L、62C、导体图案；101、102、103A、103B、104、105A、105B、105C、106A、106B、106C、107A、107B、108A、108B、108C、RFIC模块；102E、比较例的RFIC模块；201、201A、201B、202、RFID标签。
具体实施方式
《第1实施方式》
图1(A)是第1实施方式的RFID标签201的俯视图。图1(B)是RFID标签201所具备的RFIC模块101的搭载部分的放大俯视图。
RFID标签201由天线6和与该天线6耦合的RFIC模块101构成。天线6由绝缘体膜60和形成于该绝缘体膜60的导体图案61、62构成。绝缘体膜60例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的膜，导体图案61、62例如是铝箔的图案。
导体图案61由导体图案61P、61L、61C构成，导体图案62由导体图案62P、62L、62C构成。导体图案61、62构成偶极天线。
在导体图案61P、62P搭载有RFIC模块101。导体图案61L、62L是蜿蜒线形状，其作为电感成分较高的区域进行作用。此外，导体图案61C、62C是平面形状，其作为电容成分较高的区域进行作用。由此，使电流强度较高的区域的电感成分较大，使电压强度较高的区域的电容成分较大，从而使天线的导体图案61、62的形成区域缩小化。
图2是RFIC模块101的剖视图。该RFIC模块101包括基板1和安装于该基板1的RFIC2。基板1例如是聚酰亚胺等的挠性基板。在安装有RFIC 2的基板1的上表面包覆有保护膜3。该保护膜3例如是聚氨酯等弹性体、乙烯醋酸乙烯酯(EVA)这样的热熔剂。在基板1的下表面设有覆盖膜4。该覆盖膜4例如是聚酰亚胺膜。因而，基板1、保护膜3、覆盖膜4均较柔软，该RFIC模块101整体上较柔软。
另外，保护膜3也可以是热固性树脂。在该情况下，只要保护膜3的厚度t2比基板1的厚度t1厚就能减轻RFIC模块101的被制造时、被使用时的翘曲。也就是说，通常在构成层叠体的各层的材料的热收缩有差别时会产生应变而在层叠体产生翘曲，但能通过使保护膜3的厚度t2比基板1的厚度t1厚从而使保护膜3的厚度成为主导。由此，不容易受到其他层的热收缩差对保护膜3产生的影响，能减轻上述翘曲。
图3是表示在RFIC模块101的基板1形成的导体图案的俯视图。图3的上部分是在基板1的上表面形成的导体图案的俯视图，图3的下部分是在基板1的下表面形成的导体图案的俯视图。
在基板1的上表面形成有RFIC侧第1端子电极31、RFIC侧第2端子电极32、第1电感L1的主要部分的导体图案L11以及第2电感L2的主要部分的导体图案L21。RFIC侧第1端子电极31与上述导体图案L11的一端相连，RFIC侧第2端子电极32与上述导体图案L21的一端相连。这些导体图案是例如通过光刻法将铜箔图案化而成的。
在基板1的下表面形成有与天线6的导体图案61P、62P电容耦合的天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12。此外，在基板1的下表面形成有第1电感L1的一部分导体图案L12、第2电感的一部分导体图案L22、第3电感L3的导体图案、第4电感L4的导体图案以及第5电感L5的导体图案(由双点划线包围的导体图案)。这些导体图案也是例如通过光刻法将铜箔图案化而成的。
上述第1电感L1的一部分导体图案L12的一端和第3电感L3的导体图案的一端连接于上述天线侧第1端子电极11。同样，上述第2电感L2的一部分导体图案L22的一端和第4电感L4的导体图案的一端连接于上述天线侧第2端子电极12。第5电感L5的导体图案连接于第3电感L3的导体图案的另一端和第4电感L4的导体图案的另一端之间。
第1电感L1的导体图案L12的另一端和第1电感L1的主要部分的导体图案L11的另一端借助导通孔导体V1连接。同样，第2电感L2的导体图案L22的另一端和第2电感L2的主要部分的导体图案L21的另一端借助导通孔导体V2连接。
在上述RFIC侧第1端子电极31和RFIC侧第2端子电极32搭载有RFIC 2。也就是说，RFIC 2的端子21连接于RFIC侧第1端子电极31，RFIC 2的端子22连接于RFIC侧第2端子电极32。
第1电感L1和第3电感L3分别形成于基板1的不同的层，并且以线圈开口彼此重叠的关系配置。同样，第2电感L2和第4电感L4分别形成于基板1的不同的层，而且以线圈开口彼此重叠的关系配置。而且，第2电感L2和第4电感L4与第1电感L1和第3电感L3以沿着基板1的面隔着RFIC 2的搭载位置的位置关系配置。
并且，从RFIC侧第1端子电极31到第3电感L3的另一端的卷绕方向和从RFIC侧第2端子电极32到第4电感L4的另一端的卷绕方向是相同方向。在图3所示的方向中均是右旋方向。针对这样的情况而言，可以说是第1电感L1和第3电感L3的组与第2电感L2和第4电感L4的组隔着RFIC 2的搭载位置处于180°旋转对称关系。
图4是RFIC模块101的电路图。RFIC模块101由RFIC 2和阻抗匹配电路7构成。阻抗匹配电路7连接于RFIC侧第1端子电极31、RFIC侧第2端子电极32、天线侧第1端子电极11以及天线侧第2端子电极12。此外，阻抗匹配电路7构成为包含第1电感L1、第2电感L2、第3电感L3、第4电感L4及第5电感L5。
第1电感L1由图3所示的导体图案L11、L12构成，第2电感L2由图3所示的导体图案L21、L22构成。第1电感L1连接于天线侧第1端子电极11和RFIC侧第1端子电极31之间。第2电感L2连接于天线侧第2端子电极12和RFIC侧第2端子电极32之间。第3电感L3的一端连接于天线侧第1端子电极11，第4电感L4的一端连接于天线侧第2端子电极12，第5电感L5连接于第3电感L3的另一端和第4电感L4的另一端之间。
在此示出了RFID标签201中的、RFIC模块101搭载于天线6的搭载位置的截面构造。图5(A)是图1(B)中的Y－Y部分的剖视图，图5(B)是图1(B)中的X－X部分的剖视图。如该图5(A)、图5(B)所示，RFIC模块101借助粘接剂层5粘接于天线6的绝缘体膜60。该粘接剂层5是绝缘性粘接材料的层，例如是丙烯酸系粘接剂。天线侧第1端子电极11隔着粘接剂层5与天线6的导体图案61P相对，天线侧第2端子电极12隔着粘接剂层5与天线6的导体图案62P相对。根据该构造，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12分别与天线6的导体图案61P、62P电容耦合。
另外，电感L1、L2、L3、L4、L5的导体图案的形成区域的长边方向和天线6的导体图案61、62的形成区域的长边方向设为正交的关系。因此，用于搭载RFIC模块101的空间成为最小限度，能够使RFID标签小型化。
接着，依次示出本实施方式的RFIC模块及RFID标签的有利的作用效果。
图6和图7是表示由上述阻抗匹配电路7的各电感形成用线圈形成闭合磁路的图。
图6是表示与上述阻抗匹配电路7的各电感相关的电流和磁通的关系的图。在图6中，实线的箭头表示以RFIC 2为主体而流动的电流的方向。此外，虚线表示通过线圈的开口的磁通。在电流的方向是图6所示的方向时，会产生通过第2电感L2和第4电感L4的线圈开口并且通过第1电感L1和第3电感L3的线圈开口的磁通。
这样，在构成第1电感L1的线圈、构成第2电感L2的线圈、构成第3电感L3的线圈以及构成第4电感L4的线圈产生的大致沿着Y－Z面的磁通会形成闭合磁路。也就是说，由于在第2电感L2和第4电感L4的线圈开口与第1电感L1和第3电感L3的线圈开口之间(靠近的线圈开口之间)产生的磁通成为闭合的关系，因此泄漏磁通减少，不容易受到外部干扰的影响。此外，由于上述靠近的线圈之间会成为正耦合，因此能使磁通彼此增强，电感L1、L2、L3、L4的Q值上升。
图7是表示两个RFID标签201A、201B靠近时形成上述闭合磁路的优点的图。在图7中简化了RFIC模块101的构造及天线的导体图案61、62的形状。在图7中，虚线表示上述闭合磁路的磁通。
例如在多个文件、书籍分别设有RFID标签，在这些文件、书籍重叠时，有时RFID标签会相互靠近。RFID标签通过对从读写装置发送来的电波进行反射而进行通信，但针对以往的RFID标签而言，此时会被其他的RFID标签较大程度地吸收电波的能量，无法进行恰当的通信。此外，在因其他RFID标签靠近而导致从该RFID标签的RFIC得到的阻抗偏离预定值时，无法进行恰当的通信。
相对于此，在本实施方式的RFID标签中，由于抑制了RFID标签201A、201B的RFIC模块101彼此的无用的磁场耦合，因此能抑制各RFID标签的作为RFID标签的特性劣化。
图8和图9是表示相对于RFIC模块101的导体图案的偏移而言的特性的稳定性的图。
图8是表示第3电感L3、第4电感L4与天线的导体图案61、62的连接关系的图。图8中的电容Ca是在天线的导体图案61、62之间产生的电容成分。此外，电容C11是在天线的导体图案61和天线侧第1端子电极11之间产生的电容成分，电容C12是在天线的导体图案62和天线侧第2端子电极12之间产生的电容成分。由电感L3、L4的电感和电容Ca、C11、C12的电容来构成并联谐振电路。该谐振电路的谐振频率与例如RFID标签201的通信频带的中心频率相匹配。
图9是表示RFIC模块101的电感L1、L2、L3、L4、L5、天线侧第1端子电极11及天线侧第2端子电极12的位置关系的示意性的剖视图。也如图3、图5(A)所示，在基板1的上表面分别形成有第1电感L1的主要部分和第2电感L2的主要部分，在基板1的下表面形成有第3电感L3、第4电感L4及第5电感L5。而且，与这些第3电感L3、第4电感L4、第5电感L5一起形成有天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12。
若电感L3、L4、L5与天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12形成于不同的层，则有可能会因这些导体图案的错位而导致电感L3、L4、L5的一部分与天线侧第1端子电极11或天线侧第2端子电极12重叠。若产生该重叠，则电感L3、L4、L5的电感会下降。相对于此，在像本实施方式那样使电感L3、L4、L5与天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12处于同一个层时，不会因这些导体图案的错位而导致电感L3、L4、L5的一部分与天线侧第1端子电极11或天线侧第2端子电极12重叠，不会产生由电感L3、L4、L5的电感下降而引起的上述谐振频率的偏差。由此能获得稳定的通信特性。
图10是表示电感L1、L2、L3、L4与电感L5的无用耦合的抑制的图。
在图10中，X方向的实线的箭头表示在电感L1、L2、L3、L4、RFIC侧第1端子电极31及RFIC侧第2端子电极32流动的电流中的、特别是在靠近电感L5的部分流动的电流。Y方向的箭头表示在电感L5流动的电流中的、与上述X方向的电流正交的电流。此外，在电感L5流动的电流中的、X方向的电流是与在电感L1、L2、L3、L4、RFIC侧第1端子电极31及RFIC侧第2端子电极32流动的电流相耦合的电流，电流的方向相反。因而，该耦合使电感L1、L2、L3、L4、L5的电感值减小。但是，在本实施方式中，由于电感L5是蜿蜒线形状，因此在为了得到期望的电感值而增大导体图案形成范围时，能通过使电流所正交的电极部较长从而减少上述耦合量。由此能够抑制电感L1、L2、L3、L4、L5的电感值的下降。
此外，在图10所示的例子中，第1电感的主要部分的导体图案L11的卷绕区域略小于第3电感L3的导体图案的卷绕区域，针对第1电感的主要部分的导体图案L11与第3电感L3的导体图案的重叠部而言，仅是这些导体图案的线宽的约1/2重叠。此外，在第1电感的主要部分的导体图案L11和第3电感L3的导体图案相对地偏移的情况下成为如下关系，即，若其偏移方向的一个边上的、第1电感的主要部分的导体图案L11与第3电感L3的导体图案的重叠量减少，则对边上的、第1电感的主要部分的导体图案L11与第3电感L3的导体图案的重叠量增加。
同样，第2电感的主要部分的导体图案L21的卷绕区域略小于第4电感L4的导体图案的卷绕区域，针对第2电感的主要部分的导体图案L21与第4电感L4的导体图案的重叠部而言，仅是这些导体图案的线宽的约1/2重叠。此外，在第2电感的主要部分的导体图案L21和第4电感L4的导体图案相对地偏移的情况下成为如下关系，即，若其偏移方向的一个边上的、第2电感的主要部分的导体图案L21与第4电感L4的导体图案的重叠量减少，则对边上的、第2电感的主要部分的导体图案L21与第4电感L4的导体图案的重叠量增加。
根据这样的构造，能够抑制由上述“偏移”导致的不同层的导体图案之间的磁场耦合量的变动，能够抑制电感L1、L2、L3、L4的电感值的变动。
另外，第1电感的主要部分的导体图案L11的卷绕区域与第3电感L3的导体图案的卷绕区域的大小关系也可以相反。但是，在防止与天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12的重叠这一点上，优选的是，使形成于与天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12不同的层的、第1电感的主要部分的导体图案L11的形成区域和第2电感的主要部分的导体图案L21的形成区域较小。
《第2实施方式》
在第2实施方式中例示出了基板1的结构和保护膜3的结构与第1实施方式不同的RFIC模块。
图11(A)、图11(B)是粘贴于绝缘体膜60的第2实施方式的RFIC模块102的剖视图。图11(A)是在第1实施方式中图1(B)所示的Y－Y部分处的剖视图，图11(B)是图1(B)所示的X－X部分处的剖视图。
第2实施方式的RFIC模块102的保护膜3的结构与在第1实施方式中示出的例子不同。在第2实施方式中，保护膜3没有覆盖基板1的整个面而是在覆盖RFIC 2的部位形成于基板1的局部。
图12(A)是在绝缘体膜60的上部和RFIC模块102的上部粘贴有标签8的状态下的剖视图。图12(B)是在绝缘体膜60的上部和作为比较例的RFIC模块102E的上部粘贴有标签8的状态下的剖视图。在标签8的内表面形成有粘合层。标签8覆盖绝缘体膜60的上部和RFIC模块102的上部并且借助上述粘合层被粘贴。在这样粘贴有标签8的状态下，以色带热转印方式在标签8的外表面印刷有预定的文字、标记、花纹等。在绝缘体膜60的下表面也形成有粘合层，RFID标签202借助该粘合层粘贴于物品。
在图12(B)所示的、作为比较例的RFIC模块102E中，如第1实施方式所示，在基板1的整个面形成有保护膜3。因此，在粘贴有标签8的状态下，会在标签8产生RFIC模块102E的厚度的量的较大的凹凸。因此，高度差较大的凹凸部的印刷性较差，有时无法在标签8上进行鲜明的印刷。
另一方面，在图12(A)所示的、本实施方式的RFID标签202中，在标签8上仅会产生比RFIC模块102的整体厚度的量小的凹凸。此外，自绝缘体膜60起最高的部分的宽度W小于RFIC模块102的宽度。因此，能够在标签8上进行鲜明的印刷。
另外，由在RFIC模块102的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第3实施方式》
在第3实施方式中示出了基板1的结构及RFIC 2的安装构造与至此所示的例子不同的例子。
图13是在绝缘体膜60上粘贴有第3实施方式的RFIC模块103A的状态下的剖视图。在该例子中，基板1由多层基板构成，在多个基材层形成有导体图案。在这样使用多层基板时，不再需要图5(A)、图5(B)所示的例子那样的覆盖膜4。由于覆盖膜通常较薄且粘接强度较低，因此在刀片切割等物理的分割加工的情况下会因加工条件而产生剥离、毛边。在本实施方式中，由于不需要覆盖膜因此能够避免该现象。
图14是在绝缘体膜60上粘贴有第3实施方式的另一个RFIC模块103B的状态下的剖视图。在该例子中，在由多层基板构成的基板1中形成有腔室CA，在该腔室CA内埋设有RFIC2。通过这样在基板1内埋设RFIC 2从而能够实现低背化。
另外，在基板1内除了埋设RFIC 2之外也可以埋设其他的芯片零部件。例如也可以埋设尺寸比较大的采集用片式电容、各种传感器等。
另外，由在RFIC模块103A、103B的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第4实施方式》
在第4实施方式中，例示出了天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12的位置和形状与至此所示的例子不同的RFIC模块。
图15是表示在第4实施方式的RFIC模块的基板1形成的导体图案的俯视图。
在基板1的上表面形成有RFIC侧第1端子电极31、RFIC侧第2端子电极32、第1电感L1的主要部分的导体图案L11以及第2电感L2的主要部分的导体图案L21。RFIC侧第1端子电极31与上述导体图案L11的一端相连，RFIC侧第2端子电极32与上述导体图案L21的一端相连。
在基板1的下表面形成有与天线6的导体图案61P、62P电容耦合的天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12。此外，在基板1的下表面形成有第1电感L1的一部分导体图案L12、第2电感的一部分导体图案L22、第3电感L3的导体图案、第4电感L4的导体图案及第5电感L5的导体图案。
上述第1电感L1的一部分导体图案L12的一端和第3电感L3的导体图案的一端连接于上述天线侧第1端子电极11。同样，上述第2电感L2的一部分导体图案L22的一端和第4电感L4的导体图案的一端连接于上述天线侧第2端子电极12。第5电感L5的导体图案连接于第3电感L3的导体图案的另一端和第4电感L4的导体图案的另一端之间。
第1电感L1的导体图案L12的另一端和第1电感L1的主要部分的导体图案L11的另一端借助导通孔导体V1连接。同样，第2电感L2的导体图案L22的另一端和第2电感L2的主要部分的导体图案L21的另一端借助导通孔导体V2连接。
在第1实施方式中的图3所示的例子中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12相对于第1电感L1和第2电感L2而言的引出方向不同。也就是说，在第4实施方式中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12相对于第1电感L1和第2电感L2而言向相同方向引出。此外，从第1电感L1的RFIC侧第1端子电极31到天线侧第1端子电极11的导体图案的卷绕方向与从第2电感L2的RFIC侧第2端子电极32到天线侧第2端子电极12的导体图案的卷绕方向相反。
图16是第4实施方式的RFIC模块104搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在图16中未示出绝缘体膜的外形线。在绝缘体膜形成有偶极天线的端部即导体图案61P、62P。RFIC模块104的天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12分别与导体图案61P和导体图案62P相对。
根据本实施方式，由于能够使天线的导体图案61P、62P的配置间隔较窄，因此能够通过使导体图案61P、62P的端子间电容增加从而使天线的谐振频率向低频率侧偏移。由此，能够使期望的频率下的、导体图案61P、62P的配置方向上的天线的长度(形成区域)较短。
另外，由在RFIC模块104的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第5实施方式》
在第5实施方式中，例示出了第1电感L1、第2电感L2、天线侧第1端子电极11及天线侧第2端子电极12的位置、形状与至此所示的例子不同的RFIC模块。
图17、图18、图19均是第5实施方式的RFIC模块105A、105B、105C搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在这些图中未示出绝缘体膜的外形线。阻抗匹配电路的基本结构与至此所示的例子相同。在任一个例子中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12均与第1电感L1和第2电感L2的排列方向平行地配置。
在图17所示的RFIC模块105A中，易于使在天线6的导体图案61P、62P与天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12之间产生的电容较大，能够使天线的X方向上的长度(形成区域)较短。
在图17所示的RFIC模块105A和图18所示的RFIC模块105B中，基板1的纵横比不同。在第1电感L1和第2电感L2的排列方向上的宽度有限制的情况下，也可以像图18所示的RFIC模块105B那样在天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12的排列方向上使基板1较长。此外，也可以在第1电感L1和第2电感L2的排列方向(X方向)上使这些导体图案偏平化。
在图19所示的RFIC模块105C中，在隔着第1电感L1和第2电感L2的位置配置有天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12。此外，在像该RFIC模块105C这样天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12的排列方向上的宽度有限制的情况下，也可以使第1电感L1和第2电感L2在与它们的排列方向正交的方向(Y方向)上偏平化。
另外，由在RFIC模块105A、105B、105C的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第6实施方式》
在第6实施方式中，例示出了天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12的位置和形状与至此所示的例子不同的RFIC模块。
图20(A)、图20(B)、图20(C)是第6实施方式的RFIC模块106A、106B、106C搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在这些图中未示出绝缘体膜的外形线。阻抗匹配电路的基本结构与至此所示的例子相同。
在图20(A)所示的RFIC模块106A中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12不是单纯的矩形形状而是字母L形。
在图20(B)所示的RFIC模块106B中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12均是正方形形状。
在上述RFIC模块106A、106B中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12配置在基板1的对角线上。
在图20(C)所示的RFIC模块106C中，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12均是三角形形状，配置在基板1的对角线上。此外，第1电感L1和第2电感L2的排列方向相对于基板1的边倾斜。
如本实施方式所示，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12也可以配置在基板1的对角线上。此外，也可以是，第1电感L1和第2电感L2的位置关系也处于基板1的对角线上。
根据本实施方式，能够使在天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12之间产生的无用的寄生电容较小。由于该寄生电容较小，因此能够抑制因由例如粘贴对象的介电常数、损耗等产生的影响而导致的天线的谐振频率、增益的变化。
另外，由在RFIC模块106A、106B、106C的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第7实施方式》
在第7实施方式中，例示出了天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12的数量与至此所示的例子不同的RFIC模块。
图21是第7实施方式的RFIC模块107A搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图，图22是第7实施方式的另一个RFIC模块107B搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在这些图中未示出绝缘体膜的外形线。阻抗匹配电路的基本结构与至此所示的例子相同。
在图21所示的RFIC模块107A中包括天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B。天线侧第1端子电极11A、11B彼此导通，并且在与第1电感L1和第2电感L2的排列方向正交的方向上分离开地配置。同样，天线侧第2端子电极12A、12B彼此导通，并且在与第1电感L1和第2电感L2的排列方向正交的方向上分离开地配置。
在图22所示的RFIC模块107B中也是，包括天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B。天线侧第1端子电极11A、11B彼此导通，并且在第1电感L1和第2电感L2的排列方向上分离开地配置。同样，天线侧第2端子电极12A、12B彼此导通，并且在第1电感L1和第2电感L2的排列方向上分离开地配置。
如本实施方式所示，天线侧第1端子电极和天线侧第2端子电极也可以分离开地配置有多个。
另外，由在RFIC模块107A、107B的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第8实施方式》
在第8实施方式中，例示出了多个天线侧第1端子电极11和多个天线侧第2端子电极12的配置与至此所示的例子不同的RFIC模块。
图23是第8实施方式的RFIC模块108A的俯视图。该RFIC模块108A在基板1上包括天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B。此外，在基板1上设有构成阻抗匹配电路的多个电感L1、L2、L3、L4、L5。
在至此所示的例子中，构成阻抗匹配电路的电感L1～L5的形成区域是一连串的，但也可以像本例这样使每个电感都分离开地配置。此外，也可以是，天线侧第1端子电极11A、11B的排列方向与天线侧第2端子电极12A、12B的排列方向交叉。
图24是第8实施方式的RFIC模块108A搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在该图中未示出绝缘体膜的外形线。天线侧第1端子电极11A、11B与天线的导体图案61的端部附近相对。此外，天线侧第2端子电极12A、12B与天线的导体图案62的端部附近相对。
图25是第8实施方式的RFIC模块108B的俯视图。该RFIC模块108B在基板1上分别设有天线侧第1端子电极11A、11B、天线侧第2端子电极12A、12B、以及构成阻抗匹配电路的多个电感L1、L2、L3、L4、L5。天线侧第1端子电极11A、11B的排列方向与天线侧第2端子电极12A、12B的排列方向平行，并且相对于基板1的边倾斜。
图26是第8实施方式的RFIC模块108B搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在该图中未示出绝缘体膜的外形线。天线侧第1端子电极11A、11B与天线的导体图案61相对。此外，天线侧第2端子电极12A、12B与天线的导体图案62相对。
图27是第8实施方式的RFIC模块108C搭载于绝缘体膜的搭载部分的放大俯视图。在该例子中，在电感L1～L5的形成位置的空缺即基板1的四角配置有天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B。
另外，由在RFIC模块108A、108B、108C的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
《第9实施方式》
在第9实施方式中，例示出了天线侧端子电极和阻抗匹配电路在基板上的形成位置与至此所示的例子不同的RFIC模块。
图28(A)～图28(J)的各图是第9实施方式的RFIC模块的俯视图。在图28(A)～图28(F)所示的例子中，在基板1上设有天线侧第1端子电极11A、11B、天线侧第2端子电极12A、12B及阻抗匹配电路7。在图28(G)～图28(J)所示的例子中，在基板1上设有天线侧第1端子电极11A、11B、天线侧第2端子电极12A、12B及阻抗匹配电路7a、7b。
在图28(A)、图28(B)、图28(C)的例子中，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B配置成一列，这些端子电极的列与阻抗匹配电路7平行地配置。
在图28(D)、图28(E)、图28(F)的例子中，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B集中地配置，在其余部分配置有阻抗匹配电路7。
在图28(G)、图28(H)、图28(I)的例子中，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B集中地配置，在其两侧分离开地配置有阻抗匹配电路7a、7b。
在图28(A)、图28(B)、图28(C)中，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B的配置顺序各不相同。在图28(D)、图28(E)、图28(F)中，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B的配置位置各不相同。在图28(G)、图28(H)、图28(I)中也是，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B的配置位置各不相同。
在图28(J)的例子中，天线侧第1端子电极11A、11B和天线侧第2端子电极12A、12B配置为呈字母T形交叉，在其余部分分离开地配置有阻抗匹配电路7a、7b。
另外，也能采用在图28(A)～图28(J)中使上下或左右翻转而得到的配置。此外，由在各RFIC模块的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
这样，能采用各种各样的天线侧端子电极和阻抗匹配电路在基板上的形成位置。
《第10实施方式》
在第10实施方式中，例示出了天线的导体图案61P、62P相对于RFIC模块的天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12而言的位置关系和大小的关系。
图29是表示第10实施方式的RFID标签的、RFIC模块101与天线的导体图案61P、62P的位置关系和大小的关系的俯视图。在该例子中，在沿Z方向观察时(俯视时)，以天线的导体图案61P整体进入天线侧第1端子电极11的内侧的方式配置。同样，以天线的导体图案62P整体进入天线侧第2端子电极12的内侧的方式配置。
图30(A)、图30(B)是表示第10实施方式的RFID标签的、RFIC模块101与导体图案61P、62P的位置关系和大小的关系的俯视图。在图30(A)所示的例子中，在俯视时，以天线的导体图案61P的X方向上的整个宽度进入天线侧第1端子电极11的内侧的方式配置。同样，以天线的导体图案62P的X方向上的整个宽度进入天线侧第2端子电极12的内侧的方式配置。在图30(B)所示的例子中，在俯视时，以天线的导体图案61P的Y方向上的大致整个宽度进入天线侧第1端子电极11的内侧的方式配置。同样，以天线的导体图案62P的Y方向上的大致整个宽度进入天线侧第2端子电极12的内侧的方式配置。
图31(A)、图31(B)是表示第10实施方式的RFID标签的、RFIC模块101与导体图案61P、62P的位置关系和大小的关系的俯视图。在任一个例子中均是，在俯视时，天线的导体图案61P的X方向上的顶端部与由第1电感L1和第2电感L2等形成的阻抗匹配电路的形成区域重叠。在图31(B)的例子中，以天线侧第1端子电极11整体进入天线的导体图案61P的内侧的方式配置。同样，以天线侧第2端子电极12整体进入天线的导体图案62P的内侧的方式配置。
在图30(A)、图31(A)所示的例子中，即使RFIC模块101相对于形成有天线的导体图案的绝缘体膜而言在X方向上有错位，天线侧第1端子电极11和天线侧第2端子电极12相对于天线的导体图案61P、62P而言的耦合电容变化也较小。此外，在图29、图30(A)、图30(B)、图31(A)、图31(B)所示的任一个例子中均是，即使RFIC模块101相对于形成有天线的导体图案的绝缘体膜而言在Y方向上有错位，上述耦合电容变化也较小。
另外，由在本实施方式中所示的RFIC模块101的基板1形成的导体图案实现的阻抗匹配电路不限于以上所示的电路。
最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均是例示而不是限制性的。对于本领域技术人员而言能够适当地进行变形和变更。本实用新型的范围由权利要求书来表示而不是由上述的实施方式来表示。并且，在本实用新型的范围内还包含根据与权利要求书范围内等同的范围内的实施方式而进行的变更。
例如，在图5(B)所示的例子中，天线侧第1端子电极11与天线的导体图案61P电容耦合并且天线侧第2端子电极12与天线的导体图案62P电容耦合，但也可以将该电容耦合部分直接(直流地)连接。此外，也可以将一者直接连接，使另一者进行电容耦合。

Claims (7)

1.一种RFIC模块，其特征在于，
该RFIC模块包括：
基板；
RFIC，其搭载于所述基板；
RFIC侧第1端子电极和RFIC侧第2端子电极，它们连接于所述RFIC；
天线侧第1端子电极和天线侧第2端子电极，它们形成于所述基板并且分别与天线直接连接或者电容耦合；以及
阻抗匹配电路，其形成于所述基板并且连接于所述RFIC侧第1端子电极、所述RFIC侧第2端子电极、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极，
所述阻抗匹配电路构成为包含第1电感、第2电感、第3电感、第4电感及第5电感，
所述第1电感连接于所述天线侧第1端子电极和所述RFIC侧第1端子电极之间，
所述第2电感连接于所述天线侧第2端子电极和所述RFIC侧第2端子电极之间，
所述第3电感的一端连接于所述天线侧第1端子电极，
所述第4电感的一端连接于所述天线侧第2端子电极，
所述第5电感连接于所述第3电感的另一端和所述第4电感的另一端之间，
所述第1电感、所述第2电感、所述第3电感及所述第4电感由沿着所述基板的面卷绕的螺旋状的导体图案构成，
所述第5电感由非卷绕状的导体图案构成，
所述第1电感和所述第3电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，
所述第2电感和所述第4电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，
所述第2电感和所述第4电感与所述第1电感和所述第3电感以沿着所述基板的面隔着所述RFIC的搭载位置的位置关系配置。
2.根据权利要求1所述的RFIC模块，其特征在于，
从所述RFIC侧第1端子电极到所述第3电感的另一端的卷绕方向和从所述RFIC侧第2端子电极到所述第4电感的另一端的卷绕方向是相同方向。
3.根据权利要求1所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第3电感、所述第4电感、所述第5电感、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极由在所述基板的同一个层形成的导体图案构成。
4.根据权利要求2所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第3电感、所述第4电感、所述第5电感、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极由在所述基板的同一个层形成的导体图案构成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第5电感是蜿蜒线形状，其在所述第1电感和所述第2电感的配置方向上的成分多于在与该配置方向正交的方向上的成分。
6.一种RFID标签，其包括天线和RFIC模块，
该RFID标签的特征在于，所述RFIC模块包括：
基板；
RFIC，其搭载于所述基板；
RFIC侧第1端子电极和RFIC侧第2端子电极，它们连接于所述RFIC；
天线侧第1端子电极和天线侧第2端子电极，它们形成于所述基板并且分别与所述天线直接连接或者电容耦合；以及
阻抗匹配电路，其形成于所述基板并且连接于所述RFIC侧第1端子电极、所述RFIC侧第2端子电极、所述天线侧第1端子电极及所述天线侧第2端子电极，
所述阻抗匹配电路构成为包含第1电感、第2电感、第3电感、第4电感及第5电感，
所述第1电感连接于所述天线侧第1端子电极和所述RFIC侧第1端子电极之间，
所述第2电感连接于所述天线侧第2端子电极和所述RFIC侧第2端子电极之间，
所述第3电感的一端连接于所述天线侧第1端子电极，
所述第4电感的一端连接于所述天线侧第2端子电极，
所述第5电感连接于所述第3电感的另一端和所述第4电感的另一端之间，
所述第1电感、所述第2电感、所述第3电感及所述第4电感由沿着所述基板的面卷绕的螺旋状的导体图案构成，
所述第5电感由非卷绕状的导体图案构成，
所述第1电感和所述第3电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，
所述第2电感和所述第4电感分别形成于所述基板的不同的层并且以线圈开口重叠的关系配置，
所述第2电感和所述第4电感与所述第1电感和所述第3电感以沿着所述基板的面隔着所述RFIC的搭载位置的位置关系配置。
7.根据权利要求6所述的RFID标签，其特征在于，
所述天线包括在挠性的绝缘体膜形成的两个导体图案，
所述RFIC模块粘贴于所述绝缘体膜，
所述RFIC模块的所述天线侧第1端子电极和所述天线侧第2端子电极与所述天线的两个导体图案各自的端部相对。
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