CN212533192U - 一种用于区熔炉的单晶夹持装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型设计单晶硅加工设备，特别设计一种用于区熔炉的单晶夹持装置。包括夹持器本体；夹持器本体设于夹持器底盘上端面中心，夹持器本体包括圆筒和设于圆筒顶端外的环形结构，夹持器底盘中心对应开有通孔用于晶棒的穿出；夹持器本体的环形结构顶端外沿上沿周向均匀设有三个导向孔，每个导向孔内各设有一个导向杆，夹持挡片分别设于导向杆顶端；提升机构包括设于夹持器底盘上的固定座，固定座靠近夹持器本体侧为斜面结构，滑轮通过旋转轴设于固定座顶端；滑块设于斜面上，滑块一端通过钢丝绳与滑轮相连，滑块另一端设有挡板。本实用新型通过调整夹持器底盘的高度，从而使钢丝绳拉动滑块带动导杆从而带动夹持挡片自由伸缩，使夹持可往复运动。
Description
技术领域
本实用新型设计单晶硅加工设备，特别设计一种用于区熔炉的单晶夹持装置。
背景技术
区熔法生长硅单晶是通过在氩气气氛或真空中用高频加热线圈对多晶硅料进行加热，使其熔融后与下方的籽晶接触，按籽晶晶向结构生长成高纯度硅单晶的方法。悬浮区熔时，熔区呈悬浮状态，不予任何物质相接触，因而不会被污染。此外，由于硅中杂质的分凝效果和蒸发效果，因此所获得的单晶硅纯度非常高。
但也正是由于区熔法生长硅单晶时区熔呈悬浮状态，多晶硅料或单晶硅的任何微小振动都有可能打破熔区的平衡状态，从而导致单晶生长的失败。
区熔炉生长硅单晶的过程一般为：引晶—生长细径—放肩—等径—拉断。在单晶生长的前三个阶段，晶体直径随生长过程的进行逐步增大，形成一个锥形体结构。待到晶体直径生长到某一特性值时，晶体生长进入等径阶段，即晶体直径保持定值生长。在单晶生长的前三个阶段，任何微小的振动都可能导致拉晶失败。因此当前三阶段在不打开炉腔的前提下，切断细颈或籽晶，晶体夹持装置可再次工作尤为重要。传统的夹持机构不能实现切断后再次夹持单晶的要求。
实用新型内容
本发明要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于区熔炉的单晶夹持装置。
为解决上述技术问题，本发明采用的解决方案是：
提供一种用于区熔炉的单晶夹持装置，包括夹持器本体、夹持挡片和提升机构；
夹持器本体设于夹持器底盘上端面中心，夹持器本体包括底部的圆筒和设于套设于圆筒顶端外的环形结构，夹持器底盘中心对应开有通孔用于晶棒的穿出；夹持器本体的环形结构顶端外沿上沿周向均匀设有三个导向孔，每个导向孔内各设有一个导向杆，夹持挡片有三个，分别设于导向杆顶端；
提升机构有三组，对应设于每个夹持挡片旁侧的夹持器底盘上，提升机构包括设于夹持器底盘上的固定座，固定座靠近夹持器本体侧为斜面结构，滑轮通过旋转轴设于固定座顶端；滑块设于斜面上，滑块一端通过钢丝绳与滑轮相连，滑块另一端设有挡板，挡板能在滑块的带动下接触并支撑导向杆。
作为一种改进，夹持挡片是一个圆片，其前端沿弧线切割并呈现两个锐角状的夹持部位。
作为一种改进，固定座斜面结构上部还设有盖板，用于固定座的防护和滑块的限位。
作为一种改进，导向孔与垂直线之间夹角为15°～30°。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型由圆片改为圆片除去一个圆角，使原来的三点夹持变为六点夹持，使夹持更稳定。通过调整夹持器底盘的高度，从而使钢丝绳拉动滑块带动导杆从而带动夹持挡片自由伸缩，使夹持可往复运动。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型中提升机构的剖视图。
附图标记：1-夹持挡片、2-提升机构；21-固定座；22-滑轮；23-盖板；24-滑块；3-夹持器本体；4-夹持器底盘。
具体实施方式
实施例1
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：
本实用新型实施例的一种用于区熔炉的单晶夹持装置，包括夹持器本体3、夹持挡片1和提升机构2。
夹持器本体3设于夹持器底盘4上端面中心，夹持器本体3包括底部的圆筒和设于套设于圆筒顶端外的环形结构，夹持器底盘4中心对应开有通孔用于晶棒的穿出。夹持器本体的环形结构顶端外沿上沿周向均匀设有三个导向孔，导向孔与垂直线之间夹角为15°～30°。每个导向孔内各设有一个导向杆，夹持挡片1有三个，分别设于导向杆顶端。夹持挡片1是一个圆片，其前端沿弧线切割并呈现两个锐角状的夹持部位。
提升机构2有三组，对应设于每个夹持挡片1旁侧的夹持器底盘4上，提升机构2包括设于夹持器底盘4上的固定座21，固定座靠近夹持器本体3侧为斜面结构，滑轮22通过旋转轴设于固定座21顶端。滑块24设于斜面上，滑块24一端通过钢丝绳与滑轮22相连，钢丝绳末端连接至炉体，
滑块24另一端设有挡板，挡板能在滑块24的带动下接触并支撑导向杆。固定座21斜面结构上部还设有盖板23，用于固定座21的防护和滑块24的限位，防止滑块24滑出。
单晶夹持器的具体夹持过程具体描述如下：
单晶夹持器通过夹持器底盘4固定于区熔下轴外轴顶端，籽晶通过籽晶夹持器固定于区熔下轴内轴顶端并穿过单晶夹持器夹持器本体3中心上升到拉晶起始高度。
拉晶开始后，区熔炉下轴内轴和外轴同步旋转，内轴随晶体的生长缓慢下降，外轴高度保持不变。拉晶开始阶段由籽晶支撑生长出的晶体。当晶体直径生长到某一特定值时，下轴外轴和内轴开始同步下降，夹持提升机构2末端钢丝绳松弛，滑块24不再对夹持挡片1起支撑作用，夹持挡片1沿夹持器本体3上的导向孔滑下，与晶体接触，开始对晶体起支撑作用。
当晶体生长失败，区熔炉内轴和外轴同步下降，通过砂轮或剪刀剪掉细径或籽晶部分后，区熔内轴和外轴同步上升，夹持提升机构2末端钢丝绳张紧，滑块24对夹持挡片1起支撑作用，夹持挡片1沿夹持器本体3上的导向孔上升，再次循环拉晶过程。
最后，需要注意的是，以上列举的仅是本实用新型的具体实施例。显然，本实用新型不限于以上实施例，还可以有很多变形。本领域的普通技术人员能从本实用新型公开的内容中直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.一种用于区熔炉的单晶夹持装置，其特征在于，包括夹持器本体、夹持挡片和提升机构；
所述夹持器本体设于夹持器底盘上端面中心，夹持器本体包括底部的圆筒和设于套设于圆筒顶端外的环形结构，夹持器底盘中心对应开有通孔用于晶棒的穿出；夹持器本体的环形结构顶端外沿上沿周向均匀设有三个导向孔，每个导向孔内各设有一个导向杆；夹持挡片有三个，分别设于所述导向杆顶端，夹持挡片是一个圆片，其前端沿弧线切割并呈现两个锐角状的夹持部位；
所述提升机构有三组，对应设于每个夹持挡片旁侧的夹持器底盘上，提升机构包括设于夹持器底盘上的固定座，固定座靠近夹持器本体侧为斜面结构，滑轮通过旋转轴设于固定座顶端；滑块设于所述斜面上，滑块一端通过钢丝绳与滑轮相连，滑块另一端设有挡板，挡板能在滑块的带动下接触并支撑所述导向杆。
2.根据权利要求1所述的一种用于区熔炉的单晶夹持装置，其特征在于，所述固定座斜面结构上部还设有盖板，用于固定座的防护和滑块的限位。
3.根据权利要求1所述的一种用于区熔炉的单晶夹持装置，其特征在于，所述导向孔与垂直线之间夹角为15°～30°。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202020943599.3U CN212533192U (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种用于区熔炉的单晶夹持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020943599.3U CN212533192U (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种用于区熔炉的单晶夹持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212533192U true CN212533192U (zh) | 2021-02-12 |
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Family Applications (1)
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| CN202020943599.3U Active CN212533192U (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种用于区熔炉的单晶夹持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212533192U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114232071A (zh) * | 2021-11-23 | 2022-03-25 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种单晶炉拉晶装置 |
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2020
- 2020-05-29 CN CN202020943599.3U patent/CN212533192U/zh active Active
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