CN212485605U - 射频连接组件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于DC至mmWave信号的射频连接组件，其包括玻璃金属密封组件以及销珠组件。玻璃金属密封组件包括护罩、填充护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由玻璃绝缘层固定并从护罩的内部凹口突出的、具有镀金的玻璃金属密封中心导体。销珠组件包括射频中心导体，射频中心导体包括在射频中心导体的远端处具有套环的夹持机构、和至少部分地由夹持机构限定的中心插口，中心插口可通过形成在套环中的开口进入。套环在开口的周边周围具有光滑内边缘，其被配置为将玻璃金属密封中心导体的尖端引导到射频中心导体的中心插口中以连接玻璃金属密封组件和销珠组件，从而最大程度地减少开口的内边缘对玻璃金属密封中心导体的镀金的刮擦。

Description

射频连接组件
技术领域
本实用新型涉及一种用于DC到毫米波信号的RF连接组件。
背景技术
玻璃金属密封(GTMS)组件是用于传递诸如射频(RF)信号之类的电磁信号的环境密封的电连接器。例如，GTMS组件可以提供不透气的和/或气密密封以确保在诸如极端温度、压力、湿度和振动之类的各种环境条件下的可靠、高性能的电连接。用于RF连接的GTMS组件通常在金属护罩内提供单个销或中心导体，其中中心导体由镀金金属形成。融化到中心导体和护罩的玻璃形成气密屏障，并提供电绝缘。GTMS组件通常在高达110GHz的高频 RF信号下使用。
GTMS组件可以与销珠组件可插入地配合以建立RF连接组件，所述RF 连接组件连接到诸如测试仪器或被测装置(DUT)之类的另一个装置的RF 连接器(或类似的RF连接组件)。可以通过将GTMS组件的镀金GTMS中心导体插入销珠组件中以形成电(信号)连接来组装RF连接组件。使用具有GTMS 组件建立RF连接的RF连接组件的常规的例子是DC-67GHz功率分配器，诸如可从Keysight Technologies公司购得的11667CH67 DC-67GHz功率分配器。
然而，在将GTMS中心导体插入诸如销珠组件之类的插孔组件中(和从其中移出)期间，GTMS中心导体上的软金镀层会被刮掉，导致GTMS中心导体的损坏和/或GTMS中心导体底部周围的金屑聚集。更具体地，镀金被插孔组件的尖锐的内边缘(例如，倒角边缘)刮掉。刮掉的镀金会聚集为通常向上附着和/或在GTMS中心导体底部呈不规则形状的金屑，从而导致刮掉的镀金有效地充当小天线，所述小天线导致传输线或路径处存在不匹配，从而导致降低性能和/或RF故障。同样，通过插入(和移出)GTMS中心导体可能会产生软金镀层的刻痕，从而进一步损坏GTMS中心导体。
例如，通过对DC-67GHz功率分配器作为例如连接到性能网络分析仪的 DUT的经验测试，已经观察到GTMS组件与常规销珠组件之间存在一次性连接(带有倒角边缘)产生仅约为75％的传递率，并且两次连接(在干预断开的情况下)由于GTMS中心导体的损坏而产生仅约为30％的传递率。损坏的 GTMS中心导体会削弱电气连接，从而导致性能降低和/或RF连接组件故障。因此，需要一种保留镀金并以其他方式提供可靠的电连接的RF连接组件。
实用新型内容
本实用新型包括以下实施方案：
1.一种射频连接组件，其用于DC至mmWave信号，其特征在于，所述射频连接组件包括：
玻璃金属密封组件，所述玻璃金属密封组件包括护罩、填充所述护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由所述玻璃绝缘层固定并从所述护罩的所述内部凹口突出的玻璃金属密封中心导体，所述玻璃金属密封中心导体具有镀金；和
销珠组件，所述销珠组件包括射频中心导体，所述射频中心导体包括在所述射频中心导体的远端处具有套环的夹持机构、和至少部分地由所述夹持机构限定的中心插口，所述中心插口可通过形成在所述套环中的开口进入，
其中所述套环在所述开口的周边周围具有光滑内边缘，所述光滑内边缘被配置为将所述玻璃金属密封中心导体的尖端引导到所述射频中心导体的所述中心插口中以连接所述玻璃金属密封组件和所述销珠组件，从而最大程度地减少了所述开口的所述内边缘对所述玻璃金属密封中心导体中的所述镀金的刮擦。
2.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述夹持机构包括围绕所述中心插口的多个指状件，当所述玻璃金属密封中心导体通过所述套环的所述开口插入所述中心插口中时，所述多个指状件在所述玻璃金属密封组件的所述玻璃金属密封中心导体上施加夹持力。
3.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于包括所述销珠组件的1.85mm射频连接器和包括所述销珠组件的2.40mm射频连接器，围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括半径为约0.100mm的圆形光滑内边缘。
4.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于包括所述销珠组件的1.00mm射频连接器，围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括半径为约0.020mm的圆形光滑内边缘。
5.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于包括所述销珠组件的3.50mm射频连接器，围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括半径为约0.150mm的圆形光滑内边缘。
6.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述射频中心导体由电镀有镀金的铍铜形成。
7.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其进一步包括：
玻璃金属密封壳体，其限定外部开口和直径小于所述外部开口的内部开口，其中所述玻璃金属密封组件位于所述玻璃金属密封壳体的所述内部开口中。
8.根据条款7所述的射频连接组件，其特征在于，其进一步包括：
射频连接器子组件，其包括所述销珠组件以及限定芯开口的套筒，所述销珠组件位于所述芯开口中；和
限定外部开口的外部导体，所述射频连接器子组件位于所述外部开口中，
其中所述外部导体的端部能够插入所述玻璃金属密封壳体的所述外部开口中，使得当所述玻璃金属密封组件的所述玻璃金属密封中心导体完全插入所述销珠组件的所述射频中心导体的所述中心插口中时，所述销珠组件的所述套环与所述护罩的所述内部凹口接触。
9.根据条款8所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述玻璃金属密封壳体的所述外部开口的内表面带有螺纹，并且所述外部导体的所述端部的外表面具有互补螺纹，从而实现螺纹连接。
10.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于具有约70 GHz上限频率的mmWave信号频带，所述玻璃金属密封组件是2.40mm玻璃金属密封组件以用于与包括所述销珠组件的1.85mm射频连接器连接。
11.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于具有约50 GHz上限频率的mmWave信号频带，所述玻璃金属密封组件是2.40mm玻璃金属密封组件以用于与包括所述销珠组件的2.40mm射频连接器连接。
12.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于具有约34 GHz上限频率的mmWave信号频带，所述玻璃金属密封组件是3.50mm玻璃金属密封组件以用于与包括所述销珠组件的3.50mm射频连接器连接。
13.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中对于具有约110 GHz上限频率的mmWave信号频带，所述玻璃金属密封组件是1.00mm玻璃金属密封组件以用于与包括所述销珠组件的1.00mm射频连接器连接。
14.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述射频连接组件将被测装置(DUT)连接到测试仪器。
15.根据条款1所述的射频连接组件，其特征在于，其中围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括多个成角度的内边缘。
16.一种射频连接组件，其为销珠射频连接组件，其特征在于，所述销珠射频连接组件在用于DC到mmWave信号并且被配置为连接到玻璃金属密封连接器的射频(射频)连接器，所述玻璃金属密封连接器包括护罩、填充所述护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由所述玻璃绝缘层固定并从所述护罩的所述内部凹口突出的玻璃金属密封中心导体，所述玻璃金属密封中心导体具有镀金，所述销珠射频连接组件包括：
射频中心导体；
珠粒，其围绕所述射频中心导体并且被配置为将所述射频中心导体固定在插入有所述射频中心导体的套筒的近端；
在所述射频中心导体的远端处的夹持机构，所述夹持机构至少部分地限定中心插口；和
在所述夹持机构的远端处的套环，所述中心插口可通过形成在所述套环中的开口进入，其中所述套环在所述开口的周边周围具有光滑内边缘，所述光滑内边缘被配置为将所述玻璃金属密封中心导体的尖端引导到所述射频中心导体的所述中心插口中以连接所述玻璃金属密封连接器和所述射频连接器，所述光滑内边缘最大程度地减少了所述玻璃金属密封中心导体中的所述镀金的刮擦。
17.根据条款16所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述夹持机构包括围绕所述中心插口的多个指状件，当所述玻璃金属密封中心导体通过所述套环的所述开口插入所述中心插口中时，所述多个指状件在所述玻璃金属密封连接器的所述玻璃金属密封中心导体上施加夹持力。
18.根据条款16所述的射频连接组件，其特征在于，其中围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括半径为约0.020mm至约0.150mm之间的圆形光滑内边缘。
19.一种射频连接组件，其用于DC至mmWave信号，其特征在于，所述射频连接组件包括：
玻璃金属密封组件，所述玻璃金属密封组件包括护罩、填充所述护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由所述玻璃绝缘层固定并从所述护罩的所述内部凹口突出的玻璃金属密封中心导体，所述玻璃金属密封中心导体具有镀金；
销珠组件，所述销珠组件包括射频中心导体，所述射频中心导体包括在所述射频中心导体的远端处具有套环的夹持机构、和至少部分地由所述夹持机构限定的中心插口，所述中心插口可通过形成在所述套环中的开口进入；和
推动器，其被配置为响应于外部施加的力而通过外部导体中的开口将所述销珠组件压入所述玻璃金属密封组件，这会导致所述玻璃金属密封中心导体进入所述射频中心导体的所述中心插口，从而连接所述玻璃金属密封组件和所述销珠组件，
其中所述套环在所述开口的周边周围具有光滑内边缘，所述光滑内边缘被配置为将所述玻璃金属密封中心导体的尖端引导到所述射频中心导体的所述中心插口中，从而最大程度地减少了所述开口的所述内边缘对所述玻璃金属密封中心导体中的所述镀金的刮擦。
20.根据条款19所述的射频连接组件，其特征在于，其中围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括圆形光滑内边缘。
附图说明
在结合附图阅读时根据以下详述最佳地理解代表性实施方案。在适用和实用的地方，相同的附图标记表示相同的元件。
图1是根据代表性实施方案的处于断开状态的射频(RF)连接组件的简化截面图。
图2A是根据代表性实施方案的图1中所示的处于部分连接状态的RF连接组件的简化截面图。
图2B是根据代表性实施方案的图2A中所示的处于部分连接状态的RF连接组件的一部分的放大截面图。
图3A是根据代表性实施方案的图1中所示的处于完全连接状态的RF连接组件的简化截面图。
图3B是根据代表性实施方案的图3A中所示的处于完全连接状态的RF连接组件的一部分的放大截面图。
图4是根据代表性实施方案的作为RF连接组件的一部分的销珠组件的 RF中心导体的示意图。
图5是出于比较目的常规销珠组件的常规RF中心导体的简化截面图。
图6A是在与常规的RF中心导体配合之后的护罩和GTMS中心导体的透视图。
图6B是根据代表性实施方案的在与RF中心导体配合之后的护罩和 GTMS中心导体的透视图。
图7是示出在使用常规RF中心导体的DUT测试期间在频率范围内的插入损耗的曲线图，所述常规RF中心导体具有开口，所述开口具有尖锐的倒角内边缘。
图8是示出根据代表性实施方案的在具有带光滑内边缘的开口的RF中心导体的DUT测试期间在频率范围内的插入损耗的曲线图。
图9是示出根据代表性实施方案的在使用具有带尖锐的倒角内边缘的开口的常规RF中心导体和使用具有带光滑内边缘的开口的RF中心导体的DUT 的测试期间的回波损耗的比较的曲线图。
图10是示出根据代表性实施方案的在使用具有带尖锐的倒角内边缘的开口的常规RF中心导体和使用具有带光滑内边缘的开口的RF中心导体的 DUT的测试期间的插入损耗的比较的曲线图。
图11是根据代表性实施方案的处于连接状态的包括推动器的RF连接组件的简化截面图。
图12是根据代表性实施方案的RF中心导体中的开口的光滑内边缘的截面图。
具体实施方式
在以下详细描述中，出于解释而非限制的目的，阐述了公开具体细节的说明性实施方案，以便提供对根据本教导的实施方案的透彻理解。然而，对于受益于本公开文本的人员来说，显而易见的是，根据本教导的偏离本文公开的具体细节的其他实施方案仍在所附权利要求的范围内。此外，可以省略对众所周知的装置及方法的描述，以免模糊对示例性实施方案的描述。此类方法和装置在本教导的范围内。
通常，应当理解，如在本说明书和所附的权利要求书中所使用的，术语“一个/一种”和“该”包括单数和复数指示物，除非上下文以另外的方式清楚地指明。因此，例如，“装置”包括一个装置和多个装置。
如说明书和所附权利要求书中所使用的，除了其普通含义之外，术语“实质”或“实质上”是指在可接受的限度或程度内。例如，“基本上删除”意味着本领域技术人员会认为删除是可接受的。作为另一个例子，“基本上移除”意味着本领域技术人员会认为移除是可接受的。如说明书和所附权利要求书中所使用的，除了其普通含义之外，术语“大约”意指在本领域普通技术人员可接受的限度或量内。例如，“大约相同”意味着本领域普通技术人员将认为项目在比较后是相同的。
图1是根据代表性实施方案的处于断开状态的射频(RF)连接组件的截面图。RF连接组件可以用于例如建立用于DC到毫米波(mmWave)RF信号的信号连接。
参考图1，RF连接组件100包括RF连接器110和GTMS连接器150。RF连接器110包括RF连接器子组件130、外部导体112，所述外部导体具有外部开口114和形成在外部导体112中的内部开口116。外部开口114可以为大致圆柱形，并且从RF连接器110的远端部分地延伸穿过外部导体112。内部开口116 也可以为大致圆柱形，并且还从外部开口114的底部部分地延伸穿过外部导体112。在所描绘的实施方案中，内部开口116的直径小于外部开口114的直径。螺纹118在外部导体112的端部117的外表面上，使得能够在连接状态下与GTMS连接器150螺纹连接，如下面所讨论的。
RF连接器子组件130包括套筒132，所述套筒限定芯开口133，所述芯开口纵向延伸穿过套筒132的整个长度。套筒132例如可以由铍铜形成。RF连接器子组件130进一步包括销珠组件140，所述销珠组件可插入地定位在套筒 132的芯开口133中。销珠组件140包括RF中心导体(销)141和在RF中心导体141的腰部处围绕RF中心导体141的珠粒148。珠粒148具有珠粒外径(例如，约2.045mm)，所述珠粒外径与芯开口133的内径(例如，约1.85mm)基本相同，并且珠粒148具有珠粒内径(例如，约0.715mm)，所述珠粒内径与RF 中心导体141的外径(例如，约0.804mm)基本相同。因此，RF中心导体141 被牢固地装配在珠粒148内，并且珠粒148被牢固地装配在套筒132的芯开口 133内，使得珠粒148将RF中心导体141固定在套筒132的近端，在所述近端中插入了RF中心导体141。在一个实施方案中，RF中心导体141可以具有例如具有约0.711mm的外径和约1.348mm的长度的较小底切阶状部，以进一步将珠粒148固定在RF中心导体141上的固定位置处。当然，以上提及的尺寸是示例性的，并且在不脱离本教导的范围的情况下可以结合其他尺寸。在组装状态下，套筒132的端部装配到外部导体112的外部开口114中，而RF中心导体 141的延伸超出套筒132的端部装配到外部导体112的内部开口116中。
RF中心导体141由具有镀金的金属形成，并且电连接至电缆(中心导体) 或其他信号导体(未示出)以用于传导电磁信号，诸如mmWave RF信号。例如，RF中心导体141可以由镀金的铍铜形成，但是在不脱离本教导的范围的情况下可以结合不同的材料。
如下面更详细地讨论的，RF中心导体141在远端部分处包括夹持机构 142。在一个实施方案中，RF中心导体141是一体的机械加工部件，其中夹持机构142一体地形成在远端部分处。夹持机构142被配置为提供与来自GTMS 连接器150的配合部件(诸如下文讨论的GTMS中心导体163)的高质量连接。 RF中心导体141还在RF中心导体141的远端(也对应于夹持机构142的远端) 处包括套环143。套环143限定开口144。RF中心导体141限定中心插口145，所述中心插口纵向地延伸穿过夹持机构142的至少一段长度，并且可以进一步延伸超过夹持机构142的端部进入RF中心导体141的主体中。换句话说，中心插口145的至少一部分由夹持机构142限定，其中通过套环143中的开口144 可进入中心插口145。套环143具有围绕开口144的周边的光滑内边缘(图1中未示出)，如下面所讨论的。
包括RF连接器子组件130和销珠子组件140的RF连接器110可以具有各种尺寸中的任何一种。例如，RF连接器110的标准化类型或尺寸包括1.00mm、 1.85mm、2.40mm和3.50mm，但是在不脱离本教导的范围的情况下可以结合RF连接器110的其他尺寸。1.00mm RF连接器110可以用于具有约110GHz 的较高频率的mmWave信号频带。1.85mm RF连接器110可以用于具有约70 GHz的较高频率的mmWave信号频带。2.40mm RF连接器110可以用于具有约50GHz的较高频率的mmWave信号频带。3.50mm RF连接器110可以用于具有约34GHz的较高频率的mmWave信号频带。
GTMS连接器150包括GTMS壳体152，所述GTMS壳体具有外部开口154 和形成在GTMS壳体152中的内部开口156。外部开口154可以为大致圆柱形，并且从GTMS连接器150的远端部分地延伸穿过GTMS壳体152。内部开口156 也可以为大致圆柱形，并且还从外部开口154的底部部分地延伸穿过GTMS 壳体152。在所描绘的实施方案中，内部开口156的直径小于外部开口154的直径。螺纹158在外部开口154的端部的内表面上，使得螺纹158与外部导体112的端部的外表面上的螺纹118之间的螺纹连接能够提供牢固连接。即，螺纹118和螺纹158是互补螺纹，从而能够进行螺纹连接。
GTMS连接器150进一步包括位于内部开口156内的GTMS组件160。 GTMS组件160包括护罩161、填充护罩161的一部分的玻璃绝缘层162以及 GTMS中心导体163。玻璃绝缘层162在护罩161内限定内部凹口164，所述内部凹口对应于护罩161的未被玻璃绝缘层162填充的一部分。GTMS中心导体 163由玻璃绝缘层162固定就位，并且从内部凹口164突出，从而延伸超过护罩161的外边缘。GTMS中心导体163由具有镀金的金属形成，并且电连接至电缆(中心导体)或其他信号导体(未示出)以用于传导电磁信号，诸如 mmWave RF信号。GTMS中心导体163可以由例如镀金的钨丝或镀金的科瓦合金丝形成，尽管在不脱离本教导的范围的情况下可以结合不同的材料。
图2A是根据代表性实施方案的图1中所示的处于部分连接状态的RF连接组件的截面图，并且图2B是根据代表性实施方案的图2A中所示的处于部分连接状态的RF连接组件的一部分的放大截面图。具体地，图2A和2B示出了GTMS组件160的GTMS中心导体163与RF中心导体141的套环143初始接触。
参考图2A和2B，RF中心导体141包括夹持机构142，所述夹持机构至少部分地限定中心插口145。在所描绘的实施方案中，夹持机构142包括围绕中央插口145的多个指状件，由指状件142A和142B指示。指状件142A和142B 被示为处于松弛状态，即，GTMS中心导体163未插入中心插口145中。当插入GTMS中心导体163时(如图3A和3B中所示)，指状件142A和142B被强制分离，因此向GTMS中心导体163施加向内的夹持力，从而有助于将GTMS中心导体163保持就位。在一个实施方案中，夹持机构142具有围绕中央插口145 对称地布置的四个指状件(包括指状件142A和142B)。套环143同样被分段成与夹持机构142的四个指状件相对应的四个部分，使得当四个指状件在远端部分处响应于接收GTMS中心导体163而彼此分离，套环143的四个部分分离。在备选实施方案中，夹持机构142可以包括少于或多于四个指状件以向 GTMS中心导体163上施加向内的夹持力，或者在不脱离本教导的范围的情况下可以包括另一种类型的连接器，诸如无槽凹形中心连接器。
如图2A和2B中更清楚地所示，RF中心导体141在其远侧尖端(对应于夹持机构142的远侧尖端)处包括套环143。套环143限定开口144，所述开口通向中心插口145，所述中心插口纵向地延伸通过至少RF中心导体141的夹持机构142，使得中心插口145可通过套环143中的开口144进入。套环143具有围绕开口144的周边的光滑内边缘147，而不是尖锐的、倒角内边缘。光滑内边缘147位于GTMS中心导体163的远侧尖端在进入夹持机构142时最初接触套环143的位置中。因此，当光滑内边缘147插入中心插口145中时，它在夹持机构142与GTMS中心导体163的表面之间提供了光滑接触区域。在所描绘的实施方案中，光滑内边缘147为圆形，其中GTMS中心导体163最初接触套环 143。圆形光滑内边缘147可以具有预定曲率半径，下面讨论所述预定曲率半径的例子。
因此，最小化了由开口144的光滑内边缘147对GTMS中心导体163的刮擦和/或刻痕，由此延长了GTMS中心导体163的使用寿命，并且更好地保持了销珠组件140(例如，连接到DUT)与GTMS组件160(例如，连接到测试仪器)之间的可靠电连接。相比之下，常规RF中心导体具有围绕开口的内径的界限分明的倒角边缘，如下面参考图5所讨论的。因此，光滑内边缘147被配置为将GTMS中心导体163的尖端引导到RF中心导体141的中心插口145中，以连接GTMS组件160和销珠组件140。
在一个实施方案中，光滑内边缘147可以为圆形以提供与GTMS中心导体 163接触的光滑表面。圆形的光滑内边缘147可以具有不同的半径，例如这取决于销珠组件140的尺寸。如上所述，销珠组件140可以具有各种大小之一，包括标准化大小。围绕开口144的周边的圆形光滑内边缘147的曲率半径可以取决于销珠组件140的大小而变化。例如，对于1.85mm RF连接器110和2.40 mm RF连接器110，圆形光滑内边缘147可以具有约0.100mm的半径。同样，例如，圆形光滑内边缘147对于1.00mm RF连接器110可以具有约0.020mm的半径，而对于3.50mm RF连接器可以具有约0.150mm的半径。当然，圆形光滑内边缘的半径(和/或RF连接器110的大小)可以变化，以便为任何特定情况提供独特的益处，或者满足各种实现方式的应用特定设计要求，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
在备选实施方案中，可以提供光滑内边缘147而无需专门地使光滑内边缘147的内边缘变圆。例如，可以通过形成多个成角度的内边缘(诸如两次成角度的内边缘)去除常规开口的尖锐内边缘，这消除了倒角内边缘的尖锐度。例如，图12是根据代表性实施方案的RF中心导体的套环1243中的开口的光滑内边缘1247的截面图。在所描绘的实施方案中，光滑内边缘1247是两次成角度的内边缘，因为例如光滑内边缘1247的第一部分成约15度的角度，而光滑内边缘1247的第二部分成约45度的角度。这导致没有尖锐边缘(例如，倒角边缘)的三个相对较浅的钝角。可以包括附加角度，从而进一步减小相邻部分之间的角度。
图3A是根据代表性实施方案的图1中所示的处于完全连接状态的RF连接组件的截面图，并且图3B是根据代表性实施方案的图3A中所示的处于完全连接状态的RF连接组件的一部分的放大截面图。
参考图3A和3B，包括插入的RF连接器子组件130的RF连接器110完全连接到RF连接组件100的GTMS连接器150。
当完全连接时，套筒132的端部插入GTMS壳体152的内部开口156中，并且邻接GTMS组件160。同时，将外部导体112的端部117插入GTMS壳体152 的外部开口154中。在这种情况下，外部导体112的端部117的外表面上的螺纹118和外部开口154的端部的内表面上的螺纹158形成螺纹连接。当然，在不脱离本教导的范围的情况下，可以在外导体112与GTMS壳体152之间结合其他类型的互连。
同样，当完全连接时，RF中心导体141的端部插入GTMS组件160的护罩 161中，使得RF中心导体141的套环143的端部邻接玻璃绝缘层162的裸露表面。在该位置中，GTMS组件160的GTMS中心导体163同样通过开口144插入 RF中心导体141的中心插口145中。GTMS中心导体163在其插入时围绕开口 144的周边滑过光滑内边缘147。指状件142A和142B被示为处于夹持状态，即，其中GTMS中心导体163的存在将夹持机构142的指状件142A和142B强行分离。夹持机构142由此向GTMS中心导体163上施加向内的夹持力，如代表性箭头所指示，从而有助于将GTMS中心导体163保持就位。通过这种方式，在销珠组件140与GTMS组件160之间建立了牢固的机械和电气连接。
图4是根据代表性实施方案的作为RF连接组件的一部分的销珠组件的 RF中心导体的示意图。
参考图4，销珠组件的RF中心导体(销)441被示为具有以毫米为单位的各种示例性非限制性尺寸。RF中心导体441可以例如包括在上面讨论的RF连接组件100中的销珠组件140中。RF中心导体441由具有镀金的金属形成，并且电连接至电缆/中心导体或其他信号导体(未示出)以用于传导电磁信号，诸如mmWave RF信号。例如，RF中心导体441可以由镀金的铍铜形成，但是在不脱离本教导的范围的情况下可以结合不同的材料。
在所描绘的实施方案中，RF中心导体441在远端部分处包括一体形成的夹持机构442。夹持机构442被配置为在配对的GTMS中心导体(诸如，上面讨论的GTMS中心导体163)上提供向内的夹持力。在所描绘的实施方案中，如上面所讨论的，例如通过从RF中心导体441的远端朝向所述中心导体的主体以十字(+)图案形成两个狭槽，RF中心导体441被机械加工成四个指状件。每个狭槽可以为约0.127mm。因此，“在开槽之前”是指在机械加工夹持机构442的指状件之前的尺寸。RF中心导体441还在远端(对应于夹持机构442的远端)处包括套环443。套环443限定开口444。RF中心导体441限定中心插口 445，所述中心插口纵向地延伸穿过夹持机构442的至少一段长度。中心插口 445可通过套环443中的开口444进入。套环143具有围绕开口444的周边的光滑内边缘447，如下面所讨论的。
在所描绘的例子中，RF中心导体441被配置为用于1.85mm RF连接器110 中。因此，如上面所讨论的，光滑内边缘447的半径为约0.100mm(例如，在例子中为0.100mm+0.013mm)。其余尺寸说明了1.85mm RF连接器110。当然，尺寸(包括光滑内边缘447的半径)可以至少部分地基于RF连接器的大小和/或销珠组件而变化，以便为任何特定情况提供独特的益处，或者满足各种实现方式的应用特定设计要求，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
图5是出于比较目的提供的常规销珠组件的常规RF中心导体的简化截面图。
参考图5，具有常规RF中心导体(销)541的RF连接组件的一部分包括在远端部分处的夹持机构542、以及具有穿过其中形成的开口544的套环543。 RF中心导体541限定通过开口544可进入的中心插口545。夹持机构542在插入的GTMS中心导体上提供向内的夹持力。
明显地，套环543具有围绕开口544的周边的尖锐的倒角内边缘547，例如约45度角，而不是在上面的实施方案中讨论的围绕开口144、444的周边的光滑内边缘147、447。尖锐的倒角内边缘547将镀金从(例如，RF连接组件中的GTMS组件的)GTMS中心导体563上刮下来，并且在通过开口544插入中心插口545(并从其中移出)时可能会以其他方式在GTMS中心导体563上造成镀金刻痕。在插入GTMS中心导体563之后，减小了镀金的厚度，并减少了在GTMS组件的护罩内的GTMS中心导体563的底部周围聚集的金屑。如上面讨论的，金屑通常向上附着和/或具有不规则形状，从而导致金屑有效地充当天线，所述天线导致传输线或路径处存在不匹配，从而导致降低性能和/ 或RF故障。GTMS中心导体563的状态随着重复的连接和断开而恶化。
图6A是根据代表性实施方案的在与常规的RF中心导体重复配合之后的护罩和GTMS中心导体的透视图，并且图6B是根据代表性实施方案的在与RF 中心导体重复配合之后的护罩和GTMS中心导体的透视图。
具体地，图6A示出了在通过围绕周边具有尖锐的倒角内边缘的开口四次插入到RF中心导体中以及从RF中心导体中移除四次之后在护罩561内的 GTMS中心导体563，并且图6B示出了在通过围绕周边具有光滑内边缘的开口四次插入到RF中心导体中以及从RF中心导体中移除四次之后在护罩161 内的GTMS中心导体163。GTMS中心导体563在GTMS中心导体563的底部 601处聚集了大量金屑，例如，由于GTMS中心导体563的刮擦和/或刻痕造成的，这指示GTMS中心导体563受到实质性损坏并导致电气连接恶化。相比之下，GTMS中心导体163在GTMS中心导体163的底部602上几乎没有聚集金屑，这指示对GTMS中心导体163的损坏最小并导致持续的牢固电气连接。而且，更多的镀金保留在GTMS中心导体163上，从而确保良好的导电性，因此确保良好的RF性能。显然地，在GTMS中心导体163不返工的情况下，可以轻松地去除例如在连续插入之间引起的图6B中所示的少量金屑。例如，可以使用压缩空气和/或用于手动清除金屑的工具轻松地去除金屑。
图7是示出通过DUT(例如，DC-67GHz功率分配器)的RF连接组件利用常规RF中心导体的DUT测试期间在频率范围内的插入损耗(以dB为单位) 的曲线图，所述常规RF中心导体具有开口，所述开口具有尖锐的倒角内边缘 (导致金刮擦，如图6A中所示)。图8是根据代表性实施方案的示出通过DUT (例如，DC-67GHz功率分配器)的RF连接组件利用RF中心导体的DUT测试期间在频率范围内的插入损耗(以dB为单位)的曲线图，所述RF中心导体例如用于连接DC-67GHz功率分配器，所述RF中心导体具有开口，所述开口具有光滑内边缘(导致最低程度的金刮擦，如图6B中所示)。DUT可以例如通过RF连接组件连接到性能网络分析器以提供测量结果。
参考图7，示出了使用常规RF中心导体提供给DUT的五个信号的插入损耗(S参数S21)，所述常规RF中心导体具有带尖锐的倒角内边缘的开口。阶梯线示出了S参数S21的测试规范，所述测试规范提供了可接受结果的下限。五个信号的插入损耗分别由五个迹线示出，所述五个信号在多次测试之间存在显著差异，因为仅在GTMS组件与常规销珠组件之间的一次连接(例如，永久连接)之后从GTMS中心导体上刮去镀金。这五个迹线的比较表明，插入损耗是不稳定的，指示传输线处不匹配，因此信号可靠性较低。特别是在较高的频率(例如，大于约50GHz)下，测试结果同样不太可靠。实际上，两个插入损耗信号之间的最大变化在约53GHz时约为1.3dB，而在约62GHz 时约为1.2dB。观察到的性能趋势不一致，没有满足设计意图。
相比之下，参考图8，示出了根据代表性实施方案的使用RF中心导体提供给DUT的七个信号的插入损耗(S参数S21)，所述RF中心导体具有带有光滑内边缘的开口。同样，阶梯线示出了S参数S21的测试规范，所述测试规范提供了可接受结果的下限。七个信号的插入损耗分别由七个迹线示出，所述七个信号在多次测试中变化最小，因为在GTMS组件与销珠组件的实施方案之间重复连接(例如，最多四次连接)之后从GTMS中心导体上刮掉的镀金很少。这七个迹线的比较表明，即使在一次以上连接之后，即使在较高频率 (例如，大于约50GHz)下，插入损耗也是一致的，这指示可靠的信号传输以及因此可靠的测试结果。
在约59GHz下，两个插入损耗信号之间的最大变化仅为约0.8dB。因此，改进了S参数性能，其中与图7中所描绘的S参数S21相比，S参数S21尤其以更好的稳定性提高了约0.5dB至约1.0dB。尤其是对于约50GHz至约67GHz的感兴趣的频率范围，观察到的性能趋势表明接近设计意图的高可靠性、一致性和可重复性。图8中的曲线图示出了即使多达四次连接和断开(例如，在一次或多次连接和断开后对GTMS中心导体进行稍微清洁，如上面所讨论的)，根据代表性实施方案的RF连接组件仍然能够保持良好的RF性能并且始终满足设计意图。
图9是根据代表性实施方案的示出通过DUT(例如，DC-67GHz功率分配器)的RF连接组件利用具有带锐利的倒角内边缘(导致金刮擦，如图6A 中所示)的开口的常规RF中心导体以及还通过DUT的RF连接组件利用具有带光滑内边缘(导致最低程度的金刮擦，如图6B中所示)的开口RF中心导体的DUT测试期间在频率范围内的平均回波损耗(以dB为单位)的曲线图。图10是根据代表性实施方案的示出通过具有带锐利的倒角内边缘(导致金刮擦，如图6A中所示)的开口的常规RF中心导体以及还通过具有带光滑内边缘(导致最低程度的金刮擦，如图6B中所示)的开口的DUT(例如，DC-67 GHz功率分配器)的RF中心导体的DUT测试期间在频率范围内的平均插入损耗(以dB为单位)的曲线图。DUT可以例如通过RF连接组件连接到性能网络分析器以提供测量结果。
参考图9，平均回波损耗(S参数S11)由表示平均回波损耗信号的三个迹线示出，每个迹线基于由DUT(例如，DC-67GHz功率分配器)提供的多个回波损耗信号。阶梯线示出了S参数S11的测试规范，所述测试规范提供了可接受结果的上限。迹线901示出了在常规RF连接器与GMTS连接器之间的一次连接之后使用具有带尖锐的倒角内边缘的开口的常规RF中心导体的平均回波损耗。迹线902示出了在常规RF连接器与GMTS连接器之间形成两次连接之后使用具有带尖锐的倒角内边缘的开口的常规RF中心导体的平均回波损耗。迹线903示出了根据代表性实施方案(例如，如图3A和3B中所示) 的在改进的RF连接器(例如，RF连接器110)与GMTS连接器(例如，GTMS 连接器150)之间的一次(永久)连接(导致100％的传递率)之后使用具有带光滑内边缘的开口的RF中心导体的平均回波损耗。出于测试目的，将RF连接器110和GTMS连接器150最多连接/断开四次(如上面所讨论的，对GTMS 中心导体进行稍微清洁)，导致每次都获得100％传递率。
迹线902与迹线901的比较表明，当使用带尖锐的倒角内边缘的常规RF 中心导体时，平均回波损耗在高频(特别是在约63GHz以上)下重复使用(由迹线902指示)时变得更差。因此，例如，在约64GHz处，迹线902示出了平均回波损耗比迹线901所示的平均回波损耗差约1.1dB。迹线903与迹线901 和迹线902中的每一者的比较表明，使用根据代表性实施方案的具有光滑内边缘的RF中心导体使平均回波损耗相对于常规RF中心导体在高频(特别是在约63GHz以上)下进行一次使用和重复使用时的平均回波损耗有所改进。例如，在约67GHz时，迹线903表明平均回波损耗比迹线901改进了约2.2dB，并且平均回波损耗比迹线902改进了约4.4dB。迹线903与迹线901和迹线902 的比较进一步指示在重复使用常规RF中心导体后平均回波损耗恶化的趋势，因为会发生附加刻痕和/或从GTMS中心导体上刮掉附加的镀金，从而导致例如不匹配，如上面所讨论的。
参考图10，平均插入损耗(S参数S21)由表示平均插入损耗信号的三个迹线示出，每个迹线基于由DUT(例如，DC-67GHz功率分配器)提供的多个插入损耗信号。阶梯线示出了S参数S21的测试规范，所述测试规范提供了可接受结果的下限。迹线1001示出了在常规RF连接器与GMTS连接器之间的一次连接之后使用具有带尖锐的倒角内边缘的开口的常规RF中心导体的平均插入损耗。迹线1002示出了在常规RF连接器与GMTS连接器之间形成两次连接之后使用具有带尖锐的倒角内边缘的开口的常规RF中心导体的平均插入损耗。迹线1003示出了根据代表性实施方案(例如，如图3A和3B中所示) 的在改进的RF连接器(例如，RF连接器110)与GMTS连接器(例如，GTMS 连接器150)之间的一次(永久)连接(导致100％的传递率)之后使用具有带光滑内边缘的开口的RF中心导体的平均插入损耗。
迹线1002与迹线1001的比较表明，当使用带尖锐的倒角内边缘的常规RF 中心导体时，平均插入损耗在高频(特别是在约61GHz以上)下重复使用(由迹线1002指示)时变得更差。因此，例如，在约64GHz处，迹线1002示出了平均插入损耗比迹线1001所示的平均插入损耗差约0.3dB。迹线1003与迹线 1001和迹线1002中的每一者的比较表明，使用根据代表性实施方案的具有光滑内边缘的RF中心导体使平均插入损耗相对于常规RF中心导体在高频(特别是在约61GHz以上)下进行一次使用和重复使用时的平均插入损耗有所改进。例如，在约64GHz时，迹线1003表明平均插入损耗比迹线1001改进了约 0.2dB，并且平均插入损耗比迹线1002改进了约0.5dB。迹线1003与迹线1001 和迹线1002的比较进一步指示在重复使用常规RF中心导体后平均插入损耗恶化的趋势，因为会发生附加刻痕和/或从GTMS中心导体上刮掉附加的镀金，如上面所讨论的。而且，出于测试目的，将RF连接器和GTMS连接器最多连接/断开四次(如上面所讨论的，对GTMS中心导体进行稍微清洁)，导致每次都获得100％传递率。
通常，就经由RF连接器测试的DUT(例如，DC-67GHz功率分配器)的传递率而言，使用根据代表性实施方案的RF中心导体提供了显著改进。例如，通过经验测试，已经观察到，对于一次连接，使用带尖锐的倒角内边缘的常规RF中心导体产生约75％的传递率，而对于两次连接产生约30％的传递率。相比之下，使用根据代表性实施方案的带光滑内边缘的RF中心导体产生约 100％的传递率。另外，与包括带尖锐的倒角内边缘的RF中心导体的常规RF 连接器相比，包括带光滑内边缘的RF中心导体的RF连接器更加一致地满足设计意图。
图11是根据代表性实施方案的处于连接状态的包括推动器的RF连接组件的简化截面图。RF连接组件可以用于例如建立用于DC到毫米波 (mmWave)RF信号的信号连接。
参考图11，RF连接组件1100包括具有RF连接器子组件130的RF连接器 1110以及GTMS连接器150。RF连接器1110包括推动器1111和改造的外部导体 1112。推动器1111限定带阶状部分1113’的外部开口1113以及内部开口1115，并且改造的外部导体1112限定开口1114。改造的外部导体1112的开口1114可以为大致圆柱形，并且从远端到近端延伸穿过改造的外部导体1112。螺纹 1118在改造的外部导体1112的端部1117的外表面上，使得能够在连接状态下与GTMS连接器150螺纹连接，如下面所讨论的。推动器1111的外部开口1113 可以为大致圆柱形，并且在推动器1111的远端处敞开。阶状部分1113’的直径比外部开口1113的直径窄(提供阶状结构)，并且形成在外部开口1113的底部，从而向近端延伸。内部开口1115也可以为大致圆柱形，并且进一步从阶状部分1113'的底部延伸穿过推动器1111。在所描绘的实施方案中，内部开口 1115的直径小于外部开口1113和阶状部分1113’中的每一者的直径。
RF连接器子组件130包括套筒132，所述套筒限定芯开口133，所述芯开口纵向延伸穿过套筒132的整个长度。套筒132例如可以由铍铜形成。RF连接器子组件130进一步包括销珠组件140，所述销珠组件可插入地定位在套筒 132的芯开口133中。销珠组件140包括RF中心导体141和在RF中心导体141的腰部处围绕RF中心导体141的珠粒148。珠粒148具有珠粒外径，所述珠粒外径与芯开口133的内径基本相同，并且珠粒148具有珠粒内径，所述珠粒内径与RF中心导体141的外径基本相同。因此，RF中心导体141被牢固地装配在珠粒148内，并且珠粒148被牢固地装配在套筒132的芯开口133内，使得珠粒148将RF中心导体141固定在套筒132的近端，在所述近端中插入了RF中心导体141。在一个实施方案中，如上面所讨论的，RF中心导体141可以具有小的底切阶状部，以将珠粒148进一步固定在RF中心导体141上的固定位置。
在组装状态下，套筒132的端部装配到改造的外部导体1112的开口1114 和外部开口1113的阶状部分1113’中。RF中心导体141的延伸超出套筒132的端部装配到推动器1111的内部开口1115中。
RF中心导体141由具有镀金的金属形成，并且电连接至电缆(中心导体) 或其他信号导体(未示出)以用于传导电磁信号，诸如mmWave RF信号。例如，RF中心导体141可以由镀金的铍铜形成，但是在不脱离本教导的范围的情况下可以结合不同的材料。
如上面讨论的，RF中心导体141在远端部分处包括夹持机构142。夹持机构142被配置为提供与来自GTMS连接器150的配合部件(诸如GTMS中心导体163)的高质量连接。RF中心导体141还在RF中心导体141的远端(也对应于夹持机构142的远端)处包括套环143。套环143限定开口144。RF中心导体 141限定中心插口145，所述中心插口纵向地延伸穿过夹持机构142的至少一段长度，并且可以进一步延伸超过夹持机构142的端部进入RF中心导体141的主体中。中心插口145可通过套环143中的开口144进入。如上面所调零的，套环143在开口144的周边周围具有光滑内边缘，诸如光滑内边缘147。光滑内边缘147可以为圆形，如例如上面参考图2A和2B所讨论的。
GTMS连接器150包括GTMS壳体152，所述GTMS壳体具有外部开口154 和形成在GTMS壳体152中的内部开口156。外部开口154可以为大致圆柱形，并且从GTMS连接器150的远端部分地延伸穿过GTMS壳体152。内部开口156 也可以为大致圆柱形，并且还从外部开口154的底部部分地延伸穿过GTMS 壳体152。在所描绘的实施方案中，内部开口156的直径小于外部开口154的直径。螺纹158在外部开口154的端部的内表面上，使得螺纹158与改造的外部导体1112的端部的外表面上的螺纹1118之间的螺纹连接能够提供牢固连接。
GTMS连接器150进一步包括位于内部开口156内的GTMS组件160。 GTMS组件160包括护罩161、填充护罩161的一部分的玻璃绝缘层162以及 GTMS中心导体163。玻璃绝缘层162在护罩161内限定内部凹口164，所述内部凹口对应于护罩161的未被玻璃绝缘层162填充的一部分。GTMS中心导体163由玻璃绝缘层162固定就位，并且从内部凹口164突出，从而延伸超过护罩161的外边缘。GTMS中心导体163由具有镀金的金属形成，并且电连接至电缆(中心导体)或其他信号导体(未示出)以用于传导电磁信号，诸如 mmWave RF信号。
在所描绘的实施方案中，当完全连接时，套筒132的端部插入GTMS壳体 152的内部开口156中，并且邻接GTMS组件160。同时，将改造的外部导体1112 的端部1117插入GTMS壳体152的外部开口154中。在这种情况下，改造的外部导体1112的端部1117的外表面上的螺纹1118和外部开口154的端部的内表面上的螺纹158形成螺纹连接。当然，在不脱离本教导的范围的情况下，可以在改造的外导体1112与GTMS壳体152之间结合其他类型的互连。
一旦将改造的外部导体1112连接到GTMS壳体152，就将RF连接器子组件130(包括在套筒132的芯开口133中的销珠组件140)插入到改造的外部导体1112的开口1114中，直到销珠组件140和套筒132靠近或接触位于内部开口 156内的GTMS组件160为止。例如，RF连接器子组件130可以手动插入。
然后可以将推动器1111放置在RF连接器子组件130和改造的外部导体 1112上的裸露近端上方。这使得RF中心导体141的近端进入内部开口1115，套筒132的近端进入阶状部分1113'，并且改造的外部导体1112的近端进入推动器1111的外部开口1113。将力朝向GTMS壳体152施加于推动器1111导致RF 中心导体141的端部插入GTMS组件160的护罩161中，使得RF中心导体141的套环143的端部邻接玻璃绝缘层162的裸露表面。在该位置中，GTMS组件160 的GTMS中心导体163同样通过开口144插入RF中心导体141的中心插口145中。GTMS中心导体163在其插入时围绕开口144的周边滑过光滑内边缘147。夹持机构142向GTMS中心导体163上施加向内的夹持力，以便有助于将 GTMS中心导体163保持就位。可以手动地将力施加到推动器1111，以便将 RF中心导体141的端部压入护罩161，并通过开口144将GTMS中心导体163压入RF中心导体141的中心插口145。
本领域技术人员明白，根据本教导的许多变型都是可行的并且仍然在所附权利要求书的范围内。在检查了说明书、附图和权利要求书之后，这些和其他变型对于本领域的普通技术人员将变得清楚。因此，本实用新型仅受权利要求书的精神和范围限制。

Claims (10)

1.一种射频连接组件，其用于DC至mmWave信号，其特征在于，所述射频连接组件包括：
玻璃金属密封组件，所述玻璃金属密封组件包括护罩、填充所述护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由所述玻璃绝缘层固定并从所述护罩的所述内部凹口突出的玻璃金属密封中心导体，所述玻璃金属密封中心导体具有镀金；和
销珠组件，所述销珠组件包括射频中心导体，所述射频中心导体包括在所述射频中心导体的远端处具有套环的夹持机构、和至少部分地由所述夹持机构限定的中心插口，所述中心插口可通过形成在所述套环中的开口进入，
其中所述套环在所述开口的周边周围具有光滑内边缘，所述光滑内边缘被配置为将所述玻璃金属密封中心导体的尖端引导到所述射频中心导体的所述中心插口中以连接所述玻璃金属密封组件和所述销珠组件，从而最大程度地减少了所述开口的所述内边缘对所述玻璃金属密封中心导体中的所述镀金的刮擦。
2.根据权利要求1所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述夹持机构包括围绕所述中心插口的多个指状件，当所述玻璃金属密封中心导体通过所述套环的所述开口插入所述中心插口中时，所述多个指状件在所述玻璃金属密封组件的所述玻璃金属密封中心导体上施加夹持力。
3.根据权利要求1所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述射频中心导体由电镀有镀金的铍铜形成。
4.根据权利要求1所述的射频连接组件，其特征在于，其进一步包括：
玻璃金属密封壳体，其限定外部开口和直径小于所述外部开口的内部开口，其中所述玻璃金属密封组件位于所述玻璃金属密封壳体的所述内部开口中。
5.根据权利要求4所述的射频连接组件，其特征在于，其进一步包括：
射频连接器子组件，其包括所述销珠组件以及限定芯开口的套筒，所述销珠组件位于所述芯开口中；和
限定外部开口的外部导体，所述射频连接器子组件位于所述外部开口中，
其中所述外部导体的端部能够插入所述玻璃金属密封壳体的所述外部开口中，使得当所述玻璃金属密封组件的所述玻璃金属密封中心导体完全插入所述销珠组件的所述射频中心导体的所述中心插口中时，所述销珠组件的所述套环与所述护罩的所述内部凹口接触。
6.根据权利要求5所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述玻璃金属密封壳体的所述外部开口的内表面带有螺纹，并且所述外部导体的所述端部的外表面具有互补螺纹，从而实现螺纹连接。
7.根据权利要求1所述的射频连接组件，其特征在于，其中围绕所述开口周边的所述光滑内边缘包括多个成角度的内边缘。
8.一种射频连接组件，其为销珠射频连接组件，其特征在于，所述销珠射频连接组件在用于DC到mmWave信号并且被配置为连接到玻璃金属密封连接器的射频连接器，所述玻璃金属密封连接器包括护罩、填充所述护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由所述玻璃绝缘层固定并从所述护罩的所述内部凹口突出的玻璃金属密封中心导体，所述玻璃金属密封中心导体具有镀金，所述销珠射频连接组件包括：
射频中心导体；
珠粒，其围绕所述射频中心导体并且被配置为将所述射频中心导体固定在插入有所述射频中心导体的套筒的近端；
在所述射频中心导体的远端处的夹持机构，所述夹持机构至少部分地限定中心插口；和
在所述夹持机构的远端处的套环，所述中心插口可通过形成在所述套环中的开口进入，其中所述套环在所述开口的周边周围具有光滑内边缘，所述光滑内边缘被配置为将所述玻璃金属密封中心导体的尖端引导到所述射频中心导体的所述中心插口中以连接所述玻璃金属密封连接器和所述射频连接器，所述光滑内边缘最大程度地减少了所述玻璃金属密封中心导体中的所述镀金的刮擦。
9.根据权利要求8所述的射频连接组件，其特征在于，其中所述夹持机构包括围绕所述中心插口的多个指状件，当所述玻璃金属密封中心导体通过所述套环的所述开口插入所述中心插口中时，所述多个指状件在所述玻璃金属密封连接器的所述玻璃金属密封中心导体上施加夹持力。
10.一种射频连接组件，其用于DC至mmWave信号，其特征在于，所述射频连接组件包括：
玻璃金属密封组件，所述玻璃金属密封组件包括护罩、填充所述护罩的一部分以限定内部凹口的玻璃绝缘层、以及由所述玻璃绝缘层固定并从所述护罩的所述内部凹口突出的玻璃金属密封中心导体，所述玻璃金属密封中心导体具有镀金；
销珠组件，所述销珠组件包括射频中心导体，所述射频中心导体包括在所述射频中心导体的远端处具有套环的夹持机构、和至少部分地由所述夹持机构限定的中心插口，所述中心插口可通过形成在所述套环中的开口进入；和
推动器，其被配置为响应于外部施加的力而通过外部导体中的开口将所述销珠组件压入所述玻璃金属密封组件，这会导致所述玻璃金属密封中心导体进入所述射频中心导体的所述中心插口，从而连接所述玻璃金属密封组件和所述销珠组件，
其中所述套环在所述开口的周边周围具有光滑内边缘，所述光滑内边缘被配置为将所述玻璃金属密封中心导体的尖端引导到所述射频中心导体的所述中心插口中，从而最大程度地减少了所述开口的所述内边缘对所述玻璃金属密封中心导体中的所述镀金的刮擦。
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