CN212485021U - 一种高记忆性能的差分信号线 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高记忆性能的差分信号线，包括外护层，外护层的内部设置有第一抗干扰层，第一抗干扰层的内部设置有包覆层，包覆层的内部设置有第二抗干扰层，第二抗干扰层的内部设置有基材层，基材层的内部设置有两个导体，本实用新型所达到的有益效果是：本实用新型通过设置由防水层、绝缘层以及阻燃层构成的外护层，使得信号线整体具有良好的防水性、绝缘性以及阻燃性，同时通过在信号线的内部设置由陶土制作而成的填充层，使得信号线具有良好的抗酸腐蚀性能，从而极大的增加了信号线的使用寿命，此外通过在信号线的内部依次设置铝箔、氟化包带、铜箔以及由Low‑DK材质制作而成的基材层，使得信号线整体具有极强的抗干扰性能以及高记忆性能。

Description

一种高记忆性能的差分信号线

技术领域

本实用新型涉及一种差分信号线，特别涉及一种高记忆性能的差分信号线，属于信号线技术领域。

背景技术

现有生活中，随着近几年对速率的要求快速提高，新的总线协议不断的提出更高的速率，传统的总线协议已经不能够满足要求了，串行总线由于更好的抗干扰性，和更少的信号线，更高的速率获得了众多设计者的青睐，而串行总线又尤以差分信号的方式为最多，所以差分信号线的应用也越来越广泛。

但是现有的差分信号线大都容易受到外界磁场的干扰，不具有抗干扰性能以及高记忆性能，同时现有的差分信号线内部材质结构大都较为简单，导致现有的差分信号线的使用寿命普遍较低，不利于长久使用。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种高记忆性能的差分信号线。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

本实用新型一种高记忆性能的差分信号线，包括外护层，所述外护层的内部设置有第一抗干扰层，所述第一抗干扰层的内部设置有包覆层，所述包覆层的内部设置有第二抗干扰层，所述第二抗干扰层的内部设置有基材层，所述基材层的内部设置有两个导体。

作为本实用新型的一种优选方案，所述外护层由防水层、绝缘层和阻燃层构成，所述防水层的顶部与绝缘层的底部固定连接，所述防水层的底部与阻燃层的顶部固定连接。

作为本实用新型的一种优选方案，所述防水层由半导阻水缓冲带和焊接皱纹铝套构成，所述绝缘层由交联聚乙烯材质制作而成，所述阻燃层由玻璃纤维制作而成。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一抗干扰层由铝箔制作而成，所述第二抗干扰层由铜箔制作而成。

作为本实用新型的一种优选方案，所述包覆层为氟化包带，所述基材层由Low-DK材质制作而成。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一抗干扰层的外侧涂覆有导电漆。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第二抗干扰层与基材层之间设置有填充层，所述填充层由陶土制作而成。

本实用新型所达到的有益效果是：本实用新型通过设置由防水层、绝缘层以及阻燃层构成的外护层，使得信号线整体具有良好的防水性、绝缘性以及阻燃性，同时通过在信号线的内部设置由陶土制作而成的填充层，使得信号线具有良好的抗酸腐蚀性能，从而极大的增加了信号线的使用寿命，此外通过在信号线的内部依次设置铝箔、氟化包带、铜箔以及由Low-DK材质制作而成的基材层，使得信号线整体具有极强的抗干扰性能以及高记忆性能。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型整体结构示意图；

图2是本实用新型内部结构剖视图；

图3是本实用新型外护层内部结构剖视图。

图中：1、外护层；11、防水层；12、绝缘层；13、阻燃层；2、第一抗干扰层；3、包覆层；4、第二抗干扰层；5、基材层；6、导体；7、填充层。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例

如图1-3所示，本实用新型提供一种高记忆性能的差分信号线，包括外护层1，外护层1的内部设置有第一抗干扰层2，第一抗干扰层2的内部设置有包覆层3，包覆层3的内部设置有第二抗干扰层4，第二抗干扰层4的内部设置有基材层5，基材层5的内部设置有两个导体6，通过基材层5对导体6进行包裹，通过设置两个导体6便于更好的进行信号输送。

进一步的，外护层1由防水层11、绝缘层12和阻燃层13构成，防水层11的顶部与绝缘层12的底部固定连接，防水层11的底部与阻燃层13的顶部固定连接，通过外护层1便于更好的对信号线进行保护。

进一步的，防水层11由半导阻水缓冲带和焊接皱纹铝套构成，绝缘层12由交联聚乙烯材质制作而成，阻燃层13由玻璃纤维制作而成，通过设置防水层11、绝缘层12以及阻燃层13，使得信号线整体具有良好的防水性、绝缘性以及阻燃性。

进一步的，第一抗干扰层2由铝箔制作而成，第二抗干扰层4由铜箔制作而成，通过设置由铝箔制作而成的第一抗干扰层2与由铜箔制作而成的第二抗干扰层4，使得信号线具有极强的抗干扰性与高记忆性。

进一步的，包覆层3为氟化包带，基材层5由Low-DK材质制作而成，通过氟化包带便于更好的限制外界磁场，从而更好的保证信号线正常的进行工作，通过设置由Low-DK材质制作而成的基材层5，使得信号线具备低电容率和低介电损耗。

进一步的，第一抗干扰层2的外侧涂覆有导电漆，通过设置导电漆可以防止设备对外产生辐射，同时也能防止外界的辐射进入设备内部。

进一步的，第二抗干扰层4与基材层5之间设置有填充层7，填充层7由陶土制作而成，通过在第二抗干扰层4与基材层5之间设置由陶土制作而成的填充层7，便于更好的增加信号线的抗酸腐蚀性能。

具体的，通过上述材料制作成差分信号线，采用由防水层11、绝缘层12和阻燃层13构成的外护层1，同时防水层11由半导阻水缓冲带和焊接皱纹铝套构成，绝缘层12由交联聚乙烯材质制作而成，阻燃层13由玻璃纤维制作而成，使得信号线整体具有良好的防水性、绝缘性以及阻燃性，同时采用由铝箔制作而成的第一抗干扰层2与由铜箔制作而成的第二抗干扰层4，使得信号线具有极强的抗干扰性与高记忆性，在第一抗干扰层2的外侧涂覆有导电漆，可以防止设备对外产生辐射，同时也能防止外界的辐射进入设备内部，采用氟化包带材质的包覆层3，更好的限制外界磁场，从而更好的保证信号线正常的进行工作，采用Low-DK材质制作而成的基材层5，使得信号线具备低电容率和低介电损耗，此外通过在第二抗干扰层4与基材层5之间设置由陶土制作而成的填充层7，便于更好的增加信号线的抗酸腐蚀性能，从而极大的延长了信号线整体的使用寿命。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种高记忆性能的差分信号线，包括外护层（1），其特征在于，所述外护层（1）的内部设置有第一抗干扰层（2），所述第一抗干扰层（2）的内部设置有包覆层（3），所述包覆层（3）的内部设置有第二抗干扰层（4），所述第二抗干扰层（4）的内部设置有基材层（5），所述基材层（5）的内部设置有两个导体（6）。

2.根据权利要求1所述的一种高记忆性能的差分信号线，其特征在于，所述外护层（1）由防水层（11）、绝缘层（12）和阻燃层（13）构成，所述防水层（11）的顶部与绝缘层（12）的底部固定连接，所述防水层（11）的底部与阻燃层（13）的顶部固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种高记忆性能的差分信号线，其特征在于，所述防水层（11）由半导阻水缓冲带和焊接皱纹铝套构成，所述绝缘层（12）由交联聚乙烯材质制作而成，所述阻燃层（13）由玻璃纤维制作而成。

4.根据权利要求1所述的一种高记忆性能的差分信号线，其特征在于，所述第一抗干扰层（2）由铝箔制作而成，所述第二抗干扰层（4）由铜箔制作而成。

5.根据权利要求1所述的一种高记忆性能的差分信号线，其特征在于，所述包覆层（3）为氟化包带，所述基材层（5）由Low-DK材质制作而成。

6.根据权利要求1所述的一种高记忆性能的差分信号线，其特征在于，所述第一抗干扰层（2）的外侧涂覆有导电漆。

7.根据权利要求1所述的一种高记忆性能的差分信号线，其特征在于，所述第二抗干扰层（4）与基材层（5）之间设置有填充层（7），所述填充层（7）由陶土制作而成。

Images