CN212460115U - 一种高耦合效率且低回损的光接收组件 - Google Patents
一种高耦合效率且低回损的光接收组件 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型属于光通信技术领域，具体提供了一种高耦合效率且低回损的光接收组件，包括光电二极管及适配器，所述光电二极管与所述适配器耦合，所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座，所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内，且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上，金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔，所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置，且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内，所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。通过对光接收组件的适配器结构进行新设计，既纠正了APC面出现倾斜影响耦合效率的问题，也增大了反射光的反射角度，改善了回波损耗。
Description
技术领域
本实用新型属于光通信技术领域，具体涉及一种高耦合效率且低回损的光接收组件。
背景技术
随着5G通信网络的发展建设，推动对高速率、大容量、高性能的光模块的需求。光通信领域采用PIN探测器作为信号接收机，随着传输速率的提高，PIN的有效光接收面积会越来越小，加大了探测器的耦合难度，同时性能要求也在提高，需要提高探测器耦合效率，同时要降低回波损耗。采用常规的技术手段已经无法完全解决耦合效率和回波损耗的问题。
因此设计一种具有高耦合效率、低回损的光接收组件势在必行，以克服上述问题。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中传统光接收组件回波损耗高的问题。
为此，本实用新型提供了一种高耦合效率且低回损的光接收组件，包括光电二极管及适配器，所述光电二极管与所述适配器耦合，所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座，所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内，且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上，金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔，所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置，且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内，所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。
优选地，所述第一陶瓷插芯为PC-PC陶瓷插芯，所述第二陶瓷插芯为PC-APC陶瓷插芯。
优选地，所述PC-APC陶瓷插芯与所述PC-PC陶瓷插芯抵靠的光入射面为倾斜面，所述倾斜面的水平倾角为3.7°。
优选地，所述PC-APC陶瓷插芯的光出射面与所述PC-APC的PC竖直面的夹角为82°。
优选地，所述PC-APC陶瓷插芯的APC面与所述下台阶孔的孔径偏心方向一致。
优选地，上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心为0.1mm。
优选地，所述光电二极管为PD-T0，所述PD-T0位于所述第二陶瓷插芯的出射光路上。
优选地，所述组件还包括陶瓷套筒及金属压盖，所述陶瓷套筒内嵌于所述第一陶瓷插芯及所述上台阶孔之间，所述金属压盖密封于所述金属基座的上端部。
本实用新型的有益效果：本实用新型提供的这种高耦合效率且低回损的光接收组件，包括光电二极管及适配器，所述光电二极管与所述适配器耦合，所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座，所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内，且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上，金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔，所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置，且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内，所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。通过对光接收组件的适配器结构进行新设计，既纠正了APC面出现倾斜影响耦合效率的问题，也增大了反射光的反射角度，改善了回波损耗。
以下将结合附图对本实用新型做进一步详细说明。
附图说明
图1是本实用新型高耦合效率且低回损的光接收组件的爆炸结构示意图；
图2是本实用新型高耦合效率且低回损的光接收组件的陶瓷插芯安装结构示意图；
图3是本实用新型高耦合效率且低回损的光接收组件的装配结构示意图。
附图标记说明：金属压盖1，陶瓷套筒2，金属基座3，PC-PC陶瓷插芯4，金属压块5，PC-APC陶瓷插芯6，光电二极管7。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本实用新型实施例提供了一种高耦合效率且低回损的光接收组件，如图1至图3所示，包括光电二极管7及适配器，所述光电二极管7与所述适配器耦合，所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座3，所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座3内，且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上，其特征在于：金属基座3内设有上台阶孔及下台阶孔，所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置，且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内，所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。
其中，光电二极管7为PD-T0(铁罐形同轴封装)类型。适配器包括PC-PC陶瓷插芯4，PC-APC陶瓷插芯6，陶瓷套筒2，金属件等。特点如下：
a、陶瓷插芯有两部分组成，PC-PC陶瓷插芯4和PC-APC陶瓷插芯6。
b、PC-APC陶瓷插芯6在适配器中向APC最低点倾斜3.7°。
c、金属基座3上下内孔径偏心设计，用于补偿PC-APC陶瓷插芯6偏斜3.7°后APC面光纤横向偏移量。
d、研磨后的陶瓷插芯组件组装到金属基座3，APC面对应金属基座3的偏心方向。
e、陶瓷套筒2组装到PC-PC陶瓷插芯4上，然后组装金属压盖1。完成适配器的组装。
f、外部光源经过光纤输出到PC-PC陶瓷插芯4，PC-APC陶瓷插芯6后，光竖直传输。
h、PD-TO与组装好的组件进行耦合，封装成光接收组件。封装后的组件如图3所示。
具体的工作原理如下：
金属压块5内孔径分上下两段，上段竖直，下段倾斜3.7°。PC-PC陶瓷插芯4和PC-APC陶瓷插芯6组装到金属压块5中，然后把裸光纤从PC端传入到APC端，经过烘烤后，最后进行PC端面和APC端面研磨。金属基座3上下内孔径偏心设计0.1mm，用于补偿PC-APC陶瓷插芯6偏斜3.7°后APC面光纤横向偏移量。研磨后的陶瓷插芯组件组装到金属基座3，APC面对应金属基座3的偏心方向。陶瓷套筒2组装到PC-PC陶瓷插芯4上，然后组装金属压盖1。完成适配器的组装。外部光源经过光纤输出到PC-PC陶瓷插芯4，PC-APC陶瓷插芯6后，光竖直传输。PD-TO与组装好的组件进行耦合，封装成光接收组件。
本实用新型的有益效果：本实用新型提供的这种高耦合效率且低回损的光接收组件，包括光电二极管7及适配器，所述光电二极管7与所述适配器耦合，所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座3，所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座3内，且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上，金属基座3内设有上台阶孔及下台阶孔，所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置，且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内，所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。通过对光接收组件的适配器结构进行新设计，既纠正了APC面出现倾斜影响耦合效率的问题，也增大了反射光的反射角度，改善了回波损耗。
以上例举仅仅是对本实用新型的举例说明，并不构成对本实用新型的保护范围的限制，凡是与本实用新型相同或相似的设计均属于本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种高耦合效率且低回损的光接收组件，包括光电二极管及适配器，所述光电二极管与所述适配器耦合，所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座，所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内，且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上，其特征在于：金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔，所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置，且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内，所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。
2.根据权利要求1所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：所述第一陶瓷插芯为PC-PC陶瓷插芯，所述第二陶瓷插芯为PC-APC陶瓷插芯。
3.根据权利要求2所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：所述PC-APC陶瓷插芯与所述PC-PC陶瓷插芯抵靠的光入射面为倾斜面，所述倾斜面的水平倾角为3.7°。
4.根据权利要求3所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：所述PC-APC陶瓷插芯的光出射面与所述PC-APC的PC竖直面的夹角为82°。
5.根据权利要求2所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：所述PC-APC陶瓷插芯的APC面与所述下台阶孔的孔径偏心方向一致。
6.根据权利要求2所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心为0.1mm。
7.根据权利要求1所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：所述光电二极管为PD-T0，所述PD-T0位于所述第二陶瓷插芯的出射光路上。
8.根据权利要求1所述的高耦合效率且低回损的光接收组件，其特征在于：所述组件还包括陶瓷套筒及金属压盖，所述陶瓷套筒内嵌于所述第一陶瓷插芯及所述上台阶孔之间，所述金属压盖密封于所述金属基座的上端部。
Priority Applications (1)
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| CN202020722004.1U CN212460115U (zh) | 2020-05-06 | 2020-05-06 | 一种高耦合效率且低回损的光接收组件 |
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| CN202020722004.1U CN212460115U (zh) | 2020-05-06 | 2020-05-06 | 一种高耦合效率且低回损的光接收组件 |
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| CN202020722004.1U Active CN212460115U (zh) | 2020-05-06 | 2020-05-06 | 一种高耦合效率且低回损的光接收组件 |
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| CN (1) | CN212460115U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115061248A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-09-16 | 希烽光电科技(南京)有限公司 | 一种高响应度低回损的同轴器件的装配方法 |
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2020
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| CN115061248A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-09-16 | 希烽光电科技(南京)有限公司 | 一种高响应度低回损的同轴器件的装配方法 |
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