CN212412165U - 具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 - Google Patents
具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212412165U CN212412165U CN202021912061.2U CN202021912061U CN212412165U CN 212412165 U CN212412165 U CN 212412165U CN 202021912061 U CN202021912061 U CN 202021912061U CN 212412165 U CN212412165 U CN 212412165U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- filter
- coupling
- metal
- coupling structure
- resonant cavities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,包括:至少两个谐振腔,所述至少两个谐振腔的尺寸根据所述滤波器所需传输特性确定,所述滤波器的输入端和输出端分别位于滤波器上两个不同谐振腔的预设范围内,所述滤波器表面设置有至少一个耦合结构,所述耦合结构设置于所述至少两个谐振腔的上方,每个耦合结构包括两个分别设置于两个不同谐振腔预设范围内的金属耦合点和连接两个金属耦合点的金属线。本实用新型实施例公开的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,提供了一种结构简单的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,能够提高陶瓷介质波导滤波器的生产效率。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及滤波器技术,尤其涉及一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器。
背景技术
陶瓷介质波导滤波器以其紧凑的尺寸,低插损和较高的功率容量在无线通信设备中得到越来越广泛的应用。陶瓷介质波导滤波器往往需要在工作通带的低端频段和高端频段设置至少一个传输零点来改善近端抑制的性能。采用增加滤波器谐振腔数量的方法也可以改善滤波器带外抑制性能,但谐振腔数量的增加会增加滤波器的体积。目前较常用实现传输零点的结构是,在陶瓷介质本体上开粗细不同的盲孔实现容性或感性耦合,但其缺点是加工较细的盲孔和孔内部金属化的难度较大。也有文献提到在滤波器侧面开孔,在不同谐振腔之间添加金属探针实现零点加载,但是这种结构目前难以实现。
综上所述,目前陶瓷介质波导滤波器的传输零点结构难以加工,影响陶瓷介质波导滤波器的生产效率。
实用新型内容
本实用新型提供一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,提供了一种结构简单的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,能够提高陶瓷介质波导滤波器的生产效率。
第一方面,本实用新型实施例提供一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,包括:至少两个谐振腔;
所述至少两个谐振腔的尺寸根据所述滤波器所需传输特性确定;
所述滤波器的输入端和输出端分别位于所述滤波器上两个不同谐振腔的预设范围内;
所述滤波器表面设置有至少一个耦合结构,所述耦合结构设置于所述至少两个谐振腔的上方,每个耦合结构包括两个分别设置于两个不相邻的谐振腔预设范围内的金属耦合点和连接两个金属耦合点的金属线。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述耦合结构包括容性耦合结构,每个容性耦合结构包括两个分别设置于两个不相邻谐振腔上方预设范围内的金属耦合盘和连接两个金属耦合盘的金属线。
在第一方面一种可能的实现方式中,通过调整每个容性耦合结构的金属耦合盘的尺寸和金属线的长度,改变所述滤波器传输零点的位置及深度。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述耦合结构包括感性耦合结构,每个感性耦合结构包括两个分别设置于两个不相邻谐振腔旁预设范围内的感性耦合点和连接两个感性耦合点的金属线,所述感性耦合点包括深入所述滤波器内部的感性耦合探针或金属化盲孔。
在第一方面一种可能的实现方式中,通过调整每个感性耦合结构的金属耦合点的尺寸、深度和金属线的长度,改变所述滤波器传输零点的位置及深度。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述至少两个谐振腔之间还包括隔离结构,所述隔离结构包括设置于相邻两谐振腔之间的金属或金属化结构。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述金属或金属化结构为连续的金属或金属化结构,或者所述金属或金属化结构为点状密集分布的金属或金属化结构。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述耦合结构与所述隔离结构之间具有隔离层。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述耦合结构与所述滤波器表面的金属化层之间具有隔离层。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述至少一个耦合结构包括一个耦合结构,所述一个耦合结构的对称中心位于所述滤波器的对称中心的预设范围内。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述滤波器表面还包括双面覆盖金属层的印制电路板,所述印制电路板朝向所述滤波器表面的一侧在与所述耦合结构对应位置的金属层与周围金属层开路,或者所述印制电路板在与所述耦合结构对应位置开槽。
在第一方面一种可能的实现方式中,所述印制电路板朝向所述滤波器表面的一侧在除所述耦合结构以外的位置具有与所述滤波器表面对应的图形,所述印制电路板在所述滤波器的输入端和输出端对应的位置具有电连通两层金属层的连接结构。
本实用新型实施例提供的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,包括:至少两个谐振腔,所述至少两个谐振腔的尺寸根据所述滤波器所需传输特性确定,所述滤波器的输入端和输出端分别位于滤波器上两个不同谐振腔的预设范围内,所述滤波器表面设置有至少一个耦合结构,所述耦合结构设置于所述至少两个谐振腔的上方,每个耦合结构包括两个分别设置于两个不同谐振腔预设范围内的金属耦合点和连接两个金属耦合点的金属线,由于在滤波器表面设置有至少一个耦合结构,使得具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器具有传输零点,且在滤波器表面设置的耦合结构加工简单,可以提高陶瓷介质波导滤波器的生产效率。
附图说明
图1为传统的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图3A和图3B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图4A和图4B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图5A和图5B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图6为图5A和图5B所示具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线示意图;
图7为添加对称的耦合结构的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线示意图;
图8A和图8B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图9A和图9B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图10A和图10B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图;
图11为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
陶瓷介质波导滤波器是利用介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点设计制作的滤波器。陶瓷介质波导滤波器由数个长型谐振器纵向多级串联或并联的梯形线路构成,每个谐振器也可以称为谐振腔。陶瓷介质波导滤波器可以包括多个谐振腔,陶瓷介质波导滤波器的谐振腔的数量越多,滤波器的带外抑制性能越好。传统的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线如图1所示,图1为传统的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线示意图。如图1所示,其中S11为传统的陶瓷介质波导滤波器的回波损耗特性曲线,S12为传统的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线。从图1中可以看出,传统的陶瓷介质波导滤波器在带外的传输性能抑制较为平缓。
为了使得陶瓷介质波导滤波器的滤波性能更佳,通常需要在工作通带的低端频段和高端频段设置传输零点来改善近端抑制性能,也就是使得陶瓷介质波导滤波器传输通带两侧具有传输性能急剧降低的点。目前的陶瓷介质波导滤波器实现传输零点的方案,实现难度较大,难以大规模应用。
因此,本实用新型实施例提供一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,通过在陶瓷介质波导滤波器上设置耦合结构,使得陶瓷介质波导滤波器的带外出现传输零点,且耦合结构的加工难度低,易于实现。
图2为本实用新型实施例提供的一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,图2为俯视图,如图2所示,本实施例提供的具有传输零点结构的陶瓷介质波导滤波器(以下也简称滤波器)包括:
多个谐振腔201,在本实施例中,以8个谐振腔201,且8个谐振腔201分两排排列为例,但本实用新型实施例提供的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器中的谐振腔的数量不以此为限,只要具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器具有两个或两个以上的谐振腔,即在本实用新型实施例的范围内。
各谐振腔201的尺寸根据滤波器所需传输特性确定,传输零点的陶瓷介质波导滤波器的主要性能参数包括通带中心频率、通带带宽、带外截止频率、带内插入损耗、回波损耗、阻带抑制度等。滤波器的主要性能参数依靠谐振腔的数量、排列方式、以及各谐振腔的尺寸确定。根据滤波器所述性能参数设计陶瓷介质波导滤波器的谐振腔的尺寸、数量和排列方式是本领域技术人员的惯用技术手段,本实用新型实施例中不再赘述。
在滤波器上还具有输入端202和输出端203,输入端202和输出端203分别位于滤波器上两个不同谐振腔201的预设范围内,也就是需要滤波的信号从输入端202输入滤波器的一个谐振腔201后,依次经过各谐振腔201最终通过输出端203输出,从而达到滤波的目的。输入端202和输出端203可以分别与一个谐振腔201对应,通过不同的耦合方式与对应的谐振腔进行信号耦合。输入端202和输出端203可以位于滤波器的上表面或侧表面,采用容性耦合方式或感性耦合方式与对应的谐振腔201进行信号耦合。陶瓷介质波导滤波器的输入端和输出端的信号耦合方式可以采用目前任一种耦合方式。在本实用新型实施例中,以输入端202和输出端203位于滤波器上表面,与对应的谐振腔进行信号耦合为例进行说明。
在滤波器的表面,设置有耦合结构204,耦合结构204的数量可以为一个或多个,在本实施例中以两个耦合结构204为例。每个耦合结构204设置于谐振腔201的上方,且每个耦合结构204包括两个分别设置于两个不同谐振腔201预设范围内的金属耦合点205和连接两个金属耦合点205的金属线206。每个耦合结构204的两个金属耦合点205需要分别位于两个不同的谐振腔201的预设范围内,该预设范围可以是以谐振腔201的位置为圆心,预设范围为半径的圆的范围内。在谐振腔201预设范围内设置金属化的耦合结构204后,耦合结构204会对临近谐振腔201的传输性能产生影响,从而可以在滤波器的传输特性曲线上产生传输零点。通过调整耦合结构204中金属耦合点205和金属线206的尺寸,可以改变滤波器传输零点的位置及深度。
另外,可选地,在各谐振腔201之间还包括隔离结构207,所述隔离结构207包括设置于相邻两谐振腔201之间的金属或金属化结构。隔离结构207用于减少不同谐振腔201之间不必要的耦合。相邻谐振腔201之间被隔离的部分越多,也就是隔离结构207的长度越长,则相邻谐振腔201之间的耦合能力越弱。例如图中输入端202和输出端203对应的谐振腔201之间的隔离结构207最长,避免输入端202和输出端203对应的谐振腔201之间产生信号耦合。
隔离结构207中所述金属或金属化结构可以为连续的金属或金属化结构,或者所述金属或金属化结构为点状密集分布的金属或金属化结构,且点状密集分布的金属或金属化结构近似完整的金属或金属化结构。其中,相邻谐振腔201之间金属化结构可以为相邻谐振腔201之间的金属化槽。
进一步地,在滤波器设置了隔离结构207后,滤波器中的耦合结构204与隔离结构207之间还需要进行隔离,即具有隔离层208。隔离层208的目的是避免耦合结构204与隔离结构207之间存在电连接。当隔离结构207位于滤波器表面时,在滤波器表面需要在隔离结构207和耦合结构204之间存在去除金属化的部分。当隔离结构207位于滤波器内部,例如为金属化槽时,还可以是隔离结构207与上方的隔离结构204之间具有非金属化的窗口。总之,隔离层208需要使得隔离结构207与耦合结构204之间不存在电连接。
进一步地,所述耦合结构204与所述滤波器表面的金属化层209之间也需要具有隔离层210。一般地,滤波器的表面全部金属化,具有金属化层209,需要使耦合结构204与滤波器表面的金属化层209之间也相互隔离,避免影响耦合结构204的性能。只要去除耦合结构204与所述滤波器表面的金属化层209之间的一圈金属化层,即可实现耦合结构204与所述滤波器表面的金属化层209之间的隔离,也即使得耦合结构204与所述滤波器表面的金属化层209之间具有隔离层210。
本实用新型实施例提供的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,包括:至少两个谐振腔,所述至少两个谐振腔的尺寸根据所述滤波器所需传输特性确定,所述滤波器的输入端和输出端分别位于所述滤波器上两个不同谐振腔的预设范围内,所述滤波器表面设置有至少一个耦合结构,所述耦合结构设置于所述至少两个谐振腔的上方,每个耦合结构包括两个分别设置于两个不同谐振腔设范围内的金属耦合点和连接两个金属耦合点的金属线,由于在滤波器表面设置有至少一个耦合结构,使得具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器具有传输零点,且在滤波器表面设置的耦合结构加工简单,可以提高陶瓷介质波导滤波器的生产效率。
本实用新型实施例提供的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器中的耦合结构可以由两种不同形式实现,其中一种为容性耦合结构,另一种为感性耦合结构,容性耦合结构和感性耦合结构可以独立设置也可以混合设置,下面分别进行详细说明。
图3A和图3B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,其中图3A为俯视图,图3B为侧视图,本实施例提供的滤波器中,耦合结构为容性耦合结构。如图3A和图3B所示,本实施例中示出8个耦合腔301、输入端302和输出端303和两个容性耦合结构304。
每个容性耦合结构304包括两个分别设置于两个不同谐振腔304上方的金属耦合盘305和连接两个金属耦合盘305的金属线306。每个容性耦合结构304的两个金属耦合盘305需要分别位于两个不同的谐振腔301上方,可以为谐振腔301的正上方或者上方的预设范围内。每个容性耦合结构304相当于位于两个或多个谐振腔301之间,每个容性耦合结构304相当于在两个或多个谐振腔301之间加入了一个电容,从而可以达到改变谐振腔301的传输性能的目的。金属耦合盘305的形状不限,例如可以为圆形、方形、菱形、椭圆形或不规则形状。各容性耦合结构304的两个金属耦合盘305可以相同也可以不同。连接两个金属耦合盘305的金属线306的形状同样不限,例如可以为直线、折线或任意曲线。每个容性耦合结构304可以关于滤波器中心对称设置,也可以不对称设置。
当滤波器表面金属化处理后,为了使容性耦合结构304与滤波器表面的金属化层隔离,可以在金属耦合盘305和金属线306一周进行去金属化处理。另外,当滤波器表面具有隔离结构307时,隔离结构307与容性耦合结构304之间也需要进行隔离。例如图3A中示出,位于滤波器表面的隔离结构307与容性耦合结构304之间进行了去金属化处理,再如图3B所示,位于滤波器内部的隔离结构307与容性耦合结构304之间具有非金属化的窗口308。另外,容性耦合结构304与滤波器表面的金属化层209之间还可以具有隔离层310。
通过调整容性耦合结构304的金属耦合盘305的尺寸和金属线306的长度,能够改变所述滤波器传输零点的位置及深度。
图4A和图4B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,其中图4A为俯视图,图4B为侧视图,本实施例提供的滤波器中,耦合结构为感性耦合结构。如图4A和图4B所示,本实施例中示出8个耦合腔401、输入端402和输出端403和两个感性耦合结构404。
每个感性耦合结构404包括两个分别设置于两个不同谐振腔404附近的感性耦合点405和连接两个感性耦合点405的金属线406,所述感性耦合点405包括深入所述滤波器内部的感性耦合探针或金属化盲孔。每个感性耦合结构404的两个感性耦合点405需要分别位于两个不同的谐振腔404旁预设范围内。每个感性耦合结构404相当于位于两个或多个谐振腔401之间,每个感性耦合结构404相当于在两个或多个谐振腔401之间加入了一个电感,从而可以达到改变谐振腔401的传输性能的目的。感性耦合点405可以为深入滤波器内部的感性耦合探针或金属化盲孔,其形状不限,例如可以为圆形、方形、菱形、椭圆形或不规则形状。各感性耦合结构404的两个感性耦合点405可以相同也可以不同。连接两个感性耦合点405的金属线406的形状同样不限,例如可以为直线、折线或任意曲线。每个感性耦合结构404可以关于滤波器中心对称设置,也可以不对称设置。
当滤波器表面金属化处理后,为了使感性耦合结构404与滤波器表面的金属化层隔离,可以在感性耦合点405和金属线406一周进行去金属化处理。另外,当滤波器表面具有隔离结构407时,隔离结构407与感性耦合结构404之间也需要进行隔离。例如图4A中示出,位于滤波器表面的隔离结构407与感性耦合结构404之间进行了去金属化处理,再如图4B所示,位于滤波器内部的隔离结构407与感性耦合结构404之间具有非金属化的窗口408。另外,感性耦合结构404与滤波器表面的金属化层409之间还可以具有隔离层410。
通过调整感性耦合结构404的金属耦合点405的尺寸、深度和金属线406的长度,能够改变滤波器传输零点的位置及深度。
图3A、图3B所示的容性耦合结构和图4A、图4B所示的感性耦合结构可以单独使用,也可以同时使用。如图5A和图5B所示,图5A和图5B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,其中图5A为俯视图,图5B为侧视图,本实施例提供的滤波器中,包括两个耦合结构,分别为容性耦合结构和感性耦合结构。
其中,本实施例中示出8个耦合腔501、输入端502和输出端503和容性耦合结构504、感性耦合结构505。容性耦合结构504和感性耦合结构505的具体结构如图3A、图3B以及图4A、图4B所示。其中,容性耦合结构504包括金属耦合盘506和金属线507,感性耦合结构505包括感性耦合点508和金属线507。
另外,本实施例中,还可以包括隔离结构509,隔离结构509与容性耦合结构504和感性耦合结构505的关系同样如图3A、图3B以及图4A、图4B所示。窗口510与窗口308和窗口408类似。
在滤波器同时使用容性耦合结构和感性耦合结构后,在滤波器通带两段均能出现零点。图6为图5A和图5B所示具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线示意图。如图6所示,其中S11-6为回波损耗特性曲线,S12-6为传输特性曲线。从图6中可以看出,图5A和图5B所示的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器在通带两侧均具有传输零点,且通带左侧还出现了两个传输零点。
另外,本实用新型实施例提供的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器中,耦合结构可以关于滤波器中心对称设置或者不对称设置。若耦合结构的对称中心位于所述滤波器的对称中心的预设范围内,可以认为耦合结构相对于滤波器基本对称,那么一个耦合结构,无论耦合结构为容性耦合结构还是感性耦合结构,均可以使得滤波器出现双侧传输零点。如图7所示,图7为添加对称的耦合结构的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的传输特性曲线和回波损耗特性曲线示意图,其中S11-7为回波损耗特性曲线,S12-7为传输特性曲线。图7为在图1所示曲线示意图对应的陶瓷介质波导滤波器上添加对称的容性耦合结构或感性耦合结构后的曲线示意图,从图7中可以看出,在滤波器上增加一个对称的容性耦合结构或感性耦合结构后,回波损耗不会有太大变化,而从传输性能曲线中可以看出,会出现双侧传输零点。
图8A和图8B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,其中图8A为俯视图,图8B为侧视图,本实施例提供的滤波器中,容性耦合结构为非对称斜跨设置。如图8A和图8B所示,本实施例中示出4个耦合腔801、输入端802和输出端803和容性耦合结构804。
容性耦合结构804的两个金属耦合盘805分别位于相邻对角谐振腔801附近。容性耦合结构804的具体结构与图3A和图3B所示容性耦合结构相同,此处不再赘述。容性耦合结构804还包括金属线806,具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器还包括隔离结构807。窗口808与窗口308类似。
图9A和图9B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,其中图9A为俯视图,图9B为侧视图,本实施例提供的滤波器中,感性耦合结构为非对称斜跨设置。如图9A和图9B所示,本实施例中示出4个耦合腔901、输入端902和输出端903和感性耦合结构904。
感性耦合结构904的两个感性耦合点905分别位于相邻对角谐振腔901附近。感性耦合结构904的具体结构与图4A和图4B所示感性耦合结构相同,此处不再赘述。感性耦合结构904还包括金属线906,具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器还包括隔离结构907。窗口908与窗口408类似。
图8A、图8B和图9A、图9B所示的斜跨式容性耦合结构和斜跨式感性耦合结构可以单独使用,也可以联合使用。
在上述各实施例所示的具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器中,各耦合结构,无论是容性耦合结构还是感性耦合结构,每个耦合结构的两个金属耦合点可以分别设置于两个信号传输路径不相邻的谐振腔预设范围内。也就是说,耦合结构设置于滤波器内信号传输路径上不相邻的两个谐振腔之间。例如图3A和图3B所示实施例中,滤波器的信号传输路径是从输入端302到输出端303,也就是从输入端302对应的谐振腔301沿顺时针方向依次经过各谐振腔301,最后到达输出端303对应的谐振腔301,那么输入端302对应的谐振腔301和输出端303对应的谐振腔301就是信号传输路径不相邻的谐振腔。
当然,对于两个信号传输路径相邻的谐振腔之间,也可以设置耦合结构。陶瓷介质波导滤波器中的各谐振腔之间均是采用感性耦合方式进行信号耦合,因此也可以在两个信号传输路径相邻的谐振腔之间增加容性耦合结构,同样可以达到改变陶瓷介质波导滤波器的传输性能的目的,使得陶瓷介质波导滤波器具有传输零点。
图10A和图10B为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,其中图10A为俯视图,图10B为侧视图,本实施例提供的滤波器中,滤波器表面还包括双面覆盖金属层的印制电路板。如图10A和图10B所示,本实施例提供的传输零点的陶瓷介质波导滤波器在图4A和图4B的基础上,还包括覆盖于滤波器表面的印制电路板100。
印制电路板100双面覆盖金属层,其中朝向滤波器表面的一侧为下层金属层101,远离滤波器表面的一侧为上层金属层102,中间为绝缘介质103,绝缘介质的介电常数大于1。下层金属层101在与所述耦合结构304对应位置的金属层与周围金属层开路,或者印制电路板100在与所述耦合结构304对应位置开槽。也就是说,印制电路板的下层金属层101上的金属层与耦合结构没有电连接,保持开路状态。具体地,可以通过移除下层金属层101上与耦合结构304对应位置的金属层,或者直接印制电路板100上与耦合结构304对应的位置开一镂空槽,如图11所示,图11为本实用新型实施例提供的另一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器的结构示意图,图11仅示出俯视图,在图11中,印制电路板100上具有镂空槽104。
另外,所述印制电路板100朝向所述滤波器表面的一侧在除所述耦合结构304以外的位置具有与所述滤波器表面对应的图形,所述印制电路板100在所述滤波器的输入端302和输出端303对应的位置具有电连通两层金属层,即连通上层金属层102和下层金属层101的连接结构105。连通上层金属层102和下层金属层101的连接结构105可以为金属化的通孔或者其他可能的形式。
注意,上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (13)
1.一种具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器,其特征在于,包括:至少两个谐振腔;
所述至少两个谐振腔的尺寸根据所述滤波器所需传输特性确定;
所述滤波器的输入端和输出端分别位于所述滤波器上两个不同谐振腔的预设范围内;
所述滤波器表面设置有至少一个耦合结构,所述耦合结构设置于所述至少两个谐振腔的上方,每个耦合结构包括两个分别设置于两个不同谐振腔预设范围内的金属耦合点和连接两个金属耦合点的金属线。
2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述耦合结构包括容性耦合结构,每个容性耦合结构包括两个分别设置于两个不同谐振腔上方预设范围内的金属耦合盘和连接两个金属耦合盘的金属线。
3.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,通过调整每个容性耦合结构的金属耦合盘的尺寸和金属线的长度,改变所述滤波器传输零点的位置及深度。
4.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述耦合结构包括感性耦合结构,每个感性耦合结构包括两个分别设置于两个不同谐振腔旁预设范围内的感性耦合点和连接两个感性耦合点的金属线,所述感性耦合点包括深入所述滤波器内部的感性耦合探针或金属化盲孔。
5.根据权利要求4所述的滤波器,其特征在于,通过调整每个感性耦合结构的金属耦合点的尺寸、深度和金属线的长度,改变所述滤波器传输零点的位置及深度。
6.根据权利要求1~5任一项所述的滤波器,其特征在于,每个耦合结构的两个金属耦合点分别设置于两个信号传输路径不相邻的谐振腔预设范围内。
7.根据权利要求1~5任一项所述的滤波器,其特征在于,所述至少两个谐振腔之间还包括隔离结构,所述隔离结构包括设置于相邻两谐振腔之间的金属或金属化结构。
8.根据权利要求7所述的滤波器,其特征在于,所述金属或金属化结构为连续的金属或金属化结构,或者所述金属或金属化结构为点状密集分布的金属或金属化结构。
9.根据权利要求7所述的滤波器,其特征在于,所述耦合结构与所述隔离结构之间具有隔离层。
10.根据权利要求1~5任一项所述的滤波器,其特征在于,所述耦合结构与所述滤波器表面的金属化层之间具有隔离层。
11.根据权利要求1~5任一项所述的滤波器,其特征在于,所述至少一个耦合结构包括一个耦合结构,所述一个耦合结构的对称中心位于所述滤波器的对称中心的预设范围内。
12.根据权利要求1~5任一项所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器表面还包括双面覆盖金属层的印制电路板,所述印制电路板朝向所述滤波器表面的一侧在与所述耦合结构对应位置的金属层与周围金属层开路,或者所述印制电路板在与所述耦合结构对应位置开槽。
13.根据权利要求12所述的滤波器,其特征在于,所述印制电路板朝向所述滤波器表面的一侧在除所述耦合结构以外的位置具有与所述滤波器表面对应的图形,所述印制电路板在所述滤波器的输入端和输出端对应的位置具有电连通两层金属层的连接结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021912061.2U CN212412165U (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021912061.2U CN212412165U (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN212412165U true CN212412165U (zh) | 2021-01-26 |
Family
ID=74372030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202021912061.2U Active CN212412165U (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN212412165U (zh) |
-
2020
- 2020-09-04 CN CN202021912061.2U patent/CN212412165U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008118615A (ja) | バンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器 | |
US5731746A (en) | Multi-frequency ceramic block filter with resonators in different planes | |
JP4849959B2 (ja) | バンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器 | |
CN106876847A (zh) | 基于交指耦合谐振器的宽带带通滤波器 | |
CN109830789B (zh) | 一种基于折叠基片集成波导和互补开口谐振环的宽带带通滤波器 | |
JP4365858B2 (ja) | 低プロファイルセラミックrfフィルター | |
US5949304A (en) | Multilayer ceramic package with floating element to couple transmission lines | |
CN112072222A (zh) | 具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 | |
CN107690727B (zh) | 多频带rf单块滤波器 | |
CN111403861B (zh) | 一种uir加载的三阶双通带基片集成波导滤波器 | |
CN212412165U (zh) | 具有传输零点的陶瓷介质波导滤波器 | |
CN107946710A (zh) | 基于rqmsiw的超紧凑双频段带通滤波器 | |
CN114284656B (zh) | 一种频率和带宽独立可控的双通带介质波导滤波器 | |
US8629738B2 (en) | Complex resonator, bandpass filter, and diplexer, and wireless communication module and wireless communication device using same | |
CN112805875A (zh) | 谐振器并联耦合滤波器以及通信装置 | |
JP4889539B2 (ja) | バンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器 | |
JP4535267B2 (ja) | 電子部品 | |
JP5288903B2 (ja) | バンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器 | |
KR101681899B1 (ko) | 유전체 필터 | |
KR100867850B1 (ko) | 고주파 필터 및 그 제조방법 | |
KR100330685B1 (ko) | 감쇠극을 갖는 일체형 유전체 필터 | |
KR20020011949A (ko) | 개량된 유전세라믹필터용 등가회로 | |
JP3676885B2 (ja) | チップ型積層フィルタ | |
JP4949212B2 (ja) | バンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれを用いた無線通信機器 | |
KR101670893B1 (ko) | 유전체 필터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |