CN212230427U - 一种定点冷却SiC混合功率模块 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及了一种定点冷却SiC混合功率模块，包括内部芯片；该内部芯片包括IGBT芯片和SiC二极管；该定点冷却SiC混合功率模块还包括：上DBC基板位于内部芯片的上方；下DBC基板位于内部芯片的下方；上热沉和下热沉分别位于上DBC基板的上端和下DBC基板的下端；上热脂层位于上热沉与上DBC基板之间；下热脂层位于下热沉与下DBC基板之间；上微通道结构设于上热脂层和上DBC基板内且向下延伸；下微通道结构设于下热脂层和下DBC基板内且向上延伸。本申请提供的定点冷却SiC混合功率模块有效降低功耗，成本较低，以及可以进行双面换热冷却，集中针对热源的热点区域性散热，散热高效，避免定点冷却SiC混合功率模块电热疲劳加快，影响定点冷却SiC混合功率模块的工作性能。

Description

一种定点冷却SiC混合功率模块
技术领域
本实用新型涉及一种电子功率模块，尤其涉及一种定点冷却SiC混合功率模块。
背景技术
IGBT模块，即绝缘栅双极型晶体管，广泛应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前，现有的IGBT模块由IGBT芯片与Si-FRD(硅快恢复二极管)通过特定电路桥接封装，形成混合功率模块；该GBT模块的内部芯片具体通过键合线连接并引出至输出端，属于平板堆叠模型，为单面散热模型，大部分热量仅通过下方的基板传递到外界；但是该IGBT模块具有电热疲劳特性，散热效果较差，在工作期间产生发电热效应，导致其温度上升，电热疲劳加快，严重时工作性能会下降。特别在电动汽车中，IGBT模块温度循环次数多，结温变化幅度可达40℃以上，因此，由IGBT模块温度循环造成的热应力问题尤为严重。相关统计表明，功率模块接近55％的失效原因是由于内部芯片散热效果差，导致结温升高，加快器件疲劳失效进程。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服了现有技术的问题，提供了一种低功耗、双面散热效率高的定点冷却SiC混合功率模块。
为了达到上述目的，本实用新型采用以下方案：
一种定点冷却SiC混合功率模块，包括内部芯片，所述内部芯片包括IGBT芯片和SiC二极管；所述IGBT芯片与所述SiC二极管相串联；所述定点冷却SiC混合功率模块还包括：
上DBC基板，其位于所述内部芯片的上方；
下DBC基板，其位于所述内部芯片的下方；
上热沉、下热沉；所述上热沉和下热沉分别位于所述上DBC基板的上端和下DBC基板的下端；
上热脂层，其位于所述上热沉与上DBC基板之间；
下热脂层，其位于所述下热沉与下DBC基板之间；
上微通道结构，其设于所述上热脂层和所述上DBC基板内且向下延伸；
下微通道结构，其设于所述下热脂层和所述下DBC基板内且向上延伸。
进一步地，所述上热沉内设有位于所述上DBC基板上方的上TEC制冷片；所述下热沉内设有位于所述下DBC基板下方的下TEC制冷片。
进一步地，所述上微通道结构设于所述上TEC制冷片的下方且向下贯穿所述上热脂层并穿过所述上DBC基板；所述下微通道结构设于所述下TEC制冷片的上方且向上贯穿所述下热脂层并穿过所述下DBC基板。
进一步地，所述上DBC基板与下DBC基板之间具有2个所述内部芯片；所述上微通道结构的数量为3条；所述下微通道结构的数量为3条。
进一步地，所述上TEC制冷片位于IGBT芯片的上方，所述下TEC制冷片位于IGBT芯片的下方；所述上微通道结构向下垂直于所述上热脂层和上DBC基板；所述下微通道结构向上垂直于所述下热脂层和下DBC基板。
进一步地，所述上微通道结构和下微通道结构均为圆孔通道；所述上微通道结构的直径为10μm～1000μm；所述下微通道结构的直径为10μm～1000μm。
进一步地，所述上微通道结构的直径为10μm、50μm或100μm；所述下微通道结构的直径均10μm、50μm或100μm。
进一步地，所述上DBC基板的下端开设有上凹口；所述下DBC基板的上端开设有下凹口；所述上凹口和下凹口在上DBC基板和下DBC基板压接封装时形成一个用于灌入惰性气体的密封腔；所述内部芯片位于所述密封腔内。
进一步地，所述上DBC基板与所述下DBC基板相对所述内部芯片相对称；所述上DBC基板由上至下依次包括外铜层、AlN陶瓷层和内铜层；所述下DBC基板由下至上依次包括所述外铜层、AlN陶瓷层和内铜层；
所述上微通道结构贯穿所述外铜层、AlN陶瓷层且所述上微通道结构的下端面与所述内铜层的上端面相接触；
所述下微通道结构贯穿所述外铜层、AlN陶瓷层且所述下微通道结构的上端面与所述内铜层的下端面相接触；
所述上凹口和下凹口对应设于所述上DBC基板和下DBC基板的内铜层上。
进一步地，所述上热脂层和下热脂层的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述外铜层和内铜层的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述AlN陶瓷层的厚度为0.7mm～0.9mm。
进一步地，所述上热脂层和下热脂层的厚度均为0.3mm；所述外铜层和内铜层的厚度均为0.4mm；所述AlN陶瓷层的厚度为0.9mm。
进一步地，所述上DBC基板与所述内部芯片之间、所述下DBC基板与内部芯片之间分别设有上缓冲层和下缓冲层。
进一步地，所述上缓冲层和下缓冲层均为Mo缓冲层；所述上缓冲层和下缓冲层的厚度均为0.1mm～0.3mm。
进一步地，所述上缓冲层和下缓冲层的厚度均为0.2mm。
进一步地，所述IGBT芯片和SiC二极管均具有两个；两个所述SiC二极管位于两个所述 IGBT芯片的后方。
与现有的技术相比，本实用新型具有如下优点：
1.本实用新型的定点冷却SiC混合功率模块通过用SiC二极管代替Si-FRD(硅快恢复二极管)，通过铜层布线与IGBT芯片相连接，构成一个半桥式拓扑结构，形成一种混合功率模块，有效降低功耗，提高开关速度，降低热量的散发，提升产品的整体可靠性，而且成本较低。
2.本实用新型的定点冷却SiC混合功率模块通过压接式封装的方式形成，在内部芯片的上表面上由上至下依次设置了上热沉、上热脂层和上DBC基板；在内部芯片的下表面上由下至上依次设置了下热沉、下热脂层和下DBC基板，通过压接式封装形成定点冷却SiC混合功率模块，形成双面散热结构，在上热沉和下热沉两侧的冷空气的作用下，双向进行双面换热冷却，同时，在上热脂层和上DBC基板内设置上微通道结构，下热脂层和下DBC基板内设置下微通道结构可以消除热扩散效应，从而将冷却效果集中在内部芯片上，集中针对热源的热点区域性散热，提升整体散热的均匀性，加快散热效率，避免定点冷却SiC混合功率模块电热疲劳加快，影响定点冷却SiC混合功率模块的工作性能。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的定点冷却SiC混合功率模块的结构示意图。
图2是本实用新型的定点冷却SiC混合功率模块的内部芯片的俯视结构示意图。
图3是本实用新型的定点冷却SiC混合功率模块的内部芯片的半桥式拓扑结构的电路示意图。
图4是本实用新型的现有的IGBT模块的结构示意图。
图中包括：
内部芯片1、IGBT芯片11、SiC二极管12、上DBC基板2、下DBC基板3、上热沉4、下热沉5、上热脂层6、下热脂层7、上TEC制冷片8、下TEC制冷片9、上微通道结构10、下微通道结构13、上凹口14、下凹口15、密封腔16、外铜层17、AlN陶瓷层18、内铜层19、上缓冲层20、下缓冲层21。
具体实施方式
结合以下实施例对本申请作进一步描述。
如图1至图4，一种定点冷却SiC混合功率模块，包括内部芯片1，所述内部芯片1包括 IGBT芯片11和SiC二极管12；所述IGBT芯片11与所述SiC二极管12相串联；所述定点冷却SiC混合功率模块还包括上DBC基板2、下DBC基板3、上热沉4、下热沉5、上热脂层6、下热脂层7、上微通道结构10和下微通道结构13。其中，上DBC基板2位于所述内部芯片1 的上方；下DBC基板3位于所述内部芯片1的下方；所述上热沉4和下热沉5分别位于所述上DBC基板2的上端和下DBC基板3的下端；上热脂层6位于所述上热沉4与上DBC基板2 之间；下热脂层7位于所述下热沉5与下DBC基板3之间；上微通道结构10设于所述上热脂层6和所述上DBC基板2内且向下延伸；下微通道结构13设于所述下热脂层7和所述下DBC 基板3内且向上延伸。
该定点冷却SiC混合功率模块通过用SiC二极管12代替Si-FRD(硅快恢复二极管)，通过铜层布线与IGBT芯片11相连接，构成一个半桥式拓扑结构，形成一种混合功率模块，有效降低功耗，提高开关速度，降低热量的散发，提升产品的整体可靠性，而且成本较低；同时，采用压接式封装的方式形成定点冷却SiC混合功率模块，在内部芯片1的上表面上由上至下依次设置了上热沉4、上热脂层6和上DBC基板2；在内部芯片1的下表面上由下至上依次设置了下热沉5、下热脂层7和下DBC基板3，通过压接式封装形成定点冷却SiC混合功率模块，形成双面散热结构，在上热沉4和下热沉5两侧的冷空气的作用下，双向进行双面换热冷却；同时，由于上DBC基板2和下DBC基板3的散热效应，沿上DBC基板2和下DBC 基板3的横向热流会损失一部分冷却性能，在上热脂层4和上DBC基板2内设置上微通道结构10，下热脂层5和下DBC基板3内设置下微通道结构13可以消除热扩散效应，从而将冷却效果集中在内部芯片1上，集中针对热源的热点区域性散热，提升整体散热的均匀性，加快散热效率，避免定点冷却SiC混合功率模块电热疲劳加快，影响定点冷却SiC混合功率模块的工作性能。
所述IGBT芯片11和SiC二极管12均具有两个；两个所述SiC二极管12位于两个所述IGBT芯片11的后方。通过在两个IGBT芯片11的后方设置两个SiC二极管12，通过在两个IGBT芯片11和两个SiC二极管12进行铜层布线，构成一个半桥式拓扑结构，经过加工后，形成所述内部芯片1，同时进行双面换热冷却，加快散热效率，提升内部芯片1的工作性能。
由于铜和硅的热膨胀系数差异较大，为了减少铜层布线与IGBT芯片11和两个SiC二极管12的表面之间热循环的机械应力，所述上DBC基板2与所述内部芯片1之间、所述下DBC 基板3与内部芯片1之间分别设有上缓冲层20和下缓冲层21。优选的，所述上缓冲层20和下缓冲层21均为Mo缓冲层，即钼缓存层。通过设置上缓冲层20和下缓冲层21，有助于减少铜层布线与IGBT芯片11和SiC二极管12的表面之间热循环的机械应力，采用直接压接结构，即使用铜层布线在IGBT芯片11和两个SiC二极管12的表面的上下表面上施加压力，均衡压力，避免内部芯片1承受过大压力，有利于铜层布线分别与IGBT芯片11和两个SiC二极管12形成良好接触。其中，所述上缓冲层20和下缓冲层21的厚度为0.1mm～0.3mm。优选的，所述上缓冲层20和下缓冲层21的厚度为0.2mm。通过设定上缓冲层20和下缓冲层21 的厚度范围，有助于减少铜层布线与IGBT芯片11和两个SiC二极管12的表面之间热循环的机械应力，均衡压力，避免内部芯片1承受过大压力，以及适当设置上缓冲层20和下缓冲层 21的厚度范围，可以避免成本过高。
为了加快定点冷却SiC混合功率模块的散热效率，所述上热沉4内设有位于所述上DBC 基板2上方的上TEC制冷片8；所述下热沉5内设有位于所述下DBC基板3下方的下TEC制冷片9。该上TEC制冷片8和下TEC制冷片9结构简单，尺寸小，可靠性高。该上TEC制冷片8和下TEC制冷片9由2片绝缘陶瓷材料、8对N、P型半导体材料通过金属Cu串联组成，通过外加直流电源，实现制冷。通过在上热沉4和下热沉5的下端分别开设定位槽，将上TEC 制冷片8和下TEC制冷片9对应内嵌于定位槽内，从内部芯片1的上下方向实现双向定点定区域散热，极大地优化内部芯片1所在区域的散热情况，优化整体的散热均匀性。
所述上微通道结构10设于所述上TEC制冷片8的下方且向下贯穿所述上热脂层6并穿过所述上DBC基板2；所述下微通道结构13设于所述下TEC制冷片9的上方且向上贯穿所述下热脂层7并穿过所述下DBC基板3。由于上DBC基板2和下DBC基板3的散热效应，沿上DBC 基板2和下DBC基板3的横向热流分别会损失一部分上TEC制冷片8的冷却性能和下TEC制冷片9的冷却性能，因此，通过设置上微通道结构10和下微通道结构13，以消除热扩散效应，从而将上TEC制冷片8和下TEC制冷片9的冷却效果集中在内部芯片1上，提升定点散热效果。
在本具体实施方式中，所述上DBC基板2与下DBC基板3之间具有2个所述内部芯片1；所述上微通道结构10的数量最多为3条；所述下微通道结构13的数量最多为3条。优选的，所述上微通道结构10的数量为3条；所述下微通道结构13的数量为3条。3条上微通道结构10均匀排位分布在上TEC制冷片8的下方；3条下微通道结构13均匀排位分布在下TEC 制冷片9的上方。根据2个内部芯片1，合理限定上微通道结构10和下微通道结构13的数量范围，最多可以为3条，一方面可以消除热扩散效应，从而将上TEC制冷片8和下TEC制冷片9的冷却效果集中在两个内部芯片1上，提升定点散热效果；另一方面，避免上微通道结构10和下微通道结构13的数量过多，造成定点冷却SiC混合功率模块的结构不稳定。当然，在另一具体实施方式中，内部芯片1的数量也可以为1个，上微通道结构10和下微通道结构13的数量都是最多为2个。
所述上微通道结构10和下微通道结构13均为圆孔通道；所述上微通道结构10和下微通道结构13的直径均为10μm～1000μm。通过将上微通道结构10和下微通道结构13的直径限定在10μm～1000μm内，使上DBC基板2和下DBC基板3具有良好的承压性能，避免在压接式封装的过程中，由于失衡，使内部芯片1承受压力过大，导致损坏。所述上微通道结构 10和下微通道结构13的优选直径均为10μm、50μm、100μm三种规格。具体的，所述上微通道结构10和下微通道结构13的最优直径为50μm。将上微通道结构10和下微通道结构13 的直径设置为50μm，可以保证上DBC基板2和下DBC基板3的结构稳定性，具有良好的承压性能，同时内部芯片1的散热效果达到最优。当然，在另一些具体实施方式中，上微通道结构10和下微通道结构13也可以为多变形通道，例如方形通道、三角形通道、六边形通道等。
由于功率模块的热量主要是由IGBT芯片11产生，具体的，所述上TEC制冷片8位于IGBT 芯片11的上方，所述下TEC制冷片9位于IGBT芯片11的下方。通过在内部芯片1所对应的 IGBT芯片11区域进行定点冷却，主要通过上TEC制冷片8、下TEC制冷片9与上微通道结构10、下微通道结相结合，集中针对热源的热点区域性散热，使定点冷却SiC混合功率模块散热效果更显著，提升整体散热的均匀性。
优选的，所述上微通道结构10向下垂直于所述上热脂层6和上DBC基板2；所述下微通道结构13向上垂直于所述下热脂层7和下DBC基板3。通过设置上微通道结构10向下垂直于上热脂层6和上DBC基板2，以及下微通道结构13向上垂直于下热脂层7和下DBC基板3，使上DBC基板2和下DBC基板3具有良好的承压性能，同时，设置上微通道结构10和下微通道结构13的长度最短，结构简单，节约加工成本，以及可以避免在压接式封装的过程中，由于失衡，使内部芯片1承受压力过大，导致损坏。
所述上DBC基板2的下端开设有上凹口14；所述下DBC基板3的上端开设有下凹口15；所述上凹口14和下凹口15分别在上DBC基板2和下DBC基板3压接封装时形成一个用于灌入惰性气体的密封腔16；所述内部芯片1位于所述密封腔16内。在上DBC基板2和下DBC 基板3压接封装时，可以将上凹口14和下凹口15相合密封形成一个密封腔16，通过在该密封腔16内灌入惰性气体以防止金属材料氧化，具体是防止内部芯片1上的金属被氧化。
所述上DBC基板2与所述下DBC基板3相对所述内部芯片1相对称；所述上DBC基板2由上至下依次包括外铜层17、AlN陶瓷层18和内铜层19；所述下DBC基板3由下至上依次包括所述外铜层17、AlN陶瓷层18和内铜层19；所述上微通道结构10贯穿所述外铜层17、 AlN陶瓷层18且所述上微通道结构10的下端面与所述内铜层19的上端面相接触；所述下微通道结构13贯穿所述外铜层17、AlN陶瓷层18且所述下微通道结构13的上端面与所述内铜层19的下端面相接触；所述上凹口14和下凹口15对应设于所述上DBC基板2和下DBC基板 3的内铜层19上。在外铜层17和内铜层19之间设置AlN陶瓷层18，AlN陶瓷层18的热导率为170～240W/(mK)，热膨胀系数为3.3～5.0x10-6/K，具有良好的绝缘和导热的作用。该上DBC基板2和下DBC基板3均由外铜层17、AlN陶瓷层18和内铜层19构成，由于Cu和 AlN陶瓷层18能充分反应键合，两者牢固结合，原因在于：在常规的高温的条件下，使AlN 陶瓷层18与氧气发生氧化,并在AlN陶瓷层18的表面形成一层致密氧化铝薄膜，以及外铜层17或内铜层19与氧气反应，外铜层17或内铜层19的表面生产氧化亚铜，然后氧化铝薄膜再与氧化亚铜反生反应生成CuAlO2，使外铜层17、内铜层19和AlN陶瓷层18能充分反应键合，三者牢固结合，通过上DBC基板2与下DBC基板3作为基板，对内部芯片1进行压接式封装后，不仅作为绝缘、高效导热层，而且可以交直接与上热沉4、上热脂层6、上TEC制冷片8、下热沉5、下热脂层7、下TEC制冷片9形成的双面散热器相连，进行热交换。
其中，所述上热脂层6和下热脂层7的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述外铜层17和内铜层19的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述AlN陶瓷层18的厚度为0.7mm～0.9mm。优选的，所述上热脂层6和下热脂层7的厚度均为0.4mm；所述AlN陶瓷层18的厚度为0.9mm。通过设定上热脂层6和下热脂层7的厚度范围和AlN陶瓷层18的厚度范围，使上DBC基板2和下DBC 基板3具有高效导热性，可以实现双面换热冷却，加快散热效率。
该定点冷却SiC混合功率模块通过用SiC二极管12代替Si-FRD(硅快恢复二极管)，通过铜层布线与IGBT芯片11相连接，构成一个半桥式拓扑结构，形成一种混合功率模块，有效降低功耗，提高开关速度，降低热量的散发，提升产品的整体可靠性，而且成本较低；同时，采用压接式封装的方式形成定点冷却SiC混合功率模块，在内部芯片1的上下方设置了上DBC基板2、下DBC基板3、上热沉4、下热沉5、上热脂层6、下热脂层7、上TEC制冷片8、下TEC制冷片9、上微通道结构10、下微通道结构13，通过压接式封装形成定点冷却 SiC混合功率模块，形成双面散热结构，在上热沉4和下热沉5两侧的冷空气的作用下，以及在内部芯片1所对应的IGBT芯片11区域进行定点冷却，主要通过上TEC制冷片8、下TEC 制冷片9与上微通道结构10、下微通道结相结合，双向进行双面换热冷却，加快散热效率，集中针对热源的热点区域性散热，提升整体散热的均匀性，避免定点冷却SiC混合功率模块电热疲劳加快，影响定点冷却SiC混合功率模块的工作性能。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对本申请保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本申请作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本申请技术方案的实质和范围。

Claims (15)

1.一种定点冷却SiC混合功率模块，包括内部芯片，其特征在于，所述内部芯片包括IGBT芯片和SiC二极管；所述IGBT芯片与所述SiC二极管相串联；所述定点冷却SiC混合功率模块还包括：
上DBC基板，其位于所述内部芯片的上方；
下DBC基板，其位于所述内部芯片的下方；
上热沉、下热沉；所述上热沉和下热沉分别位于所述上DBC基板的上端和下DBC基板的下端；
上热脂层，其位于所述上热沉与上DBC基板之间；
下热脂层，其位于所述下热沉与下DBC基板之间；
上微通道结构，其设于所述上热脂层和所述上DBC基板内且向下延伸；
下微通道结构，其设于所述下热脂层和所述下DBC基板内且向上延伸。
2.根据权利要求1所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上热沉内设有位于所述上DBC基板上方的上TEC制冷片；所述下热沉内设有位于所述下DBC基板下方的下TEC制冷片。
3.根据权利要求2所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上微通道结构设于所述上TEC制冷片的下方且向下贯穿所述上热脂层并穿过所述上DBC基板；所述下微通道结构设于所述下TEC制冷片的上方且向上贯穿所述下热脂层并穿过所述下DBC基板。
4.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板与下DBC基板之间具有2个所述内部芯片；所述上微通道结构的数量为3条；所述下微通道结构的数量为3条。
5.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上TEC制冷片位于IGBT芯片的上方，所述下TEC制冷片位于IGBT芯片的下方；所述上微通道结构向下垂直于所述上热脂层和上DBC基板；所述下微通道结构向上垂直于所述下热脂层和下DBC基板。
6.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上微通道结构和下微通道结构均为圆孔通道；所述上微通道结构的直径为10μm～1000μm；所述下微通道结构的直径为10μm～1000μm。
7.根据权利要求6所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上微通道结构的直径为10μm、50μm或100μm；所述下微通道结构的直径为10μm、50μm或100μm。
8.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板的下端开设有上凹口；所述下DBC基板的上端开设有下凹口；所述上凹口和下凹口在上DBC基板和下DBC基板压接封装时形成一个用于灌入惰性气体的密封腔；所述内部芯片位于所述密封腔内。
9.根据权利要求8所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板与所述下DBC基板相对所述内部芯片相对称；所述上DBC基板由上至下依次包括外铜层、AlN陶瓷层和内铜层；所述下DBC基板由下至上依次包括所述外铜层、AlN陶瓷层和内铜层；
所述上微通道结构贯穿所述外铜层、AlN陶瓷层且所述上微通道结构的下端面与所述内铜层的上端面相接触；
所述下微通道结构贯穿所述外铜层、AlN陶瓷层且所述下微通道结构的上端面与所述内铜层的下端面相接触；
所述上凹口和下凹口对应设于所述上DBC基板和下DBC基板的内铜层上。
10.根据权利要求9所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上热脂层和下热脂层的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述外铜层和内铜层的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述AlN陶瓷层的厚度为0.7mm～0.9mm。
11.根据权利要求10所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上热脂层和下热脂层的厚度均为0.3mm；所述外铜层和内铜层的厚度均为0.4mm；所述AlN陶瓷层的厚度为0.9mm。
12.根据权利要求1所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板与所述内部芯片之间、所述下DBC基板与内部芯片之间分别设有上缓冲层和下缓冲层。
13.根据权利要求12所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上缓冲层和下缓冲层均为Mo缓冲层；所述上缓冲层和下缓冲层的厚度均为0.1mm～0.3mm。
14.根据权利要求13所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上缓冲层和下缓冲层的厚度均为0.2mm。
15.根据权利要求1所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述IGBT芯片和SiC二极管均具有两个；两个所述SiC二极管位于两个所述IGBT芯片的后方。
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