CN212183492U - 抑制泛音频率的晶体谐振器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种抑制泛音频率的晶体谐振器,包括基座组、外壳、设于外壳中的振子、连接于振子和基座组之间的左、右导电胶点,所述振子由晶片和镀于晶片表面的金属电极构成,其技术要点是:所述晶片为长条片状,其外轮廓由两个相互平行的长直边、与两个长直边端部连接的两个圆弧边构成,所述晶片前、后表面的中心分别具有尺寸相同的椭圆形凸台,两个圆弧边的圆心重合且与椭圆形凸台的中心线重合,椭圆形凸台的顶面为平面。本实用新型解决了现有晶体谐振器用于没有选频槽路的晶体振荡电路时不能稳定输出单一频率的问题,与现有技术相比,单频性极好,工作性能稳定。
Description
技术领域
本实用新型涉及压电石英晶体领域,具体涉及一种抑制泛音频率的晶体谐振器,适用于没有选频槽路的晶体振荡电路,可广泛应用于通讯、导航、广播电视中。
背景技术
现有的晶体谐振器均具有泛音频率的存在,区别只是离主振频率远近而已,用于没有选频槽路的晶体振荡电路时,由于电路参数较小,其固有频率偏高,很容易振荡到三次泛音振荡模式上,因此在应用时存在很大弊端。
基于上述特殊的使用情境,目前现有技术通过改变覆于晶片表面的电极的形状来达到改变泛音频率的目的,但不能从根本上抑制掉不需要的泛音频率,不能实现很好的单频率输出,信号稳定性差。
发明内容
本实用新型的目的是为了提供一种结构简单、使用可靠的抑制泛音频率的晶体谐振器,解决现有晶体谐振器用于没有选频槽路的晶体振荡电路时不能稳定输出单一频率的问题,与现有技术相比,单频性极好,工作性能稳定。
本实用新型采用的技术方案是:
一种抑制泛音频率的晶体谐振器,包括基座组、外壳、设于外壳中的振子、连接于振子和基座组之间的左、右导电胶点,所述振子由晶片和镀于晶片表面的金属电极构成,其技术要点是:所述晶片为长条片状,其外轮廓由两个相互平行的长直边、与两个长直边端部连接的两个圆弧边构成,所述晶片前、后表面的中心分别具有尺寸相同的椭圆形凸台,两个圆弧边的圆心重合且与椭圆形凸台的中心线重合,椭圆形凸台的顶面为平面。
上述的抑制泛音频率的晶体谐振器,所述晶片外轮廓的圆弧边所在圆形的直径与椭圆形凸台的长轴之比为2:1。
上述的抑制泛音频率的晶体谐振器,所述晶片外轮廓的圆弧边与长直边利用圆角过渡连接。
上述的抑制泛音频率的晶体谐振器,所述晶片外轮廓的圆弧边所在圆形的直径为8.0mm,两个长直边的距离为4.2mm,圆弧边与长直边利用圆角R10过渡连接,椭圆形凸台的长轴为4.0mm,短轴为2.0mm。
上述的抑制泛音频率的晶体谐振器,所述金属电极为镀于晶片表面的银膜。
本实用新型具有的有益效果是:
1、与现有技术相比,对晶片经过研磨、大倒边、修晶片外形形状等方法使晶片获得长条片状外轮廓,改变晶片边比,同时使晶片前、后表面的中心分别具有椭圆形凸台,这种对晶片的大倒边操作是决定抑制泛音频率的必要条件,当倒边频率与精磨频率之差值满足能陷理论判据时,或者说,椭圆形凸台的长轴与晶片外轮廓的圆弧边所在圆形的直径之比近似等于1/2时,就能起到抑制泛音频率的作用。本实用新型在倒边上利用了能陷理论的道理,把现有技术中晶片前、后表面的圆凸台倒成椭圆形凸台,实现抑制泛音频率的目的,解决了现有晶体谐振器用于没有选频槽路的晶体振荡电路时不能稳定输出单一频率的问题,与现有技术相比,单频性极好,工作性能稳定。
2、较现有采用圆凸台的晶片体积小,等效电阻小,同时也适用于宽温范围。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型谐振件的结构示意图;
图3是本实用新型晶片的结构示意图;
图4是现有晶片的结构示意图。
图中:1.外壳、2.导电胶点、3.振子、301.金属电极、302.晶片、302a.椭圆形凸台、4.基座组。
具体实施方式
如图1-图3所示,该抑制泛音频率的晶体谐振器,包括基座组4、外壳1、设于外壳1中的振子3、连接于振子3和基座组4之间的左、右导电胶点2,所述振子3由晶片302和镀于晶片302表面的金属电极301构成。
其中,所述晶片302为长条片状,其外轮廓由两个相互平行的长直边、与两个长直边端部连接的两个圆弧边构成,所述晶片302前、后表面的中心分别具有尺寸相同的椭圆形凸台302a,两个圆弧边的圆心重合且与椭圆形凸台302a的中心线重合,椭圆形凸台302a的顶面为平面。所述晶片302外轮廓的圆弧边所在圆形的直径与椭圆形凸台302a的长轴之比为2:1。
本实施例中,所述晶片302外轮廓的圆弧边所在圆形的直径为8.0mm,两个长直边的距离为4.2mm,圆弧边与长直边利用圆角R10过渡连接,椭圆形凸台302a的长轴为4.0mm,短轴为2.0mm。所述金属电极301为通过真空镀镀于晶片表面的银膜,银膜由圆膜片和连接圆膜片与导电胶的扇形膜片构成,银膜覆盖椭圆形凸台及其周边的晶片表面。
组装时,振子3通过两点刷胶方式固定安装在基座组4上,确保元件的牢固度,有利于谐振器经受住较为严格的试验,经过高温固化后,扣上外壳1采用真空电阻焊焊接封装,加工工艺系列化,产品一致性好。
参见图3和图4,对本实施例采用的晶片产品和现有晶片产品进行试验对比。
按图3倒边抽取编号1-5号产品,试验数据如下:
编号 | 基频电阻值(Ω) | 泛音电阻值(Ω) |
1 | 9.1 | 330 |
2 | 8.9 | 289 |
3 | 8.7 | 320 |
4 | 6.7 | 350 |
5 | 7.8 | 400 |
按图4倒边抽取编号1-5号产品,试验数据如下:
编号 | 基频电阻值(Ω) | 泛音电阻值(Ω) |
1 | 9.3 | 25.3 |
2 | 9.8 | 24.1 |
3 | 9.7 | 22.4 |
4 | 7.8 | 20.6 |
5 | 8.6 | 18.9 |
通过上述试验数据说明,本实施例采用的晶片产品的泛音电阻值远远大于现有晶片产品的泛音电阻值,试验证明,本实施例采用的晶片产品能够实现抑制泛音频率的目的。
以上对本实用新型的实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型创造范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本专利涵盖范围之内。
Claims (5)
1.一种抑制泛音频率的晶体谐振器,包括基座组、外壳、设于外壳中的振子、连接于振子和基座组之间的左、右导电胶点,所述振子由晶片和镀于晶片表面的金属电极构成,其特征在于:所述晶片为长条片状,其外轮廓由两个相互平行的长直边、与两个长直边端部连接的两个圆弧边构成,所述晶片前、后表面的中心分别具有尺寸相同的椭圆形凸台,两个圆弧边的圆心重合且与椭圆形凸台的中心线重合,椭圆形凸台的顶面为平面。
2.根据权利要求1所述的抑制泛音频率的晶体谐振器,其特征在于:所述晶片外轮廓的圆弧边所在圆形的直径与椭圆形凸台的长轴之比为2:1。
3.根据权利要求1所述的抑制泛音频率的晶体谐振器,其特征在于:所述晶片外轮廓的圆弧边与长直边利用圆角过渡连接。
4.根据权利要求1所述的抑制泛音频率的晶体谐振器,其特征在于:所述晶片外轮廓的圆弧边所在圆形的直径为8.0mm,两个长直边的距离为4.2 mm,圆弧边与长直边利用圆角R10过渡连接,椭圆形凸台的长轴为4.0 mm,短轴为2.0 mm。
5.根据权利要求1所述的抑制泛音频率的晶体谐振器,其特征在于:所述金属电极为镀于晶片表面的银膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020949648.4U CN212183492U (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 抑制泛音频率的晶体谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020949648.4U CN212183492U (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 抑制泛音频率的晶体谐振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN212183492U true CN212183492U (zh) | 2020-12-18 |
Family
ID=73789383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020949648.4U Active CN212183492U (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 抑制泛音频率的晶体谐振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN212183492U (zh) |
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2020
- 2020-05-29 CN CN202020949648.4U patent/CN212183492U/zh active Active
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