CN212135940U - 一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，包括限流器件、二极管D1、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中V2、Y、F、G为信号线，V1为参考电压信号线，限流器件一端连接地线，另一端接V2，二极管D1正极接电源线，二极管D1负极接V2，放大器负输入端接V2，正输入端接V1，输出端接Y，频率发生电路输出接F，栅极控制电路一个输入端接F、另一个输入端接Y、输出接G，驱动NMOS管栅极接G、漏极接输出OUT、源极接地线、衬底接地线。当芯片温度过高时关断驱动NMOS管以降低功耗，本电路具有可靠性高和成本低的优点。

Description

一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路

技术领域

本实用新型涉及一种蜂鸣器电路领域，具体涉及一种蜂鸣器驱动电路。

背景技术

如图6所示，传统的蜂鸣器电路，由一个频率发生电路和一个驱动管组成，这种电路在芯片温度过高时，没有降低功耗的措施，有芯片被损坏或蜂鸣器甚至整个系统被损坏的缺点。

实用新型内容

本实用新型提供一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，以解决传统的蜂鸣器驱动电路在芯片温度过高时，芯片被损坏或蜂鸣器甚至整个系统被损坏的缺点。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，包括限流器件、二极管D1、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中V1为参考电压信号线，限流器件一端连接地线，限流器件另一端连接信号线V2，二极管D1正极连接电源线，二极管D1负极连接V2，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出连接信号线F，栅极控制电路一个输入端连接信号线F，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出连接信号线G，驱动NMOS管栅极连接信号线G，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接地线，驱动NMOS管衬底连接地线。

结合图1，适当设计电路参数，如果芯片温度在正常范围内，使得信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度正常，如果芯片温度过高，由于二极管正向压降是负温度系数，使得信号线V2的电压大于信号线V1的电压，放大器的输出Y为低电平，表示芯片温度过高；可见如图1所示信号线V1、信号线V2的连接方式，放大器的输出Y为低电平表示芯片温度过高。如果把信号线V1、信号线V2连接到放大器正、负输入端位置对调，即信号线V1连接放大器负输入端，信号线V2连接放大器正输入端，信号线V1、信号线V2与其他器件及模块的连接关系不变，则放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高。当放大器的输出表示芯片温度正常时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器；当放大器的输出表示芯片温度过高时，栅极控制电路输出信号线G使得驱动NMOS管截止，降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。本电路实现简单，具有可靠性高和成本低的的优点。

优选的，所述驱动NMOS管衬底连接地线或者连接驱动NMOS管的源极。

优选的，所述限流器件可以是电阻，也可以是电流源或者MOS管等有源器件及其组合。

优选的，所述二极管D1可以由有温度系数的器件代替，如可以是多于一个二极管的串、并联组合，或者二极管连法的MOS管，或者多于一个二极管连法的MOS管串、并联组合，或者二极管连法的三极管，或者多于一个二极管连法的三极管串、并联组合。

优选的，所述驱动NMOS管也可以用NPN管代替，即用NPN管作为蜂鸣器的驱动管。

本实用新型带来的有益效果：本实用新型提供的一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，当芯片温度过高时会关断驱动NMOS管以降低芯片的功耗，达到防止芯片被损坏或蜂鸣器甚至整个系统被损坏的作用，本电路具有可靠性高和成本低的优点。

附图说明

图1是本实用新型的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路的结构示意图。

图2是根据本实用新型第一实施例的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路。

图3是根据本实用新型第二实施例的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路。

图4是根据本实用新型第三实施例的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路。

图5是根据本实用新型第四实施例的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路。

图6背景技术示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本实用新型作进一步地详细说明。

如图1，本实用新型提供一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，包括限流器件、二极管D1、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中V1为参考电压信号线，限流器件一端连接地线，限流器件另一端连接信号线V2，二极管D1正极连接电源线，二极管D1负极连接V2，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出连接信号线F，栅极控制电路一个输入端连接信号线F，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出连接信号线G，驱动NMOS管栅极连接信号线G，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接地线，驱动NMOS管衬底连接地线。

结合图1，适当设计电路参数，如果芯片温度在正常范围内，使得信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度正常，如果芯片温度过高，由于二极管正向压降是负温度系数，使得信号线V2的电压大于信号线V1的电压，放大器的输出Y为低电平，表示芯片温度过高；可见如图1所示信号线V1、信号线V2的连接方式，放大器的输出Y为低电平表示芯片温度过高。如果把信号线V1、信号线V2连接到放大器正、负输入端位置对调，即信号线V1连接放大器负输入端，信号线V2连接放大器正输入端，信号线V1、信号线V2与其他器件及模块的连接关系不变，则放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高。当放大器的输出表示芯片温度正常时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器；当放大器的输出表示芯片温度过高时，栅极控制电路输出信号线G使得驱动NMOS管截止，降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

本实用新型的第一实施例，如图2所示，结合图1，图1中限流器件在图2中为电阻R1，工作原理与图1相同。

本实用新型的第二实施例，如图3所示，结合图1，图1中限流器件在图3中为电阻R1，图1中二极管D1在图3中用PNP管Q1代替，工作原理与图1相同。

本实用新型的第三实施例，如图4所示，包括限流器件、NMOS管N1、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中V1为参考电压信号线，限流器件一端连接地线，限流器件另一端连接信号线V2，NMOS管N1漏极、栅极连接电源线，NMOS管N1源极、衬底连接信号线V2，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出信号线F连接栅极控制电路一个输入端，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出信号线G连接驱动NMOS管栅极，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接地线，驱动NMOS管衬底连接地线。

结合图4，适当设计电路参数，如果芯片温度在正常范围内，使得信号线V2的电压小于信号线V1的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度正常，如果芯片温度过高，由于NMOS管阈值电压是负温度系数，使得信号线V2的电压大于信号线V1的电压，放大器的输出Y为低电平，表示芯片温度过高；可见如图4所示信号线V1、信号线V2的连接方式，放大器的输出Y为低电平表示芯片温度过高。如果把信号线V1、信号线V2连接到放大器正、负输入端位置对调，即信号线V1连接放大器负输入端，信号线V2连接放大器正输入端，信号线V1、信号线V2与其他器件及模块的连接关系不变，则放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高。当放大器的输出表示芯片温度正常时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器；当放大器的输出表示芯片温度过高时，栅极控制电路输出信号线G使得驱动NMOS管截止，降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

如图4所示结合图1，图1中二极管D1在图4中用NMOS管N1代替，工作原理与图1相似。

本实用新型的第四实施例，如图5所示，电阻R1、PMOS管P1、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中V1为参考电压信号线，电阻R1一端连接地线，电阻R1另一端连接信号线V2，PMOS管P1源极、衬底连接电源线，PMOS管P1漏极、栅极连接信号线V2，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出信号线F连接栅极控制电路一个输入端，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出信号线G连接驱动NMOS管栅极，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接地线，驱动NMOS管衬底连接地线。

结合图5，适当设计电路参数，如果芯片温度在正常范围内，使得信号线V2的电压小于信号线V1的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度正常，如果芯片温度过高，由于PMOS管阈值电压绝对值是负温度系数，使得信号线V2的电压大于信号线V1的电压，放大器的输出Y为低电平，表示芯片温度过高；可见如图5所示信号线V1、信号线V2的连接方式，放大器的输出Y为低电平表示芯片温度过高。如果把信号线V1、信号线V2连接到放大器正、负输入端位置对调，即信号线V1连接放大器负输入端，信号线V2连接放大器正输入端，信号线V1、信号线V2与其他器件及模块的连接关系不变，则放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高。当放大器的输出表示芯片温度正常时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器；当放大器的输出表示芯片温度过高时，栅极控制电路输出信号线G使得驱动NMOS管截止，降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

如图5所示结合图1，图1中限流器件在图5中为电阻R1，图1中二极管D1在图5中用PMOS管P1代替。

综上所述，本实用新型提供的一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，当芯片温度过高时关断驱动管以降低功耗，防止芯片及系统被损坏，本电路具有可靠性高和成本低的优点。

以上所述仅为本实用新型的实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。

Claims (7)

1.一种基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在于，包括限流器件、二极管D1、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中V1为参考电压信号线，限流器件一端连接地线，限流器件另一端连接信号线V2，二极管D1正极连接电源线，二极管D1负极连接V2，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出连接信号线F，栅极控制电路一个输入端连接信号线F，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出连接信号线G，驱动NMOS管栅极连接信号线G，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接地线，驱动NMOS管衬底连接地线。

2.如权利要求1所述的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在，所述放大器的功能为检测芯片的温度是否过高。

3.如权利要求1所述的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在，所述放大器也可以正输入端连接所述信号线V2，负输入端连接所述信号线V1。

4.如权利要求1所述的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在于，所述栅极控制电路功能为放大器的输出表示芯片温度过高时，栅极控制电路输出信号线G使得驱动NMOS管截止，放大器的输出表示芯片温度正常时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过。

5.如权利要求1所述的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在于，所述限流器件可以是电阻，也可以是电流源或者MOS管有源器件及其组合。

6.如权利要求1所述的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在于，所述二极管D1的代替方案有：多于一个二极管的串、并联组合；二极管连法的MOS管；多于一个二极管连法的MOS管串、并联组合；二极管连法的三极管；多于一个二极管连法的三极管串、并联组合。

7.如权利要求1所述的基于蜂鸣器带温度检测的驱动电路，其特征在于，所述驱动NMOS管也可以用NPN三极管代替，即用NPN三极管作为蜂鸣器的驱动管。

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