CN210111840U - 一种简单的单电源的负压驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种简单的单电源的负压驱动电路，属于开关电源的驱动电路的技术领域，旨在提供一种保护功率晶体管的负压驱动电路，其技术方案要点是包括MOS管Q1，所述MOS管Q1为NMOS，所述MOS管Q1漏极连接输出端，所述MOS管Q1源极接地，所述MOS管Q1的栅极和源极之间并联有电阻R1，所述MOS管Q1的栅极上连接有稳压电路，所述稳压电路包括连接在MOS管Q1栅极上的电容C2，所述电容C2上并联有稳压管Z1，所述稳压管Z1和电容C2的两个连接端，其中一端连接至电阻R1与MOS管Q1栅极的连接处，另一端输入PWM波。通过稳压管Z1和电容C2并联的设置，能够起到将PWM波的电位下拉至‑3.3V～10.7之间，这样驱动MOS管Q1时，避免对MOS管Q1造成损坏的效果。

Description

一种简单的单电源的负压驱动电路

技术领域

本实用新型涉及开关电源的驱动电路的技术领域，特别涉及一种简单的单电源的负压驱动电路。

背景技术

驱动电路(Drive Circuit)，位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管），称为驱动电路。

驱动电路的作用：将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。

公告号为CN202957794U的中国专利公开了一种基于单电源供电的光耦驱动电路，包括由电气隔离开通电路，两级放大电路、射极跟随器、短路信号检测电路、IGBT短路保护电路组成，其中：所述的电气隔离开通电路由高速光耦U1分别与电阻R1、R2、R3、R4、R5连接组成；所述的两级放大电路由三极管T1串并联三极管T2三极管T3、三极管T4、三极管T5连接组成；所述的射极跟随器由三极管T1和R7串联组成；短路信号检测电路由D2、电阻R6、电阻R12和T6串联组成；所述的IGBT短路保护电路由在IGBT栅源之间并接的双向稳压管D4和D5，电阻R13和电阻R11、门极串电阻Rg连接构成的一个负电压分压电路组成。

这种基于单电源供电的光耦驱动电路运用集电极退饱和原理，在发生集电极电流过大时，减小IGBT 的驱动电压GEV，在IGBT 损坏之前，将其关断，从而保护了IGBT。但是在实际使用过程中，如果IGBT的驱动电压GEV无法及时关断，还是有可能对IGBT造成损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种简单的单电源的负压驱动电路，具有保护功率晶体管的优点。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种简单的单电源的负压驱动电路，包括MOS管Q1，所述MOS管Q1为NMOS，所述MOS管Q1漏极连接输出端，所述MOS管Q1源极接地，所述MOS管Q1的栅极和源极之间并联有电阻R1，所述MOS管Q1的栅极上连接有稳压电路，所述稳压电路包括连接在MOS管Q1栅极上的电容C2，所述电容C2上并联有稳压管Z1，所述稳压管Z1和电容C2的两个连接端，其中一端连接至电阻R1与MOS管Q1栅极的连接处，另一端输入PWM波。

通过采用上述技术方案，稳压电路将PWM波的电位下拉至-3.3V～10.7之间，这样驱动MOS管Q1时，就可避免对MOS管Q1造成损坏。

进一步的，所述稳压电路与MOS管Q1的栅极之间串联有驱动电阻R1。

通过采用上述技术方案，驱动电阻R1分压用来驱动MOS管Q1。

进一步的，所述MOS管Q1的栅极与源极之间并联有MOS管Q2，所述MOS管Q2为PMOS，所述MOS管Q2的源极连接在驱动电阻R1与MOS管Q1的栅极之间，所述MOS管Q2的栅极连接在驱动电阻R1另一端，所述MOS管Q2的漏极接地。

通过采用上述技术方案，MOS管Q2快速放电集成电容的电，使得PWM波的波形更加陡峭。

进一步的，所述MOS管Q1的栅极与源极之间并联有三极管Q3，所述三极管Q3为PNP型，所述三极管Q3的集电极连接驱动电阻R1与MOS管Q1的栅极之间，所述三极管Q3的基极连接在驱动电阻R1另一端，所述三极管Q3的发射极接地。

通过采用上述技术方案，三极管Q3同样起到，快速放电集成电容的电作用。

进一步的，所述MOS管Q2的漏极上连接有二极管D1，所述二极管D1正极连接MOS管Q2的漏极，二极管D1的负极接地。

通过采用上述技术方案，二极管D1防止电压反偏，保护电路中的各个电子元器件。

进一步的，所述二极管D1为肖特基二极管。

通过采用上述技术方案，肖特基二极管相对于普通二极管开关速度更高更快。

进一步的，所述MOS管Q1的栅极与源极之间并联有滤波电容C1。

通过采用上述技术方案，滤波电容C1用于减缓MOS管Q1的米勒振荡，减小MOS管Q1的开关损耗。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：

1.通过稳压管Z1和电容C2并联的设置，能够起到将PWM波的电位下拉至-3.3V～10.7之间，这样驱动MOS管Q1时，避免对MOS管Q1造成损坏的效果；

2.通过MOS管Q2的设置，能够起到快速放电集成电容的电，使得PWM波的波形更加陡峭的效果；

3.通过滤波电容C1的设置，能够起到用于减缓MOS管Q1的米勒振荡，减小MOS管Q1的开关损耗的效果。

附图说明

图1是实施例1中单电源的负压驱动电路的电路原理图；

图2是实施例2中单电源的负压驱动电路的电路原理图。

图中，1、稳压电路。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

实施例1：一种简单的单电源的负压驱动电路，如图1所示，包括MOS管Q1，MOS管Q1漏极连接输出端，MOS管Q1为NMOS，MOS管Q1漏极连接输出端，MOS管Q1源极接地，MOS管Q1的栅极和源极之间并联有电阻R1，电阻R1用来驱动MOS管Q1开关。

MOS管Q1的栅极上连接有稳压电路1，稳压电路1包括连接在MOS管Q1栅极上的电容C2，电容C2上并联有稳压管Z1，稳压管Z1和电容C2的两个连接端，其中一端连接至电阻R1与MOS管Q1栅极的连接处，另一端输入PWM波。稳压电路1将PWM波的电位下拉至-3.3V～10.7之间，这样驱动MOS管Q1时，就可避免对MOS管Q1造成损坏。

稳压电路1与MOS管Q1的栅极之间串联有驱动电阻R1，MOS管Q1的栅极与源极之间并联有MOS管Q2，MOS管Q2为PMOS，MOS管Q2的源极连接在驱动电阻R1与MOS管Q1的栅极之间，MOS管Q2的栅极连接在驱动电阻R1另一端，MOS管Q2的漏极接地。MOS管Q2快速放电集成电容的电，使得PWM波的波形更加陡峭，驱动电阻R1分压用来驱动MOS管Q1和MOS管Q2。

MOS管Q2的漏极上连接有二极管D1，二极管D1正极连接MOS管Q2的漏极，二极管D1的负极接地。二极管D1防止电压反偏，保护电路中的MOS管Q2。

其中，二极管D1为肖特基二极管。肖特基二极管相对于普通二极管开关速度更高更快，更加安全。

MOS管Q1的栅极与源极之间并联有滤波电容C1，滤波电容C1用于减缓MOS管Q1的米勒振荡，减小MOS管Q1的开关损耗。

实施例2：一种简单的单电源的负压驱动电路，如图1所示，MOS管Q1的栅极与源极之间并联有三极管Q3，三极管Q3为P型，三极管Q3的集电极连接驱动电阻R1与MOS管Q1的栅极之间，三极管Q3的基极连接在驱动电阻R1另一端，三极管Q3的发射极接地。三极管Q3同样起到，快速放电集成电容的电作用。

本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (7)

1.一种简单的单电源的负压驱动电路，包括MOS管Q1，所述MOS管Q1为NMOS，所述MOS管Q1漏极连接输出端，所述MOS管Q1源极接地，所述MOS管Q1的栅极和源极之间并联有电阻R1，其特征在于：所述MOS管Q1的栅极上连接有稳压电路（1），所述稳压电路（1）包括连接在MOS管Q1栅极上的电容C2，所述电容C2上并联有稳压管Z1，所述稳压管Z1和电容C2的两个连接端，其中一端连接至电阻R1与MOS管Q1栅极的连接处，另一端输入PWM波。

2.根据权利要求1所述的一种简单的单电源的负压驱动电路，其特征在于：所述稳压电路（1）与MOS管Q1的栅极之间串联有驱动电阻R1。

3.根据权利要求2所述的一种简单的单电源的负压驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q1的栅极与源极之间并联有MOS管Q2，所述MOS管Q2为PMOS，所述MOS管Q2的源极连接在驱动电阻R1与MOS管Q1的栅极之间，所述MOS管Q2的栅极连接在驱动电阻R1另一端，所述MOS管Q2的漏极接地。

4.根据权利要求2所述的一种简单的单电源的负压驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q1的栅极与源极之间并联有三极管Q3，所述三极管Q3为PNP型，所述三极管Q3的集电极连接驱动电阻R1与MOS管Q1的栅极之间，所述三极管Q3的基极连接在驱动电阻R1另一端，所述三极管Q3的发射极接地。

5.根据权利要求2所述的一种简单的单电源的负压驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q2的漏极上连接有二极管D1，所述二极管D1正极连接MOS管Q2的漏极，二极管D1的负极接地。

6.根据权利要求5所述的一种简单的单电源的负压驱动电路，其特征在于：所述二极管D1为肖特基二极管。

7.根据权利要求1所述的一种简单的单电源的负压驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q1的栅极与源极之间并联有滤波电容C1。

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