CN208753961U - 一种电源输入过压负压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及对电源输入端保护，具体的说是一种电源输入过压负压保护电路。应用中经常发生电源输入端误接线或前级稳压电路故障造成DC/DC稳压电源模块输入电压过高或负压引起模块损坏的现象，本电路主要用于对电源模块的保护。当输入电压VDD大于0.6V、小于5.6V时，MOS管Q1导通，三极管T1截止，控制MOS管Q2源极S与栅极D导通，VDD输出到稳压电源模块输入端VCC；当VDD大于6.3V时，MOS管Q1导通,三极管T1导通，控制MOS管Q2截止，VDD不能输出到VCC，当VDD接负电压时，MOS管Q1截止，VDD不能输出到VCC，保护了DC/DC稳压模块不被过高压或负电压损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及对电源输入端的保护，具体的说是一种电源输入端的过压负压保护电路。
背景技术
DC/DC稳压电源模块在使用过程中经常发生由于输入端接错或前级稳压电路故障导致过高电压或负电压输入到电源模块，造成电源模块损坏的现象。为了避免人为错误及电路发生故障时尽可能减小器件的损坏，对电源输入端增加保护电路是十分必要的。如果在电源输入端加装熔断器和稳压管也能够实现过压和负压保护，其效果是通过熔断器熔丝烧断和稳压管烧毁进行保护，这种保护措施存在反应速度慢可能导致保护失效、必须更换器件恢复正常的缺点，为此设计一种既能够实现保护效果，当输入电压正常时又能够自动恢复运行的电路是十分必要的。
本电路通过控制大功率场效应管的快速导通、截止，实现对输入电压的导通、分断。
发明内容
本实用新型的目的是设计一种DC/DC稳压电源输入端过压负压保护电路，防止电源输入端接错或前级稳压电路故障导致稳压电源模块损坏。
本实用新型所采用的技术方案是：输入电压VDD通过PMOS管Q1漏极、源极，PMOS管Q2源极、漏极串联接电源输入端VCC；VDD通过限流电阻R1、发光二极管L1负极和正极、二极管D1负极和正极依次串联与电源地连接；两个稳压管Z1、Z2的负极分别与PMOS管Q1、Q2的源极连接，正极分别与PMOS管Q1、Q2的栅极连接，栅极分别通过两个限流电阻R2、R5与电源地连接；PMOS管Q1的源极通过限流电阻R3、稳压管Z3串联，稳压管Z3正极接电源地；稳压管Z3负极通过电阻R4与PNP三极管T1基极连接，PNP三极管T1集电极与PMOS管Q2的栅极连接，发射极与PMOS管Q2的源极连接。
本实用新型的实际效果是：保护了DC/DC稳压模块不被过高压或负电压损坏。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型的技术方案进行详细说明。
附图说明
图1: 电源模块输入过压负压保护电路电路图。
具体实施方式
此保护电路中输入电压VDD通过10K限流电阻R1、发光二极管L1、开关二极管1N4148串联与电源地连接，构成输入电压状态显示电路。VDD经由PMOS管Q1的漏极输入，源极输出，再经Q2的源极输入漏极输出，形成电源模块输入电压VCC，为防止MOS管栅极与源极电压差uGS最大值20V，将15V稳压管Z1、Z2分别并联在Q1、Q2的源极与栅极，R2、R5为限流电阻。R3与5.6V稳压管Z3串联构成稳压电路。R4为三极管T1基极的限流电阻，三极管通过集电极与发射极的通断控制Q2的源极与漏极通断。
VDD与GND接入正向电压时，二极管1N4148反向截止，发光二极管L1无法点亮，MOS管Q1保持导通状态。当输入电压VDD小于稳压管Z3的稳压值5.6V时，三极管T1发射极电压Ue与基极电压Ub相等，没有形成正向偏置，三极管T1截止，MOS管Q2栅极电压与电源地相等，uG-uS<0，且|uG-uS|>|uGS(th)|，Q2源极与栅极导通， 电源模块输入电压VCC等于VDD；当输入电压VDD大于6.3V时，稳压管Z3击穿，三极管T1基极电压为5.6V，发射极电压为VDD，由于VDD大于（5.6+0.7）V，Ue> Ub,三极管导通 Uc= Ue，MOS管Q2栅极电压与源极电压相等，MOS管截止，电源模块输入电压VCC为0。VDD与GND接入反向电压时，MOS管Q1|uG-uS|>|uGS(th)|，Q1截止，电源模块输入电压VCC为0，同时二极管1N4148正向导通，发光二极管L1被点亮，提示VDD接入负电压。
Claims (1)
1.一种电源输入过压负压保护电路，其特征在于：输入电压VDD通过PMOS管（Q1）漏极、源极，PMOS管（Q2）源极、漏极串联接电源输入端VCC；VDD通过限流电阻（R1）、发光二极管（L1）负极和正极、二极管（D1）负极和正极依次串联与电源地连接；两个稳压管（Z1）、(Z2)的负极分别与PMOS管（Q1）、（Q2）的源极连接，正极分别与PMOS管（Q1）、（Q2）的栅极连接，栅极分别通过两个限流电阻（R2）、（R5）与电源地连接；PMOS管（Q1）的源极通过限流电阻（R3）、稳压管（Z3）串联，稳压管（Z3）正极接电源地；稳压管（Z3）负极通过电阻(R4)与PNP三极管(T1)基极连接，PNP三极管(T1)集电极与PMOS管（Q2）的栅极连接，发射极与PMOS管（Q2）的源极连接。
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| CN201821300891.2U CN208753961U (zh) | 2018-08-14 | 2018-08-14 | 一种电源输入过压负压保护电路 |
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|---|---|
| CN (1) | CN208753961U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110198029A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-09-03 | 上海趣致网络科技股份有限公司 | 一种芯片电源过压及反接保护电路及方法 |
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2018
- 2018-08-14 CN CN201821300891.2U patent/CN208753961U/zh active Active
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