CN212085814U - 防止电源反接的保护电路、车载信息娱乐系统及车辆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种防止电源反接的保护电路、车载信息娱乐系统及车辆。防止电源反接的保护电路包括MOS管、三极管以及处理器;MOS管的源极与车载电源的正极连接,MOS管的漏极与处理器连接,MOS管的栅极与三极管的集电极连接,MOS管使车载电源通过MOS管内部的二极管提供处理器启动的电流;处理器与三极管的基极连接,在接收到车载电源通过MOS管内部的二极管提供的电流后启动,输出高电平信号至三极管的基极;三极管的发射极与车载电源的负极连接,三极管响应于处理器输出的高电平信号导通,输出低电平信号至MOS管的栅极使MOS管导通。在车载电源反接的情况下,MOS管源极的电平为0,MOS管内部的二极管无法导通,实现了对车机内的各种设备的保护。
Description
技术领域
本实用新型涉及车机技术领域,特别是涉及一种防止电源反接的保护电路、车载信息娱乐系统及车辆。
背景技术
现有的车机(In-Vehicle Infotainment,车载信息娱乐系统,简称IVI,车机)中,车机内部的处理器与车载电池连接的过程中常会出现车载电池反接的情况。在车载电池与处理器出现反接的情况下,会产生比较大的反向电流,可能烧毁车机内部的处理器等设备,甚至导致车载电池爆炸等,无法满足用户的需求。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是要提供一种防止反向电流烧损处理器的防止电源反接的保护电路、车载信息娱乐系统及车辆。
根据本实用新型的一个方面,本实用新型提供了一种防止电源反接的保护电路,包括MOS管、三极管以及处理器;
所述MOS管的源极与车载电源的正极连接,所述MOS管的漏极与所述处理器连接,所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极连接,所述MOS管配置为使所述车载电源通过所述MOS管内部的二极管提供所述处理器启动的电流;
所述处理器与所述三极管的基极连接,配置为在接收到所述车载电源通过所述MOS管内部的二极管提供的电流后启动,输出高电平信号至所述三极管的基极;
所述三极管的发射极与所述车载电源的负极连接,所述三极管配置为响应于所述处理器输出的高电平信号导通,输出低电平信号至所述MOS管的栅极使所述MOS管导通。
可选地,所述防止电源反接的保护电路,还包括:滤波电路,其一端与所述MOS管的源极连接,另一端与所述车载电源的负极连接,配置为对所述车载电源输出至所述MOS管的源极的电流进行滤波。
可选地,所述滤波电路包括至少一个电容。
可选地,所述滤波电路包括两个电容,所述两个电容串联。
根据本实用新型的另一方面,还提供了一种车载信息娱乐系统,包括上述任一项所述的防止电源反接的保护电路。
根据本实用新型的再一方面,还提供了一种车辆,包括上述车载信息娱乐系统。
在本实用新型实施例的防止电源反接的保护电路中,在车载电源反接的情况下,车载电源的负极与MOS管的源极连接,MOS管源极的电平为0,无法满足MOS管内部的二极管的导通压差,MOS管内部的二极管无法导通,防止了车载电源反接后的反向电流进入处理器,避免了车机内部的处理器等设备被烧毁的情况,实现了对车机内的各种设备的保护。
根据下文结合附图对本实用新型具体实施例的详细描述,本领域技术人员将会更加明了本实用新型的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本实用新型的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解,这些附图未必是按比例绘制的。附图中:
图1是本实用新型一个实施例的防止电源反接的保护电路的示意性结构图;
图2是本实用新型另一个实施例的车载信息娱乐系统的示意性结构图。
具体实施方式
图1是根据本实用新型一个实施例的防止电源反接的保护电路100的示意性结构图。参见图1,防止电源反接的保护电路100一般可包括MOS管Q1、三极管Q2以及处理器12。MOS管Q1的源极与车载电源V1的正极连接,漏极与处理器12连接,栅极与三极管Q2的集电极连接。MOS管Q1适于使车载电源V1通过MOS管Q1内部的二极管提供处理器12启动的电流。处理器12与三极管Q2的基极连接。处理器12适于在接收到车载电源V1通过MOS管Q1内部的二极管提供的电流后启动,输出高电平信号至三极管Q2的基极。三极管Q2的发射极与车载电源V1的负极连接。三极管Q2适于响应于处理器12输出的高电平信号导通,输出低电平信号至MOS管Q1的栅极使MOS管Q1导通。处理器12可以为单片机。处理器12也与车载电源V1的负极连接。
在本实施例的防止电源反接的保护电路100中,车载电源V1为车辆内的蓄电池,车载电源V1的电流进入处理器12都要经过电源反接的保护电路中的MOS管Q1,在车载电源V1反接的情况下,例如,车载电源V1的负极与MOS管Q1的源极连接,MOS管源极的电平为0,无法满足MOS管内部的二极管的导通压差,MOS管内部的二极管无法导通,防止车载电源V1产生的比较大的反向电流通过MOS管Q1进入处理器12,从而避免处理器12等设备被烧毁的情况,实现了对车机内的各种设备的保护。
并且,在车载电源V1未反接的情况下,MOS管Q1内部的二极管可以流过小部分电流供处理器12工作。然后处理器12控制MOS管Q1的栅极电平使MOS管Q1正常导通。MOS管Q1的压降比较小,正常工作时大部分电流通过MOS管Q1。MOS管Q1内阻比较小,工作过程中产生的热量也比较小。防止电源反接的保护电路100不仅可以防止车载电源V1反接后烧毁处理器12等设备,还可以减少工作中产生的热量。另外,当MOS管Q1异常时,若MOS管Q1的栅极为高电平,三极管Q2处于断开状态。三极管Q2可以阻止高电平进入处理器12,防止处理器12被损坏。
在一些现有技术中,为了防止车载电源V1反接对电子设备造成损坏,常常利用二极管对电流的反向阻断特性,对车载电源V1反接起保护作用。但由于二极管存在压降问题,这种方案在低电压情况下的应用受到明显限制。并且,二极管的导通电流比较小,会产生较大的热量。另外,现有技术中还可以利用MOS管Q1在车载电源V1负极做保护,但使车载电源V1和被保护处理器的地之间有电势差,不利于电流回流,会严重影响电磁兼容(ElectroMagnetic Compatibility,EMC)实验。本实用新型的防止电源反接的保护电路100可以很好的避免上述问题。
继续参见图1,在本实用新型一个实施例中,防止电源反接的保护电路100还可包括滤波电路18。滤波电路18的一端与MOS管Q1的源极连接,另一端与车载电源V1的负极连接。滤波电路18对车载电源V1输出至MOS管Q1的源极的电流进行滤波,还可以起到防静电作用,例如,可以防止静电击坏MOS管Q1。其中,滤波电路18包括至少一个电容。
在本实用新型一个实施例中,滤波电路18还可以包括两个电容。两个电容串联。两个电容可以如图1中的第一电容C1和第二电容C2。采用串联的两个电容,在其中一个电容出现损坏的情况下,如其中一个出现短路的情况下,滤波电路18仍然可以发挥作用。当然,滤波电路18可还以包括更多数量的电容,本实用新型实施例对此不做具体地限定。
参见图2,基于同一构思,本实用新型还提供了一种车载信息娱乐系统200。车载信息娱乐系统200可包括上述任一实施例或其组合的防止电源反接的保护电路100。
基于同一构思,本实用新型还提供了一种车辆。该车辆包括上述实施例的车载信息娱乐系统200。
至此,本领域技术人员应认识到,虽然本文已详尽示出和描述了本实用新型的多个示例性实施例,但是,在不脱离本实用新型精神和范围的情况下,仍可根据本实用新型公开的内容直接确定或推导出符合本实用新型原理的许多其他变型或修改。因此,本实用新型的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。
Claims (6)
1.一种防止电源反接的保护电路,其特征在于,包括MOS管、三极管以及处理器;
所述MOS管的源极与车载电源的正极连接,所述MOS管的漏极与所述处理器连接,所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极连接,所述MOS管配置为使所述车载电源通过所述MOS管内部的二极管提供所述处理器启动的电流;
所述处理器与所述三极管的基极连接,配置为在接收到所述车载电源通过所述MOS管内部的二极管提供的电流后启动,输出高电平信号至所述三极管的基极;
所述三极管的发射极与所述车载电源的负极连接,所述三极管配置为响应于所述处理器输出的高电平信号导通,输出低电平信号至所述MOS管的栅极使所述MOS管导通。
2.根据权利要求1所述的防止电源反接的保护电路,其特征在于,还包括:
滤波电路,其一端与所述MOS管的源极连接,另一端与所述车载电源的负极连接,配置为对所述车载电源输出至所述MOS管的源极的电流进行滤波。
3.根据权利要求2所述的防止电源反接的保护电路,其特征在于,
所述滤波电路包括至少一个电容。
4.根据权利要求3所述的防止电源反接的保护电路,其特征在于,
所述滤波电路包括两个电容,所述两个电容串联。
5.一种车载信息娱乐系统,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的防止电源反接的保护电路。
6.一种车辆,其特征在于,包括权利要求5所述的车载信息娱乐系统。
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