CN211957646U - 阵列基板、柔性显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种阵列基板、柔性显示面板及显示装置，其中，阵列基板包括：压接区域；压接区域中设置有至少一排压接端子，压接端子的最小间距为G_P；当

时，压接端子的延伸方向根据阵列基板的第一参数和第二参数进行设置；其中，G_A为ACF测试垫的最小间距，G_C为COF端子的刻蚀精度，S_C为压接机台的对位精度，b为阵列基板的第二参数，阵列基板的第二参数是指涨缩率的最大值，阵列基板的第一参数是指涨缩率的最小值。在本申请提供的阵列基板、柔性显示面板及显示装置中，根据压接端子的最小间距和阵列基板的涨缩率设置压接端子的延伸方向，以克服涨缩异常问题，保证阵列基板的压接端子与COF端子的正确对位，从而提升压接良率。

Description

阵列基板、柔性显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及柔性显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、柔性显示面板及显示装置。

背景技术

柔性显示装置是由柔性材料制成的、可弯曲形变的显示器件，由于其具有可挠曲、轻便等卓越的显示特质，柔性显示装置可被应用在可穿戴设备、移动设备、增强现实与虚拟技术设备等多个领域，被认为是未来显示领域的主流。

现有的柔性显示装置的模组(Module)制作过程包括压接(Bonding)工艺，阵列基板上的端子通过所述压接工艺与覆晶薄膜(英文全称chip on film，简称COF)的端子压接在一起。

然而，在实际制造过程中发现，阵列基板的压接端子存在批次性涨缩异常，即在阵列基板的压接区域(即Bonding区)中，其中一侧的端子间距相对于COF涨缩为零，另一侧的端子间距相对于COF涨缩往往超出最小要求间距。这样，进行COF压接时会发生COF的端子与阵列基板的端子对位错位的问题，从而导致COF与阵列基板压接不良。

基此，如何克服涨缩异常，提高COF与阵列基板的压接良率成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供一种阵列基板、柔性显示面板及显示装置，以解决现有技术中柔性显示屏由于涨缩异常而造成压接时端子对位错位的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的一种阵列基板，所述阵列基板包括：压接区域；

所述压接区域中设置有至少一排压接端子，所述压接端子的最小间距为G_P；

当

时，所述压接端子的延伸方向根据所述阵列基板的第一参数和第二参数进行设置；

其中，G_A为ACF测试垫的最小间距，G_C为COF端子的刻蚀精度，S_C为压接机台的对位精度，b为所述阵列基板的第二参数，所述阵列基板的第二参数是指涨缩率的最大值，所述阵列基板的第一参数是指涨缩率的最小值。

可选的，在所述的阵列基板中，所述压接区域具有一中位线，所述中位线与所述压接端子的排列方向垂直，所述至少一排压接端子以所述中位线对称排列于所述中位线的两侧，且所述至少一排压接端子中各个压接端子的面积均相等。

可选的，在所述的阵列基板中，当所述压接端子的最小间距

时，所述压接端子的延伸方向与所述中位线平行。

可选的，在所述的阵列基板中，所述压接区域沿着所述压接端子的排列方向依次划分为第一侧区和第二侧区，所述第一侧区的压接端子和所述第二侧区的压接端子关于所述中位线对称设置，且所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子均包括依次连接的第一区段和第二区段，所述第一区段的延伸方向根据所述第一参数设置，所述第二区段的延伸方向根据所述第二参数设置。

可选的，在所述的阵列基板中，所述压接区域沿着所述压接端子的排列方向依次划分为第一侧区、中间区和第二侧区，所述第一侧区的压接端子和所述第二侧区的压接端子关于所述中位线对称设置，且所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子均包括依次连接的第一区段和第二区段，所述第一区段的延伸方向根据所述第一参数设置，所述第二区段的延伸方向根据所述第二参数设置；

所述中间区的压接端子的延伸方向与所述中位线平行，且所述中间区的压接端子等距设置，所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子的最小间距大于或等于所述中间区的压接端子的间距。

可选的，在所述的阵列基板中，所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子的间距均沿着平行于所述中位线的方向逐渐变化；

所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子的最小间距与最大间距的比值根据所述第一参数和所述第二参数设定。

可选的，在所述的阵列基板中，所述第一区段和所述第二区段的中心线均为直线段或均为弧线段。

可选的，在所述的阵列基板中，所述第一区段的中心线为直线段，所述第二区段的中心线为弧线段；或者

所述第一区段的中心线为弧线段，所述第二区段的中心线为直线段。

相应的，本实用新型还提供的一种柔性显示面板，所述柔性显示面板包括如上所述的阵列基板。

相应的，本实用新型还提供的一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的柔性显示面板。

在本实用新型提供的阵列基板、柔性显示面板及显示装置中，根据压接端子的最小间距和阵列基板的涨缩率设置压接端子的延伸方向，以克服涨缩异常问题，保证阵列基板的压接端子与COF端子的正确对位，从而提升压接良率。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型实施例一的阵列基板的压接区域的结构示意图；

图2示出了现有技术的压接端子与COF压接时的结构示意图；

图3示出了本实用新型实施例二的阵列基板的压接区域的结构示意图；

图4示出了本实用新型实施例三的阵列基板的压接区域的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

【实施例一】

请参考图1，其为本实用新型实施例一的阵列基板的压接区域的结构示意图。如图1所示，所述阵列基板包括：压接区域10；所述压接区域10中设置有至少一排压接端子11，所述压接端子11的最小间距为G_P；当

时，所述压接端子11的延伸方向根据所述阵列基板的第一参数和第二参数进行设置；其中，G_A为ACF测试垫的最小间距，G_C为COF端子的刻蚀精度，S_C为压接机台的对位精度，b为所述阵列基板的第二参数，所述阵列基板的第二参数是指涨缩率的最大值，所述阵列基板的第一参数是指涨缩率的最小值。

具体的，所述阵列基板包括显示区域(图中未示出)和压接区域10，所述显示区域包括多个用以执行显示功能的显示器件，所述压接区域10中设置有一排压接端子11，每个压接端子11通过相应的信号连接线与所述显示区的显示器件连接。所述压接端子11与COF的端子进行压接(Bonding)之后，COF上的控制信号能够通过所述压接端子11传输至所述显示区，并执行相对应的信号指令。

请参考图2，其为现有技术的压接端子与COF压接时的结构示意图。如图2所示，在传统设计中，阵列基板的压接端子11一般为矩形结构，COF的端子12的结构和尺寸与所述压接端子11的结构和尺寸基本相同，在压接后，所述压接端子11与COF的端子12要求具有一定的接触宽度和接触面积。其中，压接端子11的长度为L_P，压接端子11的宽度为W_P，压接端子11与COF的端子12的最小接触面积为S1，最小接触宽度为W1。最小接触面积S1的计算公式如下：

即：

其中，G_A、G_C和S_C均为常数，常数G_A的大小与异方性导电胶(ACF)的材料特性有关，是指ACF测试PAD的最小间距，常数G_C的大小与COF的材料特性有关，是指COF端子的刻蚀精度，常数S_C的大小与压接机台的精度有关，是指压接机台的对位精度。

在压接区域中，单个压接端子11的分布宽度为G_P+W_P。其中，G_P为压接端子11的最小间距，W_P为压接端子11的宽度。所述压接区域的总长为N×(G_P+W_P)。其中，N表示所述压接区域中压接端子11的数量。

在压接前后，所述压接区域的总长在会有所改变。在压接之前(Array工艺)，压接区域的总长为L1。在压接之后(Module工艺)，压接区域的总长为L2。压接总长的变化率即涨缩率，涨缩率Δ的计算公式如下：

Δ＝(L2-L1)÷L1 (式三)；

实用新型人发现，阵列基板的压接端子存在批次性涨缩异常，在压接时容易发生压接端子对位错位的问题。为此，需要重新对压接端子进行设计。

本实施例中，压接端子设计考虑到阵列基板的材料涨缩问题。为此，先通过试验确定阵列基板的涨缩率。所述阵列基板的涨缩率的试验过程包括：

首先，准备测试样品；接着，测量所述测试样品的压接总长(即压接区域10在压接之前的总长L1)；然后，将所述测试样品放置于恒温恒湿环境(温度为23±3℃，湿度为59±6％RH)中静置21天；之后，进行模组压接工艺，并在压接工艺完成之后再次测量所述测试样品的压接总长(即压接区域10在压接之后总长L2)；最后，计算压接总长的变化率即可获得涨缩率Δ。

本实施例中，所述阵列基板为柔性透明基板，其采用的柔性基材是聚酰亚胺，英文简称为PI。相应的，所述测试样品的衬底为PI，所述衬底上依次形成有低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)、有机电致发光器件(OLED)和柔性封装层(TFE)，所述测试样品上附着有弱粘附力(撕离力≤1gf/25mm)的保护膜。

本实施例中，所述阵列基板的第一参数(即涨缩率偏小值)a为0.07％，第二参数(即涨缩率极小值)b为0.336％。

其中，所述阵列基板的涨缩率偏小值a和涨缩率极小值b是通过多次涨缩率试验获得的。在多次涨缩率试验中，所获得的涨缩率的最大值即涨缩率极小值b，所获得的涨缩率的最小值即涨缩率偏小值a。所述涨缩率极小值b也称为涨缩极限值，所述涨缩率极小值b为0.336％意味着所述阵列基板的涨缩率Δ≤0.336％。

请继续参考图2，当阵列基板的涨缩率Δ≤0.336％时，传统的压接端子的排列设计一般要求满足以下条件：

(W_P-X)*L_P≥S1且G_P-X≥G_A；

其中，X是指压接端子11与COF的端子12的对位偏差，L1是压接区域10在压接之前的总长。

实用新型人考虑到材料涨缩问题，在进行压接端子设计时区分压接端子11的最小间距G_P是否比

小。当压接端子11的最小间距G_P小于

时，为了避免材料涨缩造成压接对位错位问题，所述压接端子11的延伸方向要求根据所述涨缩率偏小值a和涨缩率极小值b进行设置。当压接端子11的最小间距G_P大于或等于

时，即使出现极限的收缩，也可满足压接对位的要求，因此不需要进行涨缩补偿，可采用传统设计。

本实施例中，所述压接区域10中各个压接端子11的最小间距G_P均比

要小。因此，所述压接区域10中所有的压接端子11都要进行涨缩补偿。

请继续参考图1，每个压接端子11均包括依次连接的第一区段11a和第二区段11b，所述第一区段11a的延伸方向根据所述阵列基板的涨缩率偏小值a设置，所述第二区段11b的延伸方向根据所述阵列基板的涨缩率极小值b设置。

本实施例中，所述第一区段11a和第二区段11b的中心线均为直线段，所述第一区段11a的中心线和所述第二区段11b的中心线组合成一折线，即所述压接端子11的中心线为折线，所述第一区段11a的延伸方向与所述压接端子11的排列方向之间的夹角根据所述涨缩率偏小值a设置，所述第二区段11b的延伸方向与所述压接端子11的排列方向之间的夹角根据所述涨缩率极小值b设置。

请继续参考图1，所述压接区域10具有一中位线(图中纵向虚线所示)，所述中位线垂直于所述排列方向，在所述压接端子11的排列方向上，所述压接区域10依次划分为第一侧区A和第二侧区C，所述第一侧区A和所述第二侧区C的端子间距沿着平行于所述中位线的方向逐渐变化，即任意相邻的两个压接端子11之间的距离并非为一定值，而是由小到大或者由大到小逐渐变化，最小间距为G_P，最大间距为G_P'。

其中，所述压接端子11的延伸方向与所述压接端子11的排列方向的夹角均大于0°且小于90°，所述压接端子11的最小间距G_P与最大间距G_P'的比值(G_P/G_P')为一定值，该定值与所述涨缩率偏小值a和所述涨缩率极小值b有关。

本实施例中，所述压接端子11的间距采用上窄下宽设计。在其他实施例中，所述压接端子11的间距也可采用下窄上宽设计，只要所述压接端子11的间距与COF的端子间距采用相同的设计即可。

与传统的设计相比，所述第一侧区A和所述第二侧区C中各个压接端子11的所占空间相对较大，因此可以对材料涨缩进行补偿，避免其由于批次性涨缩异常而与COF的端子发生对位错位的问题，进而提升COF与所述阵列基板的压接良率。

优选的，所述第一侧区A和所述第二侧区C的压接端子11关于所述中位线对称设置。如此，所述第一侧区A和所述第二侧区C中的各个压接端子11中，与所述中位线距离相等的两个压接端子11的延伸方向关于所述中位线呈对称设置，使得这两个压接端子11的所占空间相同。

优选的，所述第一侧区A和所述第二侧区C中的各个压接端子11的面积均相等。如此，保证压接后的阻抗相等，避免各个压接端子之间的电流或电压出现差异，进而对显示效果造成不利影响。

在其他实施例中，所述阵列基板也可采用其他柔性基材(例如PEN、PET等)。由于阵列基板的涨缩率主要与所述阵列基板的材料特性有关，因此采用的材料不同，阵列基板的涨缩率也会不同。相应的，压接端子中第一区段和第二区段的延伸方向也会有所改变。

【实施例二】

请参考图3，其为本实用新型实施例二的阵列基板的压接区域的结构示意图。如图3所示，所述阵列基板包括：压接区域20；所述压接区域20中设置有至少一排压接端子11，所述压接端子11的最小间距为G_P，当

时，所述压接端子11的延伸方向根据所述阵列基板的第一参数和第二参数进行设置；其中，G_A为ACF测试垫的最小间距，G_C为COF端子的刻蚀精度，S_C为压接机台的对位精度，b为所述阵列基板的第二参数，所述阵列基板的第二参数是指涨缩率的最大值，所述阵列基板的第一参数是指涨缩率的最小值。

具体的，所述压接端子11的设计考虑所述阵列基板的材料涨缩。

本实施例中，所述阵列基板的涨缩率偏小值a为0.07％，涨缩率极小值b为0.336％，所述压接区域20中左右两侧的压接端子11的最小间距G_P均要求比

小，而中间位置的压接端子11的最小间距G_P均要求比

大。因此，左右两侧的压接端子11都要进行涨缩补偿，中间位置的压接端子11不需要进行涨缩补偿，可采用传统设计。

如图3所示，所述压接区域20具有一中位线(图中纵向虚线所示)，所述中位线与所述压接端子11的排列方向垂直，在所述压接端子11的排列方向上，所述压接区域20依次划分为第一侧区A、中间区B和第二侧区C，所述中间区B中的各个压接端子11间距相等，且延伸方向均与所述中位线平行(即与所述压接端子11的排列方向垂直)，所述第一侧区A和所述第二侧区C中的压接端子11关于所述中位线对称设置，且所述第一侧区A和所述第二侧区C的端子间距均沿着平行于所述中位线的方向逐渐变化。其中，所述第一侧区A和所述第二侧区C中压接端子11的最小间距G_P要求大于或等于所述中间区B的端子间距。

请继续参考图3，所述第一侧区A和所述第二侧区C中的每个压接端子11均包括依次连接的第一区段11a和第二区段11b，所述第一区段11a的延伸方向根据涨缩率偏小值a设置，所述第二区段11b的延伸方向根据涨缩率极小值b设置，且所述压接端子11的最小间距G_P与最大间距G_P'的比值为一定值，该定值与所述涨缩率偏小值a和所述涨缩率极小值b有关。

本实施例中，所述第一区段11a和第二区段11b的中心线同样均为直线段，所述第一侧区A和所述第二侧区C中各个压接端子11的中心线均为折线。

本实施例中，将所述压接区域20划分为中间区域和两侧区域，中间区域的端子间距采用传统设计(即压接端子均为平行等距设置)，两侧区域的端子间距均采用上窄下宽设计或者下窄上宽设计。

从所述压接端子11的排列方向上看，所述第一侧区A和所述第二侧区C中每个压接端子11的所占空间相对较大，所述中间区B中每个压接端子11的所占空间相对较小。由于左右两侧的压接端子11所占空间相对较大，可以对材料涨缩进行补偿，避免其由于批次性涨缩异常而与COF的端子发生对位错位的问题，进而提升COF与所述阵列基板的压接良率。

优选的，所述第一侧区A、中间区B和第二侧区C的各个压接端子11的面积均相等。如此，保证压接后的阻抗相等，避免压接端子之间的电流或电压出现有差异，进而对显示效果造成不利影响。

需要说明的是，在本实施例提供的阵列基板中，所述中间区B的压接端子11的截面形状可以是矩形，也可以是其他形状(例如与所述第一侧区A和所述第二侧区C的压接端子的形状类似)，所述中间区B内的各压接端子11的形状可以设置相同，也可以设置为不同，在此不做限定。

需要说明的是，在本实施例提供的阵列基板中，图3的压接区域20是按照从左向右的顺序依次划分为第一侧区A、中间区B和第二侧区C为例进行说明的，当然，也可以将压接区域20按照从右向左的顺序依次划分为第一侧区、中间区和第二侧区，在此不做限定。

需要说明的是，当压接端子11的最小间距G_P大于或等于

时，可以采用传统设计，不对其进行涨缩补偿，也可以采用新的设计，按照所述涨缩率偏小值a和涨缩率极小值b对其进行涨缩补偿，在此不做限定。

【实施例三】

请参考图4，其为本实用新型实施例三的阵列基板的压接区域的结构示意图。如图4所示，所述阵列基板包括：压接区域30；所述压接区域30中设置有至少一排压接端子11，所述压接端子11的最小间距为G_P，当

时，所述压接端子11的延伸方向根据所述阵列基板的第一参数和第二参数进行设置；其中，G_A为ACF测试垫的最小间距，G_C为COF端子的刻蚀精度，S_C为压接机台的对位精度，b为所述阵列基板的第二参数，所述阵列基板的第二参数是指涨缩率的最大值，所述阵列基板的第一参数是指涨缩率的最小值。

具体的，所述压接端子11的设计考虑所述阵列基板的材料涨缩。

本实施例中，所述阵列基板的涨缩率偏小值a为0.07％，涨缩率极小值b为0.336％，所述压接区域30中左右两侧的压接端子11的最小间距G_P均要求比

小，而中间位置的压接端子11的最小间距G_P均要求比

大。因此，左右两侧的压接端子11都要进行涨缩补偿，中间位置的压接端子11可以不进行涨缩补偿，直接采用传统设计。

如图4所示，所述压接区域30具有一中位线(图中纵向虚线所示)，所述中位线与所述压接端子11的排列方向垂直，在所述压接端子11的排列方向上，所述压接区域30依次划分为第一侧区A、中间区B和第二侧区C，所述中间区B中的各个压接端子11间距相等，且延伸方向均与所述中位线平行(即与所述压接端子11的排列方向垂直)，所述第一侧区A和所述第二侧区C中的压接端子11关于所述中位线对称设置，且所述第一侧区A和所述第二侧区C的端子间距均沿着平行于所述中位线的方向逐渐变化。

本实施例中，将所述压接区域30划分为中间区域和两侧区域，中间区域的端子间距采用传统设计(即压接端子均为平行等距设置)，两侧区域的端子间距均采用上窄下宽设计或者下窄上宽设计。

本实施例与实施例二的不同之处在于，第一侧区A和第二侧区C的压接端子11的中心线均为弧线，而在实施例二中，第一侧区A和第二侧区C的压接端子11的中心线均为折线。

需要说明的是，上述压接端子11的形状、数量与排布方式仅为举例，而非限定，本领域技术人员可结合实际需求对所述压接端子11的形状、数量与排布方式进行设置。例如，压接端子11中第一区段11a和第二区段11b的中心线均为弧线段，或者所述第一区段11a的中心线为直线段，所述第二区段11b的中心线为弧线段；或者所述第一区段11a的中心线为弧线段，所述第二区段11b的中心线为直线段。

上述附图仅仅是示意性地示出本实用新型提供的阵列基板的压接区域。为了清楚起见，简化上述各图中的元件形状、元件数量并省略部分元件，本领域技术人员可以根据实际需求进行变化，这些变化都在本实用新型的保护范围内，在此不予赘述。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

综上，本实用新型提供的阵列基板、柔性显示面板及显示装置，根据压接端子的最小间距和阵列基板的涨缩率设置压接端子的延伸方向，以克服涨缩异常问题，保证阵列基板的压接端子与COF端子的正确对位，从而提升压接良率。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：压接区域；

所述压接区域中设置有至少一排压接端子，所述压接端子的最小间距为G_P；

当

时，所述压接端子的延伸方向根据所述阵列基板的第一参数和第二参数进行设置；

其中，G_A为ACF测试垫的最小间距，G_C为COF端子的刻蚀精度，S_C为压接机台的对位精度，b为所述阵列基板的第二参数，所述阵列基板的第二参数是指涨缩率的最大值，所述阵列基板的第一参数是指涨缩率的最小值。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述压接区域具有一中位线，所述中位线与所述压接端子的排列方向垂直，所述至少一排压接端子以所述中位线对称排列于所述中位线的两侧，且所述至少一排压接端子中各个压接端子的面积均相等。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，当所述压接端子的最小间距

时，所述压接端子的延伸方向与所述中位线平行。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述压接区域沿着所述压接端子的排列方向依次划分为第一侧区和第二侧区，所述第一侧区的压接端子和所述第二侧区的压接端子关于所述中位线对称设置，且所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子均包括依次连接的第一区段和第二区段，所述第一区段的延伸方向根据所述第一参数设置，所述第二区段的延伸方向根据所述第二参数设置。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述压接区域沿着所述压接端子的排列方向依次划分为第一侧区、中间区和第二侧区，所述第一侧区的压接端子和所述第二侧区的压接端子关于所述中位线对称设置，且所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子均包括依次连接的第一区段和第二区段，所述第一区段的延伸方向根据所述第一参数设置，所述第二区段的延伸方向根据所述第二参数设置；

所述中间区的压接端子的延伸方向与所述中位线平行，且所述中间区的压接端子等距设置，所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子的最小间距大于或等于所述中间区的压接端子的间距。

6.如权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子的间距均沿着平行于所述中位线的方向逐渐变化；

所述第一侧区和所述第二侧区的压接端子的最小间距与最大间距的比值根据所述第一参数和所述第二参数设定。

7.如权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区段和所述第二区段的中心线均为直线段或均为弧线段。

8.如权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区段的中心线为直线段，所述第二区段的中心线为弧线段；或者

所述第一区段的中心线为弧线段，所述第二区段的中心线为直线段。

9.一种柔性显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9所述的柔性显示面板。

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