CN211829535U - 一种半导体激光器驱动电路及激光雷达 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体激光器驱动电路，包括：驱动单元、耦合单元、开关器、储能模块、高压模块和半导体激光器；驱动单元与耦合单元连接，为耦合单元的输入级提供输入信号；耦合单元的输出级与开关器相连，为开关器提供隔离后的信号；高压模块与开关器和储能模块相连，为储能模块充电；储能模块为半导体激光器的发光提供能量；半导体激光器的阴极与GND连接，阳极与开关器连接。本实用新型解决了阴极接地形式的激光器驱动电路，从而能够解决共阴极阵列形式激光器的分时发光问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体激光器驱动电路，尤其涉及一种半导体激光器阴极接地形式的驱动电路及激光雷达。
技术背景
激光雷达广泛应用于交通、医疗等行业，更是无人驾驶中的核心技术，并且会越来越向小型化发展。激光发射部分作为激光雷达中不可或缺的组成部分也同样需要通过减小其体积为激光雷达的小型化做出贡献。激光发射包括电路和光学部分，对于整体来讲，光学镜组对其小型化有很大的影响，而光学镜组的大小主要取决于各路激光管整体的大小，目前市场上存在共阴极形式的阵列激光器，但传统形式的驱动电路并不能驱动共阴极阵列激光器进行分时发光，因而需要找到一种半导体激光器阴极接地的形式的驱动电路，阴极接地阵列形式的共阴极。
目前普遍存在的半导体激光器驱动电路的不足主要有：1、由于阴极接地形式的半导体激光器在MOS管导通发光时其阳极电压上升导致MOS 管关闭，继而使半导体激光器达不到预期的峰值功率；2、由于驱动电路中寄生参数的存在，传统的驱动电路即使能够满足共阴极激光器的分时发光，但不同通道激光管发光时也会相互影响，导致发出激光的波形、幅值失真等情况。
实用新型内容
一方面，本实用新型提供一种半导体激光器驱动电路，其能够解决阴极接地形式的激光器驱动问题，并且如果是阵列形式的激光器也能满足分时发光。
本实用新型电路通过以下方式实现，包括：
驱动单元、耦合单元、开关器、储能模块、高压模块和半导体激光器D；
所述驱动单元与耦合单元连接，为耦合单元的输入级提供输入信号；
所述耦合单元的输出级与开关器相连，为开关器提供隔离后的信号；
所述高压模块与开关器和储能模块相连，为储能模块充电；
所述储能模块为半导体激光器D提供能量；所述激光器D的阴极与 GND连接，所述激光器D的阳极与所述开关器连接。
优选地，所述驱动单元用于为控制器直接输出信号或者是驱动芯片。
优选地，所述耦合单元用于为光耦合或者磁耦合。
优选地，所述开关器为雪崩三极管或者NMOS管。
另一方面，本实用新型还提出了一种激光雷达，该激光雷达包含上述任意一项所述半导体激光器驱动电路。
本实用新型的有益效果在于：
1、解决共阴极激光管阵列分时发光问题。
2、解决共阴极激光管阵列分时发光时每一路激光相互之间的影响问题。
附图说明
通过参考下面的附图，可以更为完整地理解本实用新型的示例性实施方式：
图1为根据本实用新型实施方式的共阴极半导体阵列激光器驱动电路示意图。
其中，11为电源模块，12为单个高压单元，共N路(N≥2)，Li (i＝1，2，3…N)为充电电感，Qi(i＝1，2，3…N)为充电MOS管，Di (i＝1，2，3…N)为整流二极管，Ci(i＝1，2，3…N)为储能电容，13 为单个放电单元，共N路(N≥2)，Pi(i＝1，2，3…N)为放电雪崩三级管，Ti(i＝1，2，3…N)为隔离线圈，14为共阴极半导体阵列激光器。
具体实施方式
现在参考附图介绍本实用新型的示例性实施方式，然而，本实用新型可以用许多不同的形式来实施，并且不局限于此处描述的实施例，提供这些实施例是为了详尽地且完全地公开本实用新型，并且向所属技术领域的技术人员充分传达本实用新型的范围。对于表示在附图中的示例性实施方式中的术语并不是对本实用新型的限定。在附图中，相同的单元/元件使用相同的附图标记。
除非另有说明，此处使用的术语(包括科技术语)对所属技术领域的技术人员具有通常的理解含义。另外，可以理解的是，以通常使用的词典限定的术语，应当被理解为与其相关领域的语境具有一致的含义，而不应该被理解为理想化的或过于正式的意义。
图1为根据本实用新型实施方式的共阴极半导体阵列激光器驱动电路示意图。11为电源模块，12为单个高压单元，共N路(N≥2)，Li (i＝1，2，3…N)为充电电感，Qi(i＝1，2，3…N)为充电MOS管，Di (i＝1，2，3…N)为整流二极管，Ci(i＝1，2，3…N)为储能电容，13 为单个放电单元，共N路(N≥2)，Pi(i＝1，2，3…N)为放电雪崩三级管，Ti(i＝1，2，3…N)为隔离线圈，14为共阴极半导体阵列激光器。
优选地，高压模块为充电形式的脉冲高压，其充电信号时序需要与放电模块中的放电信号时序互相配合，即先充电后放电。
优选地，储能模块为Ci储能电容。
优选地，所述驱动单元为放电信号i(i＝1，2，3…N)。
优选地，所述耦合单元为磁耦合即图1中的Ti(i＝1，2，3…N)隔离线圈。
优选地，所述开关器为雪崩三极管Pi(i＝1，2，3…N)。
已经通过参考少量实施方式描述了本实用新型。然而，本领域技术人员所公知的，正如附带的专利权利要求所限定的，除了本实用新型以上公开的其他的实施例等同地落在本实用新型的范围内。
通常地，在权利要求中使用的所有术语都根据他们在技术领域的通常含义被解释，除非在其中被另外明确地定义。所有的参考“一个/所述 /该[装置、组件等]”都被开放地解释为所述装置、组件等中的至少一个实例，除非另外明确地说明。这里公开的任何方法的步骤都没必要以公开的准确的顺序运行，除非明确地说明。
Claims (5)
1.一种半导体激光器驱动电路，其特征在于包含：驱动单元、耦合单元、开关器、储能模块、高压模块和半导体激光器D；
所述驱动单元与耦合单元连接，用于为耦合单元的输入级提供输入信号；
所述耦合单元的输出级与开关器相连，用于为开关器提供隔离后的信号；
所述高压模块与开关器和储能模块相连，用于为储能模块充电；
所述储能模块为半导体激光器D提供能量；
所述激光器D的阴极与GND连接，所述激光器D的阳极与所述开关器连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述驱动单元用于为控制器直接的输出信号或者是驱动芯片。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述耦合单元为光耦合或者磁耦合。
4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述开关器为雪崩三极管或者NMOS管。
5.一种激光雷达，其特征在于包括权利要求1-4任意一项所述的一种半导体激光器驱动电路。
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|---|---|---|---|
| CN201922306598.8U CN211829535U (zh) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 一种半导体激光器驱动电路及激光雷达 |
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| CN201922306598.8U CN211829535U (zh) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 一种半导体激光器驱动电路及激光雷达 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN211829535U true CN211829535U (zh) | 2020-10-30 |
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| CN (1) | CN211829535U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115149397A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | 上海禾赛科技有限公司 | 激光器驱动电路及激光雷达 |
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2019
- 2019-12-19 CN CN201922306598.8U patent/CN211829535U/zh active Active
Cited By (2)
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| CN115149397A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | 上海禾赛科技有限公司 | 激光器驱动电路及激光雷达 |
| CN115149397B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-08-04 | 上海禾赛科技有限公司 | 激光器驱动电路及激光雷达 |
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