CN205960421U - 一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路 - Google Patents
一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205960421U CN205960421U CN201620955777.8U CN201620955777U CN205960421U CN 205960421 U CN205960421 U CN 205960421U CN 201620955777 U CN201620955777 U CN 201620955777U CN 205960421 U CN205960421 U CN 205960421U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor
- oxide
- metal
- laser
- electric capacity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 claims description 5
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013499 data model Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，包括：升压储能电路，包括：外接的第一电源、激光驱动双脉冲信号、第一电感、第一电阻、第一二极管、第一电容和/或第二电容、第一MOS管，用于产生激励激光管发光的高压；MOS管驱动电路，包括：外部双脉冲激光驱动信号、外接的第二电源、第四电容和MOS管栅极驱动芯片，用于放大激光驱动信号并且控制第一MOS管和第二MOS管；以及半导体激光管发光电路，包括：半导体激光器、第二二极管、第二MOS管、第三电容和第二电阻，用于产生激光脉冲。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种激光驱动电路，并且更具体地，涉及一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路。
背景技术
半导体激光器(LD)具有体积小、容易调制、可靠性高等优点，被广泛应用于通信、交通、医疗等领域，是目前世界上使用量最大的激光器种类。对于激光测距雷达应用中，脉冲激光的上升沿时间越短，测量精度越高；脉冲激光的峰值功率越大，测距能力越强；脉宽越窄，信噪比越高。半导体激光器产生的激光脉冲，在一定程度上依赖于激光器驱动电路的设计。
传统半导体激光器脉冲驱动电路结构比较复杂，冗余功能太多，参数调节复杂，不具备通用性，并且需要外部提供高压电源，造成半导体激光器驱动模块体积较大，不利于多线扫描小型化集成。随着激光雷达的广泛应用与发展，激光雷达对体积要求越来越趋于小型化，扫描线束要求越来越多，测距精度要求越来越高，现有半导体激光器驱动电路已经无法满足发展需要。
发明内容
根据本实用新型的一个方面，提供了一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其包括：
升压储能电路(101)，包括：外接的第一电源(V1)、激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第一电容(C1)和/或第二电容(C2)、第一MOS管(Q1)，用于产生激励激光管发光的高压；
MOS管驱动电路(102)，包括：外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)、外接的第二电源(V2)、第四电容(C4)和MOS管栅极驱动芯片(U1)，用于放大激光驱动信号并且控制第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)；以及
半导体激光管发光电路(103)，包括：半导体激光器(LD)、第二二极管(D2)、第二MOS管(Q2)、第三电容(C3)和第二电阻(R2)，用于产生激光脉冲。
优选地，所述外接第一电源(V1)与第一电感(L1)一端相连接,第一电感(L1)另一端与第一二极管(D1)的正极和第一MOS管(Q1)的源极相连接,第一MOS管(Q1)栅极与第一电阻(R1)一端相连接,第一电阻(R1)另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接,第一MOS管(Q1)漏极接地,第一二极管(D1)负极与第一电容(C1)一端和第二电容(C2)一端相连接，第一电容(C1)另一端和第二电容(C2)另一端相连接并接地。
优选地，所述第一电容(C1)和第二电容(C2)均为储能电容，两个电容可以替换为一个电容。
优选地，所述的第四电容(C4)一端与外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)相连接，第四电容(C4)另一端与MOS管栅极驱动芯片(U1)的信号输入引脚相连接，MOS管栅极驱动芯片(U1)的信号输出引脚与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接，MOS管栅极驱动芯片(U1)的电源引脚与外接的第二电源(V2)相连接，MOS管栅极驱动芯片(U1)的接地引脚与地相连接。
优选地，所述外接的第二电源(V2)用于对MOS管栅极驱动芯片(U1)供电，所述MOS管栅极驱动芯片(U1)用于放大整形外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)，所述外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)为双脉冲TTL信号。
优选地，所述半导体激光管发光电路(103)以MOS管作为核心高速器件，并且所述半导体激光管发光电路，所述半导体激光器(LD)正极与第二二极管(D2)负极和第一二极管(D1)正极相连接，半导体激光器(LD)负极与第二二极管(D2)正极和第二MOS管(Q2)源极相连接，第二MOS管(Q2)栅极与第二电阻(R2)一端相连接，第二电阻(R2)另一端与第二MOS管(Q2)漏极相连接并接地，第三电容(C3)一端与第二电阻(R2)一端和第二MOS管(Q2)栅极相连接，第三电容(C3)另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接。
优选地，所述第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)均为高速场效应晶体管。
优选地，所述第二二极管(D2)与半导体激光器(LD)反向并联，用于消除半导体激光器(LD)产生的反向过冲。
优选地，所述第三电容(C3)用于隔直流，防止第二MOS管(Q2)长时间导通烧毁半导体激光管(LD)。
本实用新型的有益效果在于：
1.电路内部集成了高压模块，高压可调，响应速度快，整个驱动电路体积小，结构简单，有利于多线扫描小型化集成。
2.脉冲响应迅速，脉冲上升沿短，激光脉宽达到7ns，重复频率在1kHz-72kHz内可调。
2.电路采用TTL双脉冲驱动，参数简单易调，通用性强，输出稳定，功率大，适用于多种半导体激光器。
附图说明
通过参考下面的附图，可以更为完整地理解本实用新型的示例性实施方式：
图1为根据本实用新型实施方式的微型窄脉冲半导体激光器驱动电路的结构示意图；以及
图2为根据本发明实用新型实施方式的微型窄脉冲半导体激光器驱动电路中双脉冲驱动信号(TTLOUT)作用下储能电容升压与放电过程波形图。
其中，V1是外接第一电源，V2是外接第二电源，L1是第一电感，D1是第一二极管，D2是第二二极管，Q是第一MOS管，Q2是第二MOS管，C1是第一电容，C2是第二电容，C3是第三电容，C4是第四电容，R1是第一电阻，R2是第二电阻，LD是半导体激光器，TTLIN是外部双脉冲输入，TTLOUT是双脉冲输出，U1是MOS管栅极驱动芯片。
具体实施方式
现在参考附图介绍本实用新型的示例性实施方式，然而，本实用新型可以用许多不同的形式来实施，并且不局限于此处描述的实施例，提供这些实施例是为了详尽地且完全地公开本实用新型，并且向所属技术领域的技术人员充分传达本实用新型的范围。对于表示在附图中的示例性实施方式中的术语并不是对本实用新型的限定。在附图中，相同的单元/元件使用相同的附图标记。
除非另有说明，此处使用的术语(包括科技术语)对所属技术领域的技术人员具有通常的理解含义。另外，可以理解的是，以通常使用的词典限定的术语，应当被理解为与其相关领域的语境具有一致的含义，而不应该被理解为理想化的或过于正式的意义。
图1为根据本实用新型实施方式的微型窄脉冲半导体激光器驱动电路的结构示意图。如图1所示，所述微型窄脉冲半导体激光器驱动电路包括：升压储能电路101、MOS管驱动电路102和半导体激光管发光电路103。升压储能电路101的输入端的一端与外接的第一电源(V1)相连接，另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接，输出端与半导体激光管的正极相连接，用于产生激励激光管发光的高压。优选地，其中所述升压储能电路包括：外接的第一电源(V1)、激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第一MOS管(Q1)。优选地，其中所述第一电容(C1)和第二电容(C2)均为储能电容，并且所述第一电容(C1)和第二电容(C2)的一端分别并联接地，另一端分别作为升压储能电路的输出端。优选地，其中所述第一电源(V1)与第一电感(L1)相连接，所述第一MOS管(Q1)的源极接地。其中，第一电源(V1)与第一电感(L1)一端连接，第一电感(L1)与第一二极管(D1)正极连接并形成第一节点，第一MOS管(Q1)漏极与第一节点连接，源极接地，栅极与第一电阻(R1)一端连接，第一电阻(R1)另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)连接，第一电容(C1)与第二电容(C2)并联，一端接地，另一端与第一二极管(D1)连接形成第二节点，第二节点作为升压储能电路输出端。
优选地，MOS管驱动电路102的输入端的一端与外接的第二电源(V2)相连接，另一端与外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)相连接；输出端的激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)分别与升压储能电路的输入端和半导体激光管发光电路的输入端相连接，用于放大激光驱动信号并且控制第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)。优选地，其中所述MOS管驱动电路包括：外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)、外接的第二电源(V2)、第四电容(C4)和MOS管栅极驱动芯片(U1)。优选地，其中所述外接的第二电源(V2)用于对MOS管栅极驱动芯片(U1)供电，所述MOS管栅极驱动芯片(U1)用于放大整形外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)，所述外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)为双脉冲TTL信号。优选地，其中所述第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)均为高速场效应晶体管。其中，半导体激光器(LD)正极与升压储能电路输出端连接，第二二极管(D2)负极与升压储能电路输出端连接，第二二极管(D2)正极与半导体激光器(LD)负极连接形成第三节点，第二MOS管(Q2)漏极与第二节点连接，源极接地，栅极与第三电容(C3)一端连接形成第四节点，第三电容(C3)另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)连接，第二电阻(R2)一端与第四节点连接，另一端接地。
优选地，半导体激光管发光电路103的输入端与升压储能电路的输出端相连接，用于产生激光脉冲。优选地，其中所述半导体激光管发光电路以MOS管作为核心高速器件，并且所述半导体激光管发光电路包括：半导体激光器(LD)、第二二极管(D2)、第二MOS管(Q2)、第三电容(C3)和第二电阻(R2)。优选地，其中所述第二二极管(D2)与半导体激光器(LD)反向并联，用于消除半导体激光器(LD)产生的反向过冲；优选地，其中所述第二MOS管(Q2)漏极与半导体激光器(LD)负极连接，并且所述第二MOS管(Q2)的源极接地。优选地，其中所述第三电容(C3)用于隔直流，防止第二MOS管(Q2)长时间导通烧毁半导体激光管(LD)。其中，MOS管栅极驱动芯片(U1)引脚1连接到第四电容(C4)的一端，第四电容(C4)另一端连接外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)，MOS管栅极驱动芯片(U1)引脚4连接激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)，引脚3连接第二电源(V2)，引脚2接地。
图2为根据本发明实用新型实施方式的微型窄脉冲半导体激光器驱动电路中激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)作用下储能电容升压与放电过程波形图。MOS管驱动电路产生双脉冲TTL信号；升压储能电路在双脉冲中的前一个脉冲作用下产生可调节的高压并给储能电容，激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)前一个脉冲高电平作用到第一MOS管(Q1)令其导通，外接第一电源(V1)经过第一电感(L1)对地放电，此过程为第一电感(L1)充；前一个脉冲高电平结束，第一MOS管(Q1)关断，第一电感(L1)为储能电容充电，此过程产生高压，用于激励半导体激光管(LD)产生激光脉冲；半导体激光管发光电路在双脉冲中的后一个脉冲作用下导通第二MOS管(Q2)；储能电容放出大电流加在半导体激光管上使激光管产生脉冲激光；第二MOS管(Q2)截止，等待新的窄脉宽触发脉冲输入。如图2所示，外部输入外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)，双脉冲中前一个脉冲宽度为1us-9us，后一个脉冲宽度为20ns-50ns，两个脉冲间隔1us-15us，MOS管驱动电路输出放大后的激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)，本实例选用的MOS管栅极驱动芯片外部输入第二电压(V2)取值范围为5-15V，双脉冲信号经过处理后上升沿Ton＝6ns，下降沿Toff＝6ns，输出的激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)同时作用到第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)。第一电容(C1)与第二电容(C2)并联作为储能电容，为驱动半导体激光管(LD)发光提供脉冲能量，第一二极管(D1)起到整流作用，防止储能电容中电能回流，第二二极管(D2)与半导体激光管(LD)反向并联，用于消除LD发光时产生的反向脉冲，延长LD的使用寿命。
电路工作原理请参见图2，图中TTLOUT为激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)，本实施例中前一个脉冲脉宽为9us，后一个脉冲脉宽为50ns，图中HV_C2为储能电容两端电压，本实施例中储能电压峰值为130V。初始时刻认为储能电容电压为零，激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)作用到第一MOS管(Q1)，第一MOS管(Q1)在前一个脉冲作用下导通9us，此时外接第一电源(V1)通过第一电感(L1)对地放电，此过程为第一电感(L1)充电过程，本实施例中，双脉冲驱动信号的两个脉冲之间间隔时间为2us，间隔时间中，第一MOS管(Q1)关断2us，第一电感(L1)对储能电容充电，充电峰值电压达到130V，后一个脉冲脉宽为50ns，第二MOS管(Q2)在后一个脉冲作用下导通50ns，此时储能电容经过半导体激光管(LD)对地放电，放电下降沿Toff＝4ns，半导体激光管(LD)产生脉冲激光。调节双脉冲的脉宽与频率，能够改变半导体激光管的峰值功率与重复频率。
本实施例中，第一MOS管(Q1)与第二MOS管(Q2)选用小封装大电流高速MOSFET，上升时间Tr＝2ns，下降时间Tf＝4ns，最大电流ID＝48A，最大电压VDS＝150V，能够提供前沿快、脉宽窄、峰值功率大的激光脉冲。
已经通过参考少量实施方式描述了本实用新型。然而，本领域技术人员所公知的，正如附带的专利权利要求所限定的，除了本实用新型以上公开的其他的实施例等同地落在本实用新型的范围内。
通常地，在权利要求中使用的所有术语都根据他们在技术领域的通常含义被解释，除非在其中被另外明确地定义。所有的参考“一个/所述/该[装置、组件等]”都被开放地解释为所述装置、组件等中的至少一个实例，除非另外明确地说明。这里公开的任何方法的步骤都没必要以公开的准确的顺序运行，除非明确地说明。
Claims (9)
1.一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述电路包括：
升压储能电路(101)，包括：外接的第一电源(V1)、激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第一电容(C1)和/或第二电容(C2)、第一MOS管(Q1)，用于产生激励激光管发光的高压；
MOS管驱动电路(102)，包括：外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)、外接的第二电源(V2)、第四电容(C4)和MOS管栅极驱动芯片(U1)，用于放大激光驱动信号并且控制第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)；以及半导体激光管发光电路(103)，包括：半导体激光器(LD)、第二二极管(D2)、第二MOS管(Q2)、第三电容(C3)和第二电阻(R2)，用于产生激光脉冲。
2.根据权利要求1所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述外接第一电源(V1)与第一电感(L1)一端相连接,第一电感(L1)另一端与第一二极管(D1)的正极和第一MOS管(Q1)的源极相连接,第一MOS管(Q1)栅极与第一电阻(R1)一端相连接,第一电阻(R1)另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接,第一MOS管(Q1)漏极接地,第一二极管(D1)负极与第一电容(C1)一端和第二电容(C2)一端相连接，第一电容(C1)另一端和第二电容(C2)另一端相连接并接地。
3.根据权利要求2所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述第一电容(C1)和第二电容(C2)均为储能电容，两个电容可以替换为一个电容。
4.根据权利要求1所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述的第四电容(C4)一端与外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)相连接，第四电容(C4)另一端与MOS管栅极驱动芯片(U1)的信号输入引脚相连接，MOS管栅极驱动芯片(U1)的信号输出引脚与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接，MOS管栅极驱动芯片(U1)的电源引脚与外接的第二电源(V2)相连接，MOS管栅极驱动芯片(U1)的接地引脚与地相连接。
5.根据权利要求4所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述外接的第二电源(V2)用于对MOS管栅极驱动芯片(U1)供电，所述MOS管栅极驱动芯片(U1)用于放大整形外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)，所述外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)为双脉冲TTL信号。
6.根据权利要求1所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述半导体激光管发光电路(103)以MOS管作为核心高速器件，并且所述半导体激光管发光电路，所述半导体激光器(LD)正极与第二二极管(D2)负极和第一二极管(D1)正极相连接，半导体激光器(LD)负极与第二二极管(D2)正极和第二MOS管(Q2)源极相连接，第二MOS管(Q2)栅极与第二电阻(R2)一端相连接，第二电阻(R2)另一端与第二MOS管(Q2)漏极相连接并接地，第三电容(C3)一端与第二电阻(R2)一端和第二MOS管(Q2)栅极相连接，第三电容(C3)另一端与激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)相连接。
7.根据权利要求1所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)均为高速场效应晶体管。
8.根据权利要求6所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述第二二极管(D2)与半导体激光器(LD)反向并联，用于消除半导体激光器(LD)产生的反向过冲。
9.根据权利要求6所述的一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述第三电容(C3)用于隔直流，防止第二MOS管(Q2)长时间导通烧毁半导体激光管(LD)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620955777.8U CN205960421U (zh) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620955777.8U CN205960421U (zh) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205960421U true CN205960421U (zh) | 2017-02-15 |
Family
ID=57980336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620955777.8U Active CN205960421U (zh) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205960421U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107482472A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 上海脉泽光电科技有限公司 | 一种半导体激光器驱动装置 |
| CN109921280A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-06-21 | 西安谦兴电子科技有限公司 | 提高半导体激光器重频和脉宽的驱动电路 |
| CN111355121A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 余姚舜宇智能光学技术有限公司 | 双脉冲激光驱动系统，驱动电路以及驱动方法 |
| CN112857247A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-05-28 | 山东英信计算机技术有限公司 | 一种pcb板的形变监测方法、装置、设备及介质 |
-
2016
- 2016-08-26 CN CN201620955777.8U patent/CN205960421U/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107482472A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 上海脉泽光电科技有限公司 | 一种半导体激光器驱动装置 |
| CN111355121A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 余姚舜宇智能光学技术有限公司 | 双脉冲激光驱动系统，驱动电路以及驱动方法 |
| CN111355121B (zh) * | 2018-12-21 | 2022-02-22 | 余姚舜宇智能光学技术有限公司 | 双脉冲激光驱动系统，驱动电路以及驱动方法 |
| CN109921280A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-06-21 | 西安谦兴电子科技有限公司 | 提高半导体激光器重频和脉宽的驱动电路 |
| CN112857247A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-05-28 | 山东英信计算机技术有限公司 | 一种pcb板的形变监测方法、装置、设备及介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN205960421U (zh) | 一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路 | |
| US10903621B2 (en) | Circuit for driving a laser and method therefor | |
| CN209389446U (zh) | 一种半导体激光器驱动电路及激光雷达 | |
| US11929588B2 (en) | Pulsed laser diode driver | |
| CN206412630U (zh) | 一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路 | |
| KR101719474B1 (ko) | 적어도 하나의 반도체 광원을 동작시키기 위한 회로 어레인지먼트 | |
| CN103227413A (zh) | 半导体激光器驱动电路 | |
| CN101588014A (zh) | 一种窄脉冲大电流半导体激光器驱动电路 | |
| CN102624278B (zh) | 大功率半导体激光器脉冲驱动电源 | |
| CN104135253A (zh) | 一种窄脉宽高重复频率脉冲电流源的电路结构 | |
| CN106209255A (zh) | 光模块及其激光器偏置电路功率控制方法 | |
| CN101754560A (zh) | 栅格调制装置 | |
| CN110459955A (zh) | 一种高大功率高重频的半导体激光器驱动电路 | |
| CN205960420U (zh) | 一种窄脉冲半导体激光器驱动电路 | |
| CN110212405A (zh) | 一种激光发射器及其发射方法 | |
| CN110492877A (zh) | 一种晶闸管驱动电路 | |
| CN102306902B (zh) | 激光二极管驱动电源 | |
| CN100587396C (zh) | 用于激光测距仪的半导体激光驱动装置 | |
| CN108075749A (zh) | 高压光控脉冲晶闸管及其触发控制系统及其触发控制方法 | |
| CN210670660U (zh) | 一种共阴极半导体发光管驱动电路 | |
| CN206041787U (zh) | 功率开关管的驱动电路及电源系统 | |
| CN100531487C (zh) | 发光二极管驱动装置 | |
| CN106611932B (zh) | 一种脉冲激光器及脉冲激光控制方法 | |
| CN109150139B (zh) | 一种窄脉宽脉冲输出电路 | |
| CN214754674U (zh) | 一种超快脉冲激光器驱动电路及激光测距装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231208 Address after: 430200, 7th floor, Building 3, Phase II, Modern Service Industry Demonstration Base, Huazhong University of Science and Technology Science Park, Guandong Street, Wuhan Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Wanji Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 100085 No. 5, building 1, East Road, Haidian District, Beijing, 601 Patentee before: BEIJING WANJI TECHNOLOGY Co.,Ltd. |