CN211670193U - 一种光致量子点led显示结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，特别是涉及一种光致量子点LED显示结构，包括基板，基板上设有焊盘，焊盘上设有若干个LED集成芯片，LED集成芯片的电极与基板的电路导通，若干个LED集成芯片的周围均设有围坝，LED集成芯片置于围坝形成的空腔里，若干个LED集成芯片的表面均设有量子点层。本实用新型通过在集成式LED芯片周围进行围坝处理，在围坝空腔内添加量子点层，有效的提高了LED显示的对比度，提升了量子点层发光的一致性，提升了显示质量。

Description

一种光致量子点LED显示结构

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，特别是涉及一种光致量子点LED显示结构。

背景技术

量子点(Quantum dots，简称QDs)，具有发光光谱可调、半峰宽窄、发光效率高等特点，其可在受到光电激发的状态下，根据量子点本身尺寸大小发出半峰宽窄的高质量单色光。

随着LED技术的不断发展，LED的性能尺寸不断减小，显色方式越来越多，LED显示器件正朝着高分辨率，高色域不断发展。现有的光致量子点LED显示结构对比度较低，存在串光问题，一致性较差。

实用新型内容

本实用新型提供一种光致量子点LED显示结构，通过在集成式LED芯片周围进行围坝处理，在围坝空腔内添加量子点层，有效的提高了LED显示的对比度，提升了量子点层发光的一致性，提升了显示质量。

本实用新型的技术方案为：

一种光致量子点LED显示结构，包括基板，所述基板上设有焊盘，所述焊盘上设有若干个LED集成芯片，所述LED集成芯片的电极与所述基板的电路导通，若干个所述LED集成芯片的周围均设有围坝，所述LED集成芯片置于所述围坝形成的空腔里，若干个所述LED集成芯片的表面均设有量子点层。

进一步，所述LED集成芯片包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片。

进一步，所述LED集成芯片包括蓝光芯片或紫外光芯片。

进一步，所述围坝的形成方式包括喷墨、覆膜、印刷、钻孔中的一种。

进一步，通过喷墨技术使用黑色丙烯酸体系墨水对LED集成芯片周围进行处理，从而形成围坝。

进一步，所述围坝的颜色为黑色或绿色。

进一步，所述量子点层的形成方式包括喷墨或点胶注入。

进一步，通过点胶的方式将量子点胶水点入围坝形成的空腔内，使空腔内的LED集成芯片表面形成量子点层。

进一步，所述量子点胶水包括红色量子点胶水、绿色量子点胶水和蓝色量子点胶水，分别形成红光量子点层、绿光量子点层、蓝光量子点层。

进一步，所述基板包括碗杯型基板、平板型基板、多层线路阵列发光单元基板、带驱动IC的多层线路阵列发光单元基板中的一种。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型通过对不同围坝空腔内的LED集成芯片表面点入不同颜色的量子点胶水形成对应的红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，以获取不同颜色的光。围坝的形成设计采用黑色或绿色的深色材料能提高LED整体的对比度，并且形成发光芯片间的阻隔，有效解决了光致量子点LED本身不同发光芯片间容易串光的问题。本实用新型能保证在最小的像素间距范围能实现光致量子点的光转化问题，极大的优化了产品的发光性能。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图中：1-基板、2-LED集成芯片、3-围坝、4-红光量子点层、5-绿光量子点层、6-蓝光量子点层。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。

实施例1：

如图1所示，一种光致量子点LED显示结构，包括带有电路的基板1，基板1上设有焊盘，三个LED集成芯片2通过固晶胶固定在基板1上，LED集成芯片2的电极通过键合线与基板1形成电路导通，LED集成芯片2是能够发出波长420-425波长的蓝光芯片，通过喷墨技术使用黑色丙烯酸体系墨水对LED集成芯片2周围进行处理，从而形成围坝3，再通过点胶的方式将红色量子点胶水点入左边空腔的LED集成芯片2上形成红光量子点层4，使其发出红光；将绿色量子点胶水点入中间空腔的LED集成芯片2上形成绿光量子点层5，使其发出绿光；将蓝色量子点胶水点入右边空腔的LED集成芯片2上形成蓝光量子点层6，使其发出蓝光；最后对产品进行热处理，实现光致量子点LED的均匀显示。

在本实施例中，围坝3的形成方式还可利用覆膜、印刷、钻孔等方式实现。

在本实施例中，还可以通过喷墨的方式形成量子点层。

在本实施例中，量子点层中的量子点能通过300-450nm波长的光的激发从而能分别发出波长620-630nm波长的红光、520-540nm波长的绿光以及450-480nm的蓝光。

在本实施例中，通过对不同围坝3形成的空腔中注入不同颜色的量子点胶水形成对应的红光量子点层4、绿光量子点层5和蓝光量子点层6，以获取不同颜色的光。

在本实施例中，围坝3的形成设计采用黑色或绿色的深色材料能提高LED整体的对比度，并且有效解决了光致量子点LED本身所具有的串光问题。

在本实施例中，基板1包括杯碗型基板、平板型基板、多层线路阵列发光单元基板、带驱动IC的多层线路阵列发光单元基板中的一种。

在本实施例中，LED集成芯片2包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片，LED集成芯片2为共极或非共极结构。

本实用新型提供的一种光致量子点LED显示结构能极大提高现有显示结构的对比度，能有效解决光致量子点LED显示结构现有的串光问题，保证在最小的像素间距范围能实现光致量子点的光转化问题，极大的优化了产品的发光性能。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，包括基板，所述基板上设有焊盘，所述焊盘上设有若干个LED集成芯片，所述LED集成芯片的电极与所述基板的电路导通，若干个所述LED集成芯片的周围均设有围坝，所述LED集成芯片置于所述围坝形成的空腔里，若干个所述LED集成芯片的表面均设有量子点层。

2.根据权利要求1所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述LED集成芯片包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片。

3.根据权利要求1所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述LED集成芯片包括蓝光芯片或紫外光芯片。

4.根据权利要求1所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述围坝的形成方式包括喷墨、覆膜、印刷、钻孔中的一种。

5.根据权利要求4所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，通过喷墨技术使用黑色丙烯酸体系墨水对LED集成芯片周围进行喷墨处理，从而形成围坝。

6.根据权利要求1所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述围坝的颜色为黑色或绿色。

7.根据权利要求1所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述量子点层的形成方式包括喷墨或点胶注入。

8.根据权利要求7所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，通过点胶的方式将量子点胶水点入围坝形成的空腔内，使空腔内的LED集成芯片表面形成量子点层。

9.根据权利要求8所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述量子点胶水包括红色量子点胶水、绿色量子点胶水和蓝色量子点胶水，分别形成红光量子点层、绿光量子点层、蓝光量子点层。

10.根据权利要求1所述的一种光致量子点LED显示结构，其特征在于，所述基板包括碗杯型基板、平板型基板、多层线路阵列发光单元基板、带驱动IC的多层线路阵列发光单元基板中的一种。

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