CN211595794U - 镀膜设备及其电极装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种镀膜设备及其电极装置，其中所述电极装置用于一镀膜设备，以在基材的表面制备薄膜，其中所述电极装置包括一组电极元件和一供电单元，其中相邻的所述电极元件之间界定一支撑空间用于放置该基材，其中所述供电单元具有互为正负极的第一极端和第二极端，其中各所述电极元件被交替地接入所述第一极端和所述第二极端，其中所述供电单元用于提供电压使相邻的所述电极元件互为正负极以形成电场，以供所述镀膜设备以化学气相沉积的方式制备薄膜于该基材的表面。

Description

镀膜设备及其电极装置

技术领域

本实用新型涉及镀膜领域，进一步涉及镀膜设备及其电极装置。

背景技术

随着镀膜技术的快速发展，在基材表面镀膜逐渐成为目前不可或缺的一项工艺，其中该镀膜技术例如等离子体化学气相沉积或者物理气相沉积等，在该基材表面镀上至少一层薄膜或者纳米涂层，从而增强该基材表面的强度、防刮、耐磨性、散热性、防水性、耐腐性或者低摩擦性等性能。

就目前市场上而言，该基材如PCB电路板、电子器件、手机、键盘、电脑等。比如目前的5G手机特别是全屏或者全屏曲面手机、柔性屏手机等不但要求高透光性、高硬度耐磨性，还要求耐抗摔性，在其盖体表面镀膜以增强屏幕的性能是非常重要的环节之一。

专利号为CN201517131U公开了一种制备类金刚石薄膜的装置，在反应室内的上下空间位置分别装有由若干空心不锈钢组成的阴极与平板筛网组成的阳极，若干空心不锈钢针通过陶瓷管固定在盖体底面，排成一排，以构成针-板放电结构，该阴极与阳极分别以导线与高压电源相连。可以看出的是，这种阴极与阳极的安装方式，仅能够在一层空间放置基材，空间利用率极低，不利于大面积批量镀膜。

又如，专利号为CN203411606U公开了一种批量化类金刚石涂层镀膜设备，包括多个腔体，该设备以单个腔体推广至多个腔体，在操作流程上将镀膜前期缓冲和镀膜后期冷却缓冲等分离在多个腔体内进行，以实现快速批量制备涂层。但是该方案对设备的多个腔体之间操作关联度要求较高，制造成本明显增加。

在镀膜过程中，该镀膜设备的电极的设置是影响镀膜工艺的重要因素之一。然而，目前市场上的该镀膜设备在电极设置方面具有很大的缺陷，例如无法实现大批量镀膜需求，制备的薄膜质量较差，成品率较低。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中所述镀膜设备用于在基材表面制备至少一薄膜或者涂层，其中所述镀膜设备满足大批量生产的需求。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中所述镀膜设备的所述电极装置能够满足大批量制备薄膜的需求，且有效地提高了所制备的薄膜的质量，提高成品率。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中所述镀膜设备能够满足最大化数量地布置所述基材，提高了所述镀膜设备的空间利用率，且满足所有的所述基材的镀膜需求，以实现大批量生产。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中所述镀膜设备的所述电极装置具有多个电极元件，其中相邻的所述电极元件之间界定一支撑空间用于放置所述基材，其中相邻的所述电极元件互为正负极，以供所述镀膜设备以化学气相沉积的方式制备所述薄膜于该基材的表面。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中各所述电极元件并列排列，使得相邻的所述电极元件之间形成电场，从而确保镀膜质量。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中相邻的所述电极元件能够交替地转换正负极，以使所述电场的电场方向交替变化，从而能够在所述基材表面制备更加致密的薄膜，以提高所述薄膜的质量。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中互为正负极的所述电极元件之间绝缘，以确保电路的可靠性和安全性。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其中被充入所述腔室内的气体能够尽可能均匀地扩散至所述支撑空间，以使所有的所述基材的表面尽可能镀上均匀一致的所述薄膜，以实现统一化生产。

本实用新型的另一个目的在于提供一种镀膜设备及其电极装置，其结构简单，适用性好，成本低。

依本实用新型的一个方面，本实用新型提供了一电极装置，用于一镀膜设备，以在基材的表面制备薄膜，其中所述电极装置包括：

一组电极元件，其中相邻的所述电极元件之间界定一支撑空间用于放置该基材；和

一供电单元，其中所述供电单元具有互为正负极的第一极端和第二极端，其中各所述电极元件被交替地接入所述第一极端和所述第二极端，其中所述供电单元用于提供电压使相邻的所述电极元件互为正负极以形成电场，以供所述镀膜设备以化学气相沉积的方式制备薄膜于该基材的表面。

在一些实施例中，其中所述供电单元是一脉冲电源。

在一些实施例中，其中所述脉冲电源被实施为双向脉冲电源，其中所述双向脉冲电源的正压值的数值小于或等于负压值的数值。

在一些实施例中，其中所述脉冲电源被实施为单向负偏压脉冲电源，其中所述脉冲电源的正极为空电位。

在一些实施例中，其中各所述电极元件分为一组第一电极元件和一组第二电极元件，其中所述第一电极元件和所述第二电极元件交替排列，其中所述第一电极元件被电连接于所述第一极端，其中所述第二电极元件被电连接于所述第二极端。

在一些实施例中，其中所述电极装置进一步包括至少一支撑件，其中各所述电极元件被分层地安装于所述支撑件，其中所述支撑件用于支撑于所述镀膜设备的一腔体的腔室内，且相邻的所述第一电极元件和所述第二电极元件之间不导电。

在一些实施例中，其中所述支撑件包括一第一支撑件和一第二支撑件，其中各所述电极元件被分层地支撑于所述第一支撑件和所述第二支撑件之间，其中所述第一极端通过所述第一支撑件与各所述第一电极元件电连接，其中所述第二极端通过所述第二支撑件与各所述第二电极元件电连接，其中所述第一支撑件与所述第二电极元件之间绝缘连接，其中所述第二支撑件与所述第一电极元件之间绝缘连接。

在一些实施例中，其中所述电极装置进一步包括一组绝缘件，其中所述绝缘件被设置于所述第一支撑件与所述第二电极元件之间，其中所述绝缘件被设置于所述第二支撑件与所述第一电极元件之间，其中所述绝缘件被设置于所述支撑件与所述镀膜设备的所述腔体之间。

在一些实施例中，其中所述电极装置进一步包括一组支撑层，其中所述支撑层被分层地安装于所述支撑件，且相邻的所述支撑层之间形成所述支撑空间，其中所述第一电极元件和所述第二电极元件被交替地支撑于相邻层的所述支撑层，其中所述支撑层由不导电材料制成。

在一些实施例中，其中多个所述电极元件依次排列呈层状结构，其中相邻层的所述电极元件之间均形成所述支撑空间以用于支撑该基材。

在一些实施例中，其中多个所述电极元件以中心轴呈放射状延伸，其中相邻的两所述电极元件之间形成沿径向延伸的所述支撑空间。

在一些实施例中，其中所述电极元件具有一组通孔以连通相邻的所述支撑空间。

在一些实施例中，其中所述电极元件被实施为选自一组：金属板状结构、金属条栅结构以及金属网状结构中的其中一种或者组合。

附图说明

图1是根据本实用新型的一个优选实施例的一镀膜设备的立体示意图。

图2A是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的一电极装置的立体示意图。

图2B是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的所述电极装置的另一种变形实施的立体示意图。

图2C是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的所述电极装置的又另一种变形实施的立体示意图。

图3A是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的所述电极装置的所述电极装置的电极元件的结构示意图。

图3B是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的所述电极装置的所述电极装置的电极元件的另一种变形实施的结构示意图。

图4是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的模块示意图。

图5是根据本实用新型的上述优选实施例的所述镀膜设备的所述电极装置的另一种变形实施的模块示意图。

具体实施方式

以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本实用新型的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

如图1至图5所示为本实用新型的一个优选实施例的一镀膜设备100，其中所述镀膜设备100包括一腔体10和至少一电极装置20，其中所述腔体10具有一可封闭的腔室101，其中所述电极装置20被设置于所述腔室101，其中所述腔室101适于被通入气体原料，所述气体原料如氮气、四氟化碳或者氦气、氩气等惰性气体的等离子体源气体、氢气、碳氢气体等的反应气体或者N、Si、F、B等掺杂元素的辅助气体。所述电极装置20包括一组电极元件211和一供电单元30，所述供电单元30用于提供射频和/或脉冲电压作用于所述腔室101内的气体，以在所述腔室101内形成等离子体环境。所述供电单元30具有互为正负极的一第一极端301和一第二极端302，其中相邻的所述电极元件211之间界定一支撑空间201用于放置所述基材600，其中各所述电极元件被交替地接入所述第一极端301和所述第二极端302，其中所述供电单元30用于提供电压使相邻的所述电极元件211互为正负极以形成电场，以供所述镀膜设备100以化学沉积的方式制备薄膜于所述基材600的表面。

进一步地，本实施例还提供了所述镀膜设备100的镀膜方法，包括步骤：

S10、交替地接入所述供电单元30的所述第一极端301和所述第二极端302于所述电极装置20的各所述电极元件211，其中相邻的所述电极元件211之间界定所述支撑空间201用于支撑所述基材600；和

S20、以化学气相沉积的方式在所述基材600的表面制备所述薄膜。

需要指出的是，互为正负极的所述电极元件211之间绝缘即不导电，以确保电路的可靠性和安全性。

优选地，各所述电极元件211分为一组第一电极元件2111和一组第二电极元件2112，其中各所述第一电极元件2111和各所述第二电极元件2112交替相对排列，其中所述第一电极元件2111被电连接于所述第一极端301，其中所述第二电极元件2112被电连接于所述第二极端302，以使所述第一电极元件2111与相邻的所述第二电极元件2112互为正负极以在所述支撑空间201形成电场，使得所述支撑空间201内的粒子在所述电场的作用下定向移动地沉积于所述基材600的表面，以制备所述薄膜。

值得一提的是，所述供电单元30的所述第一极端301和所述第二极端302之间能够交替地转换正负极，使得所述电场的方向交替地改变。

优选地，如图4所示，所述供电单元30包括一脉冲电源31，如高压脉冲电源，其中所述脉冲电源31具有互为正负极的所述第一极端301和所述第二极端302，其中所述脉冲电源31为双向脉冲电源，其中所述第一极端301与所述第二极端302能够交替地互为正负极，以使所述电场的方向能够交替地改变。也就是说，当所述第一极端301为负极端和所述第二极端302为正极端时，所述第一电极元件2111为负极，所述第二电极元件2112为正极。当所述第一极端301为正极端和所述第二极端302为负极端时，所述第一电极元件2111为正极，所述第二电极元件2112为负极。

可以理解的是，由于各所述电极元件211均能够交替地成为负极，即各所述电极元件211之间的所述支撑空间201均能够用于放置所述基材600，且满足在所有的所述基材600的表面制备所述薄膜，从而满足所述基材600最大化数量地布置于所述电极装置20，且满足所有的所述基材600的镀膜需求。

需要指出的是，所述脉冲电源31的所述第一极端301和所述第二极端302之间交替转换正负极的时间占比能够被预设，以调整在所述基材600表面制备的薄膜的厚度或者致密性等质量，优选为相等的时间占比，以在各所述基材600的表面制备基本上均匀一致的所述薄膜，在此不受限制。

进一步地，各所述基材600被分别支撑于各所述电极元件211的上侧，即所述第一电极元件2111的上侧和所述第二电极元件2112的上侧均被放置一定数量的所述基材600，以满足大批量生产的需求。

在所述镀膜设备100制备所述薄膜的过程中，当所述第一电极元件2111为负极，相邻的所述第二电极元件2112为正极时，所述电场的方向是由所述第二电极元件2112至所述第一电极元件2111，其中所述支撑空间201内的正粒子(或正离子)在所述电场的作用下朝向所述第一电极元件2111的方向定向移动，并沉积于所述第一电极元件2111上侧的所述基材600的表面。当所述第一电极元件2111为正极，相邻的所述第二电极元件2112为负极时，所述电场的方向是由所述第一电极元件2111至所述第二电极元件2112，其中所述支撑空间201内的正粒子在所述电场的作用下朝向所述第二电极元件2112的方向定向移动，并沉积于所述第二电极元件2112上侧的所述基材600的表面。

需要指出的是，在制备所述薄膜的过程中，在电场作用下，由于所述正粒子加速轰击于所述基材600的表面或者已经沉积于所述基材600的表面的粒子，可能会在所述基材600的表面形成轰击坑，从而导致已经沉积于所述基材600的表面的粒子的附着力减弱，而形成未附着牢固的粒子。本实施例提供的所述镀膜设备100，由于所述脉冲电源31的所述第一极端301和所述第二极端302交替地改变正负极，使得所述第一电极元件2111和所述第二电极元件2112之间的所述电场的方向交替地反向改变。由于所述脉冲电源31的电压可以被调控，使得所述电场的场强大小能够被调控，以使所述基材600的表面的所述未附着牢固的粒子脱离，而附着牢固的粒子不断地沉积于所述基材600的表面，从而形成更加致密的所述薄膜。

换句话说，以在所述第一电极元件2111上侧的所述基材600的表面制备所述薄膜为例，当所述第一电极元件2111为负极，所述第二电极元件2112为正极时，所述支撑空间201内的正粒子在电场作用下加速轰击并附着于所述基材600的表面，其中附着牢固的粒子基本上均匀地排布于所述基材600的表面且相互之间附着力较强，不易脱离于所述基材600的表面，而所述基材600的表面的未均匀排布的粒子之间附着力较弱即形成所述未附着牢靠的粒子，易于脱离于所述基材600的表面。随着所述脉冲电源31的电极变换，其中所述第一电极元件2111为正极，所述第二电极元件2112为负极，使得所述电场的方向反向转变，其中所述未附着牢固的粒子在电场作用下脱离于所述基材600的表面，而其中所述附着牢固的粒子依然保留于所述基材600的表面，使得所述基材600的表面基本上仅附着所述附着牢固的粒子，即被附着于所述基材600的表面的粒子基本上均匀一致地排列。进一步地，基于所述脉冲电源31反复地改变正负极，所述基材600的表面不断地沉积均匀排布的所述附着牢固的粒子，并最终形成致密均匀的所述薄膜，有效地提高了所述薄膜的硬度或者质量等，提高了成品率。

可选地，所述脉冲电源31被实施为双向脉冲电源，其中所述双向脉冲电源的正压值与负压值的数值基本相等，正压与负压持续时间基本相同，使得所述第一电极元件2111上侧的所述基材600的表面与所述第二电极元件2112上侧的所述基材600的表面均制备均匀一致的所述薄膜，以统一规格化，满足大批量生产的需求。

可选地，所述双向脉冲电源的正压值的数值小于负压值的数值，以改变所述正粒子所受的电场作用力，防止所述附着牢固的粒子脱离于所述基材600的表面，从而进一步地确保所述薄膜的质量。

可选地，所述脉冲电源31被实施为单向负偏压脉冲电源，其中所述脉冲电源31的正极为零电位或者空电位，具有一定的负压，即所述第一电极元件2111与所述第二电极元件2112交替地形成负压，从而满足大批量制备薄膜的需求。

在本实施例中，所述镀膜设备100采用等离子体化学气相沉积的方法在所述基材600的表面制备所述薄膜或者涂层。即所述薄膜被沉积成型于所述基材600的表面，从而提升所述基材600的表面的力学方面、光学方面或者化学方面等性质，其中所述基材600如具备预设形状结构的需镀膜产品，如PCB电路板、手机、电子设备、电子产品盖板、电子产品显示屏幕、手机玻璃屏幕、电脑屏幕、手机后盖、电子设备外壳、键盘膜或者其他类型的需镀膜产品等，在此不受限制。例如，所述镀膜设备100在电子产品显示屏幕上制备所述薄膜，能够有效地解决该电子产品显示屏幕不耐摔、不耐磨以及表面强化成本高的问题。

进一步地，所述镀膜设备100能够实现分别在不同种类或者型号的基材600的表面制备具有不同性质的所述薄膜，即由一台所述镀膜设备100能够实现对不同种类或者型号的基材600分别进行镀膜，且所述薄膜100的性能可以多样化，提高兼容性，节省成本。在本实施例中，所述薄膜被实施为类金刚石薄膜(DLC薄膜)，即所述镀膜设备100以在所述基材600的表面制备所述DLC薄膜为例。可选地，所述薄膜包括被镀于所述基材600表面的一层或者多层膜、薄膜或者纳米涂层等。可选地，所述薄膜可以被实施为类金刚石薄膜(DLC薄膜)、有机硅纳米防护涂层、有机硅硬质纳米防护涂层、复合结构高绝缘硬质纳米防护涂层、具有调制结构的高绝缘纳米防护涂层、等离子体聚合涂层、梯度递增结构防液涂层、梯度递减结构防液涂层、交联度可控的涂层、防水耐点击穿涂层、低粘附耐蚀涂层、具有多层结构的防液涂层、聚氨酯纳米涂层、丙烯酰胺纳米涂层、防静电防液纳米涂层、环氧纳米涂层、高透明低色差纳米涂层、高粘附性耐老化纳米涂层、含硅共聚物纳米涂层或者聚酰亚胺纳米涂层等。相应地，所述镀膜设备100可以被实施为在所述基材600表面镀上述任意一种或多种的膜或者涂层等，以改善所述基材600表面性质，在此不受限制。

进一步地，所述供电单元30还包括一射频电源32，其中所述射频电源32通过直接加载在电极板上在所述腔体10的所述腔室101内产生射频电场，以作用于所述腔室101内的气体，其中所述脉冲电源31用于提供高压脉冲偏压作用于所述腔室101内的气体。具体地，在镀膜时，所述射频电源32通过提供射频电场对所述腔室101内的气体进行放电以使所述腔室101内处于等离子体环境和所述反应气体原料处于高能量状态。所述脉冲电源31通过提供高压脉冲偏压中的强电压在所述腔室101内产生强电场，以使处于高能量状态的活性粒子(即正离子)受到强电场作用定向地加速沉积于所述基材600的表面，并形成非晶态碳网络结构，和所述脉冲电源31通过提供高压脉冲偏压中的空电压或者低电压的状态，以使被沉积于所述基材600表面的非晶态碳网络结构进行自由驰豫，并在热力学作用下碳结构向稳定相--弯曲石墨烯片层结构转变，并埋置于非晶态碳网络中，从而在所述基材600表面形成所述薄膜。

所述射频电源31也可以作为等离子体配套电源，其中所述射频电源31由射频功率源、阻抗匹配器以及阻抗功率计组成，其中所述射频电源31被安装于所述腔体10，以提供射频电场作用于所述腔室101内的气体。所述射频电源31优选地提供射频功率为13.56MHz。

进一步地，所述射频电源31通过直接加载在被设置于所述腔体10的一电极板上的射频电压，在所述腔体10的所述腔室101内形成所述射频电场，以作用于所述腔室101内的气体，从而满足镀膜需求。可选地，所述射频电源31还可以被实施为通过线圈的电感耦合作用，即作为ICP在所述腔室101内产生交变磁场，以通过快速变化的磁场确保了所述腔室101内的气体充分和均匀地电离，也能够满足所述镀膜设备100的镀膜需求，在此不受限制。

需要说明的是，所述脉冲电源31通过辉光放电效应使所述腔室101内的气体电离，同时对所述腔室101内的正离子具有定向牵引加速的作用，使得所述正离子具有轰击效果地加速沉积于所述基材600的表面，从而在所述基材600表面制备致密的高硬度的所述薄膜。

可以看出的是，所述电极装置20能够提供尽量大的空间可用于安装布置大量的所述基材600，提高了空间利用率，且一次镀膜过程能够对所述电极装置20上的所有的所述基材600完成镀膜，从而实现大面积镀膜，从而实现大批量制备薄膜。

值得一提的是，所述射频电源32和所述脉冲电源31共同提供电压作用于所述腔室101内的气体，其中所述射频电源32提供的低功率射频放电维持所述腔室101内的等离子体环境，并抑制高压放电过程中的弧光放电现象(由于弧光放电是在辉光放电进一步加强的放电形式，瞬间电流可以达到几十甚至几百安培以上，这些高电流通过基材表面将会损坏基材，因此为了确保所述基材600的安全性，因此在镀膜过程中需要抑制弧光放电现象)。同时，所述脉冲电源31增加了正离子到达所述基材600表面时的能量，以制备出致密透明的所述薄膜。

需要指出的是，本优选实施例中的所述供电单元30由所述射频电源32和所述脉冲电源31共同组成，以满足镀膜需求。在可选的情况下，根据不同的镀膜需求，所述供电单元30也可以仅被实施为所述射频电源32或者所述脉冲电源31中的其中一种，也能够满足镀膜需求。熟知本领域的人员应当理解的是，所述供电单元30也可以被实施为微波电源等其他电源以满足镀膜需求，在此不受限制。

值得一提的是，根据对不同基材的镀膜需求，所述射频电源32的射频电压功率和供电时间能够被调整预设，其中所述射频电源32的射频电压的功率优选为10-800W，相应地，所述脉冲电源31提供的脉冲偏压、脉冲频率、占空比以及供电时间均能够被调整预设，其中所述脉冲电源31提供脉冲偏压的电压为-100V至-3000V，脉冲频率为20-300KHz，占空比为10％-80％，在此不受限制。

由于所述脉冲电源31提供的负偏压值的大小直接关系到所述腔室101内的气体的离化率和正离子到达所述基材600表面的迁移能力，因此所述脉冲电源31的负压电压越高，使得所述正离子的能量越高，从而使制备的所述薄膜的硬度就越高。但是需要注意的是，能量越高的所述正离子对所述基材600表面的轰击能量就越高，在微观尺度上，在所述基材600的表面上会产生轰击坑，同时会加速所述基材600表面的温度升高，因此所述脉冲电源31的负压电压不宜过高，以防止所述基材600表面的温度过度升高而损坏所述基材600。另外，所述脉冲电源31的脉冲频率越高，可以避免所述基材600的绝缘部分的表面的电荷持续累积，从而实现抑制大电弧现象和增加所述薄膜的沉积厚度极限。

如图2A所示，在本实施例中，所述电极装置20进一步包括一主体21和至少一绝缘件22，其中所述主体21被设置于所述腔体10的所述腔室101内，其中所述绝缘件22被设置于所述主体21与所述腔体10之间以起绝缘作用。所述主体21包括所述电极元件211和至少一支撑件212，其中所述电极元件211被支撑于所述支撑件212，其中所述支撑件212被可拆卸地安装于所述腔体10的所述腔室101，其中所述绝缘件22被设置于所述支撑件212与所述腔体10的壁之间，其中所述绝缘件22被设置于所述第一电极元件2111和所述第二电极元件2112之间以绝缘或不导电。

所述绝缘件22由绝缘材料制成，优选地，所述绝缘件22由聚四氟乙烯材料制成。可选地，所述绝缘件22被可拆卸地安装于所述主体21，其中所述绝缘件22与所述主体21能够一起地被置入所述腔室101，或者从所述腔室101被取出。可选地，所述绝缘件22被可拆卸地安装于所述腔室101的内壁，其中所述主体21的所述支撑件212被置于所述腔室101且所述绝缘件22恰好位于所述主体21的所述支撑件212与所述腔室101之间起绝缘作用。

进一步地，各所述第一电极元件2111与各所述第二电极元件2112交替地排列形成多层状结构，每相邻层的所述电极元件211之间形成所述支撑空间201，其中所述支撑空间201的侧面与所述腔室101相通，以供所述基材600能够分层地放置于每一层的所述电极元件211的上侧。优选地，所述电极元件211的上表面为平面，以使所述电极元件211提供了平面空间用于支撑所述基材600。当然，所述电极元件211的上表面也可以被实施为与所述基材600匹配安装的表面，在此不受限制。各所述第一电极元件2111均与所述脉冲电源31的所述第一极端301电连接，各所述第二电极元件2112均与所述脉冲电源31的所述第二极端302电连接，其中所述第一电极元件2111和所述第二电极元件2112之间不导电。

如图3A所示，优选地，所述支撑件212包括一第一支撑件2121和一第二支撑件2122，其中各所述电极元件211被分层地支撑于所述第一支撑件2121和所述第二支撑件2122之间，其中所述第一支撑件2121被电连接于所述脉冲电源31的所述第一极端301并与各所述第一电极元件2111电连接，其中所述第二支撑件2122被电连接于所述脉冲电源31的所述第二极端302并与所述第二电极元件2112电连接。

需要指出的是，为提高所述支撑件212支撑各所述电极元件211的支撑力度，所述支撑件212的数量优选地被实施为四个，其中包括所述第一支撑件2121和所述第二支撑件2122，当然，在合理范围的情况下，所述支撑件212还可以被实施为其他数量，或者其他形状的变形，在此不受限制。

具体地，各所述第一电极元件2111与所述第一支撑件2121之间电连接，其中各所述第二电极元件2112与所述第一支撑件2121之间通过所述绝缘件22绝缘连接，其中所述第一支撑件2121具有一第一接线端21211，其中所述第一接线端21211与所述第一极端301电连接，使得所述脉冲电源31的所述第一极端301仅通过电连接于所述第一支撑件2121便于所有的所述第一电极元件2111电连接，从而减少线路的复杂性，节约成本。各所述第一电极元件2111与所述第二支撑件2122之间通过所述绝缘件22绝缘连接，其中各所述第二电极元件2112与所述第二支撑件2122之间电连接，其中所述第二支撑件2122具有一第二接线端21221，其中所述第二接线端21221与所述第二极端302电连接，使得所述脉冲电源32的所述第二极端302仅通过电连接于所述第二支撑件2122便于所有的所述第二电极元件2112电连接，从而节俭电路，降低电磁干扰，降低制造或者维修的成本。

也就是说，所述第一电极元件2111的一端与所述第一支撑件2121之间电连接如焊接或金属卡接等，而另一端通过所述绝缘件22与所述第二支撑件2122之间绝缘连接。相应地，所述第二电极元件2112的一端与所述第二支撑件2122之间电连接如焊接或金属卡接等，而另一端通过所述绝缘件22与所述第一支撑件2121之间绝缘连接。

可以理解的是，所述电极元件211、所述第一支撑件2121以及所述第二支撑件2122均由导电材料支撑，如金属材料，其中各所述第一电极元件2111与所述第一支撑件2121之间一体垂直连接，其中各所述第二电极元件2121与所述第二支撑件2122之间一体垂直连接，使得各所述第一电极元件2111和各所述第二电极元件2112交替地平行排列为多层结构，以形成多层的所述支撑空间201。进一步地，通过调整所述第一电极元件2111与所述第二电极元件2112之间的间距，所述支撑件201的高度能够被预设，以提供合理的镀膜高度。

可选地，所述支撑件212能够被实施为由不导电材料制成，其具备一定的支撑强度，如塑料材料等。各所述第一电极元件2111和各所述第二电极元件2112之间相距一定间距的交替排列而不接触，其中各所述第一电极元件2111均分别被电连接于所述脉冲电源31的所述第一极端301，其中各所述第二电极元件2112均分别被电连接于所述脉冲电源31的所述第二极端302，也能够实现所述第一电极元件2111与所述第二电极元件2112之间的电极转换，在此不受限制。

更进一步地，每一层的所述电极元件211均具有一组通孔202，其中所述通孔202连通相邻层的所述支撑空间201，使得所述腔室101内的气体能够通过所述通孔202沿纵向方向扩散至相邻层的所述支撑空间201，同时由于每一层的所述支撑空间201的侧面均与所述腔室101相通，使得所述腔室101内的气体能够沿横向方向向每一层的所述支撑空间201内扩散，以此使得所述腔室101内的气体尽可能均匀地扩散至每一层的所述支撑空间201内，以使所有的所述基材600的表面尽可能镀上均匀一致的所述薄膜，以实现统一化生产。

可以理解的是，单个的所述电极元件211沿横向方向延伸，其中多个所述电极元件211排列形成上下层状结构，使得多个所述支撑空间201上下分层排列。可选地，单个的所述电极元件211沿纵向方向延伸，其中多个所述电极元件211可以被实施为排列形成纵向地层状结构，使得多个所述支撑空间201纵向地分层排列。可选地，多个所述电极元件211可以被实施自一中心轴呈放射状向外延伸，以在相邻的所述电极元件211之间形成沿径向延伸的所述支撑空间201，其中多个所述电极元件211能够一起地沿所述中心轴均匀旋转，以提升镀膜的均匀性，例如在键盘膜上制备均匀的薄膜等。

值得一提的是，相邻的所述电极元件211之间的间距能够被预设，以使所述支撑空间201的高度能够被预设。可选地，所述电极元件211能够沿着所述支撑件212上下可移动，以适应性地调整相邻的所述电极元件211之间的间距。

值得一提的是，每个所述电极元件211的所述通孔202的孔径、形状、目数、排布方式以及数量等参数均能够被预设，以使所述腔室101内的气体尽可能均匀地穿过所述通孔202沿纵向方向在相邻层的所述支撑空间201内扩散。如所述通孔202的形状可以为圆形、方形或者条形孔等，在此不受限制。

如图2A所示，优选地，所述电极元件211被实施为一体地金属板状结构，其中所述电极元件211具备一定的厚度，以确保在使用时不易弯曲或者损坏，或者在支撑一定重量的所述基材600时，所述电极元件211不易发生明显弯曲或者形变等，以保证镀膜工艺的可靠性。

如图2B所示，可选地，所述电极元件211被实施为多条平行排列或者横纵交错排列的金属条栅状结构，其中所述条状结构具备一定的宽度和硬度，其中相邻的所述条状结构之间形成所述通孔202，即各所述条状结构平行排列时，所述通孔202为条形孔，或者各所述条状结构纵横交错排列如正交排列时，所述通孔202为方形孔。

如图2C所示，可选地，所述电极元件211被实施为金属网状结构，其中所述网状结构具备一定的硬度，以能够支撑一定重量的所述基材600，其中所述网状结构的网孔即为所述通孔202。

熟知本领域的技术人员应当理解的是，在实现支撑各所述电极元件211的前提下，所述支撑件212的数量、形状以及设置位置均能够被预设。例如，所述支撑件212被实施为一个连接于每层的所述电极元件211的中心的柱形结构。

如图3B和图5所示，在本实施例的第一种变形实施方式中，所述电极装置20的所述主体21进一步包括一组支撑层213，其中各所述支撑层213被多层排列安装于所述支撑件212并在相邻的所述支撑层213之间界定所述支撑空间201，其中各所述电极元件211被依次支撑于各所述支撑层213，即所述第一电极元件2111和所述第二电极元件2112被交替地布置于相邻层的所述支撑层213。进一步地，所述支撑层213可由不导电材料制成，如塑料材料等，其中所述支撑件212可以由不导电材料制成，以此，所述第一电极元件2111与所述第二电极元件2112之间不接触而无法导电，使得所述电极装置20无需所述绝缘件22。可以理解的是，所述电极元件211能够被可拆卸地安装于所述支撑层213，以便于维修或者换新。需要指出的是，各所述第一电极元件2111可以分别通过导线接入所述供电单元30的所述第一极端301，其中各所述第二电极元件2112可以分别通过导线接入所述供电单元30的所述第二极端302。

进一步地，本实施例还提供了所述镀膜设备100的所述电极装置20的安装方法，包括以下步骤：

a、交替排列各所述电极元件211于所述镀膜设备100的所述腔体10的所述腔室101，其中相邻的所述电极元件211之间界定所述支撑空间201用于支撑所述基材；和

b、分别电连接相邻的所述电极元件211于所述供电单元30的正负极以供形成电场，其中相邻的所述电极元件211之间不导电，以供所述镀膜设备100以化学气相沉积的方式在所述基材600的表面制备薄膜。

其中，所述步骤b中包括，电连接所述第一电极元件2111于所述供电单元30的第一极端301，和电连接所述第二电极元件2112于所述供电单元30的第二极端302，其中所述第一极端301和所述第二极端302互为正负极，其中所述第一电极元件2111与所述第二电极元件2112交替排列且不导电。

其中，所述步骤b中包括，分层支撑各所述电极元件211于所述支撑件212，其中所述支撑件212用于支撑于所述腔体10的所述腔室101。

其中，所述步骤b中包括，所述第一极端301通过所述支撑件212的一第一支撑件2121与各所述第一电极元件2111电连接，其中所述第二极端302通过所述支撑件212的一第二支撑件2122与各所述第二电极元件2112电连接，其中所述第一支撑件2121与所述第二电极元件2112之间绝缘连接，其中所述第二支撑件2122与所述第一电极元件2111之间绝缘连接。

其中，所述步骤b中包括，分层安装一组支撑层213于所述支撑件212以形成所述支撑空间201，且相邻的所述支撑层213之间形成所述支撑空间201，其中所述第一电极元件2111和所述第二电极元件2112被交替地支撑于相邻层的所述支撑层213，其中所述支撑层213由不导电材料制成。

其中，所述电极元件211具有一组通孔202以连通相邻的所述支撑空间201。

在本实施例中，所述电极装置20能够被自由地放置或者取出于所述腔室101，以便于工作人员操作，即工作人员能够在外界提前将所述基材600放置于所述电极装置20的所述支撑空间201，然后再将所述电极装置20放入所述腔室101内，从而便于工作人员取出所述电极装置20，以便于清洁或者换新所述电极装置20，或者便于清洁所述腔室101的内壁。此外，所述电极装置20能够被重复利用，即在第二次镀膜时，所述电极装置20能够被用于再次安装另一批量的所述基材600，然后被置于所述腔室101内实现再次镀膜，有利于大批量生产。

可选地，所述电极装置20能够被固定设置于所述腔室101内，也就是说，在镀膜前后，所述电极装置20始终位于所述腔室101内而无需被取出。

如图4所示，进一步地，所述腔体10具有与所述腔室101相通的至少一抽气口11、至少一进气口12以及至少一进料口13，其中所述抽气口11用于接入管道抽出所述腔室101内的气体，其中所述进气口12用于接入管道向所述腔室101内通入氮气、四氟化碳或氦气、氩气等惰性气体的等离子体源气体，其中所述进料口13用于接入管道向所述腔室101内通入氢气和向所述腔室101内通入碳氢气体等反应原料，所述碳氢气体例如1-6碳原子数的烷烃、烯烃、炔烃等气态原料的其中一种或者多种组合，或者由更高碳原子数的液态的碳氢原料汽化而成的气态原料等的其中一种或者多种组合。可以理解的是，所述管道均能够被分别设置一开关阀以分别控制管道的开关，实现气体的流通与关闭，或者所述开关阀能够控制被充入所述腔室101内的气体的流量大小，在此不受限制。

进一步地，所述进料口13还可以用于向所述腔室101内充入N、Si、F、B等掺杂元素的辅助气体。例如，掺杂的Si元素的反应原料包括但不限于含硅有机化合物，包括有机直链硅氧烷、环硅氧烷、烷氧基硅烷、含不饱和碳碳双键硅氧烷的其中一种或者多种组合。进一步地，选择六甲基二硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷。例如，掺杂的N元素的反应原料包括但不限于N₂、含氮碳氢化合物。例如，掺杂的F元素的反应原料包括但不限于氟碳化合物，进一步地，选自四氟化碳、四氟乙烯。例如，掺杂的B元素的反应原料包括但不限于常压下沸点低于300℃的硼烷，进一步地，选择戊硼烷、己硼烷。

在本实施例中，所述抽气口11被设置于所述腔体10的所述腔室101的中部位置，其中所述进气口12和所述进料口13均被设置于所述腔体10的所述腔室101的侧壁位置，以使气体从所述腔室101的侧壁的所述进气口12和所述进料口13被充入，并从所述腔室101的中部位置的所述抽气口11被抽出，以确保被充入的气体尽量均匀地扩散至每个所述基材600的表面，从而尽可能地使每个基材600的表面被均匀地镀上所述薄膜。

可选地，所述抽气口11可以被设置于所述腔室101的底壁或者顶壁的中部，所述抽气口11也可以被连通于被设置于所述腔室101的中部的一抽气柱，即所述抽气柱位于所述电极装置20的中部，其中所述进气口12和所述进料口13可以位于所述腔室101的同一侧壁，也可以分别位于所述腔室101的不同侧壁。可选地，所述抽气口11可以被设置于所述腔室101的侧壁位置，所述进气口12和所述进料口13可以被设置于所述腔室101的中部位置或者与所述抽气口11相反的侧壁位置，等，在此不受限制。

可以理解的是，所述抽气口11、所述进气口12以及所述进料口13在所述腔室101的相对位置能够被根据实际需求进行预设，以尽可能地满足大批量的所述基材被均匀镀膜的需求，以确保规格统一化。

进一步地，在所述步骤S20中，所述镀膜设备100以化学气相沉积的方式制备所述薄膜的步骤，包括：

S01、所述电极装置20位于所述腔室101内，其中所述基材600被支撑于所述电极装置20的所述支撑空间201，对所述腔室101进行负压操作如抽真空，在镀膜时，由抽真空泵通过所述抽气口11将所述腔室101内的空气抽出以使所述腔室101内接近真空状态，以尽量降低所述腔室101内残留的空气影响镀膜质量，直到所述腔室101内气压达到预设气压值。

S02、进入对所述基材600表面进行表面刻蚀处理或者表面清洗与活化阶段，具体地，气体经由所述进气口12被持续充入所述腔室101以供对所述基材进行表面刻蚀处理，优选地，通过所述进气口12向所述腔室101内通入氩气或者氦气，其中通入所述气体的流量大致为10sccm～1000sccm，优选为80或100sccm。同时，一真空泵用于持续地一定量地抽出所述腔室101内的气体并维持所述腔室101内的气压保持在0.01-100Pa以内，优选为8Pa或10Pa或者100Pa。同时，所述供电单元30的所述脉冲电源31提供脉冲电压作用于所述腔室101内的气体，以清洗和活化所述基材600的表面，从而实现对所述基材600的表面进行刻蚀处理。优选地，所述供电单元30的所述脉冲电源31提供-100V至-5000V的高压脉冲偏压，占空比1％至90％，供电时间为1-60分钟以内(供电时间即为步骤S02中对所述基材600表面进行清洗与活化的时间)，优选地，所述供电单元30的所述脉冲电源31提供电压为-3000V，占空比为20％或30％，频率为10kHz或者40kHz，供电时间为5、10、20、或者30min等。

值得一提的是，在对所述基材600表面进行清洗与活化阶段的过程中，通过所述进气口12充入所述腔室101内的气体流量能够被预设在合理范围内，以防止被充入所述腔室101内的气体的流量过高或者过低均会影响所述基材600表面离化效果的现象。所述供电单元30的所述脉冲电源31提供的所述脉冲电压被预设在合理范围内，以防止电压过低达不到对所述基材600表面进行良好的清洗与活化效果，或者电压过高存在损坏所述基材600的风险。所述供电单元30的所述脉冲电源31的供电时间能够被预设在合理范围内，以防止供电时间过短达不到对所述基材600表面进行良好的清洗与活化效果，或者供电时间过长会延长整个镀膜工艺的周期，造成不必要的浪费。

S03、在所述基材600表面进行镀膜，具体地，通过所述进气口12向所述腔室101内充入所述气体，通过所述进料口13向所述腔室101内充入氢气，和向所述腔室101内充入碳氢气体或者经汽化后碳氢气体等反应原料，或者进一步地向所述腔室101内充入含有掺杂原料等的气体。优选地，被充入所述腔室101内的气体流量为10-200sccm、氢气的气体流量为0-100sccm、碳氢气体等反应原料的气体流量为50-1000sccm或者掺杂元素反应原料的气体流量为0-100sccm。同时，通过真空泵持续地一定量地抽出所述腔室101内的气体并维持所述腔室101内的气压保持在0.01-100Pa以内，优选为8Pa或10Pa或者100Pa。同时，利用所述供电单元30提供射频电场和/或高压脉冲偏压辅助等离子体化学气相沉积的方式制备所述薄膜于所述基材600的表面，其中所述供电单元30提供射频电压的功率为10-800W，或者提供脉冲偏压的电压为-100V至-5000V，占空比为10％-80％，所述供电单元30的供电时间为5-300分钟，即所述步骤S03中，对所述基材600进行镀膜的时间大致为5-300分钟。

在所述步骤S03中，具体地，所述供电单元30能够提供射频和/或高压脉冲偏压作用于所述腔室101内的气体，其中所述供电单元30的所述射频电源32通过提供射频电场对所述腔室101内的气体进行放电以使所述腔室101内处于等离子体环境和所述反应气体原料处于高能量状态。所述脉冲电源31通过提供高压脉冲偏压中的强电压在所述腔室101内产生强电场，以使处于高能量状态的活性粒子受到强电场作用加速沉积于所述基材600的表面，并形成非晶态碳网络结构。所述脉冲电源31通过提供高压脉冲偏压中的空电压或者低电压的状态，以使被沉积于所述基材600表面的非晶态碳网络结构进行自由驰豫，并在热力学作用下碳结构向稳定相--弯曲石墨烯片层结构转变，并埋置于非晶态碳网络中，从而在所述基材600表面形成所述薄膜。

需要理解的是，被充入所述腔室101内的所述氮气或者氦气等气体、所述氢气、所述反应原料气体或者所述掺杂元素反应原料气体的气流流量的比例决定了所述薄膜中的原子比，从而影响所述薄膜的质量。通过预设所述供电单元30提供的射频和/或脉冲偏压的功率大小或者电压大小等参数，能够实现调控在镀膜过程中的温度大小、离化率或者沉积速率等相关参数，或者通过预设所述供电单元30的供电时间，防止因镀膜时间过短而导致所述薄膜较薄、硬度表现差等现象，或者因镀膜时间过长而导致所述薄膜较厚而影响透明性等现象的发生。

也就是说，在所述步骤S03中，能够不向所述腔室101内充入不同流量的氢气，或者向所述腔室101内充入一定量的氢气，以制备含不同氢含量的DLC薄膜。可以理解的是，氢含量较高的DLC薄膜相较于氢含量较低的DLC薄膜有着更高的润滑性和透明性，而在所述步骤S03中，向所述腔室101内充入一定量的氢气，有利于镀膜过程中SP3键的形成，在一定程度上可以提高了所述薄膜的硬度，但随着氢含量的进一步提高，所述薄膜的硬度会逐步下降，因此根据不同的镀膜需求，在所述步骤S03中，可以选择性地通过所述进料口13向所述腔室101内充入预设量的氢气气体。

相应地，在所述步骤S03中，能够选择性地通过所述进料口13向所述腔室101内充入一定量的指定的掺杂元素反应原料。例如，向所述腔室101内充入含氟元素的反应原料，使得制备的所述薄膜具有更高的膜层疏水效果和透明度，但当氟原子含量超过20％时，所述薄膜的硬度会显著降低(低于莫氏硬度4H)。

S04、当所述步骤S03的镀膜时间结束后，通过向所述腔室101内充入空气以使所述腔室101处于常压状态。即通过向所述腔室101内充入一定量的空气使所述腔室101回归常压状态，以便于工作人员打开所述腔室101并取出所述基材600，至此一次镀膜工艺结束。在整个镀膜工艺过程中，所述镀膜设备100在制备薄膜的过程中工艺可控性较好，有利于快速制备目标薄膜。

可选地，所述脉冲电源31也能够被实施为对称式双向脉冲电源，即所述脉冲电源31提供的正压与负压的值的大小相同。或者所述脉冲电源31被实施为非对称式双向脉冲电源，其中所述脉冲电源31提供的负压值的大小大于正压值的大小，以提供所述薄膜的质量，在此不受限制。也就是说，所述腔体10未被接地，其中所述腔体10能够具备正压值。

需要指出的是，所述电极装置20的形状结构不做限制，在所述腔室101的容积大小内，所述电极装置20的形状大小或者数量能够做适应性的调整。优选地，所述腔体10的尺寸大小为：800mm×638mm×740mm，材料选用不锈钢。进一步地，所述腔体10具有一可开合的密封门，以供工作人员打开或者密封关闭所述腔室101，以放置或者取出所述基材600与所述腔室101。

举例地，所述镀膜设备100在镀膜过程中的各参数如下：进气量：Ar/N₂/H₂/CH₄：50-500sccm，C₂H₂/O₂：10-200sccm；镀膜前(即所述步骤S02阶段)所述腔室101的真空度：小于2×10^-3Pa；镀膜时(即所述步骤S03阶段)所述镀膜腔101的真空度：0.1～20Pa；镀膜电压：-300～-3500V，占空比：5～100％，频率：20～360KHz；镀膜时间：0.1～5hrs，所述薄膜的厚度小于50纳米，在此仅作举例，并不对本实用新型作为限制。

进一步地，本实施例还提供了所述薄膜，其中所述薄膜由所述镀膜设备100制备，并形成于所述基材600的表面。可以理解的是，所述薄膜可以由所述镀膜设备100经一次或者多次镀膜在所述基材600表面形成的一层或者多层薄膜。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型。本实用新型的目的已经完整并有效地实现。本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (13)

1.一电极装置，用于一镀膜设备，以在基材的表面制备薄膜，其特征在于，其中所述电极装置包括：

一组电极元件，其中相邻的所述电极元件之间界定一支撑空间用于放置该基材；和

一供电单元，其中所述供电单元具有互为正负极的第一极端和第二极端，其中各所述电极元件被交替地接入所述第一极端和所述第二极端，其中所述供电单元用于提供电压使相邻的所述电极元件互为正负极以形成电场，以供所述镀膜设备以化学气相沉积的方式制备薄膜于该基材的表面。

2.根据权利要求1所述电极装置，其中所述供电单元是一脉冲电源。

3.根据权利要求2所述电极装置，其中所述脉冲电源被实施为双向脉冲电源，其中所述双向脉冲电源的正压值的数值小于或等于负压值的数值。

4.根据权利要求2所述电极装置，其中所述脉冲电源被实施为单向负偏压脉冲电源，其中所述脉冲电源的正极为空电位。

5.根据权利要求1至4任一所述电极装置，其中各所述电极元件分为一组第一电极元件和一组第二电极元件，其中所述第一电极元件和所述第二电极元件交替排列，其中所述第一电极元件被电连接于所述第一极端，其中所述第二电极元件被电连接于所述第二极端。

6.根据权利要求5所述电极装置，其中所述电极装置进一步包括至少一支撑件，其中各所述电极元件被分层地安装于所述支撑件，其中所述支撑件用于支撑于所述镀膜设备的一腔体的腔室内，且相邻的所述第一电极元件和所述第二电极元件之间不导电。

7.根据权利要求6所述电极装置，其中所述支撑件包括一第一支撑件和一第二支撑件，其中各所述电极元件被分层地支撑于所述第一支撑件和所述第二支撑件之间，其中所述第一极端通过所述第一支撑件与各所述第一电极元件电连接，其中所述第二极端通过所述第二支撑件与各所述第二电极元件电连接，其中所述第一支撑件与所述第二电极元件之间绝缘连接，其中所述第二支撑件与所述第一电极元件之间绝缘连接。

8.根据权利要求7所述电极装置，其中所述电极装置进一步包括一组绝缘件，其中所述绝缘件被设置于所述第一支撑件与所述第二电极元件之间，其中所述绝缘件被设置于所述第二支撑件与所述第一电极元件之间，其中所述绝缘件被设置于所述支撑件与所述镀膜设备的所述腔体之间。

9.根据权利要求6所述电极装置，其中所述电极装置进一步包括一组支撑层，其中所述支撑层被分层地安装于所述支撑件，且相邻的所述支撑层之间形成所述支撑空间，其中所述第一电极元件和所述第二电极元件被交替地支撑于相邻层的所述支撑层，其中所述支撑层由不导电材料制成。

10.根据权利要求1所述电极装置，其中多个所述电极元件依次排列呈层状结构，其中相邻层的所述电极元件之间均形成所述支撑空间以用于支撑该基材。

11.根据权利要求1所述的电极装置，其中多个所述电极元件以中心轴呈放射状延伸，其中相邻的两所述电极元件之间形成沿径向延伸的所述支撑空间。

12.根据权利要求1所述的电极装置，其中所述电极元件具有一组通孔以连通相邻的所述支撑空间。

13.根据权利要求12所述的电极装置，其中所述电极元件被实施为选自一组：金属板状结构、金属条栅结构以及金属网状结构中的其中一种或者组合。

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