CN211457462U - 一种非隔离降压型led恒流驱动芯片 - Google Patents
一种非隔离降压型led恒流驱动芯片 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，属于半导体封测技术领域。将IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片三者合封到一个封装体中，所述IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片通过引线框架布置在封装体内，且通过金属引线连接到所述封装体的管脚上；本实用新型将IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片三者合封到一个封装体中，省去了外部连接电路的麻烦，工作在临界模式，抗干扰能力强，转换效率高。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体封测技术领域，具体涉及一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片。
背景技术
目前的LED驱动电路采用的是电容、二极管芯片、mos管芯片以及IC芯片综合电路组装而成，设计到多个元器件的组合，这种电路组装相对来说比较复杂，需要多个元器件供应商支持，成本较高。
实用新型内容
针对现有技术中缺陷与不足的问题，本实用新型提出了一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，将IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片三者合封到一个封装体中，省去了外部连接电路的麻烦，工作在临界模式，抗干扰能力强，转换效率高。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案为：
一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，将IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片三者合封到一个封装体内，其封装体的内部电路包括高压供电模块为整个内部电路供电，还设有驱动模块，驱动模块连接有恒流控制逻辑模块、过零检测控制模块和前沿消隐模块，所述恒流控制逻辑模块连接有基准和偏置模块、过热调节及过温保护模块、OVP控制模块、过零检测控制模块和IC芯片与非门，所述IC芯片与非门连接有前沿消隐模块和峰值关断比较器，所述高压供电模块连接到封装体上的HV管脚，OVP控制模块连接ROVP管脚，驱动模块及过零检测模块连接MOSFET芯片，MOSFET芯片连接在封装体的CS管脚与DRAIN管脚之间，快恢复二极管芯片连接HV管脚与DRAIN管脚之间，所述峰值关断比较器的正极连接在MOSFET芯片与CS管脚之间。
所述封装体上还设有GND管脚及NC管脚。
进一步的，所述IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片通过引线框架布置在封装体内，且通过金属引线连接到所述封装体的管脚上。
进一步的，所述封装体采用SOP7外型封装。
本实用新型具有如下有益效果：本实用新型三者合封到一个本体中，替代原有的三种芯片单独的电路设计，相对于传统采用多个元器件之间组合其外部连接电路繁杂，本实用新型省去了外部连接电路的麻烦，电路组装更简便。本产品工作在临界模式，抗干扰能力强，转换效率高；且芯片无需辅助绕组检测电感电流过零，外围应用简单。
附图说明
图1为本实用新型封装体内部电路图；
图2为本实用新型封装体管脚排列图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。
如图1所示，一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，将IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片三者合封到一个封装体内，其封装体的内部电路包括高压供电模块为整个内部电路供电，还设有驱动模块，驱动模块连接有恒流控制逻辑模块、过零检测控制模块和前沿消隐模块，所述恒流控制逻辑模块连接有基准和偏置模块、过热调节及过温保护模块、OVP控制模块、过零检测控制模块和IC芯片与非门，所述IC芯片与非门连接有前沿消隐模块和峰值关断比较器，所述高压供电模块连接到封装体上的HV管脚，OVP控制模块连接ROVP管脚，驱动模块及过零检测模块连接MOSFET芯片，MOSFET芯片连接在封装体的CS管脚与DRAIN管脚之间，快恢复二极管芯片连接HV管脚与DRAIN管脚之间，所述峰值关断比较器的正极连接在MOSFET芯片与CS管脚之间。
所述封装体上还设有GND管脚及NC管脚。
所述IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片通过引线框架布置在封装体内，且通过金属引线连接到所述封装体的管脚上。
所述封装体采用SOP7外型封装。
本实用新型封装体的各管脚排列如图2所示，其中各管脚的功能如下表：
具体的，本实用新型芯片内部设置了系统的最小退磁时间和最大退磁时间，如果使用电感过小，系统会进入断续模式；输出过压保护可以通过 ROVP 管脚到地之间的电阻调节。工作时，电路在 ROVP 管脚流出 40uA 电流，该电流在 ROVP 电阻上产生一个电压VROVP，电路内部将 VROVP 通过运算在每个周期产生一个过压保护时间 TOVP。当输出开路时，输出电压会升高，电感退磁时间 Tdem 减小，当 Tdem 小于 TOVP 时，系统触发 OVP 保护，输出关闭，在 40ms OVP保护计时后重启，直至输出状态恢复时才重新进入正常工作。
本实用新型是将IC芯片、MOSFET芯片、快恢复二极管芯片，三者合封到一个本体中，替代原有的三种芯片的单独的电路设计。主要用于LED驱动电路，本产品工作在临界模式，抗干扰能力强，转换效率高，芯片无需辅助绕组检测电感电流过零，外围应用简单。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (4)
1.一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，其特征在于为：将IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片三者合封到一个封装体内，其封装体的内部电路包括高压供电模块为整个内部电路供电，还设有驱动模块，驱动模块连接有恒流控制逻辑模块、过零检测控制模块和前沿消隐模块，所述恒流控制逻辑模块连接有基准和偏置模块、过热调节及过温保护模块、OVP控制模块、过零检测控制模块和IC芯片与非门，所述IC芯片与非门连接有前沿消隐模块和峰值关断比较器，所述高压供电模块连接到封装体上的HV管脚，OVP控制模块连接ROVP管脚，驱动模块及过零检测模块连接MOSFET芯片，MOSFET芯片连接在封装体的CS管脚与DRAIN管脚之间，快恢复二极管芯片连接HV管脚与DRAIN管脚之间，所述峰值关断比较器的正极连接在MOSFET芯片与CS管脚之间。
2.如权利要求1所述的一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，其特征在于：所述封装体上还设有GND管脚及NC管脚。
3.如权利要求1所述的一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，其特征在于：所述IC芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片通过引线框架布置在封装体内，且通过金属引线连接到所述封装体的管脚上。
4.如权利要求1所述的一种非隔离降压型LED恒流驱动芯片，其特征在于：所述封装体采用SOP7外型封装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020284442.4U CN211457462U (zh) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 一种非隔离降压型led恒流驱动芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020284442.4U CN211457462U (zh) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 一种非隔离降压型led恒流驱动芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211457462U true CN211457462U (zh) | 2020-09-08 |
Family
ID=72303351
Family Applications (1)
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| CN202020284442.4U Active CN211457462U (zh) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 一种非隔离降压型led恒流驱动芯片 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN211457462U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113301690A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-08-24 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | 照明灯驱动芯片和驱动电路 |
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2020
- 2020-03-10 CN CN202020284442.4U patent/CN211457462U/zh active Active
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