CN211453982U - 微波多普勒探测设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测设备包括一电磁反射面和与所述电磁反射面相间隔地被设置的至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子具有一第一馈电端和一第二馈电端并自两所述馈电端分别延伸有一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端相互靠近，并当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流与电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态而以对偶方式耦合，降低了对所述微波多普勒探测设备的尺寸要求，并能够避免形成探测死区。

Description

微波多普勒探测设备

技术领域

本实用新型涉及微波多普勒探测领域，尤其涉及一种微波多普勒探测设备。

背景技术

基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物，物与物之间相联的重要枢纽在行为探测和存在探测技术中具有独特的优势，其能够在不侵犯人隐私的情况下，探测出活动物体，因而具有广泛的应用前景。

现有的微波探测模块依辐射源的结构主要分为柱状辐射源结构的微波探测模块和平板辐射源结构的微波探测模块，具体地，参考本实用新型的说明书附图之图1A和图1B所示，现有的柱状辐射源结构的微波探测模块10P和平板辐射源结构的微波探测模块20P的结构原理分别被示意，其中该柱状辐射源结构的微波探测模块10P包括一柱状辐射源11P和一参考地面12P，其中该参考地面12P被设置有一辐射孔121P，其中该柱状辐射源11P经该辐射孔121P垂直穿透该参考地面12P而于该辐射孔121P与该参考地面12P之间形成有一辐射缝隙1211P，如此则在该柱状辐射源11P被馈电时，该柱状辐射源11P能够与该参考地面12P耦合而自该辐射缝隙1211P以该柱状辐射源11P为中心轴形成一辐射空间100P，其中该辐射空间100P为该柱状辐射源结构的微波探测模块10P辐射的电磁波的覆盖范围，其中该辐射空间100P于其中心轴分别向该柱状辐射源11P的两端内凹而具有探测死区。参考图1B所示的该平板辐射源结构的微波探测模块20P的结构原理，其中该平板辐射源结构的微波探测模块20P包括一平板辐射源21P和一参考地面22P，其中该平板辐射源21P与该参考地面22P相互平行地被间隔设置而于该平板辐射源21P和该参考地面22P之间形成有一辐射缝隙23P。可以理解的是，在结构上，由于该柱状辐射源结构的微波探测模块10P的该柱状辐射源11P垂直于该参考地面12P，相对于趋于平板结构的该平板辐射源结构的微波探测模块20P，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P在实际安装中易占用更大的安装空间，因而在如今追求小型简洁的外观审美趋势下，具有平板辐射源结构的该微波探测模块因占用空间小和相对稳定的优势而备受青睐。

然而，在一些应用场景，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P相对于该平板辐射源结构的微波探测模块20P更具优势。示例地，参考本实用新型的说明书附图之图2所示，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P于LED灯板30P上的应用被示意，其中该LED灯板30P的一面均匀设置有多个LED灯珠31P，以于该LED灯板30P的该面形成一发光面。可以理解的是，为实现基于人体活动地控制该LED灯板30P的照明，现有的微波探测模块被应用于该LED灯板30P，并在实际应用中，有效的电磁波探测信号应于该LED灯板30P的发光面所对应的空间内辐射。而由于目前的该LED灯板30P大多采用具有导电性能的铝板制备，为避免具有导电性能的该LED灯板30P对电磁波探测信号的屏蔽作用，从人体活动探测的稳定性的角度出发，理想地，应将作为人体活动探测部件的微波探测模块置于该LED灯板30P的发光面，但无论采用该柱状辐射源结构的微波探测模块10P或该平板辐射源结构的微波探测模块20P，由于相应的该参考地面12P和该参考地面22P的面积大小的最小极值受到限制，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P或该平板辐射源结构的微波探测模块20P于该LED灯板30P的发光面的安装势必占用部分该LED灯珠31P的安装位或遮挡部分该LED灯珠31P，从而使得该LED灯板30P所发出的光线产生暗区。

因此为实现基于人体活动的探测控制该LED灯板30P的照明，目前主要通过在不影响该LED灯珠31P的排布的基础上，于该LED灯板30P上设置一通孔32P，和于该LED灯板30P的与发光面相对的一面，将该柱状辐射源结构的微波探测模块10P的该柱状辐射源11P经该通孔32P穿过该LED灯板30P地延伸至该LED灯板30P的发光面，以将该柱状辐射源结构的微波探测模块10P的该参考地面12P隐藏于该LED灯板30P的与发光面相对的该面，从而使得该柱状辐射源结构的微波探测模块10P于该LED灯板30P的安装能够避免占用部分该LED灯珠31P的安装位或遮挡部分该LED灯珠31P，进而维持该LED灯板30P所发出的光线的均匀性。但在实际使用中，受限于该LED灯板30P的厚度的最薄极值和该通孔32P大小的最大极值，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P的该柱状辐射源11P与该参考地面12P之间的耦合会受到该LED灯板30P的阻隔，即位于该LED灯板30的发光面的相应的该辐射空间100P会因该LED灯板30P的屏蔽和反射作用而缩小，因此该柱状辐射源结构的微波探测模块10P应用于LED灯板30P对人体活动的探测的稳定性并不理想。并且由于该柱状辐射源结构的微波探测模块10P双向辐射的方向性和该LED灯板30P的反射作用，位于该LED灯板30P的与发光面相对的该面的相应的该辐射空间100P会被增强，即该柱状辐射源结构的微波探测模块10P于该LED灯板30P的与发光面相对的该面的辐射能量被增强，从而在该LED灯板30P的与发光面相对的该面所对应的空间存在金属物体时，如该LED灯板30P的金属壳体或吊顶空间的金属管道，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P易因自激原理误认为存在活动物体，进而影响基于人体活动的探测对该LED灯板30P的智能控制的体验。

也就是说，相对于该平板辐射源结构的微波探测模块20P，该柱状辐射源结构的微波探测模块10P能够于一金属板材的一面所对应的一屏蔽空间，通过一通孔将该柱状辐射源11P延伸至该金属板材的另一面所对应的屏蔽空间之外的空间，从而突破该屏蔽空间地实现对该屏蔽空间之外的空间的活动探测，然而其探测稳定性并不理想，并存在探测死区。

实用新型内容

本实用新型的一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测设备包括一微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块采用对偶的耦合方式，降低了对所述微波多普勒探测模块的尺寸要求，并能够避免形成探测死区。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测模块基于对偶耦合结构包括至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并以所述第一馈电端为端地延伸，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并以所述第二馈电端为端地延伸，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端相互靠近，如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同源馈电时，所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置，从而形成所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之间对偶的耦合方式。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同源馈电时，所述第二辐射源极和所述第一辐射源极基于对偶的耦合方式形成有一辐射空间，其中所述辐射空间为所述微波多普勒探测模块辐射的电磁波的覆盖范围，则在所述第二辐射源极和所述第一辐射源极之间，所述辐射空间基于对偶的耦合方式形成而能够避免向所述微波多普勒探测模块内凹地形成探测死区，有利于提高所述微波多普勒探测模块的探测稳定性和适用性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测模块进一步具有一电磁反射面，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极于所述电磁反射面所对应的空间与所述电磁反射面间隔地被设置，以藉由所述电磁反射面对电磁波的反射特性，形成所述微波多普勒探测模块的定向辐射特性，则所述微波多普勒探测模块适用于定向空间的物体活动的探测，并有利于避免所述微波多普勒探测模块产生自激而提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰性能。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中基于对偶的耦合方式，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同源馈电，则所述第二辐射源极和所述第一辐射源极之间能够产生耦合的尺寸要求被降低，对应所述第二辐射源极自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的线长要求和所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极的线长要求被降低，有利于减小所述微波多普勒探测模块的尺寸。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极以所述第一馈电端为端，所述第二辐射源极以所述第二馈电端为端，则在所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电位与电流呈对偶分布状态而被简化，从而有利于简化所述微波多普勒探测模块的数据处理和提高所述微波多普勒探测模块的稳定性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中基于对偶的耦合方式，所述第二辐射源极具有对应于所述第一辐射源极的形状尺寸，则所述第一辐射源极和第二辐射源极脱离了具有限制面积以作为参考面的限制，即所述所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的形状尺寸具有多种实施结构而不限于具有限制面积的板状结构，有利于提高所述微波多普勒探测模块的适用性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极具有灵活多变的形状尺寸而不限于具有限制面积的板状结构，则通过将所述第一辐射源极和所述第二辐射源极延伸出相应金属板材的方式，所述微波多普勒探测模块同样适用于前述柱状辐射源结构的微波探测模块的应用场景，并相对于柱状辐射源结构的微波探测模块，所述微波多普勒探测模块于相应应用场景具有更好的稳定性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点对称设置，即所述第一辐射源极和所述第二辐射源极具有相同的形状和尺寸并以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点被对称设置，如此以有利于保障所述第二辐射源极和所述第一辐射源极之间以对偶的方式耦合。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中基于对所述第二辐射源极和所述第一辐射源极的形状的调整，如以弯折的方式调整所述第二辐射源极和所述第一辐射源极的形状，在维持所述第二辐射源极自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的线长要求和所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极的线长要求的同时，所述微波多普勒探测模块的尺寸能够被进一步减小，即在保障所述第二辐射源极和所述第一辐射源极之间以对偶的方式耦合的同时，提高了所述微波多普勒探测模块的适用性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中基于对所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之间的位置关系的调整，如对所述第二辐射源极和所述第一辐射源极的形状的调整，或分别绕所述第二馈电端和所述第一馈电端对所述第二辐射源极和所述第一辐射源极的转动调整，所述辐射空间能够被调整而对应改变所述微波多普勒探测模块的探测角度和方向，提高了所述微波多普勒探测模块的适用性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极进一步被接地，以降低所述微波多普勒探测模块的阻抗，则所述微波多普勒探测模块的品质因数(即Q值)被提高，有利于提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰能力。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极的与所述第一馈电端相对的一端一体延伸至所述第二辐射源极的与所述第二馈电端相对的一端，以在维持所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之间的对称结构的同时，通过将所述第一辐射源极电性连接于所述第二辐射源极的方式，在所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之其中一辐射源极被接地时形成所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被接地的状态，有利于简化所述微波多普勒探测模块的线路连接结构。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一电路基板和承载于所述电路基板的一电路单元，其中所述电路单元包括一振荡电路单元和一混频检波单元，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被电性耦合于所述振荡电路单元的不同极，其中所述混频检波单元被电性耦合于所述振荡电路单元和所述对偶耦合极子，如此以在所述振荡电路单元被供电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被所述振荡电路单元同源馈电而以对偶的方式耦合地发射一探测波束，和接收所述探测波束的一回波，所述混频检波单元输出对应于所述探测波束和所述回波之间频率差异的一中频信号，则基于多普勒效应原理，所述中频信号对应于反射所述探测波束而形成所述回波的相应物体的运动，因而所述微波多普勒探测模块适用于探测物体运动。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述电磁反射面承载于所述电路基板的与承载有所述电路单元的一面相对的一面，即所述电磁反射面朝向所述对偶耦合极子和阻隔于所述电路单元与所述对偶耦合极子之间，以藉由所述电磁反射面对电磁辐射的反射特性，阻碍所述第一辐射源极与所述第二辐射源极耦合所产生的电磁辐射对所述电路单元的干扰，有利于提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰性能。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一第一馈电线和一第二馈电线，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端经所述第一馈电线被电性耦合于所述振荡电路单元，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端经所述第二馈电线被电性连接于所述振荡电路单元的地电位，如此以形成所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被电性耦合于所述振荡电路单元的不同极的电路连接关系，并藉由所述第一馈电线和所述第二馈电线对所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的支撑形成所述对偶耦合极子于所述电磁反射面所对应的空间与所述电磁反射面间隔地被设置的结构关系。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第二馈电线包围所述第一馈电线地被设置而形成有一电磁屏蔽腔，如此以在所述第二馈电线被接地的状态降低所述第二馈电线与所述第一馈电线之间的耦合对所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之间的耦合的影响，和屏蔽外界电磁辐射对所述第一馈电线的干扰，有利于提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰性能。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测设备包括所述微波多普勒探测模块并具有一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层具有一通孔，其中所述电路基板被设置于所述电磁屏蔽层的一面所对应的一屏蔽空间，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被设置于所述电磁屏蔽层的另一面所对应的空间，其中所述第一馈电线和所述第二馈电线经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层地形成所述第一辐射源极和所述第二辐射源极与所述电路单元之间的电路连接结构，如此以藉由所述第一辐射源极和所述第二辐射源极于所述屏蔽空间之外的空间的设置，实现对该屏蔽空间之外的空间的活动探测，其中基于所述第一辐射源极和所述第二辐射源极对偶的耦合方式，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极在垂直于所述电磁屏蔽层的方向于所述电磁屏蔽层的投影面积能够被减小，有利于所述微波多普勒探测模块于所述微波多普勒探测设备的安装的隐蔽性，并当所述电磁屏蔽层形成于LED灯板时，能够避免于所述LED灯板形成暗区。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述第二馈电线和所述第一馈电线被实施为以所述第二馈电线包围所述第一馈电线的一屏蔽线，其中所述屏蔽线被可插接地设置，以形成所述第一辐射源极和所述第二辐射源极与所述电路单元之间的可插接的电路连接结构，则所述电磁屏蔽层的所述通孔的尺寸要求适于所述屏蔽线穿过而有利于减小所述通孔的尺寸，从而有利于保持所述电磁屏蔽层的完整性。

本实用新型的另一目的在于提供一微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测模块基于对偶的耦合方式能够避免形成探测死区，同时降低了对所述微波多普勒探测模块的尺寸要求，有利于提高被安装于所述微波多普勒探测设备的所述微波多普勒探测模块的隐蔽性和探测稳定性。

依本实用新型的一个方面，本实用新型提供一微波多普勒探测设备，所述微波多普勒探测设备包括：

一电路单元，其中所述电路单元包括一振荡电路单元和一混频检波单元，其中所述振荡电路单元被设置允许被供电而于其馈极而输出一馈电信号和于其地极被接地以作为一激励信号馈源；

一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层被设置有一通孔，其中所述电路单元被设置于所述电磁屏蔽层的一面所对应的空间；以及

至少一对对偶耦合极子，其中所述对偶耦合极子被设置于所述电磁屏蔽层的另一面所对应的空间，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述混频检波单元被电性耦合于所述振荡电路单元和所述对偶耦合极子，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端被经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层的一第一馈电线电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端被经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层的一第二馈电线电性连接于所述振荡电路单元的地极，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近，其中λ为与所述馈电信号的频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长，如此以当所述振荡电路单元被供电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置。

在一实施例中，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一电路基板，其中所述电路单元被承载于所述电路基板。

在一实施例中，其中所述第二馈电线包围所述第一馈电线而形成有一电磁屏蔽腔。

在一实施例中，其中所述第一馈电线自所述第一馈电端一体延伸于所述第一辐射源极，其中所述第二馈电线自所述第二馈电端一体延伸于所述第二辐射源极。

在一实施例中，其中所述第一馈电线和所述第二馈电线被实施为以所述第二馈电线包围所述第一馈电线的一屏蔽线，其中所述屏蔽线被可插接地设置，其中所述通孔的尺寸被设置与所述屏蔽线的线径相适应。

在一实施例中，其中所述电磁屏蔽层被设置为LED灯板。

在一实施例中，其中所述的微波多普勒探测设备进一步包括一电磁反射面，其中所述电磁反射面被承载于所述电路基板的与承载有所述电路单元的一面相对的一面，并阻隔于阻隔于所述对偶耦合极子和所述电路单元之间。

在一实施例中，其中所述电磁反射面在平行于所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的方向的尺寸满足大于等于λ/4，且在垂直于所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的方向的尺寸满足大于等于λ/4。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被设置以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点对称。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线延伸的柱状导电线。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和远离所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和远离所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极被设置自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线的方向，远离所述电磁反射面的方向，和所述第一馈电端向所述第二馈电端连线的方向延伸，其中所述第二辐射源极自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向，远离所述电磁反射面的方向，和所述第二馈电端向所述第一馈电端连线的方向延伸。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极被设置自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线的方向，靠近所述电磁反射面的方向，和所述第一馈电端向所述第二馈电端连线的方向延伸，其中所述第二辐射源极自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向，靠近所述电磁反射面的方向，和所述第二馈电端向所述第一馈电端连线的方向延伸。

在一实施例中，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一介质基板，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极以微带线形式被承载于所述介质基板。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被承载于所述介质基板的同一面，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线延伸的微带线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线延伸的微带线。

在一实施例中，其中所述介质基板的承载有所述辐射源极和所述参考地极的一面平行于所述电磁反射面。

在一实施例中，其中所述微波多普勒探测模块包括两对所述对偶耦合极子，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第一辐射源极的两所述第一馈电端电性相连，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第二辐射源极的两所述第二馈电端电性相连，其中两所述第二馈电端的连线与两所述第一馈电端的连线交叉，且其中一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线与另一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线平行。

在一实施例中，其中所述介质基板的承载有所述辐射源极和所述参考地极的一面垂直于所述电磁反射面，且所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线垂直于所述电磁反射面。

在一实施例中，其中所述微波多普勒探测模块包括两对所述对偶耦合极子，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第一辐射源极的两所述第一馈电端电性相连，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第二辐射源极的两所述第二馈电端电性相连，其中两所述第二馈电端的连线与两所述第一馈电端的连线交叉，且其中一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线与另一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线平行。

在一实施例中，其中所述介质基板的承载有所述辐射源极和所述参考地极的一面垂直于所述电磁反射面，且所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线平行于所述电磁反射面。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极的所述第一馈电端和所述第二辐射源极的所述第二馈电端被承载于所述介质基板的同一面，其中所述第一辐射源极以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向延伸，并继续绕所述介质基板的侧边延伸至所述介质基板的另一面，其中所述第二辐射源极以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向延伸，并继续绕所述介质基板的侧边延伸至所述介质基板的另一面。

在一实施例中，其中所述第一辐射源极的所述第一馈电端和所述第二辐射源极的所述第二馈电端分别被承载于所述介质基板的两相对面，其中所述第一辐射源极以所述第一馈电端为端向所述介质基板的一侧边延伸并继续绕所述介质基板的该侧边延伸至所述介质基板的另一面，其中所述第二辐射源极以所述第二馈电端为端向所述介质基板的另一相对侧边延伸并继续绕所述介质基板的该相对侧边延伸至所述介质基板的另一面。

通过对随后的描述和附图的理解，本实用新型进一步的目的和优势将得以充分体现。

附图说明

图1A为现有的柱状辐射源结构的微波探测模块的结构原理图。

图1B为现有的平板辐射源结构的微波探测模块的结构原理图。

图2为现有的柱状辐射源结构的微波探测模块于LED灯板安装结构示意图。

图3为依本实用新型的一实施例的一微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图4A为依本实用新型的上述实施例的一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图4B为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图5A为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图5B为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图5C为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图6为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图7A为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的一优化结构的立体示意图。

图7B为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的另一优化结构的立体示意图。

图7C为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的另一优化结构的立体示意图。

图8A为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图8B为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图8C为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图9为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图10为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的一替代结构的立体示意图。

图11为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的另一替代结构的立体示意图。

图12为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的另一替代结构的立体示意图。

图13为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的另一替代结构的立体示意图。

图14为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的上述替代结构的一变形结构的立体示意图。

图15为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的另一替代结构的立体示意图。

图16为依本实用新型的另一实施例的一微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图17A为依本实用新型的上述实施例的一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图17B为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图18A为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图18B为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图19A为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图19B为依本实用新型的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图20为依本实用新型的另一实施例的一微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图21A为依本实用新型的上述实施例的一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图21B为依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块的立体结构示意图。

图22为依本实用新型的一实施例的安装有一微波多普勒探测模块的一微波多普勒探测设备的立体结构示意图。

图23为依本实用新型的另一实施例的安装有一微波多普勒探测模块的一微波多普勒探测设备的立体结构示意图。

具体实施方式

以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本实用新型的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

参考本实用新型的说明书附图之图3所示，依本实用新型的一实施例的一微波多普勒探测模块10的立体结构被示意，其中所述微波多普勒探测模块10包括至少一对对偶耦合极子11，其中所述一对所述对偶耦合极子11包括一第一辐射源极111和一第二辐射源极112，其中所述第二辐射源极112具有一第二馈电端1121，所述第一辐射源极111具有一第一馈电端1111，其中所述第二馈电端1121和所述第一馈电端1111相互靠近，其中所述第二辐射源极112为以所述第二馈电端1121为端延伸的导体，其中所述第一辐射源极111为所述第一馈电端1111为端延伸的导体，其中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112被设置分别适于在所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被同源馈电，如此以当所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被同源馈电时，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111沿所述第一辐射源极111对应耦合于所述第二辐射源极112的自所述第二馈电端1121沿所述第二辐射源极112的相应位置，从而形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式。

值得一提的是，基于所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式，以所述第二馈电端1121为端的所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121被馈电，和以所述第一馈电端1111为端的所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111被馈电，则所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111之间能够产生耦合的尺寸要求被降低。具体地，所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111被设置满足分别自所述第二馈电端1121和所述第一馈电端1111具有大于等于λ/16的线长，其中λ为对应馈电信号频率的波长参数。即所述第一辐射源极111被设置满足于所述第一馈电端1111和与所述第一馈电端1111相对的一端之间具有大于等于λ/16的线长，所述第二辐射源极112被设置满足于所述第二馈电端1121和与所述第二馈电端1121相对的一端具有大于等于λ/16的线长，也就是说，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112允许分别自所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被设置具有λ/16的最小线长。

进一步地，所述第二馈电端1121和所述第一馈电端1111相互靠近并应当满足所述第二馈电端1121与所述第一馈电端1111之间的距离小于等于λ/4，如此以使得所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被同源馈电时，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112能够相互耦合。

特别地，在本实用新型的实施例描述中，以所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被馈电连接于同一激励信号馈源的不同极而被同源馈电为例，所述微波多普勒探测模块10被示例。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述第一辐射源极111适于在所述第一馈电端1111被馈电连接于该激励信号馈源的馈极，所述第二辐射源极112适于在所述第二馈电端1121被电性连接于该激励信号馈源的地极而与所述第一辐射源极111被该激励信号馈源同源馈电，其中当所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111被馈电和所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121被接地时，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111沿所述第一辐射源极111对应耦合于所述第二辐射源极112的自所述第二馈电端1121沿所述第二辐射源极112的相应位置而形成有一辐射空间100，其中所述辐射空间100为所述微波多普勒探测模块10辐射的电磁波的覆盖范围，其中由于所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111沿所述第一辐射源极111对应耦合于所述第二辐射源极112的自所述第二馈电端1121沿所述第二辐射源极112的相应位置，即所述辐射空间100基于对偶的耦合方式形成而能够避免在垂直于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121的连线方向向所述微波多普勒探测模块10内凹，从而避免在垂直于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121的连线方向形成探测死区，有利于提高所述微波多普勒探测模块10的探测稳定性和适用性。

进一步地，所述微波多普勒探测模块10具有一电磁反射面12，其中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112于所述电磁反射面12所对应的空间与所述电磁反射面12间隔地被设置，以藉由所述电磁反射面12对电磁波的反射特性，形成所述微波多普勒探测模块10的定向辐射特性，则所述微波多普勒探测模块10适用于定向空间的物体活动的探测，并有利于避免所述微波多普勒探测模块10产生自激而提高所述微波多普勒探测模块10的抗干扰性能。

进一步地，基于所述第一馈电端1111与所述第二馈电端1121相靠近，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111以所述第一馈电端1111为端地延伸，和所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端地延伸的结构关系，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间能够以对偶的耦合方式耦合，相应的所述第二辐射源极112具有对应于所述第一辐射源极111的线长，则所述第二辐射源极112脱离了具有最低限制面积以作为参考地面的限制，即所述第二辐射源极112对应于所述第一辐射源极111的线长具有多种实施结构而不限于具有最低限制面积的板状结构，所述微波多普勒探测模块10的结构多样，有利于提高所述微波多普勒探测模块10的适用性。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述第二辐射源极112对应于所述第一辐射源极111的线长被设置为柱状导电线，其中所述第二辐射源极112的界定于所述第二馈电端1121和与所述第二馈电端1121相对的一端之间的线长参数L2满足：λ/16≤L2≤λ。相应地，所述第一辐射源极111的界定于所述第一馈电端1111和与所述第一馈电端1111相对的一端之间的线长参数L1满足：λ/16≤L1≤λ。如此以在以所述第二馈电端1121为端的所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121被接地，和以所述第一馈电端1111为端的所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111被馈电时，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间能够以对偶的耦合方式耦合。

进一步地，在本实用新型的这个实施例中，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的中点被点对称设置，即所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112具有相同的形状和尺寸，且所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的位置关系满足所述第一辐射源极111能够绕所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的中点于至少一个方向旋转180度而与所述第二辐射源极112所在位置重合。如此以有利于保障所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111之间以对偶的方式耦合。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，被设置为柱状导电线的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112被同轴设置，即所述第一辐射源极111在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111方向，自所述第一馈电端1111以所述第一馈电端1111为端沿所述第一馈电端1111与所述第二馈电端1121的连线延伸；所述第二辐射源极112在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121方向，自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端沿所述第一馈电端1111与所述第二馈电端1121的连线延伸。如此以形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的中点点对称的结构关系。

进一步地，所述微波多普勒探测模块10还包括一电路基板13和承载于所述电路基板13的一电路单元14，其中所述电路单元14包括一振荡电路单元141和一混频检波单元142，其中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被电性耦合于所述振荡电路单元141的不同极，具体地，所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111被馈电连接于所述振荡电路单元141的馈极，所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121被电性连接于所述振荡电路单元141的地极，其中所述混频检波单元142被电性耦合于所述振荡电路单元141和所述对偶耦合极子11，其中所述振荡电路单元141允许被供电而于其馈极而输出一馈电信号和于其地极被接地，即所述振荡电路单元141允许被供电而作为一激励信号馈源，如此以当所述振荡电路单元141被供电时，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被所述振荡电路单元141同源馈电而发射一探测波束，和接收所述探测波束的一回波，其中所述回波被接收而对应产生一回波信号，所述混频检波单元142输出对应于所述馈电信号和所述回波信号之间频率差异的一中频信号，则基于多普勒效应原理，所述中频信号对应于反射所述探测波束而形成所述回波的相应物体的运动，因而所述微波多普勒探测模块10适用于探测物体运动。

值得一提的是，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121为端，则在所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被所述振荡电路单元141同源馈电时，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的电位与电流呈对偶分布状态，对应所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111以对偶的方式耦合，即所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111之间的耦合被简化，则对所述微波多普勒探测模块10的相应数据处理能够被简化，如所述混频检波单元142输出的所述中频信号与相应物体运动的关联度被提高而使得对所述微波多普勒探测模块10的相应数据处理能够被简化，因而有利于降低所述微波多普勒探测模块10的成本和提高所述微波多普勒探测模块10的稳定性和准确性。

特别地，在本实用新型的这个实施例中，所述电磁反射面12阻隔于所述电路单元14与所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间，以使得所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112相互耦合所产生的电磁辐射中，自所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112向所述电路单元14方向的电磁辐射能够被所述电磁反射面12反射而避免干扰所述电路单元14，从而有利于提高所述微波多普勒探测模块10的抗干扰性能。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述电磁反射面12承载于所述电路基板13的与承载有所述电路单元14的一面相对的一面，即所述电路基板13的与承载有所述电路单元14的一面相对的一面的相应导电层(如铜层)形成所述电磁反射面12，其中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112于所述电磁反射面12所对应的空间与所述电磁反射面12间隔地被设置，以藉由所述电磁反射面12对电磁波的反射特性，和所述第一辐射源极111与所述第二辐射源极112在所述电磁反射面12所对应的空间与所述电磁反射面12相间隔的结构关系，形成所述微波多普勒探测模块10的自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的定向辐射特性，即对应形成所述微波多普勒探测模块10自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的探测方向，则所述微波多普勒探测模块10适用于对应该探测方向的定向空间的物体活动的探测，并有利于避免所述微波多普勒探测模块10产生自激，和避免所述第一辐射源极111与所述第二辐射源极112之间耦合所产生的电磁辐射对被承载于所述电路基板13的所述电路单元14的干扰，从而提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰性能。

也就是说，基于所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式，所述微波多普勒探测模块10具有与所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的径向相对应的辐射方向，从而当所述电磁反射面12于该辐射方向被设置时，自所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112向所述电磁反射面12方向的辐射能够被反射而形成所述微波多普勒探测模块10自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的探测方向，和加强该探测方向的电磁辐射而有利于提高所述微波多普勒探测模块10的探测距离。

特别地，所述电磁反射面12优选地被设置满足在平行于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121的连线方向具有大于等于λ/4的尺寸，并在垂直于该连线的方向具有大于等于λ/4的尺寸，以使得所述电磁反射面12对自所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112向所述电磁反射面12方向的辐射的反射作用能够被加强。

值得一提的是，所述电磁反射面12优选地被设置满足与所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的中点之间的距离大于等于λ/32，以使得所述电磁反射面12对自所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112向所述电磁反射面12方向的辐射的反射作用能够被加强，从而有利于提高所述微波多普勒探测模块10的探测距离。

进一步地，所述微波多普勒探测模块10还包括一第一馈电线15和一第二馈电线16，其中所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111经所述第一馈电线15被电性耦合于所述振荡电路单元141的馈极，其中所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121经所述第二馈电线16被电性连接于所述振荡电路单元141的地极，如此以藉由所述第一馈电线15和所述第二馈电线16形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112与所述电路单元14之间的电路连接结构，并藉由所述第一馈电线15和所述第二馈电线16对所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的支撑形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112于所述电磁反射面12的同一面所对应的空间与所述电磁反射面12间隔地被设置的结构关系。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111一体延伸于所述第一馈电线15，所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121一体延伸于所述第二馈电线16，如此以简化所述微波多普勒探测模块10的结构并有利于维持所述微波多普勒探测模块10的阻抗的一致性而有利于所述微波多普勒探测模块10的阻抗匹配。

特别地，基于对所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间的位置关系的调整，所述辐射空间100能够被调整而对应改变所述微波多普勒探测模块10的自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的探测角度和方向，提高了所述微波多普勒探测模块10的适用性。

具体地，参考本实用新型的说明书附图之图4A和图4B所示，基于对所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间的位置关系的调整，依本实用新型的上述实施例的两变形实施例的所述微波多普勒探测模块10被示意，相对于本实用新型的上述实施例，在本实用新型的这个两个变形实施例中，通过分别绕所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121转动调整所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的方式，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间的位置关系相对于本实用新型的上述实施例被调整。

具体地，对应于图4A，在本实用新型的这个变形实施例中，对应于上述实施例的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112同轴的位置关系，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112在远离所述电磁反射面12的方向分别绕所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被转动调整。即所述第一辐射源极111被设置为自所述第一馈电端1111以所述第一馈电端1111为端，同时在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的连线方向和远离所述电磁反射面12的方向延伸的柱状导电线，所述第二辐射源极112被设置为自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端，同时在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向和远离所述电磁反射面12的方向延伸的柱状导电线。如此则在远离所述电磁反射面12的方向，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间具有小于180度的夹角，则相应所述所述微波多普勒探测模块10的自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的探测角度相对于上述实施例被减小。

相应地，对应于图4B，在本实用新型的这个变形实施例中，对应于上述实施例的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112同轴的位置关系，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112在靠近所述电磁反射面12的方向分别绕所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121被转动调整。即所述第一辐射源极111被设置为自所述第一馈电端1111以所述第一馈电端1111为端，同时在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极112被设置为自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端，同时在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸的柱状导电线。如此则在靠近所述电磁反射面12的方向，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间具有小于180度的夹角，则相应所述所述微波多普勒探测模块10的自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的探测角度相对于上述实施例被增大。

可以理解的是，基于所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111以所述第一馈电端1111为端地同时在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸，和所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端地同时在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸的结构关系，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112还能够被弯曲地设置，本实用新型对此并不限制。例如所述第一辐射源极111为自所述第一馈电端1111以所述第一馈电端1111为端，同时在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸而形成的柱状弧形导电线，所述第二辐射源极112为自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端，同时在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸而形成的柱状弧形导电线。也就是说，所述第一辐射源极111的弧形形状是在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向非线性延伸的结果，同样的，所述第二辐射源极112的弧形形状是在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向非线性延伸的结果，包括但不限于在偏向所述电磁反射面12方向被弯曲而形成的弧形，和在偏离所述电磁反射面12方向被弯曲而形成的弧形。

值得一提的是，基于对所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111的形状的调整，如以弯折的方式调整所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111的形状，在维持所述第二辐射源极112的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ，和所述第一辐射源极111的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ的同时，所述微波多普勒探测模块10的尺寸能够被进一步减小，即在保障所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111之间以对偶的方式耦合的同时，有利于通过减小所述微波多普勒探测模块10的尺寸的方式提高所述微波多普勒探测模块10的适用性。

具体地，参考本实用新型的说明书附图之图5A至图5C所示，依本实用新型的上述实施例的三个变形实施例的所述微波多普勒探测模块10被示意，相对于本实用新型的上述实施例，在本实用新型的这个三个变形实施例中，所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111的形状相对于本实用新型的上述实施例被调整。

对应于图5A，在本实用新型的这个变形实施例中，对应于上述实施例的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112同轴的位置关系，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111顺序在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向延伸和在靠近所述电磁反射面12的方向延伸；其中所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端，顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向和靠近所述电磁反射面12的方向延伸，如此以形成所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121之间连线的中点与所述第一辐射源极111点对称的结构关系，从而在维持所述第二辐射源极112的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ，和所述第一辐射源极111的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ的同时，使得所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111于平行于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的方向的尺寸得以减小。

对应于图5B，在本实用新型的这个变形实施例中，对应于上述实施例的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112同轴的位置关系，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111顺序在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向延伸，在远离所述电磁反射面12的方向延伸，及在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121连线的方向延伸，其中所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端，顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向，远离所述电磁反射面12的方向，和所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111连线的方向延伸。如此以形成所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121之间连线的中点与所述第一辐射源极111点对称的结构关系，从而在维持所述第二辐射源极112的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ，和所述第一辐射源极111的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ的同时，使得所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111于平行于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的方向的尺寸得以减小。

相应地，对应于图5C，在本实用新型的这个变形实施例中，对应于上述实施例的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112同轴的位置关系，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111顺序在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向延伸，在靠近所述电磁反射面12的方向延伸，及在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121连线的方向延伸，其中所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121以所述第二馈电端1121为端，顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向，靠近所述电磁反射面12的方向，和所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111连线的方向延伸。如此以形成所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121之间连线的中点与所述第一辐射源极111点对称的结构关系。从而在维持所述第二辐射源极112的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ，和所述第一辐射源极111的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ的同时，使得所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111于平行于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的方向的尺寸得以减小。

可以理解的是，基于对所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111的形状的调整，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间的位置关系同样得以调整，相应的所述微波多普勒探测模块10的尺寸和自所述电磁反射面12向所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112方向的探测角度和方向能够被调整，其中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的形状尺寸具有多种变形，在所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112满足：所述第二馈电端1121和所述第一馈电端1111在小于等于λ/4的距离内相互靠近；所述第二辐射源极112以所述第二馈电端1121为端地自所述第二馈电端1121延伸，所述第一辐射源极111以所述第一馈电端1111为端地自所述第一馈电端1111延伸；且所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112分别自所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121具有大于等于λ/16线长的结构基础上，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的形状尺寸并不构成对本实用新型的限制。

也就是说，以上实施例仅为举例，基于对偶的耦合方式，所述微波多普勒探测模块10包括至少一对所述对偶耦合极子11，其中各对所述对偶耦合极子11的所述第二辐射源极112以所述第二馈电端1121为端地自所述第二馈电端1121延伸，各对所述对偶耦合极子11的所述第一辐射源极111以所述第一馈电端1111为端地自所述第一馈电端1111延伸，其中各对所述对偶耦合极子11的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的形状尺寸多样，并优选地满足各对所述对偶耦合极子11的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的中点被点对称设置。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图6所示，依本实用新型的上述实施例的一变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的立体结构被示意。特别地，在本实用新型的这个变形实施例中，所述第二馈电线16包围所述第一馈电线15地被设置而形成有一电磁屏蔽腔161，如此以在所述第二馈电线16被接地的状态降低所述第二馈电线16与所述第一馈电线15之间的耦合对所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间的耦合的影响，和屏蔽外界电磁辐射对所述第一馈电线15的干扰，从而有利于提高所述微波多普勒探测模块10的抗干扰性能。

优选地，以包围所述第一馈电线15的形式被设置的所述第二馈电线16与所述第一馈电线15同轴，如此以在所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111经所述第一馈电线15被馈电，和所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121经所述第二馈电线16被馈电时，有利于所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间以对偶的方式耦合。

值得一提的是，在本实用新型的一些实施例中，所述第二馈电线16和所述馈电性16被实施为以所述第二馈电线16包围所述第一馈电线15的一屏蔽线，其中所述屏蔽线被可插接地设置，以形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112与所述电路单元14之间的可插接的电路连接结构而有利于所述微波多普勒探测模块10的组装。

为进一步描述本实用新型，本实用新型的说明书附图之图6所对应的变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的结构基于现有制造工艺被优化而有利于基于现有制造工艺被生产制造，具体地，参考本实用新型的说明书附图之图7A至图7C所示，本实用新型的说明书附图之图6所对应的变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的不同优化结构被示意，其中在本实用新型的这三个优化结构中，所述微波多普勒探测模块10的所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121被导电焊接于所述第二馈电线16，其中通过焊接的方式，所述第二辐射源极112基于现有工艺能够实现与所述第二馈电线16的导电连接和固定，并相较于一体成型的工艺，以包围所述第一馈电线15的形式被设置而具有管状结构的所述第二馈电线16与所述第二辐射源极112之间的导电连接和固定更加高效并具有相对较低的工艺成本。优选地，所述第二辐射源极112被以激光点焊的方式被导电焊接于所述第二馈电线16，如此以在将所述第二辐射源极112焊接固定于所述第二馈电线16时有利于提高焊接效率和所述第二辐射源极112与所述第二馈电线16之间的导电焊接的一致性和稳定性。

进一步地，在本实用新型的这三个优化结构中，所述微波多普勒探测模块10进一步包括一衬套17，其中所述衬套17被环套于所述第一馈电线15和内嵌于所述第二馈电线16的所述电磁屏蔽腔161，如此以有利于维持所述第一馈电线15和所述第二馈电线16之间的位置的稳定性，从而保障所述微波多普勒探测模块10的结构的稳定性，继而维持所述微波多普勒探测模块10的性能稳定性。可以理解的是，所述衬套17的设置在维持所述微波多普勒探测模块10的结构和性能稳定性的同时，由于所述衬套17被环套于所述第一馈电线15和内嵌于所述第二馈电线16，即所述衬套17在靠近所述第一辐射源极111的所述第一馈电端1111的位置填充于所述第一馈电线15和包围所述第一馈电线15的所述第二馈电线16之间，如此则所述电磁屏蔽腔161的介电环境能够被稳定维持而具有稳定的介电常数，进而有利于维持所述微波多普勒探测模块10在使用过程中的性能稳定性。优选地，所述衬套17为铁氟龙衬套，以基于铁氟龙耐腐蚀，抗老化特性保障所述微波多普勒探测模块10在使用过程中的稳定性的同时，基于铁氟龙的低摩擦系数的特性而有利于所述微波多普勒探测模块10的生产组装。

特别地，在本实用新型的这三个优化结构中，具有管状结构的所述第二馈电线16于所述电路基板13的固定结构和所述第一馈电线15与所述电路单元14的电性连接结构被示例，对应于图7A，在本实用新型的这个优化结构中，所述第二馈电线16进一步一体延伸/焊接延伸有至少一焊脚165，其中所述焊脚165插置于所述电路基板13和于所述电路基板13的设置有所述电磁反射面12的一面和/或设置有所述电路单元14的一面以焊接的方式被进一步固定。所述第一馈电线15穿透所述电路基板而以焊接的方式被固定和被电性连接于所述电路单元14。

对应于图7B，在本实用新型的这个优化结构中，所述第二馈电线16进一步一体延伸/焊接延伸有至少一个所述焊脚165，其中所述焊脚165以垂直于所述第二馈电线16的方式被弯折地设置和于所述电路基板13的设置有所述电磁反射面12的一面以焊接的方式被固定。所述第一馈电线15穿透所述电路基板13而以焊接的方式被固定和被电性连接于所述电路单元14。

对应于图7C，在本实用新型的这个优化结构中，所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端的端面被焊接固定于所述电路基板13。如于所述电路基板13的设置有所述电磁反射面12的一面以设置相应焊盘的方式，和将所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端的端面焊接固定于所述焊盘的方式形成所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端的端面被焊接固定于所述电路基板13的状态；或直接将所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端的端面以焊接的方式固定于所述电磁反射面12而形成所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端的端面被焊接固定于所述电路基板13的状态。

特别地，区别于上述实施例中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112以所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的中点被点对称设置的结构，在本实用新型的一些实施例中，所述第二辐射源极112被设置为管状并自所述第二馈电端1121对应所述第一辐射源111的镜像的延伸方向延伸，也就是说，所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121的延伸方向对应于所述第一辐射源极111在所述第一馈电端1111至所述第二馈电端1121方向的镜像的延伸方向。例如当所述第一辐射源极111对应于图6所示意自所述第一馈电端1111顺序在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向延伸，在靠近所述电磁反射面12的方向延伸，及在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121连线的方向延伸时，所述第一辐射源极111在所述第一馈电端1111至所述第二馈电端1121方向的镜像顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向，靠近所述电磁反射面12的方向，和所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111连线的方向延伸，即所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121对应所述第一辐射源极111的镜像顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向，靠近所述电磁反射面12的方向，和所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111连线的方向延伸。通过这样的方式，同样能够形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式。

值得一提的是，当所述第二辐射源极112被设置为管状时，所述第二辐射源极112能够以切割和弯折同样被设置为管状的所述第二馈电线16的方式形成而一体延伸于所述第二馈电线16，即通过对所述第二馈电线16以切割和弯折的简单工艺即可自所述第二馈电线16一体延伸形成所述第二辐射源极112，有利于基于简单的工艺保障所述第二辐射源极112和所述第二馈电线16之间稳定一致的连接。

可以理解的是，在管状结构的一侧适当切割该管状结构，则该管状结构能够于切割段在切割面相靠近或远离的两相对方向被弯折，其中当该管状结构于切割段在切割面相靠近的方向被弯折时，能够形成切割面相贴合的弯管结构，当该管状结构于切割段在切割面相远离的方向被弯折时，能够形成分段的管状结构，因此在本实用新型的描述中，对被设置为管状的所述第二辐射源极112的理解应当理解为所述第二辐射源极112包括至少一段管状结构，即于管状结构的切割段在切割面相远离/靠近的方向弯折该管状结构形成的分段的管状结构/弯管结构同样构成管状的范畴。

具体地，参考本实用新型的说明书附图之图8A至8C，基于上述将所述第二辐射源极112设置为管状的思想，依本实用新型的上述实施例的不同变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的立体结构被示意。

对应于图8A和8B，在本实用新型的这两个变形实施例中，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111顺序在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向延伸，在靠近所述电磁反射面12的方向延伸，及在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121连线的方向延伸。相应地，所述第二辐射源极112被设置为管状并自所述第二馈电端1121对应所述第一辐射源111的镜像的延伸方向一体延伸于同样被设置为管状的所述第二馈电线16，即所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121对应所述第一辐射源极111的镜像顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向，靠近所述电磁反射面12的方向，和所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111连线的方向一体延伸于所述第二馈电线16。区别地，对应于图8A所示意的变形实施例的所述微波多普勒探测模块10，以切割和弯折的方式自所述第二馈电线16一体延伸形成的所述第二辐射源极112为切割面相贴合的弯管结构，而对应于图8B所示意的变形实施例的所述微波多普勒探测模块10，以切割和弯折的方式自所述第二馈电线16一体延伸形成的所述第二辐射源极112为分段的管状结构。

对应于图8C，在本实用新型的这个变形实施例中，所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111顺序在所述第二馈电端1121向所述第一馈电端1111的方向延伸，和在靠近所述电磁反射面12的方向延伸。相应地，所述第二辐射源极112被设置为管状并自所述第二馈电端1121对应所述第一辐射源111的镜像的延伸方向一体延伸于同样被设置为管状的所述第二馈电线16，即所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121对应所述第一辐射源极111的镜像顺序在所述第一馈电端1111向所述第二馈电端1121的连线方向，和靠近所述电磁反射面12的方向一体延伸于所述第二馈电线16，其中以切割和弯折的方式自所述第二馈电线16一体延伸形成的所述第二辐射源极112为分段的管状结构。

进一步地，在本实用新型的说明书附图之图8A至8C所对应的这三个变形实施例中，所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端沿所述第二馈电线16的径向方向被延伸而呈喇叭状，其中所述第二馈电线16的呈喇叭状的该端被焊接固定于所述电路基板13。如于所述电路基板13的设置有所述电磁反射面12的一面以设置相应焊盘的方式，和将所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的呈喇叭状的该端焊接固定于所述焊盘的方式形成所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端被焊接固定于所述电路基板13的状态；或直接将所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的呈喇叭状的该端以焊接的方式固定于所述电磁反射面12而形成所述第二馈电线16的远离所述第二馈电端1121的一端被焊接固定于所述电路基板13的状态。

特别地，基于上述实施例的所述第二辐射源极112被接地的状态，在本实用新型的一些实施例中，所述第一辐射源极111进一步被接地，以降低所述微波多普勒探测模块的阻抗，则所述微波多普勒探测模块的品质因数(即Q值)被提高，有利于提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰能力。

参考本实用新型的说明书附图之图9所示，依本实用新型的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的立体结构被示意，特别地，相对于本实用新型的上述实施例，在本实用新型的这个变形实施例中，所述第一辐射源极111进一步与所述第二馈电线16电性相连而被接地。

具体地，在本实用新型的这个变形实施例中，以包围所述第一馈电线15的形式被设置并与所述第一馈电线15同轴的所述第二馈电线16进一步自与所述第二辐射源极112相连的一端沿所述第一馈电线111方向被开设有一对开槽162，其中一对所述开槽162于所述第二馈电线16界定有一第一臂163和一第二臂164，即所述第一臂163和所述第二臂164分别为所述第二馈电线16的界定于一对所述开槽162之间的两部分，其中所述第二辐射源极112自所述第二馈电端1121导电延伸于所述第二馈电线16的所述第二臂164，其中所述第一辐射源极111自所述第一馈电端1111导电延伸于所述第二馈电线16的所述第一臂163并于所述第一馈电端1111与所述第一馈电线15导电相连，如此以形成所述第一辐射源极111被接地的状态。

值得一提的是，所述第二馈电线16的一对所述开槽162自所述第二馈电线16的与所述第二辐射源极112相连的一端沿所述第一馈电线111方向具有大于等于λ/128的开槽深度，如此以在所述第一辐射源极111经所述第二馈电线16的所述第一臂163被接地的同时，能够在所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111经所述第一馈电线15被馈电激励，和所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121经所述第二馈电线16被馈电时，保障所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间以对偶的方式耦合。

可以理解的是，基于所述开槽162的深度设置，相应的阻抗能够被形成，如此以有利于所述振荡电路单元141和所述第一馈电线15及所述第二馈电线16与所述对偶耦合极子11之间的阻抗匹配。

特别地，在本实用新型的这个变形实施例中，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112被一次弯折以而在维持所述第二辐射源极112的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ，和所述第一辐射源极111的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ的同时，使得所述第二辐射源极112和所述第一辐射源极111于平行于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121连线的方向的尺寸得以减小。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图10所示，基于本实用新型的说明书附图之图9所对应的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的结构原理，图10示意了对应于图9的所述微波多普勒探测模块10的一种替代结构，区别于图9所示意的所述微波多普勒探测模块10的电性连接关系，在本实用新型的这一替代结构中，所述第一辐射源极111的所述第一馈电端1111进一步电性连接于所述第二辐射源极112的所述第二馈电端1121，其中所述第一馈电线15电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163，如此以基于所述第一馈电线15与所述第二馈电线16的所述第一臂163的导电连接，形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121的非平衡的馈电状态，从而使得所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121能够在被同源馈电时形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式。

具体地，在本实用新型的这个替代结构中，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112一体成型为一整体，其中呈整体的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112被架设于所述第二馈电线16的所述第一臂163和所述第二臂164，如此则所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121为呈整体的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112上分别与所述第二馈电线16的所述第一臂163和所述第二臂164相接触的部分，从而形成所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163，所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121电性连接于所述第二馈电线16的所述第二臂164，以及所述第一辐射源极111的所述第一馈电端1111电性连接于所述第二辐射源极112的所述第二馈电端1121的状态。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图11所示，基于本实用新型的说明书附图之图9所对应的上述变形实施例的所述微波多普勒探测模块10的结构原理，图11示意了对应于图9的所述微波多普勒探测模块10的另一种替代结构，区别于图9所示意的所述微波多普勒探测模块10的结构，在本实用新型的这种替代结构中，等效于设置所述开槽162的相应深度的原理，所述开槽162的形状和数量能进一步被设置以保障所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间以对偶的方式耦合。

具体地，在本实用新型的这种替代结构中，区别于图9所示意的所述微波多普勒探测模块10的结构，所述第二馈电线16在图9所对应设置有所述开槽162的一对开槽位置被设置有多个所述开槽162，其中相应所述开槽162的深度和宽度允许被区别设置，如此以保障所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间能够以对偶的方式耦合。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图12所示，基于本实用新型的说明书附图之图10所对应的上述实施例的所述微波多普勒探测模块10的结构原理，图12示意了对应于图10的所述微波多普勒探测模块10的一种替代结构，区别于图10所示意的所述微波多普勒探测模块10的结构，在本实用新型的这种替代结构中，被一体设计的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112贯穿一对所述开槽162地被架设于所述第二馈电线16，即所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111同时电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163和所述第二臂164，所述第二辐射源极112的所述第二馈电端1121同时电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163和所述第二臂164，且所述第一辐射源极111的所述第一馈电端1111电性连接于所述第二辐射源极112的所述第二馈电端1121，其中所述第二馈电线16的所述第一臂163在偏离于所述第一臂163的中轴线位置电性连接于所述第一馈电线15，如此以基于所述第一馈电线15与所述第二馈电线16的所述第一臂163的导电连接，形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121的非平衡的馈电状态，从而使得所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121能够在被同源馈电时形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式。

具体地，在本实用新型的这种替代结构中，所述第二馈电线16被设置为可拆卸的管状结构，即所述第二馈电线16为由相互卡接或其它可拆卸方式组装成的管状结构，如此以便于将被一体设计的所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112贯穿一对所述开槽162地架设于所述第二馈电线16，和便于将所述第一馈电线15电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163。

可以理解的是，基于不同实施例的特征组合，在本实用新型的一些实施例中，通过将所述第二馈电线16的所述第一臂163在偏离于所述第一臂163的中轴线位置电性连接于所述第一馈电线15的方式，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112允许分别自一对所述开槽163同时导电延伸于所述第一臂163和所述第二臂164，如此同样能够形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121的非平衡的馈电状态，从而使得所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121能够在被同源馈电时形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式，而对所述第一辐射源极111的所述第一馈电端1111和所述第二辐射源极112的所述馈电端1121之间是否连接不做要求，即所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112允许被分体设置而不采用一体设计。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图13所示，基于将所述第二馈电线16设置为可拆卸的管状结构的思想，图13示意了对应于图9的所述微波多普勒探测模块10的另一种替代结构，区别于图9所示意的所述微波多普勒探测模块10的结构，在本实用新型的这一替代结构中，所述第二馈电线16被设置为可拆卸的方形管状结构，即所述第二馈电线16为由相互卡接或其它可拆卸方式组装成的方形管状结构。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图14所示，基于将所述第二馈电线16设置为可拆卸的管状结构的思想，图14示意了对应于图13的所述微波多普勒探测模块10的进一步变形结构，其中在本实用新型的这个变形结构中，所述第一辐射源极111于与所述第一馈电端1111相对的一端在垂直于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121的连线的两相对方向被进一步延伸，所述第二辐射源极112于与所述第二馈电端1121相对的一端在垂直于所述第一馈电端1111和所述第二馈电端1121的连线的两相对方向被进一步延伸，如此以在所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112以对偶方式耦合时，抑制所述第一辐射源极111的与所述第一馈电端1111相对的该端的能量聚集，和抑制所述第二辐射源极112的与所述第二馈电端1121相对的该端的能量聚集，从而有利于维持所述微波多普勒探测模块10的稳定性。

进一步参考本实用新型的说明书附图之图15所示，基于将所述第二馈电线16设置为可拆卸的管状结构的思想，和在所述第二馈电线16的所述第一臂163在偏离于所述第一臂163的中轴线位置电性连接于所述第一馈电线15的原理，图15示意了对应于图9的所述微波多普勒探测模块10的另一种替代结构，区别于图9所示意的所述微波多普勒探测模块10的结构，在本实用新型的这一替代结构中，所述第二馈电线16被设置为可拆卸的方形管状结构，所述第一辐射源极111于所述第一馈电端1111同时电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163和所述第二臂164，所述第二辐射源极112于所述第二馈电端1121同时电性连接于所述第二馈电线16的所述第一臂163和所述第二臂164，其中所述第二馈电线16的所述第一臂163在偏离于所述第一臂163的中轴线位置电性连接于所述第一馈电线15，如此以基于所述第一馈电线15与所述第二馈电线16的所述第一臂163的导电连接，形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121的非平衡的馈电状态，从而使得所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极121能够在被同源馈电时形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间对偶的耦合方式。

也就是说，以上实施例中，在没有背离对偶的耦合原理下，不同实施例的特征可以相互组合，以得到根据本实用新型揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。

为进一步揭露本实用新型，参考本实用新型的说明书附图之图16所示，依本实用新型的另一实施例的一微波多普勒探测模块10A的立体结构被示意，同样地，所述微波多普勒探测模块10A包括一第二辐射源极112A和一第一辐射源极111A，其中所述第二辐射源极112A具有一第二馈电端1121A，所述第一辐射源极111A具有一第一馈电端1111A，其中所述第二馈电端1121A和所述第一馈电端1111A于λ/4距离内相互靠近，其中所述第二辐射源极112A以所述第二馈电端1121A为端地自所述第二馈电端1121A延伸，其中所述第一辐射源极111A以所述第一馈电端1111A为端地自所述第一馈电端1111A延伸，其中所述第一辐射源极111A被设置适于在所述第一馈电端1111A被馈电，所述第二辐射源极112A被设置适于在所述第二馈电端1121A被馈电，如此以当所述第一辐射源极111A于所述第一馈电端1111A被馈电和所述第二辐射源极112A于所述第二馈电端1121A被同源馈电时，所述第一辐射源极111A自所述第一馈电端1111A沿所述第一辐射源极111A对应耦合于所述第二辐射源极112A的自所述第二馈电端1121A沿所述第二辐射源极112A的相应位置，从而形成所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A之间对偶的耦合方式。

区别于上一实施例，在本实用新型的这个实施例中，所述微波多普勒探测模块10A进一步包括一介质基板18A，其中所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A以微带线形式被承载于所述介质基板18A的同一面，如此则相应所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A的形状尺寸基于微带线工艺易于被实现。

同样地，以微带线形式被设置的所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A被设置满足：所述第一辐射源极111A的界定于所述第一馈电端1111A和与所述第一馈电端1111A相对的一端之间的线长参数L1处于λ/16≤L1≤λ的范围；所述第二辐射源极112A的界定于所述第二馈电端1121A和与所述第二馈电端1121A相对的一端之间的线长参数L2处于λ/16≤L2≤λ的范围。

所述微波多普勒探测模块10A还包括一电路基板13A和承载于所述电路基板13A的一电路单元14A，其中所述电路单元14A包括一振荡电路单元141A和一混频检波单元142A，其中所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A分别于所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A被电性耦合于所述振荡电路单元141A的不同极，具体地，所述第一辐射源极111A于所述第一馈电端1111A被馈电连接于所述振荡电路单元141A的馈极，所述第二辐射源极112A于所述第二馈电端1121A被电性连接于所述振荡电路单元141A的地极，其中所述混频检波单元142A被电性耦合于所述振荡电路单元141A和所述对偶耦合极子11A，其中所述振荡电路单元141A允许被供电而于其馈极而输出一馈电信号和于其地极被接地，即所述振荡电路单元141A允许被供电而作为一激励信号馈源，如此以当所述振荡电路单元141A被供电时，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A分别于所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A被所述振荡电路单元141A同源馈电而发射一探测波束，和接收所述探测波束的一回波，其中所述回波被接收而对应产生一回波信号，所述混频检波单元142A输出对应于所述馈电信号和所述回波信号之间频率差异的一中频信号，则基于多普勒效应原理，所述中频信号对应于反射所述探测波束而形成所述回波的相应物体的运动，因而所述微波多普勒探测模块10A适用于探测物体运动。

进一步地，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A以所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A连线的中点被点对称设置，即所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A具有相同的形状和尺寸，且所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A的位置关系满足所述第一辐射源极111A能够绕所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A连线的中点于至少一个方向旋转180度而与所述第二辐射源极112A所在位置重合。如此以有利于保障所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A之间以对偶的方式耦合。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述介质基板18A以平行于所述电路基板13A的方式与所述电路基板13A相间隔地被设置。

具体地，所述微波多普勒探测模块10A还包括一第一馈电线15A和一第二馈电线16A，其中所述第一辐射源极111A于所述第一馈电端1111A经所述第一馈电线15A被电性耦合于所述振荡电路单元141A的馈极，其中所述第二辐射源极112A于所述第二馈电端1121A经所述第二馈电线16A被电性连接于所述振荡电路单元141A的地电位，如此以形成所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A与所述电路单元14A之间的电路连接结构，并藉由所述第一馈电线15A和所述第二馈电线16A对承载有所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A的所述介质基板18A的支撑形成所述介质基板18A与所述电路基板13A间隔地被设置的结构关系。

特别地，在本实用新型的这个实施例中，所述第二馈电线16A和所述馈电性16A被实施为以所述第二馈电线16A包围所述第一馈电线15A的一屏蔽线，其中所述屏蔽线被可插接地设置，以形成所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A与所述电路单元14A之间的可插接的电路连接结构而有利于所述微波多普勒探测模块10A的组装。

同样地，所述微波多普勒探测模块10A进一步具有承载于所述电路基板13A的一电磁反射面12A，其中所述电磁反射面12A承载于所述电路基板13A的与承载有所述电路单元14A的一面相对的一面，其中所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A于所述电磁反射面12A所对应的空间与所述电磁反射面12A间隔地被设置，以藉由所述电磁反射面12A对电磁波的反射特性，和所述第一辐射源极111A与所述第二辐射源极112A在所述电磁反射面12A所对应的空间与所述电磁反射面12A相间隔的结构关系，形成所述微波多普勒探测模块10A的自所述电磁反射面12A向所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A方向的定向辐射特性，即对应形成所述微波多普勒探测模块10A自所述电磁反射面12A向所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A方向的探测方向，则所述微波多普勒探测模块10A适用于对应该探测方向的定向空间的物体活动的探测，并有利于避免所述微波多普勒探测模块10A产生自激，和避免所述第一辐射源极111A与所述第二辐射源极112A之间耦合所产生的电磁辐射对被承载于所述电路基板13A的所述电路单元14A的干扰，从而提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰性能。

特别地，基于所述介质基板18A和所述电路基板13A之间的位置关系的调整，所述微波多普勒探测模块10A具有不同的结构设计，有利于提高所述微波多普勒探测模块10A的适用性。

具体地，参考本实用新型的说明书附图之图17A和18B所示，基于所述介质基板18A和所述电路基板13A之间的位置关系的调整，依本实用新型的上述实施例的两变形实施例的所述微波多普勒探测模块10A被示意。

对应于图17A，在本实用新型的这个变形实施例中，所述介质基板18A垂直于所述电路基板13A，其中所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A的连线平行于所述电路基板13A。也就是说，基于上述实施例的所述介质基板18A与所述电路基板13A平行的位置关系，所述介质基板18A以所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A连线为轴旋转90度而对应形成所述介质基板18A垂直于所述电路基板13A，且所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A的连线平行于所述电路基板13A的位置关系。

对应于图17B，在本实用新型的这个变形实施例中，所述介质基板18A垂直于所述电路基板13A，其中所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A的连线垂直于所述电路基板13A。也就是说，基于图17A所对应的变形实施例中所述介质基板18A垂直于所述电路基板13A，且所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A的连线平行于所述电路基板13A的位置关系，所述介质基板18A绕所述第一馈电端1111A与所述第二馈电端1121A连线的中点于所述介质基板18A所处平面旋转90度而对应形成所述介质基板18A垂直于所述电路基板13A，且所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A的连线垂直于所述电路基板13A的位置关系。

值得一提的是，基于对所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A的形状的调整，如通过将所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A延伸至所述介质基板18A的另一面的方式，在维持所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A满足分别自所述第二馈电端1121A和所述第一馈电端1111A具有大于等于λ/16线长的要求的同时，所述介质基板18A的尺寸能够被减小以减小所述微波多普勒探测模块10A的尺寸。

具体地，参考本实用新型的说明书附图之图18A至图19B所示，基于所述第二辐射源极112A对应以所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A之间连线的中点与所述第一辐射源极111A点对称的结构关系，通过对所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A的形状的调整，依本实用新型的上述实施例的另外两变形实施例的所述微波多普勒探测模块10A被示意，其中对应于图18A和图18B，在本实用新型的这个实施例中，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A于所述介质基板18A的同一面分别自所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A延伸并进一步延伸至所述介质基板18A的另一面。

也就是说，对应于图18A和图18B，在本实用新型的这个变形实施例中，所述第一辐射源极111A的所述第一馈电端1111A和所述第二辐射源极112A的所述第二馈电端1121A被承载于所述介质基板18A的同一面，其中所述第一辐射源极111A以所述第一馈电端1111A为端沿所述第二馈电端1121A向所述第一馈电端1111A的连线方向延伸，并继续绕所述介质基板18A的侧边延伸至所述介质基板18A的另一面，其中所述第二辐射源极112A以所述第二馈电端1121A为端沿所述第一馈电端1111A向所述第二馈电端1121A的连线方向延伸，并继续绕所述介质基板18A的侧边延伸至所述介质基板18A的另一面。如此以在维持所述第一辐射源极111A的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ，和所述第二辐射源极112A的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ的同时，所述介质基板18A的尺寸能够被减小，即在保障所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A之间以对偶的方式耦合的同时，有利于通过减小所述微波多普勒探测模块10A的尺寸的方式提高所述微波多普勒探测模块10A的适用性。

对应于图19A和图19B，在本实用新型的这个变形实施例中，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A于所述介质基板18A的不同面分别自所述第一馈电端1111A和所述第二馈电端1121A延伸并进一步延伸至所述介质基板18A的另一面。

具体地，所述第一辐射源极111A的所述第一馈电端1111A和所述第二辐射源极112A的所述第二馈电端1121A被承载于所述介质基板18A的不同面，其中所述第一辐射源极111A于所述介质基板18A的承载有所述第一馈电端1111A的一面以所述第一馈电端1111A为端，自所述第一馈电端1111A绕所述介质基板18A的侧边延伸至所述介质基板18A的承载有所述第二馈电端1121A的一面。其中所述第二辐射源极112A于所述介质基板18A的承载有所述第二馈电端1121A的一面以所述第二馈电端1121A为端，自所述第二馈电端1121A绕所述介质基板18A的侧边延伸至所述介质基板18A的承载有所述第一馈电端1111A的一面。如此以在维持所述第一辐射源极111A的线长参数L1满足λ/16≤L1≤λ，和所述第二辐射源极112A的线长参数L2满足λ/16≤L2≤λ的同时，所述介质基板18A的尺寸能够被减小，即在保障所述第二辐射源极112A和所述第一辐射源极111A之间以对偶的方式耦合的同时，有利于通过减小所述微波多普勒探测模块10A的尺寸的方式提高所述微波多普勒探测模块10A的适用性。

为进一步揭露本实用新型，参考本实用新型的说明书附图之图20所示，依本实用新型的另一实施例的一微波多普勒探测模块10B的立体结构被示意，其中所述微波多普勒探测模块10B包括多对对偶耦合极子11B，其中各对所述对偶耦合极子11B包括一第二辐射源极112B和一第一辐射源极111B，其中所述第二辐射源极112B具有一第二馈电端1121B，所述第一辐射源极111B具有一第一馈电端1111B，其中所述第二馈电端1121B和所述第一馈电端1111B于λ/4距离内相互靠近，其中所述第二辐射源极112B以所述第二馈电端1121B为端地自所述第二馈电端1121B延伸，其中所述第一辐射源极111B以所述第一馈电端1111B为端地自所述第一馈电端1111B延伸，其中所述第一辐射源极111B被设置适于在所述第一馈电端1111B被馈电，所述第二辐射源极112B被设置适于在所述第二馈电端1121B被馈电，如此以当所述第一辐射源极111B于所述第一馈电端1111B被馈电和所述第二辐射源极112B于所述第二馈电端1121B被同源馈电时，所述第一辐射源极111B自所述第一馈电端1111B沿所述第一辐射源极111B对应耦合于所述第二辐射源极112B的自所述第二馈电端1121B沿所述第二辐射源极112B的相应位置，从而形成所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B之间对偶的耦合方式。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述微波多普勒探测模块10B包括两对所述对偶耦合极子11B，其中两对所述对偶耦合极子11B的两所述第一辐射源极111B的两所述第一馈电端1111B电性相连，其中两对所述对偶耦合极子11B的两所述第二辐射源极112B的两所述第二馈电端1121B电性相连，其中两所述第二馈电端1121B的连线与两所述第一馈电端1111B的连线交叉，且其中一对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B之间的连线与另一对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B之间的连线平行，如此以在保障各对所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B之间以对偶的方式耦合的同时，还能够加强其中一对所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B与另一对所述对偶耦合极子11B的所述第二辐射源极112臂的对偶耦合，从而有利于提高所述微波多普勒探测模块10B的工作效率，对应增强所述微波多普勒探测模块10B的增益。

同样地，在本实用新型的这个实施例中，所述微波多普勒探测模块10B进一步包括一介质基板18B，其中各对所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B以微带线形式被承载于所述介质基板18B的同一面，如此则相应所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B的形状尺寸基于微带线工艺易于被实现。

进一步地，以微带线形式被设置的所述第二辐射源极112B和所述第一辐射源极111B被设置满足：所述第一辐射源极111B的界定于所述第一馈电端1111B和与所述第一馈电端1111B相对的一端之间的线长参数L1处于λ/16≤L1≤λ的范围；所述第二辐射源极112B的界定于所述第二馈电端1121B和与所述第二馈电端1121B相对的一端之间的线长参数L2处于λ/16≤L2≤λ的范围。

所述微波多普勒探测模块10B还包括一电路基板13B和承载于所述电路基板13B的一电路单元14B，其中所述电路单元14B包括一振荡电路单元141B和一混频检波单元142B，其中所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B分别于所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B被电性耦合于所述振荡电路单元141B的不同极，具体地，所述第一辐射源极111B于所述第一馈电端1111B被馈电连接于所述振荡电路单元141B的馈极，所述第二辐射源极112B于所述第二馈电端1121B被电性连接于所述振荡电路单元141B的地极，其中所述混频检波单元142B被电性耦合于所述振荡电路单元141B和所述对偶耦合极子11B，其中所述振荡电路单元141B允许被供电而于其馈极而输出一馈电信号和于其地极被接地，即所述振荡电路单元141B允许被供电而作为一激励信号馈源，如此以当所述振荡电路单元141B被供电时，所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B分别于所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B被所述振荡电路单元141B同源馈电而发射一探测波束，和接收所述探测波束的一回波，其中所述回波被接收而对应产生一回波信号，所述混频检波单元142B输出对应于所述馈电信号和所述回波信号之间频率差异的一中频信号，则基于多普勒效应原理，所述中频信号对应于反射所述探测波束而形成所述回波的相应物体的运动，因而所述微波多普勒探测模块10B适用于探测物体运动。

优选地，各对所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B以所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B连线的中点被点对称设置，即各对所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B具有相同的形状和尺寸，且所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B的位置关系满足所述第一辐射源极111B能够绕所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B连线的中点于至少一个方向旋转180度而与所述第二辐射源极112B所在位置重合。如此以有利于保障所述第二辐射源极112B和所述第一辐射源极111B之间以对偶的方式耦合。

具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述介质基板18B以平行于所述电路基板13B的方式与所述电路基板13B相间隔地被设置。

同样地，所述微波多普勒探测模块10B进一步具有承载于所述电路基板13B的一电磁反射面12B，其中所述电磁反射面12B阻隔于所述电路单元14B和所述对偶耦合极子11B之间，具体地，在本实用新型的这个实施例中，所述电磁反射面12B承载于所述电路基板13B的与承载有所述电路单元14B的一面相对的一面，其中所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B于所述电磁反射面12B所对应的空间与所述电磁反射面12B间隔地被设置，以藉由所述电磁反射面12B对电磁波的反射特性，和所述第一辐射源极111B与所述第二辐射源极112B在所述电磁反射面12B所对应的空间与所述电磁反射面12B相间隔的结构关系，形成所述微波多普勒探测模块10B的自所述电磁反射面12B向所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B方向的定向辐射特性，即对应形成所述微波多普勒探测模块10B自所述电磁反射面12B向所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B方向的探测方向，则所述微波多普勒探测模块10B适用于对应该探测方向的定向空间的物体活动的探测，并有利于避免所述微波多普勒探测模块10B产生自激，和避免所述第一辐射源极111A与所述第二辐射源极112A之间耦合所产生的电磁辐射对被承载于所述电路基板13A的所述电路单元14A的干扰，从而提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰性能。

特别地，基于所述介质基板18B和所述电路基板13B之间的位置关系的调整，所述微波多普勒探测模块10B具有不同的结构设计，有利于提高所述微波多普勒探测模块10B的适用性。

具体地，参考本实用新型的说明书附图之图21A和21B所示，基于所述介质基板18B和所述电路基板13B之间的位置关系的调整，依本实用新型的上述实施例的两变形实施例的所述微波多普勒探测模块10B被示意。

对应于图21A，在本实用新型的这个变形实施例中，所述介质基板18B垂直于所述电路基板13B，其中各对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B的连线平行于所述电路基板13B。也就是说，基于上述实施例的所述介质基板18B与所述电路基板13B平行的位置关系，所述介质基板18B以其中一对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B连线为轴旋转90度而对应形成所述介质基板18B垂直于所述电路基板13B，且各对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B的连线平行于所述电路基板13B的位置关系。

对应于图21B，在本实用新型的这个变形实施例中，所述介质基板18B垂直于所述电路基板13B，其中各对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B的连线垂直于所述电路基板13B。也就是说，基于图21A所对应的变形实施例中所述介质基板18B垂直于所述电路基板13B，且各对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B的连线平行于所述电路基板13B的位置关系，所述介质基板18B绕其中一对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B与所述第二馈电端1121B连线的中点于所述介质基板18B所处平面旋转90度而对应形成所述介质基板18B垂直于所述电路基板13B，且各对所述对偶耦合极子11B的所述第一馈电端1111B和所述第二馈电端1121B的连线垂直于所述电路基板13B的位置关系。

可以理解的是，在本实用新型的一些实施例中，所述介质基板18B的两面允许分别被设置至少一对所述对偶耦合极子11B，同样能够保障各对所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B和所述第二辐射源极112B之间以对偶的方式耦合的同时，和加强承载于所述介质基板18B的一面的所述对偶耦合极子11B的所述第一辐射源极111B与承载于所述介质基板18B的另一面的所述对偶耦合极子11B的所述第二辐射源极112臂的对偶耦合，本实用新型对此不做限制。

值得一提的是，以上实施例仅为举例，基于对偶的耦合方式，所述微波多普勒探测模块包括至少一对所述对偶耦合极子，其中各对所述对偶耦合极子的所述第二辐射源极以所述第二馈电端为端地自所述第二馈电端延伸，各对所述对偶耦合极子的所述第一辐射源极以所述第一馈电端为端地自所述第一馈电端延伸，其中各对所述对偶耦合极子的所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的形状尺寸多样，并优选地满足各对所述对偶耦合极子的所述第一辐射源极和所述第二辐射源极以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点被点对称设置。

特别地，基于上述实施例的所述第二辐射源极被接地的状态，在本实用新型的一些实施例中，所述第一辐射源极进一步被接地，以降低所述微波多普勒探测模块的阻抗，则所述微波多普勒探测模块的品质因数(即Q值)被提高，有利于提高所述微波多普勒探测模块的抗干扰能力。

具体地，在本实用新型的一些实施例中，一对所述对偶耦合极子的所述第一辐射源极的与所述第一馈电端相对的一端一体延伸至所述第二辐射源极的与所述第二馈电端相对的一端，以在维持所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之间的对称结构的同时，通过将所述第一辐射源极电性连接于所述第二辐射源极的方式，以基于上述实施例的所述第二辐射源极被接地的状态形成所述第一辐射源极被接地的结构，有利于简化所述微波多普勒探测模块的线路连接结构。

值得一提的是，基于对以上实施例的所述微波多普勒探测模块的揭露可以理解：即便在所述第二辐射源极被接地的馈电状态，一对所述对偶耦合极子的所述第二辐射源极对应于所述第一辐射源极具有灵活多变的形状尺寸而不限于具有限制面积的板状结构，即被接地的所述第二辐射源极脱离了具有最低限制面积以作为参考地面的限制，则通过将所述第二辐射源极和所述第一辐射源极延伸出相应金属板材的方式，所述微波多普勒探测模块同样适用于前述柱状辐射源结构的微波探测模块的应用场景，并相对于柱状辐射源结构的微波探测模块，相应的所述金属板材不会对所述第一辐射源极和所述第二辐射源极之间的耦合造成影响，所述微波多普勒探测模块于相应应用场景具有更好的稳定性。

示例地，参考本实用新型的说明书附图之图22和图23，基于所述微波多普勒探测模块于前述柱状辐射源结构的微波探测模块的应用场景的应用，本实用新型进一步提供一微波多普勒探测设备。

具体地，对应于图22，依本实用新型的说明书附图之图6所对应的所述微波多普勒探测模块10于前述柱状辐射源结构的微波探测模块的应用场景的应用被示例，其中所述微波多普勒探测设备包括所述微波多普勒探测模块10和一电磁屏蔽层20，其中所述电磁屏蔽层20具有一通孔22，其中所述电路基板13被设置于所述电磁屏蔽层20的一面所对应的一屏蔽空间，其中所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112被设置于所述电磁屏蔽层20的另一面所对应的空间，其中所述第一馈电线15和所述第二馈电线16经所述通孔22穿透所述电磁屏蔽层20地形成所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112与所述电路单元14之间的电路连接结构，如此以藉由所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112于所述屏蔽空间之外的空间的设置，实现对该屏蔽空间之外的空间的活动探测，其中基于相应所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的形状设计，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112在垂直于所述电磁屏蔽层20的方向于所述电磁屏蔽层20的投影面积能够被减小，有利于减小所述通孔22的尺寸而有利于维持所述电磁屏蔽层20的完整性和提高所述微波多普勒探测模块10于所述微波多普勒探测设备的安装的隐蔽性。

可以理解的是，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间以对偶的方式耦合，则在所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112位于所述电磁屏蔽层20的同一面所对应的空间时，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112之间的耦合能够避免受到所述电磁屏蔽层20的阻碍，因而有利于维持被安装于所述微波多普勒探测设备的所述微波多普勒探测模块10探测稳定性。

特别地，在本实用新型的这个实施例中，所述电磁屏蔽层20被设置为LED灯板而于对应所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的一面被设置有多个LED灯珠21，其中基于相应所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112的形状设计，所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112在垂直于所述电磁屏蔽层20的方向于所述电磁屏蔽层20的投影面积能够被减小，则相应所述通孔22的尺寸能够被减小并允许所述第一辐射源极111和所述第二辐射源极112穿过地将所述微波多普勒探测模块10安装于所述微波多普勒探测装置，有利于维持所述LED灯板的完整性和避免于所述LED灯板形成暗区。

对应于图23，依本实用新型的说明书附图之图15所对应的所述微波多普勒探测模块10A于前述柱状辐射源结构的微波探测模块的应用场景的应用被示例，其中所述微波多普勒探测设备包括所述微波多普勒探测模块10A和一电磁屏蔽层20A，其中所述电磁屏蔽层20A具有一通孔22A，其中所述电路基板13A被设置于所述电磁屏蔽层20A的一面所对应的一屏蔽空间，其中所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A被设置于所述电磁屏蔽层20A的另一面所对应的空间，其中所述第一馈电线15A和所述第二馈电线16A经所述通孔22A穿透所述电磁屏蔽层20A地形成所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A与所述电路单元14A之间的电路连接结构，如此以藉由所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A于所述屏蔽空间之外的空间的设置，实现对该屏蔽空间之外的空间的活动探测，其中基于相应所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A的形状设计，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A在垂直于所述电磁屏蔽层20A的方向于所述电磁屏蔽层20A的投影面积能够被减小，有利于减小所述通孔22A的尺寸而有利于维持所述电磁屏蔽层20A的完整性和提高所述微波多普勒探测模块10A于所述微波多普勒探测设备的安装的隐蔽性。

可以理解的是，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A之间以对偶的方式耦合，则在所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A位于所述电磁屏蔽层20A的同一面所对应的空间时，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A之间的耦合能够避免受到所述电磁屏蔽层20A的阻碍，因而有利于维持被安装于所述微波多普勒探测设备的所述微波多普勒探测模块10A探测稳定性。

值得一提的是，当所述第二馈电线16A和所述第一馈电线15A被设置为以所述第二馈电线16A包围所述第一馈电线15A的一屏蔽线，和所述屏蔽线被可插接地设置以形成所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A与所述电路单元14A之间的可插接的电路连接结构时，如将所述屏蔽线设置为能够与所述介质基板18A或所述电路基板13A可插接的结构而形成所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A与所述电路单元14A之间的可插接的电路连接结构时，所述电磁屏蔽层20的所述通孔22A的尺寸允许被设置为具有对应于所述屏蔽线的线径而有利于减小所述通孔22A的尺寸，从而有利于进一步维持所述电磁屏蔽层20A的完整性和提高所述微波多普勒探测模块10A于所述微波多普勒探测设备的安装的隐蔽性。

特别地，在本实用新型的这个实施例中，所述电磁屏蔽层20A被设置为LED灯板而于对应所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A的一面被设置有多个LED灯珠21A，其中基于相应所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A的形状设计，所述第一辐射源极111A和所述第二辐射源极112A在垂直于所述电磁屏蔽层20A的方向于所述电磁屏蔽层20A的投影面积能够被减小，因而有利于避免于所述LED灯板形成暗区。

可以理解的是，基于所述电磁屏蔽层20A对电磁波的反射特性，所述电磁反射面12A能够等效形成于所述电磁屏蔽层20A，即相应形成于所述电路基板13A的所述电磁反射面12A可不被设置，也就是说，本实用新型的这个实施例中，形成于所述电路基板13A的所述电磁反射面12A并不构成对本实用新型的所述微波多普勒探测装置的限制。

值得一提的是，以上实施例仅为举例，基于对偶的耦合方式，所述微波多普勒探测模块包括至少一对所述对偶耦合极子，其中各对所述对偶耦合极子的所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的形状尺寸多样，并能够于所述电磁屏蔽层的一面所对应的所述屏蔽空间，通过所述通孔将所述第一辐射源极和所述第二辐射源极延伸至所述电磁屏蔽层的另一面所对应的所述屏蔽空间之外的空间的方式，完成所述微波多普勒探测模块于相应所述微波多普勒探测设备的安装，突破所述屏蔽空间地实现了对该屏蔽空间之外的活动探测，并能够维持所述电磁屏蔽层的完整性，一方面有利于所述微波多普勒探测模块于所述微波多普勒探测设备的隐蔽性安装，另一方面能够实现对所述屏蔽空间之外的空间的稳定且无死角地探测。可以理解的是，所述微波多普勒探测设备的所述电磁屏蔽层并不限制被实施为LED灯板，对所述电磁屏蔽层的理解应当为具有电磁屏蔽作用的功能层，包括但不限于金属(网)层，参杂有金属的复合层，金属氧化物层等。因此，所述电磁屏蔽层还能够被实施为具有电磁屏蔽作用的设备壳体，如灯具壳体，空调壳体，电梯厢体等。

本领域的技术人员可以理解的是，以上实施例仅为举例，其中不同实施例的特征可以相互组合，以得到根据本实用新型揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型。本实用新型的目的已经完整并有效地实现。本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (10)

1.一微波多普勒探测设备，其特征在于，包括：

一电路单元，其中所述电路单元包括一振荡电路单元和一混频检波单元，其中所述振荡电路单元被设置允许被供电而于其馈极输出一馈电信号和于其地极被接地以作为一激励信号馈源；

一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层被设置有一通孔，其中所述电路单元被设置于所述电磁屏蔽层的一面所对应的空间；

至少一对对偶耦合极子，其中所述对偶耦合极子被设置于所述电磁屏蔽层的另一面所对应的空间，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述混频检波单元被电性耦合于所述振荡电路单元和所述对偶耦合极子，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端被经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层的一第一馈电线电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端被经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层的一第二馈电线电性连接于所述振荡电路单元的地极，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近，其中λ为与所述馈电信号的频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长，如此以当所述振荡电路单元被供电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置；以及

一电磁反射面，其中所述电磁反射面被阻隔于所述对偶耦合极子和所述电路单元之间，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点与所述电磁反射面之间的距离满足大于等于λ/32。

2.根据权利要求1所述的微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测设备进一步包括一电路基板，其中所述电磁反射面和所述电路单元于所述电路基板的两相对面被承载于所述电路基板。

3.根据权利要求2所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被设置以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点对称。

4.根据权利要求3所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线延伸的柱状导电线。

5.根据权利要求3所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线。

6.根据权利要求5所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被一次弯折，相应被弯折的所述第一辐射源极为自所述第一馈电端顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线，相应被弯折的所述第二辐射源极为自所述第二馈电端顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线。

7.根据权利要求5所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状直导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状直导电线。

8.根据权利要求5所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状弧形导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸而形成的柱状弧形导电线。

9.根据权利要求3所述的微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测设备进一步包括一介质基板，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极以微带线形式被承载于所述介质基板。

10.根据权利要求1至9中任一所述的微波多普勒探测设备，其中所述电磁屏蔽层被设置为LED灯板。

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