CN211404996U - 基于双晶结构的紫外激光器 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 128
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 22
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种基于双晶结构的紫外激光器，包括：第一准直透镜组、第二准直透镜组，用于对第一泵浦光束、第二泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；第一激光晶体、第二激光晶体，用于接收第一泵浦光束、第二泵浦光束并输出第一基频光、第二基频光；声光调Q开关，用于接收第一基频光、第二基频光，并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；倍频晶体，用于接收第一脉冲基频光、第二脉冲基频光并输出倍频光；和频晶体，用于接收第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光并输出和频光。本实用新型公开的紫外激光器通过设置相对长的光学腔体，并调节使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的束腰位置处于倍频晶体输入端面附近，以进一步提高倍频效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光领域，尤其是涉及一种基于双晶结构的紫外激光器。
背景技术
激光作为新型光源，具有方向性好、亮度高、单色性好及高能量密度等特点。以激光器为基础的激光产业在全球发展发展迅猛，现在已广泛应用于工业生产、通讯、信息处理、医疗卫生、军事、文化教育以及科研等方面。全固态紫外激光器的发展和应用是当前最引人关注的亮点之一。
随着工业界对于高功率全固态紫外激光需求的增加，同时也由于新型非线性材料的不断出现和材料性能的不断提高，高功率全固态紫外激光的输出功率上限一直提高，但是高功率全固态紫外激光的发展还存在一些问题需要解决。目前高功率紫外激光技术工业和产品化所面临的主要问题是高功率泵浦下的热效应管理问题。由于热透镜效应导致晶体各空间位置的折射率发生了变化，沿谐振腔轴线往复传播的振荡光束穿过晶体时因折射而偏离原先的传播方向。晶体相当于一个透镜，使振荡光产生了附加的相位延迟，影响了振荡光模式的自再现，最终导致输出功率的不稳定性和多种模式之间的耦合，限制了激光功率的提高，严重影响了固体激光器的性能。
增大泵浦光功率不可避免的会带来严重的热透镜效应，而高功率激光器件设计中会尽可能获得大的模体积，使得能从激活物质中高效率地提取能量。大的模体积就意味着有较大的腔内传输光束半径和较长的光学腔长。而光束半径过大会掣肘倍频效率的提高。因此，大模体积的高功率泵浦和高效率倍频形成了一个相互矛盾制约的关系，这也是紫外激光器向更高功率发展的一个很大的阻力。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种基于双晶结构的紫外激光器，能够具有相对长的光学腔体，并通过调节可使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的束腰位置处于倍频晶体输入端面附近，以进一步提高倍频效率。
第一方面，本实用新型的一个实施例提供了一种基于双晶结构的紫外激光器，包括：第一泵浦源、第二泵浦源，所述第一泵浦源与所述第二泵浦源对称设置，第一泵浦源用产生第一泵浦光束，第二泵浦源用产生第二泵浦光束；
第一准直透镜组，设置于所述第一泵浦源与所述第二泵浦源之间，用对所述第一泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第二准直透镜组，设置于所述第一准直透镜组与所述第二泵浦源之间，用对所述第二泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第一激光晶体，用于接收所述第一泵浦光束并输出第一基频光；
第二激光晶体，用于接收所述第二泵浦光束并输出第二基频光；
声光调Q开关，用于接收所述第一基频光、所述第二基频光，并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；
倍频晶体，用于接收所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光并输出倍频光；
和频晶体，用于接收所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光、所述倍频光并输出和频光。
本实用新型实施例的基于双晶结构的紫外激光器至少具有如下有益效果：设置相对长的光学腔体，并通过调节可使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的束腰位置处于倍频晶体输入端面附近，以进一步提高倍频效率。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，所述第一准直透镜组包括第一平凸透镜、第二平凸透镜；
所述第一平凸透镜的凸面与所述第二平凸透镜的凸面对称设置；
所述第二准直透镜组包括第三平凸透镜、第四平凸透镜；
所述第三平凸透镜的凸面与所述第四平凸透镜的凸面对称设置。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，所述第一激光晶体与所述第二激光晶体轴对称设置，间隔为5-20mm。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，还包括半导体制冷器，用于控制所述倍频晶体和所述和频晶体的工作温度。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，所述和频晶体输出端设有布鲁斯特端面；
所述布鲁斯特端面用于使所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光、所述倍频光和所述和频光进行折射分离。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，还包括：第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜；
所述第一反射镜和所述第二反射镜用于反射所述第一基频光、所述第二基频光，以使所述第一基频光、所述第二基频光传输至所述声光调Q开关并输出所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光；
所述第三反射镜用于反射所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，还包括：第四反射镜、第五反射镜、第六反射镜；
所述第四反射镜、所述第五反射镜用于所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光反射至所述倍频晶体；
所述第六反射镜用于使所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光透射所述倍频晶体发生反射并再次透射所述倍频晶体以生成所述倍频光。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，.所述和频晶体接收所述倍频光、所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光并进行II类相位匹配以输出所述和频光。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，所述第一反射镜、所述第二反射镜、所述三反射镜、所述第四反射镜、所述第五反射镜和所述第六反射镜的表面均设有高反膜和高透膜；
所述高反膜用于反射1064nm和/或532nm的光；
所述高透膜用于透射808nm和/或880nm的光。
根据本实用新型的另一些实施例的基于双晶结构的紫外激光器，所述第一激光晶体和所述第二激光晶体包括：Nd:YVO4，Nd:YAG，Nd:YLF或Nd:GdVO4；
所述第一激光晶体和所述第二激光晶体的的掺杂浓度为0.1％-0.3％。
附图说明
图1是本实用新型实施例中基于双晶结构的紫外激光器的结构示意图；
图2是本实用新型实施例中基于双晶结构的紫外激光器的腔体示意图；
图3是本实用新型实施例中基于双晶结构的紫外激光器的光路结构示意图。
附图标记说明：
附图标记：1、第一泵浦源；2、第二泵浦源；3、第一平凸透镜；4、第二平凸透镜；5、第三平凸透镜；6、第四平凸透镜；7、第一反射镜；8、第二反射镜；9、第四反射镜；10、第五反射镜；11、第六反射镜；12、第三反射镜；13、第一激光晶体；14、第二激光晶体；15、和频晶体；16、倍频晶体；17、声光调Q开关；18、第一腔镜；19、第二腔镜；21、倍频光；22、和频光；30、第一准直透镜组；40、第二准直透镜组；20、第一高反透镜；50、限束装置。
具体实施方式
以下将结合实施例对本实用新型的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，如果涉及到方位描述，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。如果某一特征被称为“设置”、“固定”、“连接”、“安装”在另一个特征，它可以直接设置、固定、连接在另一个特征上，也可以间接地设置、固定、连接、安装在另一个特征上。
在本实用新型实施例的描述中，如果涉及到“若干”，其含义是一个以上，如果涉及到“多个”，其含义是两个以上，如果涉及到“大于”、“小于”、“超过”，均应理解为不包括本数，如果涉及到“以上”、“以下”、“以内”，均应理解为包括本数。如果涉及到“第一”、“第二”，应当理解为用于区分技术特征，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
模体积：谐振腔内高斯光束所占体积。
实施例一
参照图1，示出了本实用新型实施例中基于双晶结构的紫外激光器的结构示意图。基于双晶结构的紫外激光器包括：
第一泵浦源1、第二泵浦源2，第一泵浦源1与第二泵浦源2对称设置，第一泵浦源1用产生第一泵浦光束，第二泵浦源2用产生第二泵浦光束；
第一准直透镜组，设置于第一泵浦源1与第二泵浦源2之间，用对第一泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第二准直透镜组，设置于第一准直透镜组与第二泵浦源2之间，用对第二泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第一激光晶体13，用于接收第一泵浦光束并输出第一基频光；
第二激光晶体14，用于接收第二泵浦光束并输出第二基频光；
声光调Q开关17，用于接收第一基频光、第二基频光，并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；
倍频晶体16，用于接收第一脉冲基频光、第二脉冲基频光并输出倍频光21；
和频晶体15，用于接收第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光21并输出和频光22。
第一泵浦光束、第二泵浦光束的波长相同，两者波长为为808nm或者88xnm。
第一泵浦光束经由第一准直透镜组进行准直处理和/或聚焦处理，并聚焦于第一激光晶体13表面。第一激光晶体13接收第一泵浦光束并输出第一基频光，第一基频光波长为1064nm。
第一泵浦光束的焦点位于第一激光晶体13入射端面的距离值为1-3mm；第二泵浦光束的焦点位于第二激光晶体14入射端面的距离值为1-3mm。
第二泵浦光束经由第二准直透镜组进行准直处理和/或聚焦处理，并聚焦于第二激光晶体14表面。第二激光晶体14接收第二泵浦光束并输出第二基频光，第二基频光波长为1064nm。
第一准直透镜组包括第一平凸透镜3、第二平凸透镜4；第一平凸透镜3的凸面与第二平凸透镜4的凸面对称设置；第二准直透镜组包括第三平凸透镜5、第四平凸透镜6；第三平凸透镜5的凸面与第四平凸透镜6的凸面对称设置。第一激光晶体13与第二激光晶体14轴对称设置，间隔为5-20mm。第一准直透镜组与第二准直透镜组的放大倍数为1.2.。
上述紫外激光器还包括半导体制冷器，用于控制倍频晶体16和和频晶体15的工作温度。
和频晶体15输出端设有布鲁斯特端面；布鲁斯特端面用于使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光21和和频光22进行折射分离。
实施例二
请参照图1，由于热透镜效应的存在，晶体各空间位置的折射率发生了变化，沿谐振腔轴线往复传播的振荡光束穿过晶体时因折射而偏离原先的传播方向。如图1所示，第一反射镜7、第二反射镜8、第三反射镜12、第四反射镜9、第五反射镜10、第六反射镜11构成一谐振腔体。
紫外激光器还包括：第一反射镜7、第二反射镜8、第三反射镜12；第一反射镜7和第二反射镜8用于反射第一基频光、第二基频光，以使第一基频光、第二基频光传输至声光调Q开关17并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；第三反射镜12用于反射第一脉冲基频光、第二脉冲基频光。
声光调Q开关17表面设有增透膜，以提高声光调Q开关17对第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的透射率。
紫外激光器还包括：第四反射镜9、第五反射镜10、第六反射镜11；第四反射镜9、第五反射镜10用于第一脉冲基频光、第二脉冲基频光反射至倍频晶体16；第六反射镜11用于使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光透射倍频晶体16发生反射并再次透射倍频晶体16以生成倍频光21。
倍频晶体16位于第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的束腰位置。
第一脉冲基频光、第二脉冲基频光在倍频晶体16中发生两次透射，并进行I类相位匹配，并部分转换为倍频光21，倍频光21的波长为532nm，脉冲宽度为12-80ns。
倍频光21与第一脉冲基频光、第二脉冲基频光一同输入到和频晶体15中，并进行II类相位匹配，并部分转换为和频光22，和频光22的波长为355nm。
和频晶体15输出端设有布鲁斯特端面；布鲁斯特端面用于使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光21和和频光22进行折射分离。
倍频光21和和频光22输出谐振腔体外，第一脉冲基频光、第二脉冲基频光则在谐振腔体中进行谐振。
第一反射镜7、第二反射镜8、第三反射镜12、第四反射镜9、第五反射镜10和第六反射镜11的表面均设有高反膜和高透膜；
高反膜用于反射1064nm和/或532nm的光；高透膜用于透射808nm和/或880nm的光。
第一激光晶体13和第二激光晶体14包括：Nd:YVO4，Nd:YAG，Nd:YLF或Nd:GdVO4；
第一激光晶体13和第二激光晶体14的的掺杂浓度为0.1％-0.3％。
请参照图2，示出了本实用新型实施例中基于双晶结构的紫外激光器的腔体示意图。腔体包括：第一腔镜18、第二腔镜19，第一腔镜18与第二腔镜19相对设置以构成谐振腔体。谐振腔体中设有第一激光晶体13、第二激光晶体14，第一激光晶体13、第二激光晶体14对称间距设置，且第二激光晶体14远离第一激光晶体13一侧设有倍频晶体16。
谐振腔内增益介质的模体积等于双晶体被基模高斯光束所利用的模体积之和。第一激光晶体13、第二激光晶体14对称间距放置以充分利用激光晶体的模体积，因而能获得更大的输出功率。且在相对长的光学腔体下，通过调节可使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的束腰位置处于倍频晶体16输入端面附近，以进一步提高倍频效率。
对称间距放置时的模体积V1是递增的，且变化趋势较缓；等间距放置时的模体积V2是递减的，其变化趋势较陡。此时有V1<V2,即等间距放置时的模体积大。
由于，在双棒谐振腔中，第一激光晶体13、第二激光晶体14对称间距放置时，的模体积V1是递增，趋势较缓。
实施例三
请参照图3，示出了本实用新型实施例中基于双晶结构的紫外激光器的光路结构示意图。请一并参照图1。
基于双晶结构的紫外激光器包括：
第一泵浦源1、第二泵浦源2，第一泵浦源1与第二泵浦源2对称设置，第一泵浦源1用产生第一泵浦光束，第二泵浦源2用产生第二泵浦光束；
第一准直透镜组30，设置于第一泵浦源1与第二泵浦源2之间，用对第一泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第二准直透镜组40，设置于第一准直透镜组30与第二泵浦源2之间，用对第二泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第一激光晶体13，用于接收第一泵浦光束并输出第一基频光；
第二激光晶体14，用于接收第二泵浦光束并输出第二基频光；
声光调Q开关17，用于接收第一基频光、第二基频光，并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；
倍频晶体16，用于接收第一脉冲基频光、第二脉冲基频光并输出倍频光21；
和频晶体15，用于接收第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光21并输出和频光22。
第一泵浦光束、第二泵浦光束的波长相同，两者波长为为808nm或者88xnm。
第一泵浦光束经由第一准直透镜组30进行准直处理和/或聚焦处理，并聚焦于第一激光晶体13表面。第一激光晶体13接收第一泵浦光束并输出第一基频光，第一基频光波长为1064nm。
第一泵浦光束的焦点位于第一激光晶体13入射端面的距离值为1-3mm；第二泵浦光束的焦点位于第二激光晶体14入射端面的距离值为1-3mm。
第二泵浦光束经由第二准直透镜组40进行准直处理和/或聚焦处理，并聚焦于第二激光晶体14表面。第二激光晶体14接收第二泵浦光束并输出第二基频光，第二基频光波长为1064nm。
第一准直透镜组30包括第一平凸透镜3、第二平凸透镜4；第一平凸透镜3的凸面与第二平凸透镜4的凸面对称设置；第二准直透镜组40包括第三平凸透镜5、第四平凸透镜6；第三平凸透镜5的凸面与第四平凸透镜6的凸面对称设置。第一激光晶体13与第二激光晶体14轴对称设置，间隔为5-20mm。第一准直透镜组与第二准直透镜组的放大倍数为1.2.。
上述紫外激光器还包括半导体制冷器，用于控制倍频晶体16和和频晶体15的工作温度。
和频晶体15输出端设有布鲁斯特端面；布鲁斯特端面用于使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光21和和频光22进行折射分离。
基于双晶结构的紫外激光器还包括：第一高反透镜20、限束装置50。第一高反透镜20用于反射第一泵浦源所产生第一泵浦光束。限束装置50用于阻挡第多余未被发生和频效应的倍频光。限束装置50上设有挡光孔，通过挡光孔阻挡倍频光传播路径，以阻挡多余的倍频光，从而获取高纯度的和频光输出。
请参照图3，由于热透镜效应的存在，晶体各空间位置的折射率发生了变化，沿谐振腔轴线往复传播的振荡光束穿过晶体时因折射而偏离原先的传播方向。如图1所示，第一反射镜7、第二反射镜8、第三反射镜12、第四反射镜9、第五反射镜10、第六反射镜11构成一谐振腔体。
紫外激光器还包括：第一反射镜7、第二反射镜8、第三反射镜12；第一反射镜7和第二反射镜8用于反射第一基频光、第二基频光，以使第一基频光、第二基频光传输至声光调Q开关17并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；第三反射镜12用于反射第一脉冲基频光、第二脉冲基频光。
声光调Q开关17表面设有增透膜，以提高声光调Q开关17对第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的透射率。
紫外激光器还包括：第四反射镜9、第五反射镜10、第六反射镜11；第四反射镜9、第五反射镜10用于第一脉冲基频光、第二脉冲基频光反射至倍频晶体16；第六反射镜11用于使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光透射倍频晶体16发生反射并再次透射倍频晶体16以生成倍频光21。
倍频晶体16位于第一脉冲基频光、第二脉冲基频光的束腰位置。
第一脉冲基频光、第二脉冲基频光在倍频晶体16中发生两次透射，并进行I类相位匹配，并部分转换为倍频光21，倍频光21的波长为532nm，脉冲宽度为12-80ns。
倍频光21与第一脉冲基频光、第二脉冲基频光一同输入到和频晶体15中，并进行II类相位匹配，并部分转换为和频光22，和频光22的波长为355nm。
和频晶体15输出端设有布鲁斯特端面；布鲁斯特端面用于使第一脉冲基频光、第二脉冲基频光、倍频光21和和频光22进行折射分离。
倍频光21和和频光22输出谐振腔体外，第一脉冲基频光、第二脉冲基频光则在谐振腔体中进行谐振。
第一反射镜7、第二反射镜8、第三反射镜12、第四反射镜9、第五反射镜10和第六反射镜11的表面均设有高反膜和高透膜；
高反膜用于反射1064nm和/或532nm的光；高透膜用于透射808nm和/或880nm的光。
第一激光晶体13和第二激光晶体14包括：Nd:YVO4，Nd:YAG，Nd:YLF或Nd:GdVO4；
第一激光晶体13和第二激光晶体14的的掺杂浓度为0.1％-0.3％。
上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本实用新型的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
Claims (10)
1.一种基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，包括：
第一泵浦源、第二泵浦源，所述第一泵浦源与所述第二泵浦源对称设置，第一泵浦源用于产生第一泵浦光束，第二泵浦源用于产生第二泵浦光束；
第一准直透镜组，设置于所述第一泵浦源与所述第二泵浦源之间，用对所述第一泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第二准直透镜组，设置于所述第一准直透镜组与所述第二泵浦源之间，用对所述第二泵浦光束进行准直处理和/或聚焦处理；
第一激光晶体，用于接收所述第一泵浦光束并输出第一基频光；
第二激光晶体，用于接收所述第二泵浦光束并输出第二基频光；
声光调Q开关，用于接收所述第一基频光、所述第二基频光，并输出第一脉冲基频光、第二脉冲基频光；
倍频晶体，用于接收所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光并输出倍频光；
和频晶体，用于接收所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光、所述倍频光并输出和频光。
2.根据权利要求1所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，所述第一准直透镜组包括第一平凸透镜、第二平凸透镜；
所述第一平凸透镜的凸面与所述第二平凸透镜的凸面对称设置；
所述第二准直透镜组包括第三平凸透镜、第四平凸透镜；
所述第三平凸透镜的凸面与所述第四平凸透镜的凸面对称设置。
3.根据权利要求1所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，所述第一激光晶体与所述第二激光晶体轴对称设置，间隔为5-20mm。
4.根据权利要求1所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，还包括半导体制冷器，用于控制所述倍频晶体和所述和频晶体的工作温度。
5.根据权利要求1所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，所述和频晶体输出端设有布鲁斯特端面；
所述布鲁斯特端面用于使所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光、所述倍频光和所述和频光进行折射分离。
6.根据权利要求1所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，还包括：第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜；
所述第一反射镜和所述第二反射镜用于反射所述第一基频光、所述第二基频光，以使所述第一基频光、所述第二基频光传输至所述声光调Q开关并输出所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光；
所述第三反射镜用于反射所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光。
7.根据权利要求6所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，还包括：第四反射镜、第五反射镜、第六反射镜；
所述第四反射镜、所述第五反射镜用于所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光反射至所述倍频晶体；
所述第六反射镜用于使所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光透射所述倍频晶体发生反射并再次透射所述倍频晶体以生成所述倍频光。
8.根据权利要求7所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，所述和频晶体接收所述倍频光、所述第一脉冲基频光、所述第二脉冲基频光并进行II类相位匹配以输出所述和频光。
9.根据权利要求7所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，所述第一反射镜、所述第二反射镜、所述三反射镜、所述第四反射镜、所述第五反射镜和所述第六反射镜的表面均设有高反膜和高透膜；
所述高反膜用于反射1064nm和/或532nm的光；
所述高透膜用于透射808nm和/或880nm的光。
10.根据权利要求1所述的基于双晶结构的紫外激光器，其特征在于，所述第一激光晶体和所述第二激光晶体包括：Nd:YVO4，Nd:YAG，Nd:YLF或Nd:GdVO4；
所述第一激光晶体和所述第二激光晶体的掺杂浓度为0.1％-0.3％。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN211404996U (zh) |
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