JP2020528661A - フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ - Google Patents
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Abstract
Description
ポンプ源、集束システム、共振空洞及び共振空洞に位置する自己周波数逓倍結晶を備え、前記ポンプ源、集束システム、共振空洞は、光路に沿って順次に配列され、前記共振空洞は、前記集束システムの出力側に位置し、前記自己周波数逓倍結晶は、イッテルビウムイオンドープ希土類金属・カルシウム・オキシボレート結晶であり、
共振空洞は、1020−1080nm波帯のレーザ発振を抑制し、1120−1200nm波帯のレーザ発振を実現するように、それぞれ誘電体膜がコーティングされる入力空洞ミラーと出力空洞ミラーからなるフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザにおいて、
前記自己周波数逓倍結晶は、結晶の実効的非線形係数が最大の方向に沿ってスラブ状に切断され、
前記ポンプ源は、880nm−980nmのレーザダイオードアレイであり、前記ポンプ源から発光したポンプ光が前記集束システムによって矩形スポットとなって前記共振空洞に位置する自己周波数逓倍結晶の光透過面に集束し、前記光透過方向がスラブ状結晶の長手方向であることを特徴とするフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
a.1つの平凸シリンドリカルレンズまたは複数の平凸シリンドリカルレンズの組み合わせ、
b.1つの平凸レンズまたは複数の平凸レンズの組み合わせ、
c.1つの両凸レンズまたは複数の両凸レンズの組み合わせ、
d.平凸レンズと平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズとの組み合わせ、
e.両凸レンズと平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズとの組み合わせのうちの1つである。
1、自己周波数逓倍結晶は、イッテルビウムイオンドープ希土類金属・カルシウム・オキシボレート結晶を用い、自己周波数逓倍レーザプロセスがレーザと周波数逓倍の効果を統合した自己周波数逓倍結晶に基づいており、量産のニーズを満たすように自己周波数逓倍結晶の研究開発にはコストや製造の容易さを配慮しなければならない。従って、自己周波数逓倍大出力黄色光スラブレーザの設計及び開発中、さらに、自己周波数逓倍結晶の成長方法を配慮する必要があり、たとえば、フラックス法で結晶を成長する場合、周期が長く、コストが高く、一方、引き上げ法で結晶を成長する場合、短時間で大サイズの結晶を取得でき、自己周波数逓倍結晶のコストをその分削減できる。本発明のイッテルビウムイオンドープ希土類金属・カルシウム・オキシボレート結晶は、従来の引き上げ法によって製造できる。引き上げ法は、結晶成長によく使用されている方法であり、短時間で大サイズかつ高品質の結晶を製造でき、実施しやすく、生産の難度を低下させ、コストを低下させる。
本発明は、結晶の実効的非線形係数が最大の方向に沿ってスラブ状に切断された結晶であり、コーティングにより1120−1200nm波帯のレーザ発振を実現し、発光周波数を制御するとともに、自己周波数逓倍結晶としてのイッテルビウムイオンドープ希土類金属・カルシウム・オキシボレート結晶の切断角度を変えることにより、実現可能な周波数逓倍黄色光の有効出力を選択し、また、ポンプ光のスポットとして均等に分布する矩形スポットを用いるので、結晶の熱効果及び放熱方式が本質的に変わり、すなわち入射端面の熱分布が結晶の厚手方向でのみ異なり、すなわち熱効果が一次元に存在し、このように、結晶の熱効果を効果的に抑制し、出力を大幅に向上させ、それにより大出力の黄色光レーザ出力を取得する。
高反射性とは、特定の波長または波帯の光に対する反射率が99%より大きいことを意味する。
高透過性とは、特定の波長または波帯の光に対する透過率が99%より大きいことを意味する。
ヒートシンクとは、熱伝導率の高い材料(たとえば銅、銀等)を特定の形状に加工して結晶に被覆するとともに、その内部にチャンネルを構成して所定温度のクーラントを流すことで結晶を放熱させ、又はその外部に冷却装置で材料の温度を一定に維持することで結晶を放熱させる目的を実現することを意味する。
スラブ状結晶とは、図1に示すように、結晶の光透過面が矩形であり、光透過面の幅(図においてWで示される)が厚み(図においてtで示される)より大きいことを意味し、結晶の長さである結晶の光透過方向が図においてLで示され、上下の2つの面が結晶の2つの大きな面となり、ヒートシンクで冷却される。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザは、図2、3に示すように、ポンプ源1、集束システム2、自己周波数逓倍結晶4が光路に沿って順次に配列されるように構造されている。ポンプ源1は、発光中心波長976nmのレーザダイオードアレイであり、集束システム2は、焦点距離6.35cmの平凸シリンドリカルレンズからなり、自己周波数逓倍結晶4は、イッテルビウムイオンドープ濃度が20at.%のイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶であり、光透過方向の結晶長さが8mmであり、光透過面が12×1mm2の研磨された矩形のものであり、結晶の2つの大きな面がヒートシンク9で冷却され(図7に示す)、カット方向として実効的非線形係数が最大の位相整合方向に沿って切断され、最適な位相整合方向は、Z軸に対して(120°±1°)、X軸に対して−(38°±2°)となり、前記自己周波数逓倍結晶4は、集束システムの焦点に位置し、図2における3に示されるように、自己周波数逓倍結晶4の入射端面には、880−1100nmに対して高透過性であって1100−1200nmと560−600nmに対して高反射性である誘電体膜Aがコーティングされ、図2の5に示されるように、出射端面には、880−980nmと1100−1200nmに対して高反射性であって980−1100nmと560−600nmに対して高透過性である誘電体膜Bがコーティングされ、誘電体膜A3と誘電体膜B5は、レーザ共振空洞を構成する。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例1において、自己周波数逓倍結晶4として、イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶の光透過方向の長さがそれぞれ4mm、6mm及び10mmである以外、残りの条件及び部材は、実施例1の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、いずれも約570nmの黄色光レーザ出力を実現できた。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例1において、自己周波数逓倍結晶4として、イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶光透過面がそれぞれ6×1mm2、8×1mm2、10×1mm2、及び12×0.5mm2である以外、残りの条件及び部材は、実施例1の記載と同様であった。いずれも約570nm波帯の黄色光レーザ出力を実現できた。4つの光透過面の長さが異なり、異なるポンプ源で集束したスポットの大きさに対応でき、スポット長さは、結晶の幅に相当するように維持された。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、図5、6に示すように、ポンプ源1、集束システム2、入力空洞ミラー7、自己周波数逓倍結晶4、出力空洞ミラー8が光路に沿って順次に配列されるように構造されている。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例9において、自己周波数逓倍結晶4として、イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶の光透過方向の長さがそれぞれ4mm、6mm及び10mmである以外、残りの条件及び部材は、実施例9の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、いずれも約570nm波帯の黄色光レーザ出力を実現できた。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであえって、実施例9において、自己周波数逓倍結晶4として、イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶光透過面がそれぞれ6×1mm2、8×1mm2、10×1mm2、及び12×0.5mm2である以外、残りの条件及び部材は、実施例9の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、いずれも約570波帯黄色光レーザ出力を実現できた。光透過面の長さが異なり、異なるポンプ源で集束したスポットの大きさに対応できた。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例1において、自己周波数逓倍結晶として、イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶の切断角度が、Z軸に対して(120°±1°)、X軸に対して−(34°±2°)となる以外、残りの条件及び部材は、実施例1の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、590nm波帯の黄色光レーザ出力を実現できた。出力波長は590.2nmであり、図9に示した。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例1において、自己周波数逓倍結晶がイッテルビウムドープガドリニウム・カルシウム・オキシボレート結晶であり、イッテルビウムイオンのドープ濃度が1at.%である。結晶切断角度は、Z軸に対して(120°±1°)、X軸に対して−(46°±2°)となる以外、残りの条件及び部材は、実施例1の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、580nm波帯の黄色光レーザ出力を実現できた。出力波長は582.7nmであり、図10に示した。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例1において、自己周波数逓倍結晶イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶の切断角度として、結晶が1120nm実効的非線形係数が最大の位相整合方向に沿って切断される以外、残りの条件及び部材は、実施例1の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、560nm波帯の黄色光レーザ出力を実現できた。出力波長は560.1nmであり、図11に示した。
フォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザであって、実施例1において、自己周波数逓倍結晶イッテルビウムイオンドープイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶の切断角度として、結晶が1200nm実効的非線形係数が最大の方向である位相整合方向に沿って切断される以外、残りの条件及び部材は実施例1の記載と同様であった。ポンプ源1を起動させ、ポンプ出力を増大したところ、600nm波帯の黄色光レーザ出力を実現できた。出力波長は599.8nmであり、図12に示した。
Claims (10)
- ポンプ源、集束システム、共振空洞、及び共振空洞に位置する自己周波数逓倍結晶を備え、前記ポンプ源、集束システム、共振空洞は、光路に沿って順次に配列され、前記共振空洞は、前記集束システムの出力側に位置し、前記自己周波数逓倍結晶は、イッテルビウムイオンドープ希土類金属・カルシウム・オキシボレート結晶であり、
共振空洞は、1020−1080nm波帯のレーザ発振を抑制し、1120−1200nm波帯のレーザ発振を実現するように、それぞれ誘電体膜がコーティングされる入力空洞ミラーと出力空洞ミラーとからなるフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザにおいて、
前記自己周波数逓倍結晶は、結晶の実効的非線形係数が最大の方向に沿ってスラブ状に切断され、
前記ポンプ源は、880nm−980nmのレーザダイオードアレイであり、前記ポンプ源から発光したポンプ光が前記集束システムによって矩形スポットとなって前記共振空洞に位置する自己周波数逓倍結晶の光透過面に集束し、前記光透過方向がスラブ状結晶の長手方向であることを特徴とするフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。 - 前記集束システムは、
a.1つの平凸シリンドリカルレンズまたは複数の平凸シリンドリカルレンズの組み合わせ、
b.1つの平凸レンズまたは複数の平凸レンズの組み合わせ、
c.1つの両凸レンズまたは複数の両凸レンズの組み合わせ、
d.平凸レンズと平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズとの組み合わせ、
e.両凸レンズと平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズとの組み合わせのうちの1つであることを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。 - 集束システムの焦点距離は、1cm−30cm、好ましくは1cm−10cmであり、前記集束システムは、ポンプ源から出射されたポンプ光を矩形スポットとなるように集束することを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
- 前記自己周波数逓倍結晶は、光透過面が矩形であり、光透過方向が結晶の長手方向であり、長さが0.5mm−50mmであり、結晶の厚みが0.4mm−2mmであり、幅が結晶の厚みより大きく、更に好ましくは、自己周波数逓倍結晶は、長さ6mm−
10mm、結晶幅12mm、厚み1mmであり、好ましくは、前記自己周波数逓倍結晶の2つの大きな面がヒートシンクで冷却させることを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。 - 前記自己周波数逓倍結晶は、最適な位相整合方向に沿って切断され、すなわち非主平面の実効的非線形係数により切断され、好ましくは、最適な位相整合方向は、結晶屈折率が最大の主軸方向(Z軸)に対して(120°±10°)となる範囲であって結晶屈折率が最小の主軸方向(X軸)に対して−(40°±10°)となる範囲であることを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
- 前記入力空洞ミラーは、入力レンズに誘電体膜Aをコーティングして形成され、又は前記自己周波数逓倍結晶の光入射端面に誘電体膜Aをコーティングして形成され、前記誘電体膜Aは、ポンプ光880nm−980nmに対して高透過性でありかつ1020−1080nmに対して高透過性である誘電体膜を有し、又は880nm−1100nmに対して高透過性である誘電体膜を少なくとも有することを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
- 前記出力空洞ミラーは、出力レンズに誘電体膜Bをコーティングして形成され、又は前記自己周波数逓倍結晶の光出射端面に誘電体膜Bをコーティングして形成され、好ましくは、前記誘電体膜Bは、ポンプ光880nm−980nmに対して高反射性であって1020−1080nmに対して高透過性である誘電体膜を有し、又は、ポンプ光880nm−980nmに対して高反射性であって980−1100nmに対して透過性である誘電体膜を少なくとも有することを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
- 前記入力空洞ミラーには、1100nm−1200nmと560nm−600nm波帯に対して高反射性である誘電体膜がさらにコーティングされており、出力空洞ミラーには、1100nm−1200nmに対して高反射性であって560nm−600nmに対して高透過性である誘電体膜がコーティングされていることを特徴とする請求項6に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
- 光路方向に沿って順次に配列されるポンプ源、集束システム、入力空洞ミラー、自己周波数逓倍結晶、及び出力空洞ミラーを備え、前記ポンプ源は、波長880nm−980nmのレーザダイオードアレイであり、前記自己周波数逓倍結晶は、イッテルビウムイオンドープカルシウム・オキシボレートでありかつ結晶の実効的非線形係数が最大の方向に沿ってスラブ状に切断され、前記自己周波数逓倍結晶は、集束システムの焦点に位置し、前記入力空洞ミラーと出力空洞ミラーは、レーザ共振空洞を構成し、入力空洞ミラーは、入力レンズに880−1100nmに対して高透過性であって1100−1200nmと560−600nmに対して高反射性である誘電体膜Aがコーティングされ、出力空洞ミラーは、出力レンズに880−980nmと1100−1200nmに対して高反射性であって980−1100nmと560−600nmに対して高透過性である誘電体膜Bがコーティングされていることを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
- 光路方向に沿って順次に配列されるポンプ源、集束システム、入力空洞ミラー、自己周波数逓倍結晶、及び出力空洞ミラーを備え、前記ポンプ源は、波長880nm−980nmのレーザダイオードアレイであり、前記自己周波数逓倍結晶は、イッテルビウムイオンドープ希土類金属・カルシウム・オキシボレート結晶でありかつ結晶の実効的非線形係数が最大の方向に沿ってスラブ状に切断され、前記自己周波数逓倍結晶は、集束システムの焦点に位置し、入力空洞ミラーは、自己周波数逓倍結晶の入射端面に880−1100nmに対して高透過性であって1100−1200nmと560−600nmに対して高反射性である誘電体膜Aをコーティングして形成され、出力空洞ミラーは、自己周波数逓倍結晶の出射端面に880−980nmと1100−1200nmに対して高反射性であって980−1100nmと560−600nmに対して高透過性である誘電体膜Bをコーティングして形成され、前記誘電体膜Aと誘電体膜Bは、レーザ共振空洞を構成することを特徴とする請求項1に記載のフォノンバンド端発光に基づく全固体大出力スラブレーザ。
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