CN211401476U - 一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤 - Google Patents
一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其包括：若干层包层，处于外层的所述包层包覆于处于内层的所述包层，处于最内层的所述包层内部镂空，形成空芯，所述包层包括掺锗石英层及纯石英层，非最内层所述包层的所述掺锗石英层包覆于处于内层的所述包层，非最外层所述包层的所述纯石英层包覆于所述掺锗石英层且被处于外层的所述包层包覆。该用于全光纤高温传感器的空芯光纤结构简单，传输带宽大，方便集成到全光纤传感器中，能有效提升全光纤高温传感器的灵敏度及抗电磁干扰的能力，并降低成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及光纤技术领域，具体涉及一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤。
背景技术
近几年来，对于反谐振空芯光纤的研究一直是国内外的研究热点，研究人员重点关注其在高功率超短脉冲的传输和气体光纤激光器上的应用，而少有研究机构报道其在光纤传感上的应用，而现有用于全光纤高温传感器的空芯光纤传输带宽小、成本高，进而导致全光纤高温传感器的灵敏度低及抗电磁干扰的能力若，而且成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述现状，提供一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤，以解决上述问题。
本实用新型采用的技术方案为：一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤若干层包层，处于外层的所述包层包覆于处于内层的所述包层，处于最内层的所述包层内部镂空，形成空芯，所述包层包括掺锗石英层及纯石英层，非最内层所述包层的所述掺锗石英层包覆于处于内层的所述包层，非最外层所述包层的所述纯石英层包覆于所述掺锗石英层且被处于外层的所述包层包覆。
本实用新型的效果是：该用于全光纤高温传感器的空芯光纤结构简单，传输带宽大，方便集成到全光纤传感器中，能有效提升全光纤高温传感器的灵敏度及抗电磁干扰的能力，并降低成本。
附图说明
图1所示为本实用新型提供的用于全光纤高温传感器的空芯光纤的结构示意图；
图2所示为本实用新型提供的用于全光纤高温传感器的空芯光纤的折射率剖面；
图3所示为本实用新型提供的用于全光纤高温传感器的空芯光纤的传输光谱图；
图4所示为本实用新型提供的用于全光纤高温传感器的空芯光纤随着热源温度从室温升高至1000℃时，传输波长极大值点随温度升高的拟合图。
具体实施方式
下面结合附图介绍本实用新型的用于全光纤高温传感器的空芯光纤：
如图1所示，为本实用新型提供的一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其包括若干层包层1，处于外层的所述包层1包覆于处于内层的所述包层1，处于最内层的所述包层1内部镂空，形成空芯2。
所述包层1包括掺锗石英层11及纯石英层12，所述掺锗石英层 11包覆与处于内层的所述包层1，所述纯石英层12包覆于所述掺锗石英层11且被处于外层的所述包层1包覆。
于本实施例中，包括4层所述包层1，由内至外依次为第一包层 13、第二包层14、第三包层15及第四包层16。
所述第一包层13包括第一掺锗石英层131及第一纯石英层132，所述第一掺锗石英层131的厚度为1.76μm，折射率为1.464；所述第一纯石英层132的厚度为4.9μm，折射率为1.4535。
所述第二包层14包括第二掺锗石英层141及第二纯石英层142，所述第二掺锗石英层141的厚度为1.84μm，折射率为1.4635；所述第二纯石英层142的厚度为3.65μm，折射率为1.454。
所述第三包层15包括第三掺锗石英层151及第三纯石英层152，所述第三掺锗石英层151的厚度为1.44μm，折射率为1.463；所述第三纯石英层152的厚度为3.1μm，折射率为1.455。
所述第四包层16包括第四掺锗石英层161及第四纯石英层162，所述第四掺锗石英层151的厚度为1.44μm，折射率为1.463。
取10cm制备的反谐振空芯光纤，剥去表面涂层，两端分别熔接上单模光纤跳线，跳线一端插入超连续谱光源，一端插入光纤光谱仪，测试其传输光谱如图3所示。可以看出有很多个谐振波长点出现，谐振波长处的模式从纤芯泄露到包层，出现传输损耗极大值点，每个谐振波长之间范围就是纤芯模式的传输带宽。
图4为随着热源温度从室温升高至1000℃时，传输波长极大值点随温度升高的拟合图。这只是选取的一个传输极大值点的测试结果，可以随着光源波长的不一样，选取1250nm-1650nm之间的很多个传输极大值点进行测试。
该用于全光纤高温传感器的空芯光纤结构简单，传输带宽大，方便集成到全光纤传感器中，能有效提升全光纤高温传感器的灵敏度及抗电磁干扰的能力，并降低成本。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其特征在于，其包括：若干层包层，处于外层的所述包层包覆于处于内层的所述包层，处于最内层的所述包层内部镂空，形成空芯，所述包层包括掺锗石英层及纯石英层，非最内层所述包层的所述掺锗石英层包覆于处于内层的所述包层，非最外层所述包层的所述纯石英层包覆于所述掺锗石英层且被处于外层的所述包层包覆。
2.根据权利要求1所述的用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其特征在于，包括4层所述包层，由内至外依次为第一包层、第二包层、第三包层及第四包层。
3.根据权利要求2所述的用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其特征在于，所述第一包层包括第一掺锗石英层及第一纯石英层，所述第一掺锗石英层的厚度为1.76μm，折射率为1.464；所述第一纯石英层的厚度为4.9μm，折射率为1.4535。
4.根据权利要求2所述的用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其特征在于，所述第二包层包括第二掺锗石英层及第二纯石英层，所述第二掺锗石英层的厚度为1.84μm，折射率为1.4635；所述第二纯石英层的厚度为3.65μm，折射率为1.454。
5.根据权利要求2所述的用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其特征在于，所述第三包层包括第三掺锗石英层及第三纯石英层，所述第三掺锗石英层的厚度为1.44μm，折射率为1.463；所述第三纯石英层的厚度为3.1μm，折射率为1.455。
6.根据权利要求2所述的用于全光纤高温传感器的空芯光纤，其特征在于，所述第四包层包括第四掺锗石英层及第四纯石英层，所述第四掺锗石英层的厚度为1.44μm，折射率为1.463。
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| CN201921327147.6U CN211401476U (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤 |
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| CN201921327147.6U CN211401476U (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 一种用于全光纤高温传感器的空芯光纤 |
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| CN211401476U true CN211401476U (zh) | 2020-09-01 |
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN211401476U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112284565A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-29 | 华南师范大学 | 一种反共振光纤温度探测器 |
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2019
- 2019-08-15 CN CN201921327147.6U patent/CN211401476U/zh active Active
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