CN211378245U - 一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提出了一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，包括：至少一个上磁体支撑架，在上磁体支撑架的内侧固定有上磁体组；上磁体组的下方设有第一支撑机构和第二支撑机构，第一支撑机构和第二支撑机构之间安装有音圈振膜机构，第二支撑机构的下方进一步设置有至少一个下磁体支撑架，下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组，下磁体组的的下方设有第一导电金属片和第二导电金属片，其中，上磁体组包括多个上磁体，下磁体组包括多个下磁体，上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。本实用新型可以有效减少平面振膜扬声器主体结构的直径、体积、重量，不仅发声品质显著提高，而且将扬声器整体结构优化，实现体积小型化。

Description

一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器

技术领域

本实用新型涉及扬声器技术领域，特别涉及一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器。

背景技术

目前常用的耳机根据其发声原理不同，主要分为动圈式耳机、动铁式耳机和静电(电容)式耳机。

动圈式耳机是现在最普遍的耳机形式，它是将线圈固定在振膜上，置于由永磁铁产生的固定磁场中，信号经过线圈切割磁力线，从而带动振膜一起振动发声。其优点是：制作相对容易，线性好、失真小、频响宽；缺点是：由于耳机中动圈单元的发声振膜为锥形结构，并且在发声的过程中功率超过60%以上的时候，因为振膜形态和材料等先天局限性，产生明显失真并且越接近满载功率时，失真度会成倍增加，会使声音严重恶化。

动铁式耳机利用电磁铁产生交变磁场，振动部分由一个铁片悬浮在电磁铁前方，信号经过电磁铁时使电磁铁磁场发生变化，从而使铁片振动发声。其优点是：使用寿命长、效率高；缺点是：价格高、失真大，高频刺耳，频响窄，生产工艺复杂，不良率很高，常用于早期的电话机听筒。

静电(电容)式耳机的原理是振膜处于变化的电场中，振膜极薄，可以精确到微米级，由高直流电压极化，极化所需的电能由交流电转化或电池供的。振膜悬挂在由两块固定的金属板(定子)形成的静电场中，当音频信号加载到定子上时，静电场发生变化，驱动振膜振动，在电场力的驱动下带动振膜发声。单定子也可以驱动振膜，但相比较之下，双定子的推挽形式失真更小。由于振膜轻薄，静电耳机的音质天生偏向轻盈透明，表现低频、声音的厚重和密度感就稍有逊色；缺点是：静电耳机多为手工制造不良率很高且难以有效降低，在大批量生产制造时产能和制造效率极低，很难大范围商业化，是一个不可逾越的门槛。

但是，动圈解析力工作功率超过60%以上时就开始产生解析力下降声音混沌不清，负荷越大越严重；传统的动圈扬声器已经被行业发展到了极限很难再物理结构等声学逻辑进行创新升级；传统的动圈扬声器的声学特性很难在原有的结构进行高品质升级，每提高一点声音质量为此付出的成本要几倍甚至更多倍，经济型性很差；传统动圈扬声器的振膜很难做到纳米级厚度，想大幅提升声音品质很难，呈现更高解析力的声音已到了极限。平面振膜扬声器结构在实际生产制造过程中，体积很难做到很小，多为头戴式耳机的体积，无法做到入耳式的耳塞结构。

实用新型内容

本实用新型的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。

为此，本实用新型的目的在于提出一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，在生产制造过程中创新优化了基础结构，提高发声品质，将扬声器整体结构优化，实现体积小型化。

为了实现上述目的，本实用新型的实施例提供一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，所述平面振膜扬声器采用以下形式之一：

（1）双面形式：所述平面振膜扬声器的磁路结构包括：上磁体组和下磁体组，其中，

至少一个上磁体支撑架，在所述上磁体支撑架的内侧固定有上磁体组；所述上磁体组的下方设有第一支撑机构和第二支撑机构，所述第一支撑机构和第二支撑机构之间安装有音圈振膜机构，所述第二支撑机构的下方进一步设置有至少一个下磁体支撑架，所述下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组，所述下磁体组的的下方设有第一导电金属片和第二导电金属片，所述第一导电金属片和第二导电金属片之间安装有外部连通机构，其中，

所述上磁体组和所述下磁体组以所述音圈振膜机构为间隔相对设置，其中，所述上磁体组包括多个上磁体，所述下磁体组包括多个下磁体，所述上磁体和下磁体的数量不等，且多个所述上磁体和多个所述下磁体交错设置；

（2）单面形式：所述平面振膜扬声器的磁路结构包括：下磁体组；

所述平面振膜扬声器包括：第一支撑机构、第二支撑机构，所述第一支撑机构和第二支撑机构之间安装有音圈振膜机构，所述第二支撑机构的下方设置有至少一个下磁体支撑架，所述下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组，所述下磁体组包括多个下磁体。

进一步，所述上磁体和下磁体包括以下形式之一：

（1）对称式磁路结构：所述上磁体和下磁体的尺寸完全相同；

（2）非对称式磁路结构：

上磁体和下磁体的长度相同，宽度和高度不相等；

上磁体和下磁体的宽度相同，长度和高度不相等；

上磁体和下磁体的高度相同，宽度和长度不相等；

上磁体和下磁体的长度和宽度相同，高度不相等；

上磁体和下磁体的长度和高度相同，宽度不相等；

上磁体和下磁体的宽度和高度相同，长度不相等。

进一步，所述上磁体和所述下磁体交错设置，包括以下形式之一：

（1）所述上磁体之间形成多个间隙，所述下磁体正对所述间隙设置；

（2）当所述上磁体的数量大于所述下磁体的数量时，相邻的所述上磁体之间形成多个间隙，所述下磁体正对所述间隙设置，剩余所述上磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空；

（3）当所述下磁体的数量大于所述上磁体的数量时，相邻的所述下磁体之间形成多个间隙，所述上磁体正对所述间隙设置，剩余所述下磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

进一步，相邻的所述上磁体之间或者所述下磁体之间的间隙相等。

进一步，相邻的所述上磁体之间或者所述下磁体之间的间隙不等。

进一步，所述第一支撑机构和第二支撑机构均采用PCB电路板，用于支撑所述音圈振膜机构；所述外部连通机构采用PCB电路板，用于与外部导通传输信号。

进一步，所述振膜采用聚合物合成材料制成。

进一步，多个所述所述上磁体支撑架和下磁体支撑架分层设置，其中，所述上磁体支撑架的数量依据上磁体组的高度设置，所述下磁体支撑架的数量依据下磁体组的高度设置。

进一步，本实用新型还包括：上磁回流金属导磁支撑架和下磁回流金属导磁支撑架，其中，所述上磁回流金属导磁支撑架安装在所述上磁体支撑架的上方，所述下磁回流金属导磁支撑架安装在所述下磁体支撑架的下方。

进一步，所述音圈采用蛇形平面导电音圈，在所述蛇形平面导电音圈左右两端分别设置音圈正极接线端和音圈负极接线端，所述振膜采用纳米级平面振膜。

根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，可以有效提高扬声器发声的品质，在现有的传统扬声器的基础上提供了一种显著提高各项扬声器声学参数的技术解决方案，在生产制造过程中创新优化了基础结构，可以有效减少平面振膜扬声器主体结构的直径、体积、重量，在同等体积和成本的基础上可有效减少扬声器的直径，同等体积和成本可以显著提高平面振膜扬声器的动态控制能力，显著提高扬声器的整体解析力，显著降低失真度并有效的控制在1%以下，不仅发声品质显著提高，而且将扬声器整体结构优化，实现体积小型化，由原来应用到的头戴式耳机产品，进一步缩小应用于入耳式耳塞产品，大幅降低生产制造成本和复杂的生产制造流程，经济性很好。

本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器（对称式）的磁铁弹簧剖视图；

图2为根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器（对称式）的前剖视图；

图3为根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器（对称式）的磁铁剖视图；

图4为根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器（非对称式）的磁铁弹簧剖视图；

图5为根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器（非对称式）的前剖视图；

图6为根据本实用新型实施例的根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器的爆炸图；

图7为根据本实用新型实施例的根据本实用新型实施例的振膜和音圈的结构图；

图8为根据本实用新型实施例的根据本实用新型实施例的振膜和音圈（采用顶针连接固定）的结构图；

图9为根据本实用新型实施例的根据本实用新型实施例的振膜和音圈（采用弹簧连接固定）的结构图；

图10为根据本实用新型实施例的根据本实用新型实施例的振膜和音圈（采用铆接连接固定）的结构图；

图11为根据本实用新型实施例的采用磁回流结构的平面振膜扬声器单面形式的整体爆炸图。

附图标记：

1、上磁回流金属导磁支撑架；2、第一上磁体支撑架；3、第二上磁体支撑架；4、第一支撑机构；5、音圈振膜机构；6、第二支撑机构；7、第一下磁体支撑架；8、第二下磁体支撑架；9、下磁回流金属导磁支撑架；10、外部连通机构；11、固定螺丝；12、上磁体组；13、绝缘套管；14、下磁体组；15、第一导电金属片；16、第二导电金属片；17、螺丝母；51、蛇形音圈；52、纳米级平面振膜；53、正极端；54、负极端；

101、正极导电金属管；102、正极金属导电弹簧；103、正极金属导电触点；104、负极导电金属管105、负极金属导电弹簧 106、负极金属导电触点；107、正极金属导电铆接 108、负极金属导电铆接；109、正极金属导电弹簧 110、负极金属导电弹簧。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下面对本实用新型中涉及到的异步式、对等式、对称式、非对称式进行说明：

（1）异步式：

双面：以振膜为中心，上磁体和下磁体交错设置且完全错位，即：上磁体和下磁体在位于不同的竖向中心线上，上磁体和下磁体的尺寸和数量可以相等或不等；

单面：同一层的上磁体的尺寸不等，或者同一层的下磁体的尺寸不等。

（2）对等式：以振膜为中心，上磁体和下磁体为一组，每组磁体部分或全部位于同一竖向中心线上，上磁体和下磁体的尺寸和数量可以相等或不等；

（3）对称式：以振膜为中心，上磁体和下磁体的尺寸相等，例如：异步对等式、对等对称式；

（4）非对称式：以振膜为中心，上磁体和下磁体尺寸不相等，例如：异步非对等式、对等非对称式。

本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，平面振膜扬声器采用以下形式之一：

（1）双面形式：所述平面振膜扬声器的磁路结构包括：上磁体组和下磁体组，其中，

平面振膜扬声器包括：至少一个上磁体支撑架，在上磁体支撑架的内侧固定有上磁体组12；上磁体组12的下方设有第一支撑机构4机构和第二支撑机构6，第一支撑机构4和第二支撑机构6之间安装有音圈振膜机构5。第二支撑机构6的下方进一步设置有至少一个下磁体支撑架，下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组14，下磁体组14的的下方设有第一导电金属片15和第二导电金属片16，第一导电金属片15和第二导电金属片16之间安装有外部连通机构10。上述整体多层结构通过上下方法的固定螺丝11和螺丝母17进行固定连接。绝缘套管13的作用是对周边的金属机构进行绝缘隔离。

在本实用新型的实施例中，上磁体和下磁体的数量优选为2~20个。需要说明的是，上、下磁体的数量仅是出于示例的目的，而不是为了限制本实用新型。本实用新型中的上、下磁体的数量可以根据需要进行设置。

（2）单面形式：所述平面振膜扬声器的磁路结构包括：下磁体组。

如图11所示，平面振膜扬声器包括：第一支撑机构、第二支撑机构，所述第一支撑机构和第二支撑机构之间安装有音圈振膜机构，所述第二支撑机构的下方设置有至少一个下磁体支撑架，所述下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组，所述下磁体组包括多个下磁体。

在本实用新型的实施例中，以图1为例，设有两个上磁体支撑架和两个下磁体支撑架，分别为第一上磁体支撑架2和第二上磁体支撑架3，第一下磁体支撑架7和第二下磁体支撑架8。

上磁体组12和下磁体组14以音圈振膜机构5为间隔相对设置，其中，上磁体组12包括多个上磁体，下磁体组14包括多个下磁体。优选的，上磁体和下磁体的数量可以为2~20个。需要说明的是，上、下磁体的数量仅是出于示例的目的，而不是为了限制本实用新型。本实用新型中的上、下磁体的数量可以根据需要进行设置。

在本实用新型的实施例中，上磁体和下磁体的数量，包括以下形式之一：

（1）对称式磁路结构：所述上磁体和下磁体的尺寸完全相同；

（2）非对称式磁路结构：

上磁体和下磁体的长度相同，宽度和高度不相等；

上磁体和下磁体的宽度相同，长度和高度不相等；

上磁体和下磁体的高度相同，宽度和长度不相等；

上磁体和下磁体的长度和宽度相同，高度不相等；

上磁体和下磁体的长度和高度相同，宽度不相等；

上磁体和下磁体的宽度和高度相同，长度不相等。

【实施例一】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

如图1至图3、图7所示，对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度相等高度相等；相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置。

【实施例二】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度相等、高度相等；当上磁体的数量大于下磁体的数量时，相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置，剩余上磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

【实施例三】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度相等、高度相等；当上下磁体的数量大于上磁体的数量时，相邻的下磁体之间形成多个间隙，上磁体正对间隙设置，剩余下磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

【实施例四】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

如图4和图5所示，非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度相等、高度不等；相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置。

【实施例五】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度相等且高度不等；当下磁体的数量大于上磁体的数量时，相邻的下磁体之间形成多个间隙，上磁体正对间隙设置，剩余下磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

【实施例六】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度不等、宽度不等且且高度相等；相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置；

【实施例七】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度不等、宽度相等且高度相等；当上磁体的数量大于下磁体的数量时，相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置，剩余上磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

【实施例八】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度不等、宽度相等且高度相等；当下磁体的数量大于上磁体的数量时，相邻的下磁体之间形成多个间隙，上磁体正对间隙设置，剩余下磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

【实施例九】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度不等且高度不等；相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置。

【实施例十】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度不等且高度不等。当上磁体的数量大于下磁体的数量时，相邻的上磁体之间形成多个间隙，下磁体正对间隙设置，剩余上磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

【实施例十一】

上磁体和下磁体的数量不等，且多个上磁体和多个下磁体交错设置。

非对称式磁路结构：上磁体和下磁体的长度相等、宽度不等且高度不等。当下磁体的数量大于上磁体的数量时，相邻的下磁体之间形成多个间隙，上磁体正对间隙设置，剩余下磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

在本实用新型的上述任一实施例中，相邻的上磁体之间或者下磁体之间的间隙可以相等或不等。参考图5所示，相邻磁体之间的间隙d可以相等或不等，例如，上磁体组12件中的第一块磁体和第二块磁体之间的间隙可以大于第二块磁体和第三块磁体之间的间隙，同理推断下磁体组14件之间的间隙也可以不同，均属于本申请的保护范围。

在本实用新型的上述任一实施例中，第一支撑机构4和第二支撑机构6均采用PCB电路板，用于支撑音圈振膜机构5；外部连通机构10采用PCB电路板，用于与外部导通传输信号。即，该外部连通机构10起到向外部装置传输信号的作用。

在本实用新型的上述任一实施例中，多个上磁体支撑架和下磁体支撑架分层设置，其中，上磁体支撑架的数量依据上磁体组12的高度设置，下磁体支撑架的数量依据下磁体组12的高度设置。即，根据实际应用的磁体的高度，设置多层的上磁体支撑架和下磁体支撑架。由于上磁体支撑架和下磁体支撑架采用的是分层机构，从而便于根据需要进行灵活配置，避免了传统的固定高度支架造成的不适配带来的浪费。

在本实用新型的上述任一实施例中，本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，还包括：上磁回流金属导磁支撑架1和下磁回流金属导磁支撑架9，其中，上磁回流金属导磁支撑架1安装在上磁体支撑架的上方，下磁回流金属导磁支撑架9安装在下磁体支撑架的下方。通过设置上磁回流金属导磁支撑架1和下磁回流金属导磁支撑架9，可以在扬声器磁路结构有限的空间内有效地回收和管理溢出的磁通量，使得溢出的磁通量被有效的收集回流到闭合的磁场中，通过这样的磁回流的结构设计，行成了一个具有闭合回路的整体平面磁场，使磁场分布更加均匀且饱和，提高磁能转换效率。

需要说明的是，本实用新型的音圈振膜机构包括：一个或两个音圈、振膜。

（1）当音圈振膜机构包括：一个音圈和振膜时，该音圈设置在振膜之上，进而将音圈振膜机构整体通过铆接方式与第一支撑机构4和第二支撑机构6固定连接。

在本实用新型的上述任一实施例中，如图7所示，音圈51采用蛇形平面导电音圈，在蛇形平面导电音圈左右两端分别设置音圈正极接线端53和音圈负极接线端54，振膜52采用纳米级平面振膜。优选的，振膜52采用聚合物合成材料制成。

（2）当音圈振膜机构包括：两个音圈和振膜时，两个音圈分别设置在振膜的上面和下面，通过导电胶粘合方式将两个音圈和振膜固定在一起，进而将音圈振膜机构整体通过铆接方式与第一支撑机构4和第二支撑机构6固定连接。

此外，为了实现振膜上面的音圈与外部连通机构10的PCB板的电极进行连接导通，本实用新型进一步设置了连接机构以实现上述目的。其中，该连接机构可以采用以下方式之一：

（1）平面振膜音圈接触金属顶针导通结构，如图8所示；

（2）平面振膜音圈导通金属弹簧结构，如图9所示；

（3）平面振膜音圈导通金属铆接结构，如图10所示。

进一步为了固定本实用新型的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器的多层结构，可以采用、螺丝、包边、胶水、弹簧或触点的方式，实现对多层结构的固定连接，从而形成一个整体结构。

根据本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，可以有效提高扬声器发声的品质，在现有的传统扬声器的基础上提供了一种显著提高各项扬声器声学参数的技术解决方案，在生产制造过程中创新优化了基础结构，可以有效减少平面振膜扬声器主体结构的直径、体积、重量，在同等体积和成本的基础上可有效减少扬声器的直径，同等体积和成本可以显著提高平面振膜扬声器的动态控制能力，显著提高扬声器的整体解析力，显著降低失真度并有效的控制在1%以下，不仅发声品质显著提高，而且将扬声器整体结构优化，实现体积小型化，由原来应用到的头戴式耳机产品，进一步缩小应用于入耳式耳塞产品，大幅降低生产制造成本和复杂的生产制造流程，经济性很好。

本实用新型实施例的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，具有以下有益效果：

1、将耳机或音响扬声器的失真度降低到0.1-1%之间（动圈失真度是1%-3%；动铁失真度是3%-5%）失真度是耳机和音响一项最重要的参数，人耳听觉对失真度的敏感度和感知度，当耳机或音响的声音失真度超过1%的时候，听者就感觉到不好的声音或感受，超过2%以上就感受直接且明显感受声音浑浊，乐器层次不清，听音时间久了超过30分钟就开始产生头昏脑涨的感觉，如果失真度可以控制在1%一下，理论上人儿就听不到浑浊不好的声音，在听音乐时可以连续听1-2个小时都不会产生对声音失真度高造成的不适感。

2、将耳机或音响扬声器的磁能转换效率提高25%-35%，磁能转换效率大幅提升后可明显提升扬声器发声振膜的控制力，控制力的提升可以有效提高扬声器的解析力，表现音乐时可以增加很多的音乐细节，比如乐器的泛音，乐器的轮廓，解析力和细节提升后，整个还原的声场会变大接近于真实的演奏会现场，给听众留下身临其境的感受。

3、减少耳机类扬声器对人耳长时间大音量听音乐是的听力损伤，此实用新型技术可以有效减少对人耳听力损伤30%以上，现代医学证明，人类在连续使用头戴式或入耳式耳机等每天听音超过2个小时，且连续听音乐超过15天，就对听力产生损伤或听力下降，并且这种损伤在医学治疗后是不可逆的，就是听力损伤和降低后无法通过医学治疗进行恢复或改善，是永久损伤。

4、在60%-70%的音量是将完整的音乐内容表现出来，小于85分贝的音量就可以表现完整的音乐内容，减少或避免因大音量长时间听音乐所带来的听力下降和听力损伤，通常当使用耳机听音乐时，往往会把音量调大到85%-95%以上，才可以完整的感受整个音乐的氛围、细节、完整的声场、音乐韵味等，这样的声音音量基本都会超过85分贝以上,联合国和世界卫生组织为保护青少年听力损伤的强制要求就是耳机类产品发声音量不得高于85分贝。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。本实用新型的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (9)

1.一种异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，所述平面振膜扬声器采用以下形式之一：

（1）双面形式：所述平面振膜扬声器的磁路结构包括：上磁体组和下磁体组，其中，

所述平面振膜扬声器包括：至少一个上磁体支撑架，在所述上磁体支撑架的内侧固定有上磁体组；所述上磁体组的下方设有第一支撑机构和第二支撑机构，所述第一支撑机构和第二支撑机构之间安装有音圈振膜机构，所述第二支撑机构的下方进一步设置有至少一个下磁体支撑架，所述下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组，所述下磁体组的下方设有第一导电金属片和第二导电金属片，所述第一导电金属片和第二导电金属片之间安装有外部连通机构，其中，

所述上磁体组和所述下磁体组以所述音圈振膜机构为间隔相对设置，其中，所述上磁体组包括多个上磁体，所述下磁体组包括多个下磁体，所述上磁体和下磁体的数量不等，且多个所述上磁体和多个所述下磁体交错设置；

所述上磁体和下磁体包括以下形式之一：

（1）对称式磁路结构：所述上磁体和下磁体的尺寸完全相同；

（2）非对称式磁路结构：

上磁体和下磁体的长度相同，宽度和高度不相等；

上磁体和下磁体的宽度相同，长度和高度不相等；

上磁体和下磁体的高度相同，宽度和长度不相等；

上磁体和下磁体的长度和宽度相同，高度不相等；

上磁体和下磁体的长度和高度相同，宽度不相等；

上磁体和下磁体的宽度和高度相同，长度不相等；

（2）单面形式：所述平面振膜扬声器的磁路结构包括：下磁体组；

所述平面振膜扬声器包括：第一支撑机构、第二支撑机构，所述第一支撑机构和第二支撑机构之间安装有音圈振膜机构，所述第二支撑机构的下方设置有至少一个下磁体支撑架，所述下磁体支撑架的内侧固定有下磁体组，所述下磁体组包括多个下磁体。

2.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，所述上磁体和所述下磁体交错设置，包括以下形式之一：

（1）所述上磁体之间形成多个间隙，所述下磁体正对所述间隙设置；

（2）当且所述上磁体的数量大于所述下磁体的数量时，所述上磁体之间形成多个间隙，所述下磁体正对所述间隙设置，剩余所述上磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空；

（3）当所述下磁体的数量大于所述上磁体的数量时，所述下磁体之间形成多个间隙，所述上磁体正对所述间隙设置，剩余所述下磁体之间形成的多余间隙相对位置不设下磁体，相对为空。

3.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，相邻的所述上磁体之间或者所述下磁体之间的间隙相等。

4.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，相邻的所述上磁体之间或者所述下磁体之间的间隙不等。

5.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，所述第一支撑机构和第二支撑机构均采用PCB电路板，用于支撑所述音圈振膜机构；

所述外部连通机构采用PCB电路板，用于与外部导通传输信号。

6.如权利要求1或5所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，所述振膜采用聚合物合成材料制成。

7.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，多个所述上磁体支撑架和下磁体支撑架分层设置，其中，所述上磁体支撑架的数量依据上磁体组的高度设置，所述下磁体支撑架的数量依据下磁体组的高度设置。

8.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，还包括：上磁回流金属导磁支撑架和下磁回流金属导磁支撑架，其中，所述上磁回流金属导磁支撑架安装在所述上磁体支撑架的上方，所述下磁回流金属导磁支撑架安装在所述下磁体支撑架的下方。

9.如权利要求1所述的异步式磁回流结构的平面振膜扬声器，其特征在于，所述音圈采用蛇形平面导电音圈，在所述蛇形平面导电音圈左右两端分别设置音圈正极接线端和音圈负极接线端，所述振膜采用纳米级平面振膜。

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