CN211293890U - 4g模组掉电时保护mcp数据不丢失的电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种掉电保护电路，其公开了一种4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，在模组突然掉电时保护MCP数据不丢失，从而保障系统的安全稳定运行。该电路应用于4G模组，所述4G模组包括PMIC模块和MCP模块，所述MCP模块包括Nand单元和DDR单元，所述PMIC模块通过LDO为Nand单元供电；该电路包括设置在PMIC模块与Nand单元供电线路上的储能器件，所述储能器件在4G模组正常工作时处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，向所述Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种掉电保护电路，具体涉及4G模组掉电时保护MCP(MultipleChip Package多芯片封装)数据不丢失的电路。
背景技术
目前基于4G模组提供数据连接的应用场景越来越多，其业务模式不断的扩展，4G模组的终端形态越来越多，4G模组的供电系统方案场景也越来越多。有部分场景4G模组会面对突然电压跌关机或者直接掉电关机的情况，由于4G模块正在运行中，模块中的MCP也处于数据读取运行中，突然的供电中断会概率性导致MCP内容损伤不完整(数据丢失、损坏)而最终导致系统工作异常.
因此，本实用新型有必要提出一种4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，在模组突然掉电时保护MCP数据不丢失，从而保障系统的安全稳定运行。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提出一种4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，在模组突然掉电时保护MCP数据不丢失，从而保障系统的安全稳定运行。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案是：
4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，应用于4G模组，所述4G模组包括PMIC(电源管理集成芯片)模块和MCP模块，所述MCP模块包括Nand单元和DDR单元，所述PMIC模块通过LDO(低压差线性稳压器)为Nand单元供电；该电路包括设置在PMIC模块与Nand单元供电线路上的储能器件，所述储能器件在4G模组正常工作时处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，向所述Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿。
作为进一步优化，所述储能器件为电容模块。
作为进一步优化，所述电容模块包括4个并联在PMIC模块与Nand单元供电线路与地之间的47μF电容。
作为进一步优化，4个47μF电容均设置在4G模组内部或者部分设置在4G模组外部。
本实用新型的有益效果是：
通过在PMIC模块与Nand单元供电线路上设置储能器件，该储能器件在4G模组正常工作时处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，该储能器件向Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿，从而让Nand单元有充足的时间来完成最后的操作，从而保护Nand数据在此过程中的安全性，进而有利于保障4G模组整体系统的安全稳定运行。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的电路原理图。
具体实施方式
本实用新型旨在提出一种4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，在模组突然掉电时保护MCP数据不丢失，从而保障系统的安全稳定运行。其核心思想是：通过在PMIC模块与Nand单元供电线路上设置储能器件，该储能器件在4G模组正常工作时处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，该储能器件向Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿，从而让Nand单元有充足的时间来完成最后的操作。
实施例：
本实施例以采用Nand单元和DDR单元二合一的MCP作为存储器的4G模组为例，原理如图1所示，PMIC模块通过LDO为Nand单元提供1.8V供电；本实施例通过在PMIC模块与Nand单元供电线路上设置4个并联的电容作为储能器件，在4G模组正常工作时4个并联的电容处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，4个并联的电容向所述Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿，让Nand单元有充裕的时间完成最后的操作，保障Nand单元中的数据不被损坏。
具体实现中，本实施例中的部分器件性能参数如下：
4G模组性能参数：工作电压范围为3.3V---4.2V，最大工作电流2000mA，EBI接口，(32位LPDDR2 SDRAM，最高300兆赫，多路地址/数据总线；8位NAND闪存)；
MCP性能参数：1.8V 8位NAND闪存，1.8V 32位低功耗DDR2 SDRAM，时钟频率：533MHz；
C1/C2/C3/C4电容性能参数：X5R 47μF+/-20％6.3V CH0603；
LDO性能参数：1.8V，大于等于300mA(<50mV纹波)供电能力。
当系统开机后，4颗47μF电容充满电处于能量储备状态，可以保证NAND运行时供电稳定可靠。当4G模块工作电压(正常范围3.3V---4.2V)低于3V持续2ms以上，模块PMIC会让模块直接下电，MCP的NAND 1.8V供电也会立即关闭，此时4颗47UF电容的储备能量将延缓Nand 1.8V的下降沿，让Nand有时间余量可以处理完最后的操作，保护Nand数据在此过程中的安全性。
考虑到电容的尺寸对模组体积空间的影响，因此采用4颗47μF的小电容并联作为储能器件，4颗电容的电路布局可以全部放置在4G模块内部，也可以部分放置在4G模组外部，均为同一拓扑方案。
效果验证：
以下是通过抽样对于加了保护电路的Nand 1.8V供电断电下降沿时间的对比测量数据：
可以看出，对于没有采用以上保护电路的4G模组，当突然断电时，Nand 1.8V供电的断电下降沿将很快；增加上述保护电路后，Nand 1.8V供电断电下降沿将大幅放缓，实现对此次过程的Nand数据保护。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，应当指出的是，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，应用于4G模组，所述4G模组包括PMIC模块和MCP模块，所述MCP模块包括Nand单元和DDR单元，所述PMIC模块通过LDO为Nand单元供电；其特征在于，
该电路包括设置在PMIC模块与Nand单元供电线路上的储能器件，所述储能器件在4G模组正常工作时处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，向所述Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿。
2.如权利要求1所述的4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，其特征在于，
所述储能器件为电容模块。
3.如权利要求2所述的4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，其特征在于，
所述电容模块包括4个并联在PMIC模块与Nand单元供电线路与地之间的47μF电容。
4.如权利要求3所述的4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路，其特征在于，
所述4个47μF电容均设置在4G模组内部或者部分设置在4G模组外部。
Priority Applications (1)
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| CN202020416717.5U CN211293890U (zh) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | 4g模组掉电时保护mcp数据不丢失的电路 |
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Publications (1)
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| CN211293890U true CN211293890U (zh) | 2020-08-18 |
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Family Applications (1)
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2020
- 2020-03-27 CN CN202020416717.5U patent/CN211293890U/zh active Active
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| CP03 | "change of name, title or address" |
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| CP03 | "change of name, title or address" |