CN211265479U

CN211265479U - 显示基板

Info

Publication number: CN211265479U
Application number: CN202020000995.2U
Authority: CN
Inventors: 王丽; 皇甫鲁江; 刘利宾
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2020-01-02
Filing date: 2020-01-02
Publication date: 2020-08-14
Anticipated expiration: 2030-01-02

Abstract

本实用新型提供一种显示基板，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示基板存在局部发热和不同子像素功率不同的问题。本实用新型实施例的显示基板分为显示区和边缘区；所述显示区内有多个子像素，每个所述子像素包括发光器件，所述发光器件包括叠置的第一电极、发光层、第二电极；各所述子像素的第一电极相互隔开，各所述子像素的第二电极连为一体并构成延伸至边缘区中的第二电极层；所述显示面板还包括：第二电极线，包括同层设置的连接结构和辅助结构；其中，所述连接结构位于边缘区并在边缘区中与第二电极层电连接，所述辅助结构位于显示区且与连接结构相连，所述辅助结构与显示区中的第二电极层不相连。

Description

显示基板

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板。

背景技术

在有机发光二极管(OLED)显示基板中，各子像素的有机发光二极管的阴极通过阴极线获得阴极电压，但因为阴极线存在电阻，故其中存在电压降(IR Drop)。

由此，阴极线的部分位置会产生局部发热，浪费能量；同时，有机发光二极管的功率P＝IU，其中I为电流，U为阴极与阳极间的电压差，但由于距离阴极电压源(如驱动芯片)远近不同处阴极线的电压降不同，故不同子像素中实际的阴极电压不同，即不同子像素功率不同。

实用新型内容

本实用新型至少部分解决现有的显示基板存在局部发热和不同子像素功率不同的问题，提供一种可避免局部发热，且使各子像素功率相同的显示基板。

本实用新型的一个方面提供一种显示基板，分为显示区和边缘区；所述显示区内有多个子像素，每个所述子像素包括发光器件，所述发光器件包括叠置的第一电极、发光层、第二电极；各所述子像素的第一电极相互隔开，各所述子像素的第二电极连为一体并构成延伸至边缘区中的第二电极层；所述显示面板还包括：

第二电极线，包括同层设置的连接结构和辅助结构；其中，所述连接结构位于边缘区并在边缘区中与第二电极层电连接，所述辅助结构位于显示区且与连接结构相连，所述辅助结构与显示区中的第二电极层不相连。

可选的，所述辅助结构包括：

多个沿列方向延伸的第一辅助条。

可选的，所述连接结构包括：

沿列方向分别位于所述显示区两侧外的第一连接条和第二连接条；

沿行方向分别位于所述显示区两侧外的第三连接条和第四连接条；

其中，

所述第三连接条靠近第一连接条的端部与第一条连接，所述第四连接条靠近第一连接条的端部与第一连接条连接；

所述第一辅助条两端分别连接第一连接条与第二连接条；

所述第三连接条远离第一连接条的端部、所述第四连接条远离第一连接条的端部、所述第二连接条分别与引入线连接，所述引入线具有用于连接驱动单元的接入端。

可选的，所述辅助结构还包括：

多个沿行方向延伸并与所述第一辅助条交叉的第二辅助条；所述第二辅助条两端分别连接第三连接条与第四连接条。

可选的，所述引入线与第二电极线同层设置。

可选的，所述显示基板还包括：

多条沿列方向延伸并设于显示区中的信号线；至少部分所述第一辅助条与信号线叠置且绝缘。

可选的，所述显示基板还包括：

基底；所述信号线设于第一辅助条靠近基底一侧。

可选的，所述信号线包括：

所述第一电极线；

和/或，

初始化电压线。

可选的，每个所述子像素包括像素电路，每个所述像素电路包括多个晶体管；沿远离所述基底的方向，所述显示基板依次包括：

所述晶体管的有源层；

第一绝缘层；

栅线、所述晶体管的栅极；

第二绝缘层；

导电线；

第三绝缘层；

数据线、所述晶体管的源极、所述晶体管的漏极、所述信号线；

第四绝缘层；

所述第二电极线；

第五绝缘层；

所述第一电极；

像素界定层；

所述发光层；

所述第二电极层。

可选的，所述第五绝缘层延伸至边缘区且在边缘区且具有第一开口；

与所述第一电极同层设置的连接段通过所述第一开口在边缘区中与连接结构接触；

所述第二电极层在边缘区中与连接段接触，以使所述连接结构在边缘区中与第二电极层电连接。

可选的，所述发光器件为有机发光二极管。

可选的，所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。

附图说明

图1为相关技术的一种显示基板中第二电极线的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的一种显示基板中第二电极线的结构示意图；

图3为本实用新型实施例的一种显示基板中的像素电路的电路结构示意图；

图4为图3中像素电路对应的驱动时序图；

图5为本实用新型实施例的一种显示基板中部分结构的俯视结构示意图；

图6为本实用新型实施例的一种显示基板中部分结构的俯视结构示意图；

图7为本实用新型实施例的另一种显示基板中部分结构的俯视结构示意图；

图8为本实用新型实施例的一种显示基板中第二电极线在边缘区实现与第二电极层电连接的局部剖面结构示意图；

其中，附图标记为：1、第一电极；19、连接段；2、第二电极层；21、连接结构；211、第一连接条；212、第二连接条；213、第三连接条；214、第四连接条；22、辅助结构；221、第一辅助条；222、第二辅助条；29、引入线；71、第一导电线；72、第二导电线；91、显示区；92、边缘区；PLN2、第二平坦化层；PDL、像素界定层；Act、有源层；L、有机发光二极管；C、存储电容；T1、第一晶体管；T2、第二晶体管；T3、第三晶体管；T4、第四晶体管；T5、第五晶体管；T6、第六晶体管；T7、第七晶体管；T8、第八晶体管；T9、第九晶体管；VDD、第一电极线；VSS、第二电极线；Gate、栅线；Data、数据线；EM、控制线；Reset、复位线；Vref、参考电压线；Vint、初始化电压线。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

可以理解的是，此处描述的具体实施例和附图仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。

可以理解的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的各实施例及实施例中的各特征可相互组合。

可以理解的是，为便于描述，本实用新型的附图中仅示出了与本实用新型相关的部分，而与本实用新型无关的部分未在附图中示出。

名词解释

在本申请中，如无特殊说明，以下技术词语应按照下述的解释理解：

多个结构“同层设置”是指多个结构是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。

A位于B“远离/靠近基底一侧”是指A在层叠关系上，位于比B后形成/先形成的层中；但并不代表A与B在位置上必然是叠置的，也不代表在所有位置A、B与基底间的距离符合必然关系。

“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，构图工艺也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

参照图2至图8，本实用新型实施例提供一种显示基板，分为显示区91和边缘区92。

本实用新型实施例的显示基板用于显示装置中，其包括显示区91和边缘区92，显示区91是实际用于实现图像显示的区域，而边缘区92则位于显示区91外，用于设置边框、边缘引线、信号接入端(Pad)等。

显示区91内有多个子像素，每个子像素包括发光器件，发光器件包括叠置的第一电极1、发光层、第二电极；各子像素的第一电极1相互隔开，各子像素的第二电极连为一体并构成延伸至边缘区92中的第二电极层2。

可选的，发光器件为有机发光二极管L，第一电极1为有机发光二极管L的阳极，第二电极为有机发光二极管L的阴极。

显示区91内设有多个子像素，每个子像素中设有能发光的发光器件，从而各子像素可独立的显示。其中，发光器件由第一电极1、第二电极和夹在二者间的发光层构成，其具体可为有机发光二极管L(OLED)，即发光层可为有机发光层，而第一电极1可为)阳极(Anode)，第二电极可为阴极(Cathode。

当然，如果阴极、阳极与第一电极、第二电极的对应关系相反，也是可行的。

为保证各子像素能独立显示，故发光器件的两个电极中至少有一个应当是针对每个子像素的独立结构。具体的，为简化结构，各子像素的第一电极1(阳极)是相互独立的；而所有的第二电极可连成一个完整的层(第二电极层2)，并延伸至边缘区92中。

通常而言，为简化结构，所有子像素的发光器件的发光层也连接为一个完整的层。

本实用新型实施例的显示面板还包括：第二电极线VSS，包括同层设置的连接结构21和辅助结构22；其中，连接结构21位于边缘区92并在边缘区92中与第二电极层2电连接，辅助结构22位于显示区91且与连接结构21相连，辅助结构22与显示区91中的第二电极层2不相连。

参照图1，第二电极线VSS用于为各子像素的第二电极提供电源电压(如阴极电压)，而由于第二电极层2是一体且延伸至边缘区92中的，故在一些相关技术中，第二电极线VSS仅位于边缘区92中，并在边缘区92中与第二电极层2连接，以实现对第二电极层2(各子像素的第二电极)的供电。

但是，相关技术中心第二电极线VSS的电阻较大，会引起严重的电压降，并导致局部发热和各子像素功率的不均匀。

参照图2，本实用新型实施例中，第二电极线VSS包括连接结构21和辅助结构22两部分，其中连接结构21在边缘区92与第二电极层2电连接以将信号引入第二电极层2；而辅助结构22则位于显示区91中但不与显示区91中的第二电极层2连接。

从而，本实用新型实施例的方式降低了第二电极线VSS整体的电阻，使其电压降减少，消除局部发热，保证各子像素功率的均匀。

另外，通常第二电极线VSS与其它结构位于不同层中；故若第二电极线VSS的辅助结构22在显示区91中不与第二电极层2电连接，则没有必要在显示区91中的各绝缘层中增加过孔等。因此，相对于辅助阴极等其它相关技术，本实用新型实施例不需要对显示基板的结构和制备工艺进行大幅度的改变(只要改变第二电极线VSS的具体形状即可)，容易实现。

可选的，辅助结构22包括：多个沿列方向延伸的第一辅助条221。

参照图2，辅助结构22可包括多个沿列方向(图2中上下方向)延伸的第一辅助条221，当然，这些第一辅助条221均与连接结构21连接。

其中，本实用新型实施例中的“行方向、列方向”仅表示两个相互交叉的相对方向，例如是两个相互垂直的方向，而不代表它们与显示基板的形状、放置方式等有必然关系。

可选的，链接结构21包括沿列方向分别位于显示区91两侧外的第一连接条211和第二连接条212；沿行方向分别位于显示区91两侧外的第三连接条213和第四连接条214；其中，第三连接条213靠近第一连接条211的端部与第一条连接，第四连接条214靠近第一连接条211的端部与第一连接条211连接；第一辅助条221两端分别连接第一连接条211与第二连接条212；第三连接条213远离第一连接条211的端部、第四连接条214远离第一连接条211的端部、第二连接条212分别与引入线29连接，引入线29具有用于连接驱动单元的接入端。

参照图1，为增加与第二电极层2的接触面积，在一些相关技术中，第二电极线VSS可包括在显示区91三面围绕的“框”，且该“框”开口侧的两端(即图1中第二电极线VSS左右两侧的下端)连接引入线29，以进一步连接驱动芯片(Driver IC)等驱动单元(如通过柔性线路板连接)。其中，以上连接引入线29的位置为显示基板的“肩部”。

但是，根据以上相关技术，所有引入第二电极线VSS的电流都要经过以上“肩部”，从而该“肩部”处的电流过大，容易引起局部发热。

而参照图2，本实用新型实施例中，第二电极线VSS中增加了位于相关技术的开口处的第二连接条212，第二连接条212也通过引入线29连接驱动单元，同时，以上第一辅助条221连接在第二连接条212与第一连接条211之间。从而，第二电极线VSS中的总电流是通过多个位置分散引入的，每个位置的电流均不会很大，因此可更好的避免局部发热，且其整体电压分布更加均匀。

可选的，辅助结构22还包括：多个沿行方向延伸并与第一辅助条221交叉的第二辅助条222；第二辅助条222两端分别连接第三连接条213与第四连接条214。

参照图2，辅助结构22还可包括沿行方向(图2中左右方向)连接在第三连接条213与第四连接条214间的第二辅助条222，即第二电极线VSS整体上构成“网格状”，以进一步降低其电阻并使电压分布均匀。

可选的，引入线29与第二电极线VSS同层设置。

当然，为简化结构，以上用于连接驱动单元的引入线29可与第二电极线VSS(包括连接结构21、辅助结构22等)同层设置。

可选的，显示基板还包括：多条沿列方向延伸并设于显示区91中的信号线；至少部分第一辅助条221与信号线叠置且绝缘。

如前，以上第一辅助条221设于显示区91中，但在显示区91中不与其它结构电连接，且第一辅助条221可与显示区91中的其它信号线叠置(但要通过绝缘层隔开)。

由此，第一辅助条221不会占据更多的布图(Layout)面积，不会影响显示基板的分辨率，也不需要对显示基板的结构和制备工艺进行大幅度的改变(只要改变第二电极线VSS的具体形状即可)，容易实现。

可选的，显示基板还包括基底；信号线设于第一辅助条221靠近基底一侧。

其中，以上信号线可位于第一辅助条221下方。由此，信号线可屏蔽第一辅助条221产生的电场，避免第一辅助条221与其它结构(如第一电极1、存储电容C、像素电路中的关键节点等)间产生寄生电容而影响显示。

可选的，每个子像素包括像素电路，每个像素电路包括多个晶体管。

在每个子像素中，为了驱动发光器件(如有机发光二极管L)发光，通常还要设置相应的像素电路，像素电路可包括多个晶体管。

例如，参照图3，其中示出了一种相关技术中的像素电路，该像素电路为9T1C(9晶体管和1电容)的形式，其中发光器件为有机发光二极管L，且包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9、存储电容C；其中，所有晶体管均以P型晶体管为例。

另外，该像素电路的许多端口还与相应的引线连接，图3中每个端口处的附图标记代表该端口连接附图标记对应的引线；具体的，该像素电路应连接的引线可包括第一电极线VDD、第二电极线VSS、栅线Gate、数据线Data、控制线EM、复位线Reset、参考电压线Vref、初始化电压线Vint。

以上图3的像素电路的驱动时序则可参照图4，当采用该驱动时序时，在不同的阶段(t1、t2、t3)像素电路中N1和N2点的电压参照下表所示。

	t1(复位阶段)	t2(初始化阶段)	t3(发光阶段)
				N1	Vref	Data	Vref
N2	Vint	Vdd+Vth	Vdd+Vth+Vref-Data

其中，Vth表示第三晶体管T3的阈值电压。

其中，Vref、Vint、Data、Vdd、Data分别表示相应引线中的电压。

有机发光二极管L的发光亮度由流过其的电流I_OLED决定，该电流又由N2点电压和第一电极线VDD的电压差决定，从而可得：

I_OLED＝WC_OXμ/2L*(Vref-Data)²；

以上公式中，W、C_OX、μ、L均为固定值，故有机发光二极管L的亮度实际仅由Vref和Data控制，而不受Vth、VDD、VSS的影响，以满足显示亮度均一性(LRU)的要求(如>85％)。

当然，以上图3只是像素电路的一种具体形式，本实用新型实施例中以其为例进行说明，但可行的像素电路的结构和驱动时序是多样的，在此不再详细描述。

可选的，信号线包括：第一电极线VDD；和/或，初始化电压线Vint。

参照图5、图6，以上与第一辅助条221叠置的信号线可以是第一电极线VDD(其中第一晶体管T1、第二晶体管T2为双栅结构)。

第一电极线VDD通常是沿列方向设置的，且与第二电极线VSS位于不同层中，故用其作为信号线对显示基板原有结构的改变较小，容易实现。

同时，第一电极线VDD和第一辅助条221(第二电压线)中的信号通常都是定压的直流信号，没有变化，故它们叠置时内部电压均不会受到对方电压的跳变耦合的影响。

参照图7，以上与第二电极线VSS的第一辅助条221叠置的信号线可以是初始化电压线Vint(其中第一晶体管T1、第二晶体管T2为双栅结构)。

如前，初始化电压线Vint通常也是沿列方向设置的，且与第二电极线VSS位于不同层中。

同时，初始化电压线Vint和第一辅助条221(第二电极线VSS)中的信号通常都是定压的直流信号，没有变化，故它们叠置时内部电压均不会受到对方电压的跳变耦合的影响。

进一步的，初始化电压线Vint和第一辅助条221(第二电极线VSS)中的信号都是负压(如均在-2V～-4V)，故二者间的电压差较小，相应绝缘层被击穿的概率较小。

进一步的，参照图7，当初始化电压线Vint和第一辅助条221叠置时，第一电极线VDD还可与参考电压线Vref叠置且绝缘。

这样，一方面可使参考电压线Vref也不占用布图面积；另一方面，第一电极线VDD与参考电压线Vref中的信号均是直流正压(如均在3V～5V)，故二者叠置不会产生跳变耦合，且相应绝缘层被击穿的概率较小。

当然，应当理解，以上图3至图7所示的结构只是示例性的，本实用新型实施例的显示板的像素电路的结构、像素电路中各结构的具体位置、各引线的具体位置、各引线与子像素的具体连接方式、各结构的具体层叠关系、各子像素的具体颜色分布等，都可根据需要进行设置，在此不再详细描述。

可选的，沿远离基底的方向，显示基板依次包括：

晶体管的有源层Act；

第一绝缘层；

栅线Gate、晶体管的栅极；

第二绝缘层；

导电线；

第三绝缘层；

数据线Data、晶体管的源极、晶体管的漏极、信号线；

第四绝缘层；

第二电极线VSS；

第五绝缘层；

第一电极1；

像素界定层PDL；

发光层；

第二电极层2。

也就是说，本实用新型实施例的显示基板可采用相关技术中的五个金属层的结构，即其中金属的导电层共有五层。其中，第一电极线VDD和初始化电压线Vint位于第三金属层(即SD层)，而第二电极线VSS位于第四金属层(即SD2层)。这样，不需要对显示基板的结构和制备工艺进行大幅度的改变(只要改变第二电极线VSS的具体形状即可)，容易实现。

具体的，参照图5至图7，本实用新型实施例的显示基板的制备过程可包括以下步骤：

S101、在基底上形成缓冲层(Buffer)和阻挡层(Barrier)。

S102、通过构图工艺，在基底上形成各晶体管的有源层Act(如多晶硅半导体)。

S103、在基底上形成第一绝缘层，例如第一栅绝缘层(GI1)。

S104、通过构图工艺，在基底上形成第一金属层(GATE层)，其中可包括栅线Gate和各晶体管的栅极，另外，控制线EM、复位线Reset等也可在此时形成。

S105、在基底上形成第二绝缘层，如第二栅绝缘层(GI2)。

S106、通过构图工艺，在基底上形成第二金属层(GATE2层)，其中可包括导电线，导电线用于实现不同结构(如像素电路中的不同晶体管)之间的连接。

例如，导电线可包括将第一电极线VDD与第三晶体管T3的源极连接的第一导电线71(参照图5和图7)。

再如，当参考电压线Vref不与第一电极线VDD叠置时，则其也可在此时形成。

再如，当参考电压线Vref与第一电极线VDD叠置时，则导电线还可包括用于将参考电压线Vref与第五晶体管T5和第七晶体管T7的源极连接的第二导电线72(参照图7)。

S107、通过构图工艺，在基底上形成第三绝缘层，例如层间绝缘层(ILD)。

S108、通过构图工艺，在基底上形成第三金属层(SD层)，其中可包括数据线Data、第一电极线VDD、初始化电压线Vint、晶体管的源极、晶体管的漏极等。

S109、通过构图工艺，在基底上形成第四绝缘层，例如钝化层(PVX)和第一平坦化层(PLN1)。

S110、通过构图工艺，在基底上形成第四金属层(SD2层)，其中可包括第二电极线VSS。

当参考电压线Vref与第一电极线VDD叠置时，其也可在此时形成。

S111、通过构图工艺，在基底上形成第五绝缘层，例如第二平坦化层PLN2。

S112、通过构图工艺，在基底上形成各子像素的第一电极1(即第五金属层)，例如阳极，同时还可在边缘区92中形成连接段19(后续详细说明)。

S113、在基底上形成发光层，例如有机发光层。

S114、通过构图工艺，在基底上形成像素界定层PDL，同时还可形成隔垫物(PS)等。

S115、在基底上形成各子像素的第二电极层2，例如阴极层。

S116、继续形成封装层等其它结构，完整显示基板的制备。

可见们根据以上结构，本实用新型实施例的显示基板中只是第二电极线VSS的具体形状有变化，而其它结构、制备工艺均不变化，容易实现。

可选的，第五绝缘层延伸至边缘区92且在边缘区92且具有第一开口；与第一电极1同层设置的连接段19通过第一开口在边缘区92中与连接结构21接触；第二电极层2在边缘区92中与连接段19接触，以使连接结构21在边缘区92中与第二电极层2电连接。

如前，第二电极线VSS的连接结构21需要在边缘区92中与第二电极层2电连接，而该连接具体可通过参照图8的方式实现：

第五绝缘层(如第二平坦化层PLN2)延伸至边缘区92中，并具有第一开口将第二电极线VSS的连接结构21暴露；以上与第一电极1同层设置的连接段19则通过该第一开口连接第二电极线VSS的连接结构21；而第二电极层2又与连接段19连接(如通过像素界定层PDL中的第二开口连接)，从而实现第二电极层2在边缘区92中与第二电极线VSS的连接结构21电连接。

本实用新型实施例还提供一种显示装置，其包括上述的显示基板。

具体的，该显示装置可为有机发光二极管(OLED)显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种显示基板，分为显示区和边缘区；所述显示区内有多个子像素，每个所述子像素包括发光器件，所述发光器件包括叠置的第一电极、发光层、第二电极；各所述子像素的第一电极相互隔开，各所述子像素的第二电极连为一体并构成延伸至边缘区中的第二电极层；其特征在于，所述显示基板还包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助结构包括：

多个沿列方向延伸的第一辅助条。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述连接结构包括：

其中，

所述第一辅助条两端分别连接第一连接条与第二连接条；

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述辅助结构还包括：

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，

所述引入线与第二电极线同层设置。

6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括：

基底；所述信号线设于第一辅助条靠近基底一侧。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述信号线包括：

所述第一电极线；

和/或，

初始化电压线。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，每个所述子像素包括像素电路，每个所述像素电路包括多个晶体管；沿远离所述基底的方向，所述显示基板依次包括：

所述晶体管的有源层；

第一绝缘层；

栅线、所述晶体管的栅极；

第二绝缘层；

导电线；

第三绝缘层；

第四绝缘层；

所述第二电极线；

第五绝缘层；

所述第一电极；

像素界定层；

所述发光层；

所述第二电极层。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，

所述第五绝缘层延伸至边缘区且在边缘区且具有第一开口；

11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述发光器件为有机发光二极管。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，

所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。