CN211209689U - 一种零待机功耗一键开关机电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种零待机功耗一键开关机电路,包括PMOS晶体管Q1、NPN三极管Q2~Q5、电阻R1~R8、电容C1~C2、二极管D1~D2和开关K1;当轻触开关k1时,PMOS晶体管Q1导通,实现开机功能;长按开关K1时,PMOS晶体管Q1截止,实现关机功能。本实用新型实现零待机功耗一键开关机功能所使用的器件常见且简单、电路设计也简单、成本低,具有很好的推广和应用价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种零待机功耗一键开关机电路。
背景技术
开关机是电子设备的都具有的功能,市场上的许多电子设备采用的都是自锁开关,体型占用面积大。目前现在越来越多的便携式设备都往小型设备发展,自锁开关已经不能满足要求。而小型按键开关,占用面积小,方便使用。现有的大多数按键开关机电路都采用了专用的芯片和MCU来配合使用,不仅成本增加,而且待机功耗也高。因此,有必要提供一种待机功耗低,电路简单的一键开关机电路。
实用新型内容
为了解决上述问题,本申请提供了一种零待机功耗一键开关机电路,具体实现方式如下:
一种零待机功耗一键开关机电路,包括PMOS晶体管Q1、NPN三极管Q2~ Q5、电阻R1~R8、电容C1~C2、二极管D1~D2和开关K1;PMOS晶体管Q1源极为电压输入端VIN、漏极为电压输出端VOUT,PMOS晶体管Q1栅极一方面通过电阻R1与电压输入端VIN连接,另一方面通过电阻R2与NPN三极管Q2~ Q3集电极连接;电容C1一端与电压输出端VOUT连接,另一端接地;NPN三极管Q2基极与电阻R7一端连接,电阻R7另一端通过开关K1与电压输入端VIN 连接,NPN三极管Q3基极通过电阻R3与电压输出端VOUT连接;电阻R7另一端与电阻R6、电阻R5依次串联后与NPN三极管件Q4基极连接,NPN三极管Q4集电极与NPN三极管Q3基极连接;二极管D1负极与NPN三极管Q3集电极连接、二极管D1正极与电阻R4一端连接,二极管D2负极与电压输出端VOUT 连接,电阻R4另一端和二极管D2正极分别接入电阻R5和电阻R6之间,二极管D2正极通过电容C2接地;NPN三极管Q5基极通过电阻R8与电压输出端VOUT 连接、集电极与NPN三极管Q2基极连接;NPN三极管Q2~Q5发射极接地。
本实用新型带来的有益实施效果是:轻触开关K1后松开,开关机电路处于导通状态,实现开机功能。再次长按开关K1,开关机电路处于关闭状态,实现关机功能,利用简单的元器件实现零待机功耗一键开关机功能。此外,由于二极管D2、电阻R8和NPN三极管Q5的存在,电容C2上的电压通过二极管 D2导通NPN三极管Q5,NPN三极管Q5拉低了NPN三极管Q2基极的导通电压,防止在关机状态下NPN三极管Q2误导通,进一步强化了关机状态。本实用新型所使用的元器件常见、成本低、电路结构简单,具有很好的推广和应用价值。
附图说明
图1是本实用新型公开的一种零待机功耗一键开关机电路的电路图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图 1及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明:
一种零待机功耗一键开关机电路,包括PMOS晶体管Q1、NPN三极管Q2~ Q5、电阻R1~R8、电容C1~C2、二极管D1~D2和开关K1;PMOS晶体管Q1源极为电压输入端VIN、漏极为电压输出端VOUT,PMOS晶体管Q1栅极一方面通过电阻R1与电压输入端VIN连接,另一方面通过电阻R2与NPN三极管Q2~ Q3集电极连接;电容C1一端与电压输出端VOUT连接,另一端接地;NPN三极管Q2基极与电阻R7一端连接,电阻R7另一端通过开关K1与电压输入端VIN 连接,NPN三极管Q3基极通过电阻R3与电压输出端VOUT连接;电阻R7另一端与电阻R6、电阻R5依次串联后与NPN三极管件Q4基极连接,NPN三极管 Q4集电极与NPN三极管Q3基极连接;二极管D1负极与NPN三极管Q3集电极连接、二极管D1正极与电阻R4一端连接,二极管D2负极与电压输出端VOUT 连接,电阻R4另一端和二极管D2正极分别接入电阻R5和电阻R6之间,二极管D2正极通过电容C2接地;NPN三极管Q5基极通过电阻R8与电压输出端VOUT 连接、集电极与NPN三极管Q2基极连接;NPN三极管Q2~Q5发射极接地。
根据以上的具体电路,对本实用新型公开的一种零待机功耗一键开关机电路工作原理说明如下:
本实施例中,轻触开关K1,开关K1上的电压输入端VIN电压经过电阻R7 导通NPN三极管Q2,拉低了PMOS晶体管Q1栅极的电压,PMOS晶体管Q1导通,电压输入端VIN电压通过PMOS晶体管Q1流向电压输出端VOUT,并经过电容 C1滤波储存电压,电压输出端VOUT电压再通过电阻R3导通NPN三极管Q3,此时松开开关K1,NPN三极管Q2关闭,NPN三极管Q3代替NPN三极管Q2拉低PMOS晶体管Q1栅极的电压,PMOS晶体管Q1依然导通,实现了开机功能。由于电阻R8和NPN三极管Q5的存在,电压输出端VOUT会通过电阻R8导通 NPN三极管Q5,NPN三极管Q5拉低了NPN三极管Q2基极的导通电压,这样能为下次关机做好准备。再次长按开关K1两秒(也可以是其他时间,具体根据电路设计而定)后,开关K1上的电压输入端VIN电压经过R6向电容C2充电,电容C2上的电压通过电阻R5导通NPN三极管Q4,NPN三极管Q4拉低了NPN 三极管Q3基极的导通电压,NPN三极管Q3关闭,PMOS晶体管Q1栅极的电压升高,PMOS晶体管Q1关闭,此时实现了关机功能。由于二极管D2、电阻R8 和NPN三极管Q5的存在,电容C2上的电压通过二极管D2导通NPN三极管Q5, NPN三极管Q5拉低了NPN三极管Q2基极的导通电压,防止在关机状态下NPN 三极管Q2误导通,进一步强化了关机状态。电容C2上的电压在下次开机的时候,在导通NPN三极管Q2和NPN三极管Q3时,通过电阻R4和二极管D1进行放电。开关K1可以是轻触开关也可以是按键开关以及其他。本实用新型所使用的元器件常见、成本低、电路结构简单,具有很好的推广和应用价值。
上述实施例只是本实用新型的最佳实施方案,并不是唯一方案,并且不限于上述实施例,只要以其任何相同或相似手段达到本实用新型的技术效果,都应属于本实用新型的保护范围内。
Claims (1)
1.一种零待机功耗一键开关机电路,其特征在于:包括PMOS晶体管Q1、NPN三极管Q2~Q5、电阻R1~R8、电容C1~C2、二极管D1~D2和开关K1;
PMOS晶体管Q1源极为电压输入端VIN、漏极为电压输出端VOUT,PMOS晶体管Q1栅极一方面通过电阻R1与电压输入端VIN连接,另一方面通过电阻R2与NPN三极管Q2~Q3集电极连接;电容C1一端与电压输出端VOUT连接,另一端接地;
NPN三极管Q2基极与电阻R7一端连接,电阻R7另一端通过开关K1与电压输入端VIN连接,NPN三极管Q3基极通过电阻R3与电压输出端VOUT连接;电阻R7另一端与电阻R6、电阻R5依次串联后与NPN三极管件Q4基极连接,NPN三极管Q4集电极与NPN三极管Q3基极连接;二极管D1负极与NPN三极管Q3集电极连接、二极管D1正极与电阻R4一端连接,二极管D2负极与电压输出端VOUT连接,电阻R4另一端和二极管D2正极分别接入电阻R5和电阻R6之间,二极管D2正极通过电容C2接地;NPN三极管Q5基极通过电阻R8与电压输出端VOUT连接、集电极与NPN三极管Q2基极连接;NPN三极管Q2~Q5发射极接地。
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