CN204859144U - 一种自锁开关电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种自锁开关电路：包括按键开关电路、NPN三极管电路和P-MOS管电路；所述NPN三极管电路包括电容C1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，NPN型三极管Q1；所述电容C1并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻R1并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Q1的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地。本实用新型通过控制三极管和MOS管的通断，实现开关机状态的自锁控制，电路简单，成本低，性能可靠。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种自锁开关电路。
背景技术
在通常的电路中，按下开关，电路通电；松开开关，电路又断电了。为了保持电路工作稳定，需要按下开关，就能自动保持持续通电，直到按下其它开关使之断路为止；这样的电路，称为自锁电路。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述现有技术的不足，提供一种自锁开关电路。
本实用新型是通过以下技术方案实现的：
本实用新型提供一种自锁开关电路，包括按键开关、NPN三极管电路和P-MOS管电路；
所述NPN三极管电路包括电容C1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，NPN型三极管Q1；所述电容C1并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻R1并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Q1的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地；
所述P-MOS管电路包括电容C2，场效应管Q2，肖特基二极管D1；所述电容C2并联在输入电压Vbat和地GND之间；场效应管Q2的栅极1连接在NPN三极管Q1的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat，场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr；肖特基二极管D1串联在OFF信号和场效应管Q2的漏极3之间。
优选地，所述按键开关电路包括按键开关S1和电阻R4，按键开关S1连接在电源电压Vbat和OFF信号之间，电阻R4连接在OFF信号和地之间。
优选地，所述电容C1和电容C2为可调制电容。
优选地，所述NPN型三极管电路由ON信号、电阻R2和NPN三极管Q1到P-MOS管Q2依次连接；肖特基二极管D1与按键开关S1和P-MOS管Q2相连接。
本实用新型的工作原理为：
1.开机过程
关机状态下，按下开关S1，接通电源输入电压Vbat，通过肖特基二极管D1的一个很小的压降后将电源电压传递至输出电压Vpwr，输出电压Vpwr可通过DC-DC转换芯片转换或直接将Vpwr电压传递给主芯片，启动主芯片工作，整个过程在很短时间内完成。
主芯片发出高电平启动信号ON，通过电阻R1、电阻R2和电容C1组成的RC滤波电路后传递到NPN三极管的基极，控制三极管Q1导通。
三极管集电极输出电压至P-MOSFET管Q2的栅极，使P-MOSFET管Q2导通，输出电压Vpwr。此时肖特基二极管D1可对输出电源电压Vpwr和关闭信号OFF进行隔离，使整机保持开机状态。
开机时，接通按键开关S1时，给OFF信号同样输出了一个高电平信号，通过R4电阻对地进行放电，使OFF信号处于低电平。
2.关机过程
电路工作中，此时OFF信号为低电平，当再次按下按键开关S1时，接通电源电压Vbat和关闭信号OFF，通过OFF接口将高电平信号传递给主芯片。
主芯片接收到信号后，给信号ON一个低电平信号，三极管Q1停止工作无电平输出，导致P-MOS管停止工作，无电源电压输出，实现关机。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
(1)本实用新型通过控制三极管和MOS管的通断，实现开关机状态的自锁控制，电路简单，成本低，性能可靠。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
以下实例将对本实用新型作进一步说明。本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行，给出了详细的实施方式和过程。尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的技术人员应当理解，依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神，其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围中。
实施例
下面结合附图与具体实施例对本实用新型作进一步说明：如图1所示，
本实施例提供的一种自锁开关电路，包括按键开关、NPN三极管电路和P-MOS管电路；
所述NPN三极管电路包括电容C1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，NPN型三极管Q1；所述电容C1并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻R1并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Q1的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地；
所述P-MOS管电路包括电容C2，场效应管Q2，肖特基二极管D1；所述电容C2并联在输入电压Vbat和地GND之间；场效应管Q2的栅极1连接在NPN三极管Q1的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat，场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr；肖特基二极管D1串联在OFF信号和场效应管Q2的漏极3之间。
进一步地，所述按键开关电路包括按键开关S1和电阻R4，按键开关S1连接在电源电压Vbat和OFF信号之间，电阻R4连接在OFF信号和地之间。
进一步地，所述电容C1和电容C2为可调制电容。
进一步地，所述NPN型三极管电路由ON信号、电阻R2和NPN三极管Q1到P-MOS管Q2依次连接；肖特基二极管D1与按键开关S1和P-MOS管Q2相连接。
本实用新型的工作原理为：
1.开机过程
关机状态下，按下开关S1，接通电源输入电压Vbat，通过肖特基二极管D1的一个很小的压降后将电源电压传递至输出电压Vpwr，输出电压Vpwr可通过DC-DC转换芯片转换或直接将Vpwr电压传递给主芯片，启动主芯片工作，整个过程在很短时间内完成。
主芯片发出高电平启动信号ON，通过电阻R1、电阻R2和电容C1组成的RC滤波电路后传递到NPN三极管的基极，控制三极管Q1导通。
三极管集电极输出电压至P-MOSFET管Q2的栅极，使P-MOSFET管Q2导通，输出电压Vpwr。此时肖特基二极管D1可对输出电源电压Vpwr和关闭信号OFF进行隔离，使整机保持开机状态。
开机时，接通按键开关S1时，给OFF信号同样输出了一个高电平信号，通过R4电阻对地进行放电，使OFF信号处于低电平。
2.关机过程
电路工作中，此时OFF信号为低电平，当再次按下按键开关S1时，接通电源电压Vbat和关闭信号OFF，通过OFF接口将高电平信号传递给主芯片。
主芯片接收到信号后，给信号ON一个低电平信号，三极管Q1停止工作无电平输出，导致P-MOS管停止工作，无电源电压输出，实现关机。
综上所述：本实用新型通过控制三极管和MOS管的通断，实现开关机状态的自锁控制，电路简单，成本低，性能可靠。
以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本实用新型的实质内容，且原理易懂，结构简单，制造成本低，有一定的市场前景。
Claims (3)
1.一种自锁开关电路，其特征在于，包括按键开关电路、NPN三极管电路和P-MOS管电路；
所述NPN三极管电路包括电容C1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，NPN型三极管Q1；所述电容C1并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻R1并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Q1的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地；
所述P-MOS管电路包括电容C2，场效应管Q2，肖特基二极管D1；所述电容C2并联在输入电压Vbat和地GND之间；场效应管Q2的栅极1连接在NPN三极管Q1的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat，场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr；肖特基二极管D1串联在OFF信号和场效应管Q2的漏极3之间；
所述按键开关电路包括按键开关S1和电阻R4，按键开关S1连接在电源电压Vbat和OFF信号之间，电阻R4连接在OFF信号和地之间。
2.如权利要求1所述的自锁开关电路，其特征在于，所述电容C1和电容C2均为可调制电容。
3.如权利要求1所述的自锁开关电路，其特征在于，所述NPN型三极管电路由ON信号、电阻R2和NPN三极管Q1到P-MOS管Q2依次连接；肖特基二极管D1与按键开关S1和P-MOS管Q2相连接。
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|---|---|---|---|
| CN201520572240.9U CN204859144U (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种自锁开关电路 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN204859144U true CN204859144U (zh) | 2015-12-09 |
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| CN201520572240.9U Expired - Fee Related CN204859144U (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种自锁开关电路 |
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| CN (1) | CN204859144U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107425835A (zh) * | 2016-05-23 | 2017-12-01 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种开关机电路 |
| CN109586699A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-05 | 武汉盛硕电子有限公司 | 一种自锁电路、控制方法 |
| CN109687856A (zh) * | 2018-12-22 | 2019-04-26 | 深圳市日升质电子科技有限公司 | 一种应用于移动储能电池低功耗按键线路的自锁系统 |
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2015
- 2015-07-29 CN CN201520572240.9U patent/CN204859144U/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107425835A (zh) * | 2016-05-23 | 2017-12-01 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种开关机电路 |
| CN107425835B (zh) * | 2016-05-23 | 2023-01-17 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种开关机电路 |
| CN109687856A (zh) * | 2018-12-22 | 2019-04-26 | 深圳市日升质电子科技有限公司 | 一种应用于移动储能电池低功耗按键线路的自锁系统 |
| CN109687856B (zh) * | 2018-12-22 | 2020-01-14 | 深圳市日升质电子科技有限公司 | 一种应用于移动储能电池低功耗按键线路的自锁系统 |
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