CN211125631U - 一种三路反并联可控硅模块 - Google Patents
一种三路反并联可控硅模块 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种三路反并联可控硅模块，包括底座，所述底座中部开设有内腔，所述底座的内腔安装有3组可控硅，3组可控硅采用反并联一体式封装，所述底座顶部安装有上盖，所述上盖中部共设置有3个GK电极，所述GK电极采用快速插接端子，所述上盖位于快速插接端子外侧固定有主电极。本实用新型，底座采用铜底板结构，散热性能好，安装强度高；主电极采用铜电极，过流能力强；GK电极采用标准接插件，安装方便；产品整体外形设计新颖，机械强度高，体积小，安装方便，可靠性高。
Description
技术领域
本实用新型涉及可控硅模块技术领域，具体是一种三路反并联可控硅模块。
背景技术
可控硅模块目前多用于可控整流桥，电力调整器，电机软启动等领域。而可控硅模块在用于电力调整器，电机软起动器等领域时一般都需要三路反并联可控硅线路来使用。用现有标准封装的可控硅模块时往往需要使用三个模块，安装工序复杂，且批次间产品存在参数差异，容易造成不良。由此有国外厂商推出无铜底板的三组合反并联可控硅模块，但此模块引脚都为焊接式，客户使用时装配不方便，其通过PCB板连接过流能力差，无铜底板的封装装配机械强度低客户使用经常出问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种三路反并联可控硅模块，以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种三路反并联可控硅模块，包括底座，所述底座中部开设有内腔，所述底座的内腔安装有3组可控硅，3组可控硅采用反并联一体式封装，所述底座顶部安装有上盖，所述上盖中部共设置有3个GK电极，所述GK电极采用快速插接端子，所述上盖位于快速插接端子外侧固定有主电极。
优选的，所述底座采用铜底板结构。
优选的，所述上盖位于快速插接端子两侧均设置有3个主电极，所述主电极采用铜电极。
优选的，所述上盖上设置有用于安装主电极的螺纹孔。
优选的，所述上盖上设置有散热孔，所述散热孔共设置有两个。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：底座采用铜底板结构，散热性能好，安装强度高；主电极采用铜电极，过流能力强；GK电极采用标准接插件，安装方便；产品整体外形设计新颖，机械强度高，体积小，安装方便，可靠性高。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的内部原理意图。
图中：1、底座；2、主电极；3、GK电极；4、上盖。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型实施例中，一种三路反并联可控硅模块，包括底座1，所述底座1中部开设有内腔，所述底座1的内腔安装有3组可控硅，3组可控硅采用反并联一体式封装，所述底座1顶部安装有上盖4，所述上盖4中部共设置有3个GK电极3，所述GK电极3采用快速插接端子，所述上盖4位于快速插接端子外侧固定有主电极2，所述底座1采用铜底板结构，所述上盖4位于快速插接端子两侧均设置有3个主电极2，所述主电极2采用铜电极，所述上盖4上设置有用于安装主电极2的螺纹孔，所述上盖4上设置有散热孔，所述散热孔共设置有两个；底座1采用铜底板结构，散热性能好，安装强度高；主电极2采用铜电极，过流能力强；GK电极3采用标准接插件，安装方便；产品整体外形设计新颖，机械强度高，体积小，安装方便，可靠性高。
本实用新型的工作原理是：底座1采用铜底板结构，散热性能好，安装强度高；主电极2采用铜电极，过流能力强；GK电极3采用标准接插件，安装方便；产品整体外形设计新颖，机械强度高，体积小，安装方便，可靠性高。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种三路反并联可控硅模块，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）中部开设有内腔，所述底座（1）的内腔安装有3组可控硅，3组可控硅采用反并联一体式封装，所述底座（1）顶部安装有上盖（4），所述上盖（4）中部共设置有3个GK电极（3），所述GK电极（3）采用快速插接端子，所述上盖（4）位于快速插接端子外侧固定有主电极（2）。
2.根据权利要求1所述的一种三路反并联可控硅模块，其特征在于：所述底座（1）采用铜底板结构。
3.根据权利要求1所述的一种三路反并联可控硅模块，其特征在于：所述上盖（4）位于快速插接端子两侧均设置有3个主电极（2），所述主电极（2）采用铜电极。
4.根据权利要求1所述的一种三路反并联可控硅模块，其特征在于：所述上盖（4）上设置有用于安装主电极（2）的螺纹孔。
5.根据权利要求1所述的一种三路反并联可控硅模块，其特征在于：所述上盖（4）上设置有散热孔，所述散热孔共设置有两个。
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Publications (1)
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2019
- 2019-12-29 CN CN201922416834.1U patent/CN211125631U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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Granted publication date: 20200728 Termination date: 20211229 |
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