CN211081601U - 中子辐射防护门 - Google Patents

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CN211081601U CN201921878745.2U CN201921878745U CN211081601U CN 211081601 U CN211081601 U CN 211081601U CN 201921878745 U CN201921878745 U CN 201921878745U CN 211081601 U CN211081601 U CN 211081601U
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奚昂涛
黄瑞铭
邱育珊
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Foshan Naxifu Technology Co ltd
Guangdong Zhongke Range Of Radiation Protection Technology Co ltd
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Foshan Naxifu Technology Co ltd
Guangdong Zhongke Range Of Radiation Protection Technology Co ltd
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Abstract

中子辐射防护门,涉及辐射防护技术领域,其包括第一门板、第二门板,第一门板与第二门板拼合构成门体,第一门板与第二门板拼合为关门状态,第一门板与第二门板分离为开门状态,第一门板的拼合接面与第二门板的拼合接面为相互配合的曲面,在关门状态,第一门板与第二门板之间的接缝是弯折的,以使辐射的中子无法沿所述接缝直线穿透所述门体。辐射的中子即使进入所述接缝,因为它只会直线行进,所以也会撞击到门体,最后被门体吸收,从而避免出现中子辐射泄漏。

Description

中子辐射防护门
技术领域
本实用新型涉及辐射防护技术领域。
背景技术
在进行一些涉及核技术和中子散射的试验或作业时,会产生中子辐射,因此需要在试验或作业场所做好辐射防护。门是人员、设备、材料等出入试验或作业场所的必不可少的设施。在门上也必须做好辐射防护,现有的辐射防护门,关注的重点是门体的材料、尺寸等,单开门的门体结构不会有太大问题,但双开门的门体结构,因为两个门板拼合具有接缝,传统的双开门的门板的拼合面是平整的,两个门板拼合后的接缝是平面,这样辐射的中子就可能从上述接缝处直线穿透门体,出现中子辐射泄漏。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种中子辐射防护门,其可避免出现中子辐射泄漏。
为实现上述目的,提供以下技术方案。
中子辐射防护门,包括第一门板、第二门板,第一门板与第二门板拼合构成门体,第一门板与第二门板拼合为关门状态,第一门板与第二门板分离为开门状态,第一门板的拼合接面与第二门板的拼合接面为相互配合的曲面,在关门状态,第一门板与第二门板之间的接缝是弯折的,以使辐射的中子无法沿所述接缝直线穿透所述门体。
第一门板与第二门板两个门板的拼合接面是曲面的,而非平面,从而在关门状态下,第一门板与第二门板之间的接缝是弯折的,使得辐射的中子无法沿第一门板与第二门板之间的接缝直线穿透所述门体,辐射的中子即使进入所述接缝,因为它只会直线行进,所以也会撞击到门体,最后被门体吸收,从而避免出现中子辐射泄漏。
其中,所述拼合接面为由至少两个相互不平行的平面拼接形成的弯折的曲面。平面相对于弧面类的曲面加工难度更小,精度也可以做到更高。
其中,第一门板设有挡板,在关门状态,所述挡板位于所述门体外侧的所述接缝处以遮挡所述接缝。设置挡板作为冗余措施,即使万一有辐射的中子从两个门板的接缝处射出,也会被挡板阻挡。
其中,所述门体包括壳体层和吸收内层,在垂直所述门体的方向上,所述门体的层级结构依次为壳体层、吸收内层、壳体层。设置吸收内层,填充容易俘获中子的材料加强中子的吸收,这样能让门体做得更轻薄也能达到辐射防护的效果。
其中,壳体层由金属材料制成,吸收内层由含硼的聚乙烯材料制成。含硼的聚乙烯材料容易俘获中子,加强中子的吸收,这样的屏蔽材料及足够厚的门体可以达到更好的辐射防护效果。
附图说明
图1为本实用新型的中子辐射防护门的门体的正面视图;
图2为图1中A-A截面的结构示意图;
图3为图2的开门状态下的结构示意图。
附图标记包括:
门体1,第一门板11,第一门板的拼合接面111,挡板112;第二门板12,第二门板的拼合接面121;壳体层21,吸收内层22;第一门板与第二门板之间的接缝3。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本实用新型作详细说明。
如图1所示,本实施例的中子辐射防护门为双开门的结构,包括第一门板11、第二门板12,第一门板11和第二门板12拼合构成门体1,第一门板11与第二门板12拼合为关门状态,第一门板11与第二门板12分离为开门状态。如图3所示,第一门板11的拼合接面111、第二门板12的拼合接面121是相互配合的曲面,优选为,拼合接面111、121为由至少两个相互不平行的平面拼接形成的弯折的曲面,因此,结合图2,在关门状态,第一门板11与第二门板12之间的接缝3是弯折的,如此,在关门状态,辐射的中子无法沿第一门板11与第二门板12之间的接缝3直线穿透门体1,辐射的中子即使进入接缝3,因为它只会直线行进,所以也会撞击到足够厚的门体1,最后被门体1吸收,从而避免出现中子辐射泄漏。
如图1-3所示,第一门板11设有挡板112,挡板112设在门体1外侧,位于第一门板11的拼合接面111旁边,在关门状态,挡板112覆盖第一门板11与第二门板12的接缝3,这样即使万一有辐射的中子从接缝3处射出,也会被挡板112阻挡。
如图3所示,第一门板11和第二门板12均包括壳体层21和吸收内层22,第一门板11与第二门板12拼合后,如图2所示,形成的门体1在垂直门体1的方向上的层级结构依次为壳体层21、吸收内层22、壳体层21。壳体层21可由金属材料制成,例如钢板,吸收内层22可由含硼的聚乙烯材料制成。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对本实用新型保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。

Claims (5)

1.中子辐射防护门,其特征是,包括第一门板、第二门板,第一门板与第二门板拼合构成门体,第一门板与第二门板拼合为关门状态,第一门板与第二门板分离为开门状态,第一门板的拼合接面与第二门板的拼合接面为相互配合的曲面,在关门状态,第一门板与第二门板之间的接缝是弯折的,以使辐射的中子无法沿所述接缝直线穿透所述门体。
2.如权利要求1所述的中子辐射防护门,其特征是,所述拼合接面为由至少两个相互不平行的平面拼接形成的弯折的曲面。
3.如权利要求1所述的中子辐射防护门,其特征是,第一门板设有挡板,在关门状态,所述挡板位于所述门体外侧的所述接缝处以遮挡所述接缝。
4.如权利要求1所述的中子辐射防护门,其特征是,所述门体包括壳体层和吸收内层,在垂直所述门体的方向上,所述门体的层级结构依次为壳体层、吸收内层、壳体层。
5.如权利要求4所述的中子辐射防护门,其特征是,壳体层由金属材料制成,吸收内层由含硼的聚乙烯材料制成。
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