CN212406519U - 中子辐射屏蔽门 - Google Patents
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Abstract
中子辐射屏蔽门，涉及中子辐射屏蔽技术领域，其包括门体，门体包括屏蔽外层和用于吸收中子的吸收内层，门体可分为至少两个门板，各个门板拼合时为关门状态，相邻的两个门板的拼合接面为相互配合的曲面，每个门板的外拼合接面是弯折的曲面，在关门状态，相邻的两个门板的外拼合接面拼合形成的外拼合接缝是弯折的，沿门体内部至外部的方向，外拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于外屏蔽外层的厚度，所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层的平直的接缝向门体外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体外部的方向，外拼合接面为拼合接面在外屏蔽外层的部分，外屏蔽外层为靠近所述屏蔽门的门外的一层屏蔽外层。
Description
技术领域
本实用新型涉及中子辐射屏蔽技术领域。
背景技术
在进行一些涉及核技术和中子散射的试验或作业时，会产生中子辐射，因此需要在试验或作业场所做好辐射防护。门是人员、设备、材料等出入试验或作业场所的必不可少的设施，在门上也必须做好辐射防护，中子辐射屏蔽门通常包括门体，门体包括屏蔽外层和用于吸收中子的吸收内层，在关门状态，屏蔽外层具有内腔，吸收内层设在所述内腔。吸收内腔一般由含硼材料制成，例如含硼聚乙烯，屏蔽外层一般有金属材料制成。工作原理为，中子从门体内侧穿透屏蔽外层到达吸收内层，吸收内层吸收中子，同时释放出伽马射线，屏蔽外层屏蔽伽马射线。
部分中子辐射屏蔽门是由至少两个门板拼合的，各个门板拼合时为关门状态，门板之间拼合会产生接缝。现有的屏蔽门，门板之间的接缝在屏蔽外层的部分是平直的，这样吸收内层产生的伽马射线就可能沿接缝泄漏到屏蔽门外。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种中子辐射屏蔽门，能够避免伽马射线从门板之间的接缝泄漏到屏蔽门外。
为实现上述目的，本实用新型提供以下技术方案。
1.中子辐射屏蔽门，包括门体，门体包括屏蔽外层和用于吸收中子的吸收内层，在关门状态，屏蔽外层具有内腔，吸收内层设在所述内腔，门体可分为至少两个门板，各个门板拼合时为关门状态，相邻的两个门板的拼合接面为相互配合的曲面，每个门板的外拼合接面是弯折的曲面，在关门状态，相邻的两个门板的外拼合接面拼合形成的外拼合接缝是弯折的，沿门体内部至外部的方向，外拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于外屏蔽外层的厚度，
所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层的平直的接缝向门体外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体外部的方向，
外拼合接面为拼合接面在外屏蔽外层的部分，外屏蔽外层为靠近所述屏蔽门的门外的一层屏蔽外层。
本实用新型的中子辐射屏蔽门，靠门体外部方向的外屏蔽外层的外拼合接面是弯折的曲面，因此外拼合接缝也是弯折的，伽马射线是沿直线传播的，吸收内层吸收中子产生的部分伽马射线，刚好射入外拼合接缝，由于在沿门体内部至外部的方向，外拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于外屏蔽外层的厚度，从吸收内层射入外拼合接缝的伽马射线，在第一个弯折处继续直线传播，穿入屏蔽外层，这时沿伽马射线行进路线穿透屏蔽外层的距离不小于外屏蔽外层的厚度，使得对这部分伽马射线的有效屏蔽距离不小于无接缝处的有效屏蔽距离(外屏蔽外层的厚度已设计为符合屏蔽体系要求)，满足等强度屏蔽，从而避免伽马射线从门板之间的接缝泄漏到屏蔽门外。不需要再门体外侧对接缝加设挡板，也不需要增加门体的整体厚度。
2.如技术方案1所述的中子辐射屏蔽门，在关门状态，相邻的两个门板的内拼合接面拼合形成的内拼合接缝是弯折的，沿门体内部至外部的方向，内拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于内屏蔽外层的厚度，
所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层的平直的接缝向门体外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体外部的方向，
内拼合接面为拼合接面在内屏蔽外层的部分，内屏蔽外层为靠近所述屏蔽门的门内的一层屏蔽外层。
同理，这样伽马射线也不能泄漏到屏蔽门内，也就是不能泄漏到产生中子辐射的室内。
3.如技术方案1或2所述的中子辐射屏蔽门，拼合接面在屏蔽外层的部分由至少2个不平行的平面组成。
4.如技术方案1或2所述的中子辐射屏蔽门，拼合接面在屏蔽外层的部分包括至少一个弧面。
5.如技术方案1所述的中子辐射屏蔽门，屏蔽外层由金属材料制成，吸收内层有含硼的材料制成。
附图说明
图1为本实用新型的中子辐射屏蔽门的门体在关门状态的结构示意图；
图2为实施例1的中子辐射屏蔽门的门体沿图1中A-A处的剖面结构示意图；
图3为图2的开门状态的结构示意图；
图4为实施例2的中子辐射屏蔽门的门体沿图1中A-A处的剖面结构示意图。
附图标记包括：
门体1，门板11，外拼合接面111，内拼合接面112；
屏蔽外层2，外屏蔽外层21，内屏蔽外层22；
吸收内层3；
拼合接缝4，外拼合接缝41、41a，内拼合接缝42。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本实用新型创造作详细说明。
如图1所示，本实用新型的中子辐射屏蔽门，包括门体1，门体1可分为至少两个门板11，这里以两个门板11为例。各个门板11拼合时为关门状态。结合图2-图4，门体1包括屏蔽外层2和吸收内层3，在关门状态，屏蔽外层 2具有内腔，吸收内层3填充在所述内腔。吸收内层3由含硼材料制成，例如含硼聚乙烯，屏蔽外层2由金属材料制成，例如钢板。结合图3，相邻的两个门板11的拼合接面是相互配合的弯折的曲面，在关门状态，相邻的两个门板11之间具有拼合接缝4。
外拼合接面111为拼合接面在外屏蔽外层21的部分，外屏蔽外层21为靠近所述屏蔽门的门外的一层屏蔽外层2。结合图2-图4，每个门板11的外拼合接面111是弯折的曲面，在关门状态，相邻的两个门板11的外拼合接面111 拼合形成的外拼合接缝41是弯折的，沿门体1内部至外部的方向，外拼合接缝41在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层2的距离L1不小于外屏蔽外层21的厚度H1。所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层3的平直的接缝向门体1外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体1外部的方向。
进一步地，在关门状态，相邻的两个门板11的内拼合接面112拼合形成的内拼合接缝42是弯折的，沿门体1内部至外部的方向，内拼合接缝42在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层2的距离L2不小于内屏蔽外层22的厚度H2。所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层3的平直的接缝向门体1外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体1外部的方向。内拼合接面112为拼合接面在内屏蔽外层22的部分，内屏蔽外层22为靠近所述屏蔽门的门内的一层屏蔽外层2。
门板11的拼合接面可以有不同的形状，由此在关门状态产生相应的不同形状的拼合接缝4，下面提供3种实施例分别说明，均以沿图1中A-A处的剖面结构示意图来说明。
实施例1
结合图2及图3，本实施例中，每个门板11的外拼合接面111由两个不平行的平面拼接而成，每个门板11的内拼合接面112也由两个不平行的平面拼接而成，相邻的两个门板11之间的接缝呈“W”状。外拼合接缝41有一个弯折，该弯折也是沿门体1内部至外部的方向的第一个弯折，伽马射线从吸收内层3射入外拼合接缝41后，在该弯折处穿入外屏蔽外层21，沿外拼合接缝41a向门体1外部的延伸方向行进，伽马射线穿入外屏蔽外层21后的行进路线如图2中的虚线a所示，虚线a的长度L1即为伽马射线穿透屏蔽外层2 的距离(如果可以穿透的话)，因为L1≥H1，H1为外屏蔽外层21的厚度，所以沿路径行进的伽马射线无法穿透屏蔽外层2，从而被屏蔽。L1也称为有效屏蔽距离，因为虚线a是倾斜的，因此L1肯定大于H1。
以上，可确保伽马射线不泄漏到门体1外部，即室外。进一步地，内屏蔽外层22也可以采用类似的结构，从而防止伽马射线泄漏到室内。参照图2，伽马射线从吸收内层3射入内拼合接缝42后，在弯折处穿入内屏蔽外层22，并沿虚线b的路径在内屏蔽外层22穿行，在行进过程中不断减弱辐射量，直至消除。虚线b的长度L2即为伽马射线穿透屏蔽外层2的距离(如果可以穿透的话)，因为L2≥H2，H2为内屏蔽外层22的厚度，所以沿路径行进的伽马射线无法穿透屏蔽外层2，从而被屏蔽。L2也称为有效屏蔽距离，因为虚线b是倾斜的，因此L2肯定大于H2。
实施例2
如图4所示，本实施例中，相邻两个门板11之间的外拼合接缝41、内拼合接缝42均为圆弧面，圆弧面的好处是处处是弯折，具有无数个弯折点，一处弯折点漏了，还有无数个弯折点补漏，非圆弧的弧面也同理。从吸收内层3 到外拼合接缝41的入口即为第一个弯折处，伽马射线在该处即沿该处的切面 (虚线a所示位置)穿入外屏蔽外层21，并沿虚线a行进，因为虚线a是斜的，因此其长度L1肯定大于外屏蔽外层21的厚度H1，有效屏蔽长度达标。
内屏蔽外层22处的内拼合接缝42的结构设计原理同理，从吸收内层3 到内拼合接缝42的入口即为第一个弯折处，伽马射线在该处即沿该处的切面 (虚线b所示位置)穿入内屏蔽外层22，并沿虚线b行进，因为虚线b是斜的，因此其长度L2肯定大于外屏蔽外层21的厚度H2，内屏蔽外层22的厚度H2符合屏蔽体系要求，有效屏蔽长度达标，满足等强度屏蔽。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型创造的技术方案，而非对本实用新型创造保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型创造作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型创造的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型创造技术方案的实质和范围。
Claims (5)
1.中子辐射屏蔽门，包括门体，门体包括屏蔽外层和用于吸收中子的吸收内层，在关门状态，屏蔽外层具有内腔，吸收内层设在所述内腔，门体可分为至少两个门板，各个门板拼合时为关门状态，相邻的两个门板的拼合接面为相互配合的曲面，其特征是，每个门板的外拼合接面是弯折的曲面，在关门状态，相邻的两个门板的外拼合接面拼合形成的外拼合接缝是弯折的，沿门体内部至外部的方向，外拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于外屏蔽外层的厚度，
所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层的平直的接缝向门体外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体外部的方向，
外拼合接面为拼合接面在外屏蔽外层的部分，外屏蔽外层为靠近所述屏蔽门的门外的一层屏蔽外层。
2.如权利要求1所述的中子辐射屏蔽门，其特征是，在关门状态，相邻的两个门板的内拼合接面拼合形成的内拼合接缝是弯折的，沿门体内部至外部的方向，内拼合接缝在第一个弯折处延伸穿透屏蔽外层的距离不小于内屏蔽外层的厚度，
所述延伸穿透的方向为该弯折处靠近吸收内层的平直的接缝向门体外部的延伸方向或该弯折处的切面的向门体外部的方向，
内拼合接面为拼合接面在内屏蔽外层的部分，内屏蔽外层为靠近所述屏蔽门的门内的一层屏蔽外层。
3.如权利要求1或2所述的中子辐射屏蔽门，其特征是，拼合接面在屏蔽外层的部分由至少2个不平行的平面组成。
4.如权利要求1或2所述的中子辐射屏蔽门，其特征是，拼合接面在屏蔽外层的部分包括至少一个弧面。
5.如权利要求1所述的中子辐射屏蔽门，其特征是，屏蔽外层由金属材料制成，吸收内层有含硼的材料制成。
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| CN212406519U true CN212406519U (zh) | 2021-01-26 |
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2020
- 2020-06-28 CN CN202021221865.8U patent/CN212406519U/zh active Active
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