CN211063593U - 一种可控硅驱动电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例涉及可控硅驱动领域，提供了一种可控硅驱动电路及电子设备。可控硅驱动电路与感性负载电连接，包括：可控硅，可控硅的阳极和可控硅的阴极电连接在外部交流电源为感性负载提供电源的电流回路上，当可控硅处于导通状态时，外部交流电源通过可控硅为感性负载提供电源；检测电路，用于检测电流回路的电流；控制电路，分别与可控硅的控制极和检测电路电连接；尖峰吸收电路，电连接在外部交流电源为感性负载提供电源的电流回路上，用于滤除电流的纹波信号，当滤除纹波信号后的电流大于第一预设电流阈值时，以使控制电路有效控制可控硅工作在关断状态。本实用新型实施例提升了可控硅驱动电路的安全性和可靠性。

Description

一种可控硅驱动电路及电子设备

【技术领域】

本实用新型实施例涉及可控硅驱动领域，尤其涉及一种可控硅驱动电路及电子设备。

【背景技术】

现有的可控硅驱动电路包括可控硅、检测电路以及控制电路，一般用于驱动阻性负载。若采用可控硅驱动电路用于驱动感性负载，感性负载在启动瞬间或异常情况下，电流增大至正常工作时的好几倍，控制电路根据检测电路检测的电流，控制可控硅工作在关断状态，以切断可控硅驱动电路为感性负载提供电源的电流回路，保护电路中的元器件不被烧坏。但是，可控硅容易受到感性负载大电流的干扰，使得可控硅不受控制电路的控制，无法工作在关断状态，可能导致电路中的元器件被烧坏。

【实用新型内容】

本实用新型实施例旨在提供一种安全可靠的可控硅驱动电路及电子设备。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供以下技术方案：

本实用新型实施例提供了一种可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路与感性负载电连接，所述可控硅驱动电路包括：

可控硅，所述可控硅的阳极和所述可控硅的阴极电连接在外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路上，当所述可控硅处于导通状态时，所述外部交流电源通过所述可控硅为所述感性负载提供电源；

检测电路，电连接在所述外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路上，用于检测所述电流回路的电流；

控制电路，分别与所述可控硅的控制极和所述检测电路电连接；

尖峰吸收电路，电连接在所述外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路上，用于滤除所述电流的纹波信号，当滤除纹波信号后的所述电流大于第一预设电流阈值时，以使所述控制电路有效控制所述可控硅工作在关断状态。

可选地，所述外部交流电源包括第一交流线和第二交流线；

所述尖峰吸收电路包括第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管电连接在所述第一交流线上，所述第一二极管的阴极与所述第一交流线的接线端连接，所述第一二极管的阳极与所述感性负载连接；

所述第二二极管与所述第一二极管反向并联。

可选地，所述检测电路包括第一电阻，所述第一电阻电连接在所述第二交流线上，所述第一电阻的一端与外部直流电源和所述第二交流线的接线端连接，所述第一电阻的另一端与所述可控硅的阴极和所述控制电路连接。

可选地，所述控制电路包括控制器和开关电路；

所述控制器与所述检测电路和所述开关电路电连接，用于根据滤除纹波信号后的所述电流，控制所述开关电路工作在导通状态或关断状态；

所述开关电路还与所述可控硅的控制极电连接，当所述开关电路工作在导通状态时，所述可控硅工作在导通状态，当所述开关电路工作在关断状态时，所述可控硅工作在关断状态。

可选地，所述控制器包括AD采样引脚和IO输出引脚，所述开关电路包括NPN三极管和第二电阻；

所述AD采样引脚与所述第一电阻的另一端和所述可控硅的阴极连接，所述IO输出引脚与所述NPN三极管的基极连接；所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的集电极与所述第二电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端与所述可控硅的控制极连接。

可选地，所述开关电路还包括电容；

所述电容的一端与所述AD采样引脚、所述第一电阻的另一端以及所述可控硅的阴极连接，所述电容的另一端与所述第二电阻的另一端和所述可控硅的控制极连接。

可选地，所述可控硅驱动电路还包括：

滤波电路，分别与所述外部交流电源、所述可控硅以及所述尖峰吸收电路电连接，用于抑制电磁干扰；

整流电路，所述整流电路的第一交流输入端与所述尖峰吸收电路电连接，所述整流电路的第二交流输入端与所述滤波电路电连接，所述整流电路的第一直流输出端和第二直流输出端分别与所述感性负载的正、负极电连接，用于控制所述感性负载的转动方向。

可选地，所述可控硅驱动电路还包括安规电路，所述安规电路电连接于所述整流电路的第一直流输出端和所述整流电路的第二直流输出端之间，且还与所述感性负载连接，用于滤除共模干扰。

可选地，所述可控硅驱动电路还包括保护电路，所述保护电路电连接于所述尖峰吸收电路和所述整流电路的第一交流输入端之间，用于当所述电流大于第二预设电流阈值时，切断所述外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路。

本实用新型实施例还提供了一种电子设备，包括：

感性负载；

如上任一项所述的可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路与所述感性负载连接，用于驱动所述感性负载工作。

本实用新型的有益效果是：与现有技术相比较，本实用新型实施例提供了一种可控硅驱动电路及电子设备。通过尖峰吸收电路滤除电流的纹波信号，当滤除纹波信号后的电流大于第一预设电流阈值时，以使控制电路有效控制可控硅工作在关断状态。因此，本实用新型实施例避免了可控硅容易受到感性负载大电流的干扰，导致可控硅不受控制电路的控制，无法工作在关断状态的问题，从而提升了控制电路对可控硅控制的可靠性，进而保护电路中的元器件不被烧坏，提升了可控硅驱动电路的安全性。

【附图说明】

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本实用新型实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的其中一种可控硅驱动电路的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种控制电路的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的其中一种可控硅驱动电路的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种可控硅驱动电路的电路连接示意图。

【具体实施方式】

为了便于理解本申请，下面结合附图和具体实施方式，对本申请进行更详细的说明。需要说明的是，当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本实用新型。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，下面所描述的本申请不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

请参阅图1，为本实用新型实施例提供的一种电子设备的结构示意图。如图1所示，所述电子设备300包括如下任一实施例所述的可控硅驱动电路100和感性负载200，所述可控硅驱动电路100与所述感性负载200连接，用于驱动所述感性负载200工作。

其中，感性负载200是指带有电感参数的负载。确切讲，应该是负载电流滞后负载电压一个相位差特性的负载为感性负载200，如变压器、电动机等。另外一种是指有些电子设备300在消耗有功功率时还会消耗无功功率，并且有线圈负载的电路，叫感性负载200。

例如，电子设备300包括吸尘器，吸尘器包括可控硅驱动电路100和电机，可控硅驱动电路100包括可控硅。使用吸尘器时，将吸尘器的电源线插头插入插座，当可控硅工作在导通状态时，交流市电通过可控硅驱动电路100为电机提供电源，电机正常工作；当可控硅工作在关断状态时，断开交流市电通过可控硅驱动电路100为电机提供电源的电流回路，电机停止工作。

本实用新型实施例提供了一种电子设备，在感性负载在启动瞬间或异常情况下，通过可控硅驱动电路有效控制可控硅工作在关断状态，避免了可控硅容易受到感性负载大电流的干扰，导致可控硅不受控制电路的控制，无法工作在关断状态的问题，提升了可控硅驱动电路的可靠性和安全性。

请参阅图2，为本实用新型实施例提供的其中一种可控硅驱动电路的结构示意图。如图2所示，所述可控硅驱动电路100与感性负载200电连接，所述可控硅驱动电路100包括可控硅10、检测电路20、控制电路30以及尖峰吸收电路40。

所述可控硅10的阳极和所述可控硅10的阴极电连接在外部交流电源11为所述感性负载200提供电源的电流回路上，当所述可控硅10处于导通状态时，所述外部交流电源11通过所述可控硅10为所述感性负载200提供电源。

在本实施例中，可控硅10为双向可控硅，双向可控硅相当于两个单向可控硅反向连接，具有双向导通功能。双向可控硅用作交流无触点开关使用，具体的，其通断状态由控制极决定，在控制极上加正向脉冲，可使其正向导通，在控制极上加反向脉冲，可使其反向导通，不存在反向耐压问题。

所述外部交流电源11包括第一交流线ACL和第二交流线ACN。

在本实施例中，所述第一交流线ACL为火线，所述第二交流线CAN为零线，可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在零线上，用于控制零线上电流回路的通断，进而控制外部交流电源11为感性负载200提供电源的电流回路的通断。

在一些实施例中，当可控硅10的数量为1个时，可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在火线上，用于控制火线上电流回路的通断，进而控制外部交流电源11为感性负载200提供电源的电流回路的通断。当可控硅10的数量为2个时，一个可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在火线上，另一个可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在零线上，用于分别控制火线和零线上电流回路的通断，进而控制外部交流电源11为感性负载200提供电源的电流回路的通断。当可控硅10应用于三相电路时，该三相电路包括第一交流线、第二交流线以及第三交流线，对应的可控硅10的数量为3个，一个可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在第一交流线上，一个可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在第二交流线上，一个可控硅10的阳极和可控硅10的阴极电连接在第三交流线上，用于分别控制第一交流线、第二交流线以及第三交流线上电流回路的通断。

所述检测电路20电连接在所述外部交流电源11为所述感性负载200提供电源的电流回路上，用于检测所述电流回路的电流。

请一并参阅图5，所述检测电路20包括第一电阻R1，所述第一电阻R1电连接在所述第二交流线ACN上，所述第一电阻R1的一端与外部直流电源VCC和所述第二交流线ACN的接线端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述可控硅TR1的阴极和所述控制电路30连接。

其中，第一电阻R1串联于零线上，所述电流回路的电流流经第一电阻R1形成电势差，控制器301的AD采样引脚采样所述电势差，并根据第一电阻R1的阻值，计算得到所述电流回路的电流。在一些实施例中，当控制器301为具有电流采样功能的集成电路，则第一电阻R1用作限流电路，可省略不要。

所述控制电路30分别与所述可控硅10的控制极和所述检测电路20电连接。

请参阅图3，所述控制电路30包括控制器301和开关电路302。

所述控制器301与所述检测电路20和所述开关电路302电连接，用于根据滤除纹波信号后的所述电流，控制所述开关电路302工作在导通状态或关断状态。

所述开关电路302还与所述可控硅10的控制极电连接，当所述开关电路302工作在导通状态时，所述可控硅10工作在导通状态，当所述开关电路302工作在关断状态时，所述可控硅10工作在关断状态。

在本实施例中，所述控制器301包括单片机U1及其外围电路(图未示)，所述单片机U1可以采用51系列、Arduino系列、STM32系列等。

在一些实施例中，所述控制器301还可以为通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、ARM(Acorn RISC Machine)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或者这些部件的任何组合；还可以是任何传统处理器、控制器、微控制器或状态机；也可以被实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP核、或任何其它这种配置。

请再次参阅图5，所述单片机U1包括AD采样引脚和IO输出引脚，所述开关电路302包括NPN三极管Q1和第二电阻R2。

其中，所述AD采样引脚与所述第一电阻R1的另一端和所述可控硅10的阴极连接，所述IO输出引脚与所述NPN三极管Q1的基极连接；所述NPN三极管Q1的发射极接地，所述NPN三极管Q1的集电极与所述第二电阻R2的一端连接；所述第二电阻R2的另一端与所述可控硅TR1的控制极连接。

当开启感性负载200时，所述IO输出引脚输出高电平信号，所述高电平信号发送至所述NPN三极管Q1的基极，所述NPN三极管Q1的发射极接地，满足所述NPN三极管Q1的导通条件，所述NPN三极管Q1导通，所述NPN三极管Q1的集电极电压被拉低。此时，所述可控硅TR1的阳极和所述可控硅TR1的阴极之间有电压，且该电压大于所述可控硅TR1的压降，所述可控硅TR1的控制极和所述可控硅TR1的阳极存在电势差，使得所述可控硅TR1的控制极产生触发电流，满足所述可控硅TR1的导通条件，所述可控硅TR1工作在导通状态，外部交流电源11经过可控硅TR1为感性负载200提供电源，感性负载200开始工作。

当所述AD采样引脚检测所述电流大于第一预设电流阈值时，所述IO输出引脚输出低电平信号，所述低电平信号发送至所述NPN三极管Q1的基极，所述NPN三极管Q1的发射极接地，不满足所述NPN三极管Q1的导通条件，所述NPN三极管Q1截止。此时，所述可控硅TR1的阳极和所述可控硅TR1的阴极之间有电压，且该电压大于所述可控硅TR1的压降，所述可控硅TR1的控制极和所述可控硅TR1的阳极电压相等，所述可控硅TR1的控制极没有产生触发电流，不满足所述可控硅TR1的导通条件，所述可控硅TR1工作在关断状态，切断外部交流电源11经过可控硅TR1为感性负载200提供电源的电流回路，感性负载200停止工作。

可以理解，当所选用的单片机U1可直接驱动所述可控硅TR1时，所述开关电路302可省略。

在一些实施例中，所述开关电路302还包括电容C1，所述电容C1的一端与所述AD采样引脚、所述第一电阻R1的另一端以及所述可控硅TR1的阴极连接，所述电容C1的另一端与所述第二电阻R2的另一端和所述可控硅TR1的控制极连接。

其中，电容C1连接在可控硅TR1的阴极和可控硅TR1的控制极之间，用于起滤波作用，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压导致的可控硅TR1击穿的现象。

所述尖峰吸收电路40电连接在所述外部交流电源11为所述感性负载200提供电源的电流回路上，用于滤除所述电流的纹波信号，当滤除纹波信号后的所述电流大于第一预设电流阈值时，以使所述控制电路30有效控制所述可控硅10工作在关断状态。

在本实施例中，所述尖峰吸收电路40包括第一二极管D1和第二二极管D2。

所述第一二极管D1电连接在所述第一交流线ACL上，所述第一二极管D1的阴极与所述第一交流线ACL的接线端连接，所述第一二极管D1的阳极与所述感性负载200连接；所述第二二极管D2与所述第一二极管D1反向并联。

在本实施例中，所述第一二极管D1电连接在火线上，所述第二二极管D2与所述第一二极管D1反向并联形成限幅电路，其工作原理为：假设所述第二二极管D2和所述第一二极管D1的电压均为0.7V，当火线上的输入电压大于±0.7V时，所述第二二极管D2或所述第一二极管D1导通，从而限制火线上的电压，即限制外部交流电源11为感性负载200提供电源的电流回路的电压，进而滤除感性负载200在启动瞬间或者异常情况下产生的瞬间大电流导致的大于0.7V的纹波信号，避免瞬间大电流导致的大于0.7V的纹波信号导致可控硅TR1击穿，控制电路30无法有效控制可控硅TR1工作在关断状态，电路中的元器件可能被烧坏的问题。

在一些实施例中，所述尖峰吸收电路40可以包括一个吸收电阻和一个吸收电容组成的RC吸收电路，或者包括一个电阻、一个电容以及一个二极管组成的RCD吸收电路。以RC吸收电路为例，RC吸收电路并联在可控硅TR1的阳极和阴极之间，感性负载200在启动瞬间或者异常情况下产生的瞬间大电流通过吸收电阻对吸收电容充电，从而滤除所述电流的纹波信号。

请参阅图4，为本实用新型实施例提供的其中一种可控硅驱动电路的结构示意图。如图4所示，所述可控硅驱动电路400包括上述实施例所述的控硅驱动电路100，相同之处请参阅上述各个实施例，在此不一一赘述。区别在于，所述可控硅驱动电路400还包括滤波电路50、整流电路60、安规电路70以及保护电路80。

所述滤波电路50分别与所述外部交流电源11、所述可控硅10以及所述尖峰吸收电路40电连接，用于抑制电磁干扰。

如图5所示，所述滤波电路50包括共模电感(包括电感L1和电感L2)和X电容CX1，电感L1的一端与所述第一交流线ACL的接线端连接，电感L1的另一端与所述X电容CX1的一端和所述尖峰吸收电路40连接，电感L2的一端与所述X电容CX1的另一端连接，电感L2的另一端与可控硅TR1的阳极连接。

在一些实施例中，所述滤波电路50包括差模电感，用于抑制交流输入端的差模干扰。

所述整流电路60的第一交流输入端AC1与所述尖峰吸收电路40电连接，所述整流电路60的第二交流输入端AC2与所述滤波电路50电连接，所述整流电路60的第一直流输出端DC1和第二直流输出端DC2分别与所述感性负载200的正、负极电连接，用于控制所述感性负载200的转动方向。

其中，所述整流电路60包括全桥整流器BD1，感性负载200包括电机M1。全桥整流器BD1的第一交流输入端AC1与第一二极管D1的阳极和第二二极管D2的阴极连接，全桥整流器BD1的第二交流输入端AC2与电感L2的一端与X电容CX1的另一端连接，全桥整流器BD1的第一直流输出端DC1与电机M1的正极连接，全桥整流器BD1的第二直流输出端DC2与电机M1的负极连接，全桥整流器BD1用于控制电机M1转子的转动方向。

可以理解，若感性负载200的转动方向一致，则所述整流电路60可以省略。

所述安规电路70电连接于所述整流电路60的第一直流输出端DC1和所述整流电路60的第二直流输出端DC2之间，且还与所述感性负载200连接，用于滤除共模干扰。

其中，所述安规电路70包括Y电容CY1，Y电容CY1的一端与第一直流输出端DC1和电机M1的正极连接，Y电容CY1的另一端与第二直流输出端DC1和电机M1的负极连接。

所述保护电路80电连接于所述尖峰吸收电路40和所述整流电路60的第一交流输入端AC1之间，用于当所述电流大于第二预设电流阈值时，切断所述外部交流电源11为所述感性负载200提供电源的电流回路。

其中，所述保护电路80包括保险丝FS1，保险丝FS1的一端与第一二极管D1的阳极和第二二极管D2的阴极连接，保险丝FS1的一端与所述整流电路60的第一交流输入端AC1连接。第二预设电流阈值为保险丝FS1的熔断值，当所述电流上升至所述第二预设电流阈值，根据发热公式Q＝I²*R*t，当温度到达保险丝FS1的熔点，保险丝FS1熔断，切断外部交流电源11为感性负载200提供电源的电流回路，保护电路中的元器件不被烧坏。

若保险丝FS1为自恢复保险丝，当所述电流大于第二预设电流阈值时，以极小的电流锁定在高阻状态，只有切断电源或过电流消失后，才会恢复低阻状态，无需进行拆换。

所述滤波电路50、所述整流电路60以及所述保护电路80不限制设置于本实施例所公开的位置关系和连接关系，可以理解，其可设置于外部交流电源11为感性负载200提供电源的电流回路的任意位置。

本实用新型实施例提供了一种可控硅驱动电路，通过尖峰吸收电路滤除电流的纹波信号，当滤除纹波信号后的电流大于第一预设电流阈值时，以使控制电路有效控制可控硅工作在关断状态。因此，本实用新型实施例避免了可控硅容易受到感性负载大电流的干扰，导致可控硅不受控制电路的控制，无法工作在关断状态的问题，从而提升了控制电路对可控硅控制的可靠性，进而保护电路中的元器件不被烧坏，提升了可控硅驱动电路的安全性。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；在本实用新型的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路与感性负载电连接，所述可控硅驱动电路包括：

可控硅，所述可控硅的阳极和所述可控硅的阴极电连接在外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路上，当所述可控硅处于导通状态时，所述外部交流电源通过所述可控硅为所述感性负载提供电源；

检测电路，电连接在所述外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路上，用于检测所述电流回路的电流；

控制电路，分别与所述可控硅的控制极和所述检测电路电连接；

尖峰吸收电路，电连接在所述外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路上，用于滤除所述电流的纹波信号，当滤除纹波信号后的所述电流大于第一预设电流阈值时，以使所述控制电路有效控制所述可控硅工作在关断状态。

2.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述外部交流电源包括第一交流线和第二交流线；

所述尖峰吸收电路包括第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管电连接在所述第一交流线上，所述第一二极管的阴极与所述第一交流线的接线端连接，所述第一二极管的阳极与所述感性负载连接；

所述第二二极管与所述第一二极管反向并联。

3.根据权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述检测电路包括第一电阻，所述第一电阻电连接在所述第二交流线上，所述第一电阻的一端与外部直流电源和所述第二交流线的接线端连接，所述第一电阻的另一端与所述可控硅的阴极和所述控制电路连接。

4.根据权利要求3所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述控制电路包括控制器和开关电路；

所述控制器与所述检测电路和所述开关电路电连接，用于根据滤除纹波信号后的所述电流，控制所述开关电路工作在导通状态或关断状态；

所述开关电路还与所述可控硅的控制极电连接，当所述开关电路工作在导通状态时，所述可控硅工作在导通状态，当所述开关电路工作在关断状态时，所述可控硅工作在关断状态。

5.根据权利要求4所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述控制器包括AD采样引脚和IO输出引脚，所述开关电路包括NPN三极管和第二电阻；

所述AD采样引脚与所述第一电阻的另一端和所述可控硅的阴极连接，所述IO输出引脚与所述NPN三极管的基极连接；所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的集电极与所述第二电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端与所述可控硅的控制极连接。

6.根据权利要求5所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述开关电路还包括电容；

所述电容的一端与所述AD采样引脚、所述第一电阻的另一端以及所述可控硅的阴极连接，所述电容的另一端与所述第二电阻的另一端和所述可控硅的控制极连接。

7.根据权利要求1-6任一项所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路还包括：

滤波电路，分别与所述外部交流电源、所述可控硅以及所述尖峰吸收电路电连接，用于抑制电磁干扰；

整流电路，所述整流电路的第一交流输入端与所述尖峰吸收电路电连接，所述整流电路的第二交流输入端与所述滤波电路电连接，所述整流电路的第一直流输出端和第二直流输出端分别与所述感性负载的正、负极电连接，用于控制所述感性负载的转动方向。

8.根据权利要求7所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路还包括安规电路，所述安规电路电连接于所述整流电路的第一直流输出端和所述整流电路的第二直流输出端之间，且还与所述感性负载连接，用于滤除共模干扰。

9.根据权利要求7所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路还包括保护电路，所述保护电路电连接于所述尖峰吸收电路和所述整流电路的第一交流输入端之间，用于当所述电流大于第二预设电流阈值时，切断所述外部交流电源为所述感性负载提供电源的电流回路。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

感性负载；

如权利要求1-9任一项所述的可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路与所述感性负载连接，用于驱动所述感性负载工作。

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