CN211045127U - 一种纳米石墨烯高频基站同轴电缆 - Google Patents

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郭建平
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Abstract

本实用新型涉及一种纳米石墨烯高频基站同轴电缆,由外而内依次包括外护套层(1)、纳米石墨烯包带层(2)、纳米石墨烯涂层(3)、外编织层(4)、屏蔽铜箔层(5)、内绝缘层(6)、中心导体(7),纳米石墨烯包带层(2)为浸渍纳米石墨烯水溶液的PTFE包带干燥后缠包而成,纳米石墨烯涂层(3)为纳米石墨烯水溶液涂覆于外编织层(4)经干燥而成,外编织层(4)为金属导电丝编织层;纳米石墨烯包带层(2)、纳米石墨烯涂层(3)、外编织层(4)、屏蔽铜箔层(5)构成内外四层抗干扰层。本实用新型电缆具有更低的噪声水平,抗干扰能力强尤其是抵抗环境温度变化引起的电缆通信噪声,提高高频电缆的环境适应温度。

Description

一种纳米石墨烯高频基站同轴电缆
技术领域
本实用新型涉及通信电缆结构,具体涉及高频基站用同轴电缆。
背景技术
随着技术的日益发展,5G时代已经来临,移动基站做为信号接收发射的通信网点,也面临着大范围的更新换代。同轴电缆做为基站的主要配套组件,其电性能特性也提出了更高的要求。高频电缆相较于普通通信电缆传输频率更高,高频传输具有传输衰减小、信号稳定的特点,因此,新一代的基站中,高频通信电缆的使用率更高。
升级换代的移动基站所使用的电子设备更加集成化,基站的空间在缩小,加上环境中信号干扰源的增多,若电缆的噪声水平和抗干扰性能得不到改良,很容易在一些极端的环境下出现线缆开裂和发射接收信号不稳定的现象。
开发细径规格的基站同轴电缆,改善高频通信电缆的电学性能以及力学性能,使能够适应极端环境(如低温或高温),克服极端环境下噪声水平不稳定及抗干扰能力差的缺点。使不同位置的用户在5G信号的使用过程中更加顺畅、高效。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高频基站同轴电缆,用于移动基站高频信号的发射,提高屏蔽性和抗干扰能力,是服役环境温度的范围更大。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种纳米石墨烯高频基站同轴电缆,由外而内依次包括外护套层、纳米石墨烯包带层、纳米石墨烯涂层、外编织层、屏蔽铜箔层、内绝缘层、中心导体,纳米石墨烯包带层为浸渍纳米石墨烯水溶液的PTFE包带干燥后缠包而成,所述纳米石墨烯涂层为纳米石墨烯水溶液涂覆于所述外编织层经干燥而成,所述外编织层为金属导电丝编织层;所述纳米石墨烯包带层、纳米石墨烯涂层、外编织层、屏蔽铜箔层构成内外四层抗干扰层。
优选地,所述中心导体为镀银铜合金长丝。
优选地,所述内绝缘层为四氟乙烯层,性能稳定,耐酸碱性强,且耐高低温,有助于扩大电缆的服役环境温度范围。
优选地,所述外编织层的金属导电丝为镀锡合金线,镀锡合金线属于增强型的抗干扰金属合金线,本身柔韧的特点,使广泛应用于电缆的外编织层。
优选地,所述外护套层为FEP氟化乙烯丙烯共聚物,该材料在很宽的温度和频率范围内具有较低的介电常数,具有优良的耐候性,从低温到高温能够适应较宽的温度范围。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:本申请提供了一种结构简洁的高频基站同轴电缆,通过内外设置共四层导电层:屏蔽铜箔层、金属导电丝外编织层、纳米石墨烯涂层、纳米石墨烯包带层,其中和屏蔽降噪有关的电学性而言,纳米石墨烯的作用大于金属导电丝外编织层大于铜箔层。在这四层导电层的作用下能够显著提高电缆的抗干扰能力,降低噪声水平,尤其是抵抗环境温度变化引起的电缆通信噪声,提高高频电缆的环境适应温度。
附图说明
图1为本实用新型实施例中纳米石墨烯高频基站同轴电缆的截面结构示意图;
图中,外护套层1、纳米石墨烯包带层2、纳米石墨烯涂层3、外编织层4、屏蔽铜箔层5、内绝缘层6、中心导体7。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本申请作进一步详细描述,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
本实施例涉及一种高频基站同轴电缆,由外而内依次为外护套层1、第一抗干扰层、第二抗干扰层、第三抗干扰层、第四抗干扰层,内绝缘层6和中心导体7。
其中,第一抗干扰层为纳米石墨烯包带层2,取PTFE缠包带,PTFE本身介电常数极小,将其浸渍纳米石墨烯水溶液,干燥后纳米石墨烯附着于PTFE缠包带上即获得导电的PTFE缠包带,重复浸渍多次可提高纳米石墨烯在PTFE缠包带上的分布均匀性和附着量,提高其屏蔽抗干扰性能。
第二抗干扰层为纳米石墨烯涂层,是直接将纳米石墨烯水溶液涂覆于外编织层4经干燥而成,让纳米石墨烯均匀的附着在外编织层外,为了提高纳米石墨烯的附着均匀性,分多次涂覆。
第三抗干扰层为外编织层4,为镀锡合金线编织层。第四抗干扰层为屏蔽铜箔层5。
实施例涉及高频电缆的各结构特性以及电性能测试数据参见表1
表1
Figure BDA0002342513210000031
本实施例的高频基站同轴电缆采用四层抗干扰层,由内而外电性能逐渐增强,最终获得一种抗干扰能力强、噪声低的高频基站用电缆,能够在-200℃~260℃的范围内服役,对环境温度变化引起的脉冲噪声具有更强的抗干扰能力。
尽管以上详细地描述了本实用新型的优选实施例,但是应该清楚地理解,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种纳米石墨烯高频基站同轴电缆,其特征在于:由外而内依次包括外护套层(1)、纳米石墨烯包带层(2)、纳米石墨烯涂层(3)、外编织层(4)、屏蔽铜箔层(5)、内绝缘层(6)、中心导体(7),纳米石墨烯包带层(2)为浸渍纳米石墨烯水溶液的PTFE包带干燥后缠包而成,所述纳米石墨烯涂层(3)为纳米石墨烯水溶液涂覆于所述外编织层(4)经干燥而成,所述外编织层(4)为金属导电丝编织层;所述纳米石墨烯包带层(2)、纳米石墨烯涂层(3)、外编织层(4)、屏蔽铜箔层(5)构成内外四层抗干扰层。
2.根据权利要求1所述的纳米石墨烯高频基站同轴电缆,其特征在于:所述中心导体(7)为镀银铜合金长丝。
3.根据权利要求1所述的纳米石墨烯高频基站同轴电缆,其特征在于:所述内绝缘层为四氟乙烯层。
4.根据权利要求1所述的纳米石墨烯高频基站同轴电缆,其特征在于:所述外编织层(4)的金属导电丝为镀锡合金线。
5.根据权利要求1所述的纳米石墨烯高频基站同轴电缆,其特征在于:所述外护套层(1)为FEP氟化乙烯丙烯共聚物。
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