CN211017387U - 二合一天线结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种二合一天线结构,包括无线充天线、nfc天线和天线接头,所述nfc天线套设于所述无线充天线的外侧,所述天线接头垂直延伸于所述nfc天线的一侧,所述无线充天线和所述nfc天线的首端和末端均与所述天线接头连接。此二合一天线结构充分利用了产品空间将不同特性的无线充天线和nfc天线通过走线将两款天线糅合一体,实现二合一功能,即既能为无线充充电传送与接收数据,也能为nfc刷卡传送与接收数据,整个结构占用空间小、成本低、效率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及天线技术领域,更具体地说是指一种二合一天线结构。
背景技术
现有技术的无线充天线跟nfc天线是单独分开的,若需使用无线充跟nfc刷卡两个功能,需要同时装无线充天线跟nfc天线,占用的空间大、成本高、效率低,且现有的无线充天线跟nfc天线容易受到外界干扰,稳定性较差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种二合一天线结构。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种二合一天线结构,包括无线充天线、nfc天线和天线接头,所述nfc天线套设于所述无线充天线的外侧,所述天线接头垂直延伸于所述nfc天线的一侧,所述无线充天线和所述nfc天线的首端和末端均与所述天线接头连接。
其进一步技术方案为:所述无线充天线和所述nfc天线的表面均覆盖有纳米晶隔磁片。
其进一步技术方案为:所述nfc天线的电感值为300nH~600nH,所述nfc天线的阻抗为﹣3Ω。
其进一步技术方案为:所述无线充天线的电感值为8.3uH~8.6uH,所述无线充天线的内阻小于250mΩ。
其进一步技术方案为:所述二合一天线结构的厚度为0.4mm~0.6mm。
其进一步技术方案为:所述无线充天线和所述nfc天线均为矩形结构。
本实用新型与现有技术相比的有益效果是:本实用新型一种二合一天线结构通过将nfc天线套设于无线充天线的外侧,无线充天线和nfc天线的首端和末端均与天线接头连接,即充分利用了产品空间将不同特性的无线充天线和nfc天线通过走线将两款天线糅合一体,实现二合一功能,既能为无线充充电传送与接收数据,也能为nfc刷卡传送与接收数据,整个结构占用空间小、成本低、效率高。无线充天线和nfc天线的表面均覆盖有纳米晶隔磁片,纳米晶隔磁片作为吸波材料,以保护二合一天线结构的性能不受外界影响,增强二合一天线结构的稳定性。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型技术手段,可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,详细说明如下。
附图说明
图1为二合一天线结构的示意图。
附图标记
11、无线充天线;12、nfc天线;13、天线接头。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不应理解为必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行结合和组合。
nfc天线是以RFID射频识别技术为基础,采用变压器共耦匹配做通信的硬件处理方案,并通过处理器的通讯指令完成数据传送过程的校验,软硬件环境通过RFID调制处理,并通过匹配电路调整而设计制作成功的。最佳效果的nfc天线必须考虑高分子材料与抗干扰材料的关键性能指标的有效性与稳定性,同时制造工艺的稳定性是产品性能指标一致的关键,完善针对性的评测与检验设备是产品品质的保障。
nfc天线一般由绕线/印刷/蚀刻工艺制作的电路线圈与抗干扰能力的铁氧体材料组成。
nfc是near field communication缩写,即近距离无线通讯技术。是一种非接触式识别和互联技术,可以在移动设备、消费类电子产品、PC和智能控件工具间进行近距离无线通信。nfc提供了一种简单、触控式的解决方案,可以让消费者简单直观地交换信息、访问内容与服务。nfc由nfc模块与nfc天线组成。nfc模块一般由一个高速单片机、射频芯片与匹配电路组成。
如图1所示,一种二合一天线结构,包括无线充天线11、nfc天线12和天线接头13,nfc天线12套设于无线充天线11的外侧,天线接头13垂直延伸于nfc天线12的一侧,无线充天线11和nfc天线12的首端和末端均与天线接头13连接。天线接头13用于与主板或其他电路连接,此二合一天线结构充分利用了产品空间将不同特性的无线充天线11和nfc天线12通过走线将两款天线糅合一体,实现二合一功能,即既能为无线充充电传送与接收数据,也能为nfc刷卡传送与接收数据,整个结构占用空间小、成本低、效率高。
具体地,无线充天线11和nfc天线12的表面均覆盖有纳米晶隔磁片,纳米晶隔磁片作为吸波材料,以保护二合一天线结构的性能不受外界影响,增强二合一天线结构的稳定性。
在另一具体实施例中,无线充天线11和nfc天线12的表面可贴铁氧体来做吸波材料,以保护二合一天线结构的性能不受外界影响,增强二合一天线结构的稳定性。
具体地,nfc天线12的电感值为300nH~600nH,nfc天线12的阻抗为﹣3Ω。
具体地,无线充天线11的电感值为8.3uH~8.6uH,无线充天线11的内阻小于250mΩ。
具体地,二合一天线结构的厚度为0.4mm~0.6mm。
具体地,无线充天线11和nfc天线12均为矩形结构。
与现有技术相比,本实用新型一种二合一天线结构通过将nfc天线套设于无线充天线的外侧,无线充天线和nfc天线的首端和末端均与天线接头连接,即充分利用了产品空间将不同特性的无线充天线和nfc天线通过走线将两款天线糅合一体,实现二合一功能,既能为无线充充电传送与接收数据,也能为nfc刷卡传送与接收数据,整个结构占用空间小、成本低、效率高。无线充天线和nfc天线的表面均覆盖有纳米晶隔磁片,纳米晶隔磁片作为吸波材料,以保护二合一天线结构的性能不受外界影响,增强二合一天线结构的稳定性。
上述仅以实施例来进一步说明本实用新型的技术内容,以便于读者更容易理解,但不代表本实用新型的实施方式仅限于此,任何依本实用新型所做的技术延伸或再创造,均受本实用新型的保护。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (4)
1.一种二合一天线结构,其特征在于,包括无线充天线、nfc天线和天线接头,所述nfc天线套设于所述无线充天线的外侧,所述天线接头垂直延伸于所述nfc天线的一侧,所述无线充天线和所述nfc天线的首端和末端均与所述天线接头连接;所述无线充天线和所述nfc天线的表面均覆盖有纳米晶隔磁片;所述nfc天线的电感值为300nH~600nH,所述nfc天线的阻抗为﹣3Ω。
2.根据权利要求1所述的二合一天线结构,其特征在于,所述无线充天线的电感值为8.3uH~8.6uH,所述无线充天线的内阻小于250mΩ。
3.根据权利要求1所述的二合一天线结构,其特征在于,所述二合一天线结构的厚度为0.4mm~0.6mm。
4.根据权利要求1所述的二合一天线结构,其特征在于,所述无线充天线和所述nfc天线均为矩形结构。
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2019
- 2019-11-28 CN CN201922102361.8U patent/CN211017387U/zh active Active
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