CN210957794U - 一种防接反的大电流开关电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种防接反的大电流开关电路,包括防接反单元、开关单元、控制单元,防接反单元和控制单元的信号输出端与开关单元的信号输入端连接;防接反单元包括N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2,电阻R1一端与电源正极连接,另一端与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端与N沟道MOS管Q1的S极相联,N沟道MOS管Q1的G极与电阻R1和R2的共同连接点连接,N沟道MOS管Q1的D极与电源的负极连接;上述一种防接反的大电流开关电路,通过N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2的配合设置,当电源接反时,则N沟道MOS管Q1上的G极为负电压,此时N沟道MOS管Q1截止,实现防反接的目的,采同时开关单元20由控制单元30控制工作状态,保证了电路正常工作,避免了负载的损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及防反接电路技术领域,具体为一种防接反的大电流开关电路。
背景技术
电子产品实际应用中,电源正负极接反时,会产生极大的电流,使后级负载元器件全部烧毁,所以需要防反接保护电路。
目前,通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下,会出现二极管压降太大,发热量大,功耗影响非常大的问题出现。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种防接反的大电流开关电路。
一种防接反的大电流开关电路,包括防接反单元、开关单元、控制单元,防接反单元和控制单元的信号输出端与开关单元的信号输入端连接;
所述防接反单元包括N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2,电阻R1一端与电源正极连接,另一端与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端与N沟道MOS管Q1的S极相联, N沟道MOS管Q1的G极与电阻R1和R2的共同连接点连接,N沟道MOS管Q1的D极与电源的负极连接。
在其中一个实施例中,所述开关单元包括N沟道MOS管Q2、电阻R6,电阻R6的两端分别与N沟道MOS管Q2的G极和S极连接。
在其中一个实施例中,所述开关单元还包括过压保护Z1,所述过压保护Z1与电阻R6并联连接。
在其中一个实施例中,所述控制单元包括开关SW1、电阻R4、电阻R5,开关SW1的一端与电源正极连接,另一端与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与电阻R5的一端连接,电阻R5的另一端电源负极输出端连接,所述N沟道MOS管Q2的G极与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接。
在其中一个实施例中,所述防接反的大电流开关电路还包括指示单元,所述指示单元包括LED1和电阻R3,LED1和电阻R3串联连接,LED1的负极与地极连接,电阻R3的一端与开关SW1和电阻R4之间的公共连接点连接。
在其中一个实施例中,N沟道MOS管Q1的型号为IRFB7430。
上述一种防接反的大电流开关电路,通过N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2的配合设置,当电源接反时,则N沟道MOS管Q1上的G极为负电压,此时N沟道MOS管Q1截止,实现防反接的目的,本电路结构简单,设计合理,采用低内阻的N沟道MOS管Q1,极大降低开关内阻且功率损耗小,同时开关单元20由控制单元30控制工作状态,保证了电路正常工作,避免了负载的损坏。
附图说明
图1为本实用新型一实施例一种防接反的大电流开关电路的电路图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示,一种防接反的大电流开关电路,包括防接反单元10、开关单元20、控制单元30,防接反单元10和控制单元30的信号输出端与开关单元20的信号输入端连接;
所述防接反单元10包括N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2,电阻R1一端与电源正极连接,另一端与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端与N沟道MOS管Q1的S极相联, N沟道MOS管Q1的G极与电阻R1和R2的共同连接点连接,N沟道MOS管Q1的D极与电源的负极连接。
防反单元10的N沟道MOS管Q1的G极由R1和R2的分压信号控制,当R2上的G极为正电压时,N沟道MOS管Q1导通,当R2上的G极没有电压或为负电压时,N沟道MOS管Q1截止。当电源接反时,则R2上的G极为负电压,此时N沟道MOS管Q1截止,实现防反接的目的,控制单元30控制开关单元20开启,实现电路的导通。
这样,一种防接反的大电流开关电路,通过N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2的配合设置,当电源接反时,则N沟道MOS管Q1上的G极为负电压,此时N沟道MOS管Q1截止,实现防反接的目的,本电路结构简单,设计合理,采用低内阻的N沟道MOS管Q1,极大降低开关内阻且功率损耗小,同时开关单元20由控制单元30控制工作状态,保证了电路正常工作,避免了负载的损坏。
进一步地,为了避免N沟道MOS管Q2被误触发,所述开关单元20包括N沟道MOS管Q2、电阻R6,电阻R6的两端分别与N沟道MOS管Q2的G极和S极连接。
这样,N沟道MOS管Q2的G极在无信号的情况下,电阻R6与S极同电位,防止误触发。
进一步地,为了避免N沟道MOS管Q2的G极信号过压被击穿,所述开关单元20还包括过压保护Z1,所述过压保护Z1与电阻R6并联连接。
这样,当N沟道MOS管Q2的G极信号过大时,过压保护Z1被反向击穿,有效的防止N沟道MOS管Q2的G极被击穿。
进一步地,为了更加方便控制开关单元20的导通,所述控制单元30包括开关SW1、电阻R4、电阻R5,开关SW1的一端与电源正极连接,另一端与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与电阻R5的一端连接,电阻R5的另一端电源负极输出端连接,所述N沟道MOS管Q2的G极与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接。
控制单元30设计了手动和自动两种模式,其中手动控制由开关SW1和电阻R4实现,自动控制由电阻R5联接自动控制设备信号输出端实现。R4与R5均汇结到开关单元20的N沟道MOS管Q2的G极,当G极高电位时,Q2导通,当G极为低电平或无电平时,Q2截止,实现开关的功能。
这样,开关单元20可以分别通过手动和自动两种方式进行控制,简单方便,适用范围更广。
进一步地,所述防接反的大电流开关电路还包括指示单元40,所述指示单元40包括LED1和电阻R3,LED1和电阻R3串联连接,LED1的负极与地极连接,电阻R3的一端与开关SW1和电阻R4之间的公共连接点连接。
指示单元40为LED1及R3串接构成,其中LED1的负极接电路中的地极。即2个N沟道MOS管的S极。电阻R3接到信号控制端。当收到大于LED1发光启动电压时,LED1发光指示有控制信号注入。
这样,指示单元40提供控制指示,给操作者提供反馈指示,提示有信号输入,开关单元20开启。
进一步地,N沟道MOS管Q1的型号为IRFB7430。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种防接反的大电流开关电路,其特征在于:包括防接反单元、开关单元、控制单元,防接反单元和控制单元的信号输出端与开关单元的信号输入端连接;
所述防接反单元包括N沟道MOS管Q1、电阻R1和R2,电阻R1一端与电源正极连接,另一端与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端与N沟道MOS管Q1的S极相联, N沟道MOS管Q1的G极与电阻R1和R2的共同连接点连接,N沟道MOS管Q1的D极与电源的负极连接。
2.根据权利要求1所述的一种防接反的大电流开关电路,其特征在于:所述开关单元包括N沟道MOS管Q2、电阻R6,电阻R6的两端分别与N沟道MOS管Q2的G极和S极连接。
3.根据权利要求2所述的一种防接反的大电流开关电路,其特征在于:所述开关单元还包括过压保护Z1,所述过压保护Z1与电阻R6并联连接。
4.根据权利要求1所述的一种防接反的大电流开关电路,其特征在于:所述控制单元包括开关SW1、电阻R4、电阻R5,开关SW1的一端与电源正极连接,另一端与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与电阻R5的一端连接,电阻R5的另一端电源负极输出端连接,所述N沟道MOS管Q2的G极与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接。
5.根据权利要求1所述的一种防接反的大电流开关电路,其特征在于:所述防接反的大电流开关电路还包括指示单元,所述指示单元包括LED1和电阻R3,LED1和电阻R3串联连接,LED1的负极与地极连接,电阻R3的一端与开关SW1和电阻R4之间的公共连接点连接。
6.根据权利要求1所述的一种防接反的大电流开关电路,其特征在于:N沟道MOS管Q1的型号为IRFB7430。
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